JP2015225949A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】セラミックからなる基板本体の表面に金属枠を有し、該金属枠に囲まれた基板本体の表面上に追って実装される電子部品などに対して該金属枠を介して大電流を供給するためのリードを強固に接合でき、前記電子部品に信号電流を給電するための別のリードをも基板本体の表面に容易に配置できる配線基板を提供する。【解決手段】セラミック層ｃ１〜ｃ３からなり、表面３および裏面４を有する基板本体２ａと、該基板本体２ａの表面３に形成され且つ平面視が矩形状のメタライズ層１１と、該メタライズ層１１の上方に配置され且つ平面視が矩形状の金属枠１４と、該金属枠１４と電気的に一端部が接続される複数のリード２３と、を含み、前記リード２３の一端部２２は、上記メタライズ層１１と金属枠１４との間に挟まれて接合されている、配線基板１ａ。【選択図】 図２

Description

本発明は、セラミックからなる基板本体の表面に平面視が矩形状の金属枠を有し、該金属枠に囲まれ、且つ上記基板本体の表面上に追って実装される電子部品に対して大電流を給電するためのリードを併有する配線基板に関する。

例えば、上面に半導体素子の搭載部を有する基体の表面に前記搭載部を囲むように比較的厚肉の枠体を取着し、該枠体の上面における内外方向の中央部に比較的薄肉で且つ枠形状の側部を形成すると共に、前記枠体における比較的広い上面の内外方向に沿って形成した入出力電極の表面で且つ上記側部よりも外周側の位置に、先端側が円弧形状で且つ下方に折り返したリード端子をロウ付けした半導体素子収納用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
上記半導体素子収納用パッケージによれば、前記リード端子を上方に引っ張る外力が加えられても、円弧状の折り返し部が変形して、前記外力を吸収ないし緩和できるので、前記枠体や入出力端子にクラックの発生を防ぐことができる。

しかし、前記のような構造の半導体素子収納用パッケージでは、仮に、前記枠体および側部が金属製であっても、前記搭載部に搭載される半導体素子に対して大電流を給電する場合、前記入出力電極の表面上で且つ上記側部よりも外周側の範囲でのみリード端子をロウ付けしている。そのため、該リード端子に対して外周側向きの外力が加わると、当該リード端子と枠体および側部との接合強度が不十分になるおそれがあった。しかも、前記半導体素子に対して、別途に信号電流を供給するためのパッドを、前記基体の表面における周辺側や枠体の上面における外周側に形成することもスペース的に困難であった。

特開２００３−１８８２９９号公報（第１〜７頁、図１〜３）

本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、セラミックからなる基板本体の表面に金属枠を有し、該金属枠に囲まれた基板本体の表面上に追って実装される電子部品などに対して該金属枠を介して大電流を供給するためのリードを強固に接合できると共に、前記電子部品に信号電流を給電するための別のリードをも基板本体の表面に容易に配置できる配線基板を提供する、を課題とする。

課題を解決するための手段および発明の効果

本発明は、前記課題を解決するため、リードの一端部をセラミック基板の表面に形成したメタライズ層とその上に配設される金属枠との間に挟んで接合するか、あるいは、上下に２分割した金属枠同士の間に挟んで接合する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明による第１の配線基板（請求項１）は、セラミックからなり、表面および裏面を有する基板本体と、該基板本体の表面に形成され且つ平面視が矩形状のメタライズ層と、該メタライズ層の上方に配置され且つ平面視が矩形状の金属枠と、該金属枠と電気的に一端部が接続される単数または複数のリードと、を含む配線基板であって、前記リードの一端部は、上記メタライズ層と金属枠との間に挟まれて接合されている、ことを特徴とする。

これによれば、前記金属枠に囲まれ、且つ基板本体の表面上に追って実装される電子部品などに対して大電流を供給するための電源用の前記リードは、その一端部が基板本体の表面に形成されたメタライズ層と上記金属枠との間に挟まれて接合されている。そのため、上記リードは、上記金属枠と同じ電位とされ、且つ内外方向、垂直方向、および任意の斜め方向の何れに対しても、強固に接合されている。しかも、上記基板本体の表面上において、上記リードが配置されない位置で且つ上記メタライズ層の外周側には、上記電子部品に信号電流を給電するための別のリードの一端部を接合するための接続端子を最小限のスペースで形成することもできる。
従って、従来の配線基板よりも比較的狭い表面の基板本体であっても、該表面に設けた金属枠と同電位のリードを強固に接合できる配線基板を提供することができる。

尚、前記セラミックは、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウムなどの高温焼成セラミック、あるいはガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックである。
また、前記メタライズ層や接続端子（パッド）には、前記セラミックが高温焼成セラミックの場合には、ＷまたはＭｏあるいはこれらの何れかえ一方をベースとする合金などが適用され、前記セラミックが低温焼成セラミックの場合には、ＡｇまたはＣｕなどが適用される。
更に、前記金属枠に囲まれた基板本体の表面は、平坦面であるほか、該表面に開口するキャビティを含む形態であっても良く、該キャビティの底面に追って所望の電子部品が実装される。
また、前記金属枠（金属リング）や前記リード、は、例えば、コバール（Ｆｅ−２９％Ｎｉ−１７％Ｃｏ）、４２アロイ（４２％Ｎｉ−Ｆｅ）、１９４合金（Ｃｕ−２．３％Ｆｅ−０．０３％Ｐ）、あるいは、ステンレス鋼などからなる。
更に、前記接合は、予め、所定の矩形状に成形されたＡｇロウなどからなるシート状のロウ材を、前記メタライズ層とリードの一端部との間、該リードの一端部と金属枠との間、または、下部金属枠とリードの一端部との間、該リードの一端部と上部金属枠との間に挟持した状態で加熱するロウ付けにより行われる。あるいは、上記リードの一端部をメタライズ層と金属枠との間、または、該リードの一端部を下部金属枠と上部金属枠との間に挟持した状態で、金属枠または上部金属枠の上面に沿ってローラ電極を転動させて抵抗溶接するシーム溶接によって前記接合を行っても良い。
また、前記金属枠の厚みとメタライズ層の幅とロウ材の上面（頂面）の幅とは、ほぼ同じである。
加えて、前記メタライズ層および金属枠の内側には、前記基板本体の表面に開口するキャビティが位置しており、該キャビティの底面側には、前記接続端子と導通可能とされ且つ追って実装される半導体素子などの電子部品を実装する任意数の素子接続端子（パッド）が配置されている。

また、本発明による第２の配線基板（請求項２）は、セラミックからなり、表面および裏面を有する基板本体と、該基板本体の表面に形成され且つ平面視が矩形状のメタライズ層と、該メタライズ層の上方に配置され且つ平面視が矩形状の金属枠と、該金属枠と電気的に一端部が接続される単数または複数のリードと、を含む配線基板であって、上記金属枠は、下部金属枠と上部金属枠とからなり、上記リードの一端部は、上記下部金属枠と上部金属枠との間に挟まれて接合されている、ことを特徴とする。
これによれば、前記第１の配線基板による効果に加え、前記基板本体の表面に対する前記リードの一端部の高さを所望の位置に容易に調整することができる。

更に、本発明には、前記リードの一端部は、平面視で前記金属枠と同じか相似形である矩形状の内枠である、配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、単数または複数の前記リードが前記メタライズ層と金属枠との間、あるいは下部金属枠と上部金属枠との間に接合されていても、金属枠または上部金属枠の上面を同じ高さにできる。そのため、これらの金属枠に囲まれた基板本体の表面に追って電子部品を実装した後、金属枠の上面に金属製の蓋板などを接合する際に、気密で且つ強固に接合することが容易となる。
尚、上記内枠も、前記同様のコバールなどからなる。

また、本発明には、前記基板本体の表面における前記メタライズ層の外側で且つ前記リードが配設されない周辺部には、別のリードの一端部を接合するための単数または複数の接続端子が形成されている、配線基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、金属枠に囲まれた基板本体の表面に追って実装される電子部品に対し、信号用の電流を給電するための別のリードの一端部を、上記接続端子に接合することで、基板本体表面全体の面積を過度に大きくすることなく、最小限にして上記信号用の電流を給電することができる。
尚、上記別のリードも、前記同様のコバールなどからなり、前記接続端子と共に、前記リードや金属枠とは、異なる電位で使用される。
また、上記接続端子は、その底面に接続され且つ基板本体の内部に形成されるビア導体および内部配線を介して前記メタライズ層を回避しつつ、前記金属枠に囲まれた基板本体の表面に形成された素子実装端子と電気的に接続されている。

更に、本発明には、前記リードの他端部、あるいは該リードおよび前記別のリードの他端部には、平面視で矩形状の外枠が接続されている、配線基板（請求項５）も含まれる。
これによれば、前記リード、別のリード、および内枠を一体に接続した外枠を備えた単一のリードフレームが前記基板本体に接合されているので、搬送時における上記リードおよび別のリードの不用意な変形を防止できる。しかも、かかるリードおよび別のリードの中間位置でこれらを切断することによって、本来の電気的な使用に供することができる。

加えて、本発明には、前記リードの幅は、前記別のリードの幅よりも大である、配線基板（請求項６）も含まれる。
これによれば、前記リードに対し、例えば、電源用などの大電流を流せると共に、上記のように線幅の異なる２種類のリードを併用することによって、前記基板本体の表面において上記リードおよび別のリードが占めるスペースを比較的少なくすることも可能となる。
尚、前記外枠も、前記同様のコバールなどからなり、前記リード、別のリード、および内枠を含めた単一のリードフレームを構成している。
また、前記リード、別のリード、内枠、および外枠は、平面視が矩形状で且つ相似形状である内枠と外枠との間を接続する単数または複数のリードと、前記外枠の内側縁から延出し且つ内枠の外側縁に延びる任意数の他のリードとを一体に有するリードフレームを形成する。該リードフレームは、前記コバールなどからなる金属薄板をエッチング加工あるいは打ち抜き加工することで形成されている。

本発明による第１の配線基板の一形態を示す平面図。 図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図。 図１中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った垂直断面図。 上記配線基板における金属枠の付近を示す斜視図。 上記配線基板における金属枠の付近を示す部分垂直断面図。 本発明による第２の配線基板を示す図５と同様な部分垂直断面図。 異なる形態の第１の配線基板を示す平面図。 図７中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図。 更に異なる形態の第１の配線基板を示す平面図。 図９中のＶ−Ｖ線の矢視に沿った垂直断面図。

以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による第１の配線基板１ａを示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図、図３は、図１中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った断面図、図４は、上記配線基板１ａにおける金属枠１４の付近を示す部分斜視図、図５は、かかる金属枠１４の付近を示す部分断面図である。
第１の配線基板１ａは、図１〜図５に示すように、平面視が正方形（矩形）状で且つ全体が板形状の基板本体２ａと、該基板本体２ａの中央側に形成され且つ平面視が正方形状のメタライズ層１１と、該メタライズ層１１の上方に配置され平面視が正方形状で且つ全体が四角筒状の金属枠１４と、該金属枠１４と上記メタライズ層１１との間に挟まれて接合されたリード２３の一端部（内枠）２２、金属枠１４の四辺における中央部から外周側に水平に延び、且つ両側に位置する別のリード２４よりも線幅の広いリード２３、およびこれらの他端部を接続し且つ上記基板本体２の外周を囲む平面視が正方形状の外枠２１を含むリードフレーム２０ａと、を備えている。

前記基板本体２ａは、図２，図３に示すように、セラミック層ｃ１〜ｃ３を一体に積層したもので、平面視が正方形状の表面３および裏面４と、これらの周辺間に位置する四辺の側面５と、前記表面３の中央側で且つ前記メタライズ層１１の内側に開口するキャビティ６とを備えている。該キャビティ６は、平面視が正方形状の底面７と、その周辺から立設した四辺の内側面９と、該内側面９の深さ方向における中間に位置し且つ平面視が矩形枠状の段部８とを有している。
尚、前記セラミック層ｃ１〜ｃ３は、アルミナなどの高温焼成セラミック、あるいはガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなる。また、前記メタライズ層１１は、上記セラミック層ｃ１〜ｃ３がアルミナなどからなる場合には、ＷまたはＭｏあるいはこれらの何れか一方をベースとする合金などが適用され、ガラス−セラミックなどからなる場合には、ＣｕまたはＡｇなどが適用される。更に、前記リードフレーム２０ａは、例えば、コバールあるいは４２アロイなどからなる。

また、図１〜図３に示すように、前記キャビティ６の底面７には、平面視が正方形状の素子実装用パッド１０が形成され、該パッド１０の上面には、追って半導体素子などの電子部品１８が接着剤（図示せず）を介して実装される。更に、該キャビティ６内の段部８の表面には、複数の素子接続端子１６の一端部が形成されている。該素子接続端子１６の他端部は、図３，図５に示すように、セラミック層ｃ２，ｃ３間を、基板本体２の側面５側に向かって水平に延びている。
また、基板本体２ａの表面３における周辺側には、各側面５に一辺が近接する平面視が正方形状である複数の外部接続端子（接続端子）１５が形成されている。図１，図３に示すように、前記接続端子１５ごとの表面には、前記リードフレーム２０ａの外枠２１の各内辺から中心側に直角に延び、且つ前記リード２３よりも線幅の小さい複数の別のリード２４の先端部が個別に接合されている。かかる接合は、例えば、後述するＡｇロウからなるロウ材層を介して成されている。
尚、前記素子実装用パッド１０、接続端子１５、および素子接続端子１６も、前記メタライズ層１１と同様に、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、またはＡｇなどからなる。

更に、図４，図５に示すように、前記メタライズ層１１の上面（頂面）には、該上面と相似形のロウ材層１２を介して、前記リードフレーム２０ａにおける平面視が正方形枠状の内枠２２の下面が接合され、該内枠２２の上面には、上記同様のロウ材層１３を介して金属枠１４の下面が接合されている。即ち、上記リードフレーム２０ａは、その内枠２２の上面および下面をロウ材層１２，１３の間に挟まれていると共に、該ロウ材層１２，１３を介して前記メタライズ層１１と金属枠１４との間に接合されている。
尚、前記リードフレーム２０ａの内枠２２は、平面視でメタライズ層１１の上面、ロウ材層１２，１３、および金属枠１４の下面と互いに同じか、または相似形の正方形状の枠形に予め成形されている。また、上記ロウ材層１２，１３は、予め、平面視が正方形枠状で且つシート状に成形されたＡｇロウなどからなる。

加えて、図３に示すように、前記段部８上の複数の素子接続端子１６は、セラミック層ｃ３を貫通するビア導体１７を介して、前記複数の接続端子１５と個別に導通可能とされている。そのため、追ってキャビティ６の底面７上の前記素子実装用パッド１０上に実装される電子部品１８と、前記複数の素子接続端子１６とは、ボンディングワイヤ１９を介して、例えば、信号電流が通電される。即ち、接続端子１５および前記別のリード２４は、前記金属枠１４およびリード２３とは、異なる電位とにして使用される。
更に、図５に示すように、前記複数の素子接続端子１６のうち、少なくとも１つの素子接続端子１６ａは、セラミック層ｃ３を貫通するビア導体１７を介して、前記メタライズ層１１の下面に接続されている。即ち、該素子接続端子１６ａは、前記４個のリード２３、金属枠１４、およびメタライズ層１１と同電位とされ、前記電子部品１８に対し、上記ワイヤ１９を介して電源用の大電流が流される。

尚、前記ロウ付けは、予め、前記メタライズ層１１の上面、リードフレーム２０ａの内枠２２の上・下面、および金属枠１４の下面にＮｉメッキ膜を被覆した後で行われ、該ロウ付け後に、外部に露出するリードフレーム２０ａや金属枠１４の表面に対し、例えば、Ｎｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜が更に被覆される。
また、前記金属枠１４の内側に位置するキャビティ６内に前記電子部品１８が実装され且つ前記ボンディングワイヤ１９が配線された後では、当該金属枠１４の上面に対し、その内側を外部から封止するための金属製の蓋板が接合される。

以上のような第１の配線基板１ａによれば、前記金属枠１１に囲まれた基板本体２ａの表面３に開口するキャビティ６内に追って実装される電子部品１８に対し、前記リードフレーム２０ａを構成している大電流供給用で且つ幅広の４個のリード２３は、それらの一端側に位置する前記内枠２２が、基板本体２ａの表面３に形成されたメタライズ層１１と上記金属枠１４との間に挟まれてロウ付け（接合）されている。そのため、上記４個のリード２３は、上記金属枠１４と同じ電位とされていると共に、内外方向、垂直方向、および任意の斜め方向の何れに対しても、強固に接合されている。従って、前記複数のリード２３を介して、リードフレーム２０ａを基板本体２の表面３の上方に強固に接合した配線基板１ａとされている。

しかも、前記基板本体２ａの表面３上において、前記リード２３が配置されない位置で且つメタライズ層１１の外周側には、前記電子部品１８に信号電流を給電するためのリード２４の一端部を接合するための接続端子１５を最小限のスペースで形成できる。その結果、従来よりも比較的小さい表面３の基板本体２であっても、該表面３に設けた金属枠１４と同電位のリード２３を強固に接合できる。
更に、同じ前記リードフレーム２０ａの外枠２１の各内辺から水平に且つ基板本体２側に延びた複数の別のリード２４は、それらの先端部が前記外部接続端子１４に個別に接合され、複数組の前記ビア導体１７および素子接続端子１６を介して、所要の信号電流を前記電子部品１８に対して送信することができる。
加えて、線幅の異なる２種類のリード２３，２４を併用するので、基板本体２の表面３を比較的少ないスペースとすることもできる。
尚、前記内枠２２とメタライズ層１１および金属枠１４との接合は、前記と同じ配置をした後、該金属枠１４の上面ごとに沿って電極ローラ（図示せず）を転動させることにより、上記３者間の界面をシーム溶接する方法としても良い。
また、第１の配線基板１ａは、リードフレーム２０ａのうち、前記リード２３，２４ごとの中間位置で切断した形態としても良い。

図６は、前記第１の配線基板１ａの応用形態であり且つ本発明による第２の配線基板１ｄを示す図５と同様な部分垂直断面図である。
第２の配線基板１ｄは、図６に示すように、前記基板本体２ａ、キャビティ６、メタライズ層１１、およびリードフレーム２０ａなどを備えている。該配線基板１ｄでは、単一の前記金属枠１４を下部金属枠１４ａと上部金属枠１４ｂとに上下に２分割し、これらの間にリードフレーム２０ａの内枠２２を、２層のロウ材層１３ａ，１３ｂを介して接合したものである。
上記のような配線基板１ｄによれば、前記配線基板１ａによる効果に加え、前記内枠２２に連なる４個のリード２３の高さを容易に調整することができる。
尚、上記各リード２３と同じリードフレーム２０ａにおける複数の前記別のリード２４の先端部は、前記外部接続端子１５の表面に接合できるように、例えば、該接続端子１５ごとの厚みを増大させるか、あるいは、該リード２４ごとの中間を下側（表面３側）に変位するように曲げ加工されている。
尚、第２の配線基板１ｄも、リードフレーム２０ａのうち、前記リード２３，２４ごとの中間で切断した形態としても良い。

図７は、異なる形態の第１の配線基板１ｂを示す平面図、図８は、図７中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図である。
上記第１の配線基板１ｂは、図７，図８に示すように、前記同様の基板本体２ｂおよびキャビティ６と、該基板本体ｂ２の表面３における各側面５側に沿って形成された前記同様のメタライズ層１１と、該メタライズ層１１の上方に前記同様のロウ材層１２，１３およびリードフレーム２０ｂの内枠２２を介して接合された金属枠１４と、を備えている。
上記基板本体２ｂの表面３における各側面５側には、複数の外部接続端子１５が形成されず、上記メタライズ層１１が各側面５に近い位置に形成されている。
また、リードフレーム２０ｂは、図７に示すように、前記同様の外枠２１と、該外枠２１の内辺ごとの中央部から側に延びた幅広い４つのリード２３と、該リード２３が各外辺に接続している内枠２２とを備えているが、前記線幅の狭い別のリード２４は有していない。

更に、図８中の左側に示すように、前記キャビティ６の段部８に形成された複数の素子接続端子１６は、それらの他端部がセラミック層ｃ２，ｃ３間に沿って水平に延び、セラミックｃ１，ｃ２間に形成された配線層２５およびセラミックｃ１，ｃ２を個別に貫通する上下２個のビア導体１７を介して、基板本体２ｂの裏面４に形成された複数の裏面（外部）接続端子２６と導通可能とされている。上記素子接続端子１６は、ボンディングワイヤ１９を介して、追ってキャビティ６内に実装される電子部品１８に対し、所要の信号電流を送信可能としている。
加えて、図８中の右側に示すように、前記複数の素子接続端子１６のうち、少なくとも１つの素子接続端子１６ｂは、セラミック層ｃ３を貫通するビア導体１７を介して、前記メタライズ層１１の下面に接続されている。即ち、該素子接続端子１６ｂも、前記４個のリード２３、金属枠１４、およびメタライズ層１１と同電位とされ、前記電子部品１８に対し、前記ワイヤ１９を介して電源用の大電流を給電可能としている。

以上のような配線基板１ｂによれば、前記配線基板１ａ，１ｄによる効果に加えて、基板本体２ｂの表面３は、ほとんどをメタライズ層１１だけで占めているので、該基板本体２の表面３および裏面４の面積を最少した小型化が容易となる。
尚、前記第１の配線基板１ｂは、前記第２の配線基板１ｄと同様に、前記金属枠１４を下部金属枠１４ａと上部金属枠１４ｂとに２分割し、これらの間にリードフレーム２０ｂの内枠２２を、上下２層のロウ材層１３ａ，１３ｂを介して接合した第２の配線基板としても良い。
また、前記配線基板１ｂは、リードフレーム２０ｂのうち、前記リード２３ごとの中間で切断した形態としても良い。

図９は、更に異なる形態の第１の配線基板１ｃを示す平面図、図１０は、図９中のＶ−Ｖ線の矢視に沿った垂直断面図である。
第１の配線基板１ｃは、図９，図１０に示すように、前記同様の基板本体２ｃおよびキャビティ６と、基板本体２ｃの表面３における３つの側面５に近接して形成されたメタライズ層１１と、該メタライズ層１１の上方に前記同様のロウ材層１２，１３およびリードフレーム２０ｃの内枠２２を介して接合された金属枠１４と、を備えている。
上記基板本体２ｃの表面３における３辺の側面５側には、複数の外部接続端子１４が形成されておらず、上記メタライズ１１が各側面５に間近の位置に形成されている。また、図９に示すように、上記表面３における右辺の側面５に沿って複数の外部接続端子１５が形成されている。そのため、基板本体２ｃの表面３および裏面４は、平面視で長方形状を呈している。

更に、前記リードフレーム２０ｃは、図９に示すように、前記同様の外枠２１と、該外枠２１における３つの内辺ごとの中央部から側に延びた幅広い３つのリード２３と、該リード２３が外辺に個別に接続している内枠２２と、図９で外枠２１における右側の内片から基板本体２の側面５側に水平に延びた複数の別のリード２４とを備えている。
加えて、図１０中の左側に示すように、前記キャビティ６の段部８に形成された複数の素子接続端子１６のうち、少なくとも１つ素子接続端子１６ｃは、その他端部がセラミック層ｃ２，ｃ３間に沿って延び、該他端部がセラミックｃ３を貫通する前記ビア導体１７を介して、前記メタライズ層１１の下面に接続されている。即ち、上記素子接続端子１６ｃも、前記３つのリード２３、金属枠１４、およびメタライズ層１１と同電位とされ、前記電子部品１８に対し、前記ワイヤ１９を介して電源用の大電流を給電可能とされている。

加えて、図１０中の右側に示すように、前記複数の素子接続端子１６は、セラミック層ｃ３を貫通するビア導体１７を介して、その他端部が基板本体２の表面３に形成された複数の外部接続端子１５と導通可能とされている。かかる素子接続端子１６も、ボンディングワイヤ１９を介して、追ってキャビティ６内に実装される電子部品１８に対し、所要の信号電流を送信可能とされている。
以上のような配線基板１ｃによれば、前記配線基板１ａ，１ｄによる効果に加えて、基板本体２ｃの表面３は、１辺側を除いてメタライズ層１１が占めているので、該基板本体２ｃの表面３および裏面４の面積を比較的小さくした小型化が容易となる。
尚、第１の配線基板１ｃも、前記第２の配線基板１ｄと同様に、前記金属枠１４を下部金属枠１４ａと上部金属枠１４ｂとに２分割し、これらの間にリードフレーム２０ｃの内枠２２を、上下２層のロウ材層１３ａ，１３ｂを介して接合した第２の配線基板としても良い。
また、前記配線基板１ｃも、リードフレーム２０ｃのうち、前記リード２３，２４ごとの中間で切断した形態としても良い。

本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記配線基板の表面は、平坦面であっても良く、該平坦な表面のうち、前記金属枠に囲まれた領域に追って電子部品を実装する形態としても良い。
また、前記基板本体は、平面視が正方形状の表面および裏面を有し、該表面における隣接する二辺の側面に沿った周辺側ごとに、前記複数の外部接続端子を形成したり、あるいは、平面視が長方形状の表面および裏面を有し、該表面において対向する一対の短辺ごとの周辺側に沿って、前記複数の外部接続端子を形成した形態としても良い。
更に、前記金属枠は、平面視が長方形の枠形状を呈する形態としても良く、この場合、前記メタライズ層も平面視で上記枠形状と相似形とされる。
加えて、前記リードフレーム２０ａ〜２０ｃは、それらの内枠２２を平面視で長方形状の形態としたり、あるいは、外枠２１も平面視で長方形状とし且つ該外枠２１の内辺ごとから中心側に延びる前記リード２３，２４ごとの長さを、前記内辺ごとに互いに相違させた形態としても良い。

本発明によれば、セラミックからなる基板本体の表面に金属枠を有し、該金属枠に囲まれた基板本体の表面上に追って実装される電子部品などに対して該金属枠を介して大電流を供給するためのリードを強固に接合できると共に、前記電子部品に信号電流を給電するための別のリードをも基板本体の表面に容易に配置できる配線基板を提供できる。

１ａ〜１ｄ………配線基板
２ａ〜２ｃ………基板本体
３…………………表面
４…………………裏面
１１………………メタライズ層
１４………………金属枠
１４ａ……………下部金属枠
１４ｂ……………上部金属枠
１５………………外部接続端子（接続端子）
２０ａ〜２０ｃ…リードフレーム
２１………………外枠
２２………………内枠
２３………………リード
２４………………別のリード
ｃ１〜ｃ３………セラミック層（セラミック）

Claims (6)

1. セラミックからなり、表面および裏面を有する基板本体と、
   上記基板本体の表面に形成され且つ平面視が矩形状のメタライズ層と、
   上記メタライズ層の上方に配置され且つ平面視が矩形状の金属枠と、
   上記金属枠と電気的に一端部が接続される単数または複数のリードと、を含む配線基板であって、
   上記リードの一端部は、上記メタライズ層と金属枠との間に挟まれて接合されている、
   ことを特徴とする配線基板。
2. セラミックからなり、表面および裏面を有する基板本体と、
   上記基板本体の表面に形成され且つ平面視が矩形状のメタライズ層と、
   上記メタライズ層の上方に配置され且つ平面視が矩形状の金属枠と、
   上記金属枠と電気的に一端部が接続される単数または複数のリードと、を含む配線基板であって、
   上記金属枠は、下部金属枠と上部金属枠とからなり、上記リードの一端部は、前記下部金属枠と上部金属枠との間に挟まれて接合されている、
   ことを特徴とする配線基板。
3. 前記リードの一端部は、平面視で前記金属枠と同じか相似形である矩形状の内枠である、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
4. 前記基板本体の表面における前記メタライズ層の外側で且つ前記リードが配設されない周辺部には、別のリードの一端部を接合するための単数または複数の接続端子が形成されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板。
5. 前記リードの他端部、あるいは該リードおよび前記別のリードの他端部には、平面視で矩形状の外枠が接続されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線基板。
6. 前記リードの幅は、前記別のリードの幅よりも大である、
   ことを特徴とする請求項４または５に記載の配線基板。

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