JP2015216320A - ダイシングフィルム用基材フィルムおよびダイシングフィルム - Google Patents

Abstract

【課題】エキスパンド性及び復元性に優れ、かつ、ダイシング時の切削屑の発生の抑制効果の高いダイシングフィルム用基材フィルム及びダイシングフィルムを提供することにある。
【解決手段】本発明のダイシングフィルム用基材フィルムは、基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシングフィルム用基材フィルムであって、前記表面層は、ＪＩＳＫ６７３４の試験方法に基づいて測定した１０％モジュラスが、１０ＭＰａ以上１８ＭＰａである以下であることを特徴とするダイシングフィルム用基材フィルムである。前記表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体またはその水素添加物と、を含有することが好ましい。
【選択図】図１

Description

本発明は、ダイシングフィルム用基材フィルムおよびダイシングフィルムに関するものである。

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。

これらの半導体装置の製造方法としては、半導体用ウエハに半導体ウエハ加工用ダイシングフィルムを貼付し、半導体用ウエハの周囲をウエハリングで固定しながら、ダイシングソーを用いたダイシング工程で前記半導体用ウエハを個々の半導体素子に切断分離（個片化）した後、エキスパンディング工程の後、個片化した半導体素子のピックアップを行い、次いで、この半導体素子を金属リードフレームあるいは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するためのダイボンディング工程へ移送する。ピックアップされた半導体素子は、ダイボンディング工程で液状ダイアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、半導体装置が製造される。

このような半導体装置の製造に用いられる半導体ウエハ加工用ダイシングフィルムについて、近年、種々の検討がなされている（例えば、特許文献１参照。）。

この半導体ウエハ加工用ダイシングフィルムは、一般に、基材（フィルム基材）と、この基材上に形成された粘着層とを有するものであり、粘着層により半導体用ウエハが固定される。また、半導体用ウエハのダイシング工程後に半導体チップを容易にピックアップすることができるように、粘着層は、通常、粘着性を有するベース樹脂および光硬化性樹脂等を含有する樹脂組成物で構成されている。つまり、ダイシング工程後、粘着層にエネルギーが付与されると、樹脂組成物が硬化して粘着層の粘着性が低下し、半導体素子のピックアップが容易となるようになっている。

ところで、ダイシング工程で発生するダイシングフィルム由来の切削屑（基材屑）は、半導体ウエハを汚染し、半導体チップの歩留まりを低下させるため、切削屑の発生を極力低減する必要がある。また、半導体チップのピッキングの精度を高め、さらに生産性を向上させるため、ダイシングフィルムには、裂けたり切断したりすることなく、均一により広く円滑に拡張できるという特性（以下、エキスパンド性という。）も要求される。また、ダイシングフィルムは、通常ロール状に巻いて製造、保管、運搬等されるが、フィルム同士のブロッキングが生じると品質の低下につながるため、耐ブロッキング性も要求され
る。

このような要求に対して、様々なダイシングフィルムが提案されている。例えば、特許文献２では、エチレンと（メタ）アクリル酸を重合体の構成成分とする共重合体が金属イオンで架橋されたアイオノマー９０〜７０質量％と、ポリエーテル成分を含む帯電防止樹脂１０〜３０質量％を含有することを特徴とするダイシングフィルムが提案されている。

特開２００９−２４５９８９号公報 特開２０１１−２１０８８７号公報

本発明は、エキスパンド性及び復元性に優れ、かつ、ダイシング時の切削屑の発生の抑制効果の高いダイシングフィルム用基材フィルム及びダイシングフィルムを提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１２）に記載の本発明により達成される。

（１）基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシングフィルム用基材フィルムであって、
前記表面層は、ＪＩＳＫ７１６１の試験方法に基づいて測定した１０％モジュラスが、１０ＭＰａ以上１８ＭＰａである以下であることを特徴とするダイシングフィルム用基材フィルム。

（２）前記表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体またはその水素添加物と、を含有することを特徴とする（１）記載のダイシングフィルム用基材フィルム。

（３）前記ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体は、スチレン−エチレン−ブタジエン−スチレン共重合体である、（１）又は（２）に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。

（４）前記ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体中のビニル芳香族炭化水素の含有量は、１０重量％以上５０重量％以下である、（１）ないし（３）のいずれか１項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。

（５）前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超えて８５重量％以下であり、
前記表面層における前記ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の含有量は、１５重量％以上５０重量％以下である、（１）ないし（４）のいずれか１項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。

（６）前記表面層は、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である、（１）から（５）のいずれか１項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。

（７）（１）から（６）のいずれか１項に記載のダイシングフィルム用基材フィルムの表面層側の主面上に、粘着層が設けられた、ダイシングフィルム。

（８）前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂を含有する（７）に記載のダイシングフィルム。

（９）前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である（７）または（８）に記載のダイシングフィルム。

（１０）前記粘着層は、さらに、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂を含有する（７）ないし（９）のいずれか１項に記載のダイシングフィルム。

（１１）（７）ないし（１０）のいずれか１項に記載のダイシングフィルム上に、半導体ウエハが積層された半導体ウエハ付きダイシングフィルム。

本発明は、基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシングフィルム用基材フィルムであって、前記表面層は、ＪＩＳＫ７１６１の試験方法に基づいて測定した１０％モジュラスが、１０ＭＰａ以上１８ＭＰａであるため、ダイシング工程において、切削屑を低減でき、かつ、エキスパンド性及び復元性に優れる、ダイシングフィルムに関する。

本発明の半導体用ウエハ加工用ダイシングフィルムを用いた半導体装置の一例を示す縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の半導体ウエハ加工用ダイシングフィルムを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 本発明の、半導体ウエハ加工用ダイシングフィルムの実施形態を示す縦断面図である。

以下、本発明のダイシングフィルム用基材フィルムおよびダイシングフィルムについて詳細に説明する。

まず、半導体装置の製造方法に用いられるダイシングフィルム１００（本発明のダイシングフィルム）について説明する。
＜半導体用ウエハ加工用ダイシングフィルム＞
図３は、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。

なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

ダイシングフィルム１００（本発明のダイシングフィルム）は、ダイシングフィルム用基材フィルム４と、このダイシングフィルム用基材フィルム４に積層された粘着層２とを備える積層体により構成されるものである。

以下、ダイシングフィルム１００が有するダイシングフィルム用基材フィルム４および粘着層２について、詳述する。

なお、ダイシングフィルム１００は、このものが備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性が低下する機能を有するものである。

このような粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、粘着層２にエネルギー線を照射する方法および粘着層２を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、半導体チップ２０が不要な熱履歴を経る必要がないことから、粘着層２にエネルギー線を照射する方法が好適に用いられる。そのため、以下では、粘着層２として、エネルギー線の照射により前記粘着性が低下するものを代表に説明する。

以下、本開示のダイシングフィルム用基材フィルムについて詳細に説明する。

図１は、本開示のダイシングフィルム用基材フィルムの構成の一例を示す概略断面図である。図１に示すように、本開示のダイシングフィルム用基材フィルム４は、基材層４１と、基材層４１の一主面上に配置された表面層４２とを備えている。

以下、本開示のダイシングフィルム用基材フィルム４を構成する各層について詳細に説明する。

＜表面層＞
本開示のダイシングフィルム用基材フィルム４を構成する表面層４２は、一又は複数の実施形態において、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である。表面層４２はＪＩＳＫ７１６１の試験方法に基づいて測定した１０％モジュラスが、１０ＭＰａ以上１８ＭＰａである以下である。これにより、ダイシングブレードを表面層４２にのみ切り込ませ、切削屑を著しく低減できるとともに、エキスパンド装置で放射状にエキスパンドした際に、ダイシングフィルムがたわむことを防ぐことができる。

すなわち、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である表面層４２の、ＪＩＳＫ７１６１の試験方法に基づいて測定した１０％モジュラスが、１０ＭＰａ以上であることと、表面層が適度な硬さを有するため、ダイシングした際に、ブレードに樹脂がまとわりつくことがなく、切削屑を著しく低下させることができる。

また、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である表面層４２の、ＪＩＳＫ７１６１の試験方法に基づいて測定した１０％モジュラスが、１８ＭＰａ以下であると、表面層が適度な柔らかさを有するため、エキスパンド装置で放射状にエキスパンドした際に、樹脂に復元力が働き、ダイシングフィルムがたわむことがない。

表面層４２は主として樹脂材料から成る。

かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレンのようなポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、等のポリオレフィン系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体のようなアイオノマー、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、ポリプロピレン系熱可塑性エラストマーのようなオレフィン系熱可塑性エラストマー、アクリル樹脂、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。

これらの中でも、ポリスチレン系樹脂を含むことが好ましい。ポリスチレン系樹脂を含むことで、切削屑を著しく低減できる効果が得られる。ポリスチレン系樹脂としては、特に限定されないが、汎用ポリスチレン樹脂、耐衝撃性ポリスチレン樹脂、又はこれらの混合物等が挙げられる。「汎用ポリスチレン」とは、通常、スチレンホモポリマーである。また、「耐衝撃性ポリスチレン」とは、通常、汎用ポリスチレンにブタジエン等のゴム成分を加えたものをいい、ポリスチレンのマトリックス中に微細なゴム状粒子がブレンド又はグラフト重合された構造をとっている。

表面層４２におけるポリスチレン系樹脂の含有量としては、耐ブロッキング性の向上と、切削屑の発生を抑制できる観点から、５０重量％以上を超え、好ましくは６０重量％以上である。また、フィルムのエキスパンド性及び復元性を向上できる観点から、好ましくは８５重量％以下、より好ましくは８０重量％以下である。

また、表面層４２にはビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体を含むことが好ましい。これにより、良好なエキスパンド特性効果が得られる。ビニル芳香族炭化水素とは、少なくとも１つのビニル基を有する芳香族炭化水素のことをいう。ビニル芳香族炭化水素としては、て、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、１，１−ジフェニルエチレン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−アミノエチルスチレン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｐ−アミノエチルスチレン等が挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上を混合して使用できる。これらの中でも、スチレンが好ましい。

共役ジエン炭化水素とは、一対の共役二重結合を有するジオレフィンのことをいう。共役ジエン炭化水素としては、一又は複数の実施形態において、１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン（イソプレン）、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン等が挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上を混合して使用できる。これらの中でも、１，３−ブタジエンが好ましい。

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体は、共役ジエン炭化水素中の二重結合の存在により引き起こされる酸化劣化等を抑制して、フィルムの強度を高める観点から、水素添加物とすることが好ましい。

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体は、共役ジエン炭化水素に由来の二重結合を、公知の方法により水素添加（例えば、ニッケル触媒等による水素添加）して飽和にしておくことが好ましい。これにより、前述の効果に加えてさらに、耐熱性、耐薬品性、耐久性等に優れたより安定な樹脂にすることができる。

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体におけるビニル芳香族炭化水素単位の含有量は、ポリスチレン系樹脂との相溶性を向上でき、フィルムのエキスパンド性を向上できる観点から、一又は複数の実施形態において、１０〜５０重量％が好ましく、１５〜４５重量％がより好ましい。また、共役ジエン炭化水素単位の含有量は、フィルムのエキスパンド性、及び、耐ブロッキング性を向上できる観点から、水添前の含有量で、５０〜９０重量％、又は５５〜８５重量％である。

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、一又は複数の実施形態において、１万〜６０万、又は５万〜３０万である。重量平均分子量は、市販の標準ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用いて測定できる。

表面層４２を形成する樹脂成分におけるビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の含有量は、一又は複数の実施形態において、フィルムのエキスパンド性及び復元性を向上できる観点から、好ましくは１５重量％以上、より好ましくは２０重量％以上である。また、耐ブロッキング性を向上でき、切削屑の発生を抑制できる観点から、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは５０重量％未満、さらに好ましくは４０重量％以下である。

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体は、スチレン系単量体とジエン系単量体とのランダム共重合体の形態であってもよい。又は、スチレン系単量体とジエン系単量体とのブロック共重合体の形態であってもよい。又は、ランダム共重合体とブロック共重合体の両方を含む形態であってもよい。スチレン系単量体単位の含有量は、紫外分光光度計又は核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて測定でき、ジエン系単量体単位の含有量は、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて測定できる。

ブロック共重合体としては、一又は複数の実施形態において、共重合体の一端又は両末端にビニル芳香族炭化水素由来のブロックセグメントを有し、さらに共役ジエン炭化水素由来のブロックセグメントを有するもの、あるいはこれらをブレンドしたもの等が挙げられる。具体例としては、スチレン−エチレン−ブタジエン−スチレン共重合体（以下、ＳＥＢＳともいう。）が挙げられる。ＳＥＢＳ中のスチレン構成単位の含有量（以下、Ｓｔ含有量という。）は、ポリスチレン系樹脂との相溶性を向上でき、フィルムの製膜性を向上させる観点から、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは１５重量％以上であり、フィルムのエキスパンド性を向上できる観点から、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは４５重量％以下である。

表面層４２は、発明の趣旨を損ねない範囲で、帯電防止剤、フィラー等を含有していてもよい。

表面層４２は前述した樹脂の組み合わせ、配合比、フィラー等の配合量により、ＪＩＳＫ７１６１の試験方法に基づいて測定した１０％モジュラスが、１０ＭＰａ以上１８ＭＰａにすることができる。すなわち、スチレンのような硬いセグメントを有する部分と、ブタジエンのような柔らかいセグメントを有する部分の両方を有する共重合体である、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体を適量使用することで、表面層４２のＪＩＳＫ７１６１の試験方法に基づいて測定した１０％モジュラスを、１０ＭＰａ以上１８ＭＰａにすることができる。

表面層４２の厚みは、切削屑低減の点から、ダイシングブレードによる表面層への切り込みの深さ（以下、切込み量ともいう。）よりも厚いことが好ましい。表面層の厚みは、
１０〜１４０μｍ、好ましくは２０〜１２０μｍである。また、表面層の厚みは、ダイシングフィルム用基材フィルムの厚みに対し、１０〜９０％、好ましくは２０〜８０％である。

表面層４２は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。

＜基材層＞
本開示のダイシングフィルム用基材フィルム４を構成する基材層４１について説明する。

基材層４１は主として樹脂材料から成る。

かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレンのようなポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、等のポリオレフィン系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体のようなアイオノマー、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、ポリプロピレン系熱可塑性エラストマーのようなオレフィン系熱可塑性エラストマー、アクリル樹脂、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。

これらの中でも、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、又はポリエチレンとエラストマーとの混合物が好ましい。このような樹脂材料を用いることにより、優れたエキスパンド性が得られる。

基材層４１は、フィルムの物性を損ねない範囲で、帯電防止剤、フィラー等を含有していてもよい。

基材層４１の厚みは、一又は複数の実施形態において、エキスパンド工程においてフィルムを引き延ばしたときにフィルムが破れない程度の強度を確保できる観点から、４０〜９５μｍ、又は６０〜８０μｍである。また、基材層の厚み４１は、ダイシングフィルム用基材フィルムの厚みに対し、４０〜９５％、又は６０〜８０％である。

基材層４１は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。

本開示のダイシングフィルム用基材フィルムの全体の厚みとしては、一又は複数の実施形態において、５０〜２００μｍ、好ましくは８０〜１５０μｍである。ダイシングフィルム用基材フィルムの厚みは、ダイシングする目的物の種類に応じて適宜設定可能である。ダイシングフィルム用基材フィルムの全体の厚みを５０μｍ以上とすることで、ウエハをダイシングする際に衝撃から保護できる。

＜粘着層＞
粘着層２は、半導体用ウエハ７をダイシングする際に、半導体用ウエハ７を粘着して支持する機能を有している。また、この粘着層２は、このものに対するエネルギーの付与により半導体用ウエハ７への粘着性が低下し、これにより、粘着層２と半導体用ウエハ７との間で容易に剥離を生じさせ得る状態となるものである。

かかる機能を備える粘着層２は、（１）粘着性を有するベース樹脂と、（２）粘着層２を硬化させる硬化性樹脂とを主材料として含有する樹脂組成物で構成される。

以下、樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。

（１）ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、粘着層２へのエネルギー線の照射前に、半導体用ウエハ７に対する粘着性を粘着層２に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。

このようなベース樹脂としては、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられるが、中でも、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。アクリル系樹脂は、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できることから、ベース樹脂として好ましく用いられる。

アクリル系樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー（ホモポリマーまたはコポリマー）をベースポリマーとするもののことを言う。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシルのような（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸フェニルのような（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。

なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。

また、このアクリル系樹脂は、そのガラス転移点が２０℃以下であることが好ましい。これにより、粘着層２へのエネルギー線の照射前において、粘着層２に優れた粘着性を発揮させることができる。

アクリル系樹脂は、凝集力、耐熱性等の改質等を目的として、必要に応じて、ポリマーを構成するモノマー成分として、共重合性モノマーを含むものが用いられる。

このような共重合性モノマーとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシルのようなヒドロキシル基含有モノマー、（メタ）アクリル酸グリシジルのようなエポキシ基含有モノマー、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸のようなカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチル（メタ）アクリルアミドのようなアミド系モノマー、（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルのようなアミノ基含有モノマー、（メタ）アクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレンのようなオレフィン系モノマー、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエンのようなスチレン系モノマー、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのようなビニルエステル系モノマー、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルのようなビニルエーテル系モノマー、塩化ビニル、塩化ビニリデンのようなハロゲン原子含有モノマー、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルのようなアルコキシ基含有モノマー、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルビニルピロリドン、Ｎ−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピペリドン、Ｎ−ビニルピリミジン、Ｎ−ビニルピペラジン、Ｎ−ビニルピラジン、Ｎ−ビニルピロール、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニルオキサゾール、Ｎ−ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有するモノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これら共重合性モノマーの含有量は、アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分に対して、４０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましい。

また、共重合性モノマーは、アクリル系樹脂を構成するポリマーにおける主鎖の末端に含まれるものであってもよいし、その主鎖中に含まれるもの、さらには、主鎖の末端と主鎖中との双方に含まれるものであってもよい。

さらに、共重合性モノマーには、ポリマー同士の架橋等を目的として、多官能性モノマーが含まれていてもよい。

多官能性モノマーとしては、例えば、１，６−ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、エチレン−酢酸ビニルコポリマーおよび酢酸ビニルポリマー等も、共重合性モノマー成分として用いることができる。

なお、このようなアクリル系樹脂（ポリマー）は、単一のモノマー成分または２種以上のモノマー成分の混合物を重合させることにより生成させることができる。また、これらモノマー成分の重合は、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、懸濁重合方法等の重合方法を用いて実施することができる。

以上、説明したモノマー成分を重合することにより得られるアクリル系樹脂としては、炭素−炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているアクリル系樹脂（「二重結合導入型アクリル系樹脂」と言うこともある。）であることが好ましい。アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、後述する硬化性樹脂の添加を省略したとしても、得られる粘着層２に、上述した粘着層２としての機能を発揮させることができる。

このような二重結合導入型アクリル系樹脂としては、アクリル系樹脂を構成するポリマー内の側鎖のうち、１／１００以上の側鎖のそれぞれに、炭素−炭素二重結合を１個有している二重結合導入型アクリル系樹脂（「二重結合側鎖導入型アクリル系樹脂」と言うこともある。）であることが好ましい。このように、炭素−炭素二重結合を、アクリル系樹脂の側鎖に導入することは、分子設計の点からも有利である。なお、この二重結合側鎖導入型アクリル系樹脂は、主鎖中や、主鎖の末端にも、炭素−炭素二重結合を有していてもよい。

このような二重結合導入型アクリル系樹脂の合成方法（すなわち、アクリル系樹脂に炭素−炭素二重結合を導入する方法）としては、特に限定されず、例えば、共重合性モノマーとして官能基を有するモノマーを用いて共重合して、官能基を含有するアクリル系樹脂（「官能基含有アクリル系樹脂」と言うこともある。）を合成した後、官能基含有アクリル系樹脂中の官能基と反応し得る官能基と、炭素−炭素二重結合とを有する化合物（「炭素−炭素二重結合含有反応性化合物」と言うこともある。）を、官能基含有アクリル系樹脂に、炭素−炭素二重結合のエネルギー線硬化性（エネルギー線重合性）を維持した状態で、縮合反応または付加反応させることにより、二重結合導入型アクリル系樹脂を合成する方法等が挙げられる。

なお、アクリル系樹脂に炭素−炭素二重結合を、全側鎖のうちの１／１００以上の側鎖に導入する際の制御手段としては、例えば、官能基含有アクリル系樹脂に縮合反応または付加反応させる化合物である炭素−炭素二重結合含有反応性化合物の含有量を適宜調節することにより行う方法等が挙げられる。

また、官能基含有アクリル系樹脂に炭素−炭素二重結合含有反応性化合物を縮合反応又は付加反応させる際には、触媒を用いることにより、前記反応を効果的に進行させることができる。このような触媒としては、特に制限されないが、ジラウリン酸ジブチルスズのようなスズ系触媒が好ましく用いられる。このスズ系触媒の含有量としては、特に制限されないが、例えば、官能基含有アクリル系樹脂１００重量部に対して０．０５重量部以上１重量部以下であることが好ましい。

また、官能基含有アクリル系樹脂における官能基Ａおよび炭素−炭素二重結合含有反応性化合物における官能基Ｂとしては、例えば、カルボキシル基、酸無水物基、ヒドロキシル基、アミノ基、エポキシ基、イソシアネート基、アジリジン基等が挙げられ、さらに、官能基含有アクリル系樹脂における官能基Ａと、炭素−炭素二重結合含有反応性化合物における官能基Ｂとの組み合わせとしては、例えば、カルボン酸基（カルボキシル基）とエポキシ基との組み合わせ、カルボン酸基とアジリジル基との組み合わせ、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせ、ヒドロキシル基とカルボキシル基との組み合わせ等の各種の組み合わせが挙げられ、これらの中でも、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせであることが好ましい。これにより、これら官能基Ａ、Ｂ同士の反応追跡を容易に行うことができる。

さらに、これらの官能基Ａ、Ｂの組み合わせにおいて、何れの官能基が、官能基含有アクリル系樹脂の官能基Ａまたは炭素−炭素二重結合含有反応性化合物の官能基Ｂとなっていてもよいが、例えば、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせの場合、ヒドロキシル基が、官能基含有アクリル系樹脂における官能基Ａとなっており、イソシアネート基が、炭素−炭素二重結合含有反応性化合物における官能基Ｂとなっていることが好ましい。

この場合、官能基含有アクリル系樹脂を構成する官能基Ａを有するモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸のようなカルボキシル基を有するもの、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基を有するもの、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート、ビニルアルコール、アリルアルコール、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、２−ヒドロキシプロピルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、エチレングリコールモノビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、プロピレングリコールモノビニルエーテル、ジプロピレングリコールモノビニルエーテルのようなヒドロキシル基を有するもの、（メタ）アクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテルのようなエポキシ基を有するもの等が挙げられる。

また、官能基Ｂを有する炭素−炭素二重結合含有反応性化合物としては、イソシアネート基を有するものとして、例えば、（メタ）アクリロイルイソシアネート、（メタ）アクリロイルオキシメチルイソシアネート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−（メタ）アクリロイルオキシプロピルイソシアネート、３−（メタ）アクリロイルオキシプロピルイソシアネート、４−（メタ）アクリロイルオキシブチルイソシアネート、ｍ−プロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられ、エポキシ基を有するものとして、（メタ）アクリル酸グリシジル等が挙げられる。

アクリル系樹脂は、前記工程において、半導体用ウエハ７をダイシングする際に、半導体用ウエハ７等の汚染を防止するという観点から、低分子量物の含有量が少ないものであることが好ましい。この場合、アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、好ましくは３０万〜５００万に設定され、より好ましくは５０万〜５００万に設定され、さらに好ましくは８０万〜３００万に設定される。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量が、モノマー成分の種類等によっては、５０万未満であると、半導体用ウエハ７等に対する汚染防止性が低下し、半導体チップ２０を剥離させた際に糊残りが生じるおそれがある。

なお、アクリル系樹脂は、ヒドロキシル基やカルボキシル基（特に、ヒドロキシル基）のような、架橋剤や光重合開始剤に対して反応性を有する官能基（反応性官能基）を有していることが好ましい。これにより、架橋剤や光重合開始剤がポリマー成分であるアクリル樹脂に連結するため、粘着層２からこれら架橋剤や光重合開始剤が漏出することを的確に抑制または防止することができる。その結果、前記工程［４Ａ］におけるエネルギー線照射時により、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性が確実に低下される。

（２）硬化性樹脂
硬化性樹脂は、例えば、エネルギー線の照射により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層２の粘着力が低下する。

このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、２−プロペニル−ジ−３−ブテニルシアヌレート等の炭素−炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、２−ヒドロキシエチル ビス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（２−アクリロキシエチル） ２−［（５−アクリロキシヘキシル）−オキシ］エチルイソシアヌレート、トリス（１，３−ジアクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１−アクリロキシエチル−３−メタクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（４−アクリロキシ−ｎ−ブチル）イソシアヌレートのような炭素−炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、官能基数が６官能以上であるオリゴマーが含まれることが好ましく、官能基数が１５官能以上であるオリゴマーが含まれることがより好ましい。これにより、エネルギー線の照射により硬化性樹脂をより確実に硬化させることができる。また、このような硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートであることが好ましい。これにより、適度な柔軟性によるピックアップ時の糊割れを抑制できるという効果が得られる。

なお、このウレタンアクリレートとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル型またはポリエーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナート等）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート等）を反応させて得られたものが挙げられる。

また、硬化性樹脂には、特に限定されないが、重量平均分子量の異なる２つ以上の硬化性樹脂が混合されているのが好ましい。このような硬化性樹脂を利用すれば、エネルギー線照射による樹脂の架橋度を容易に制御することができ、前記工程［５Ａ］における半導体チップ２０のピックアップ性を向上させることができる。また、このような硬化性樹脂として、例えば、第１の硬化性樹脂と、第１の硬化性樹脂よりも重量平均分子量が大きい第２の硬化性樹脂との混合物等が用いられてもよい。

硬化性樹脂を、第１の硬化性樹脂と、第２の硬化性樹脂との混合物とする場合、第１の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１００〜１０００程度であることが好ましく、２００〜５００程度であることがより好ましい。また、第２の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１０００〜３００００程度であることが好ましく、１０００〜１００００程度であることがより好ましく、２０００〜５０００程度であることがさらに好ましい。さらに、第１の硬化性樹脂の官能基数は、１〜５官能基であることが好ましく、第２の硬化性樹脂の官能基数は、６官能基以上であることが好ましい。かかる関係を満足することにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。

硬化性樹脂は、ベース樹脂１００重量部に対して５重量部以上５００重量部以下で配合されることが好ましく、１０重量部以上３００重量部以下で配合されることがより好ましく、２０重量部以上２００重量部以下で配合されることがさらに好ましい。上記のように硬化性樹脂の配合量を調整することによって、前記工程における半導体チップ２０のピックアップ性を優れたものとすることができる。

なお、この硬化性樹脂は、前述したアクリル系樹脂として、二重結合導入型アクリル系樹脂を用いた場合、すなわち、炭素−炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているものを用いた場合には、その樹脂組成物中への添加を省略するようにしてもよい。これは、アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、エネルギー線の照射により、二重結合導入型アクリル系樹脂が備える炭素−炭素二重結合の機能によって、粘着層２が硬化し、これにより、粘着層２の粘着力が低下することによる。

（３）光重合開始剤
また、粘着層２は、エネルギー線の照射により半導体用ウエハ７に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、硬化性樹脂には、硬化性樹脂の重合開始を容易とするために光重合開始剤を含有することが好ましい。

光重合開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン、２−ナフタレンスルホニルクロリド、１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ｏ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｏ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−（メタ）アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、１，４−ブタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，２−エタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，８−オクタンジオールモノ（メタ）アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン−４−カルボン酸エステル、チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β−クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体、等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、これらの中でも、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体であることが好ましい。これらの化合物は分子中に反応性官能基として水酸基を備えるものであり、この反応性官能基を介して、ベース樹脂や硬化性樹脂に連結することができ、光重合開始剤としての機能をより確実に発揮させることができる。

光重合開始剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、０．５重量部以上１０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように光重合開始剤の配合量を調整することによって、粘着テープ１００のピックアップ性は好適なものとなる。

（４）架橋剤
さらに、硬化性樹脂には、架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることで、硬化性樹脂の硬化性の向上が図られる。

架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。

イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類等で封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。

また、多価イソシアネートとして、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネートおよびヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。

架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．０１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、５重量部以上５０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することによって、粘着テープ１００のピックアップ性は好適なものとなる。

（５）その他の成分
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）〜（４）の他に他の成分として、帯電防止剤、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。以下、これらのうち、帯電防止剤および粘着付与剤について説明する。

（５−１）帯電防止剤
帯電防止剤としては、特に限定されないが、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等の界面活性剤等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、温度依存性を示さない帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物等の粉体が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

（５−２）粘着付与剤
粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、粘着層２の厚さは、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上３０μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下であるのがより好ましく、１０μｍ以上２０μｍ以下であるのがさらに好ましい。粘着層２の厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層２は、粘着層２へのエネルギー付与前には、良好な粘着力を発揮するとともに、粘着層２へのエネルギー付与後には、粘着層２と半導体用ウエハ７との間において、良好な剥離性を発揮する。

次に、かかる構成の半導体用ウエハ加工用ダイシングフィルム１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。

＜半導体用ウエハ加工用ダイシングフィルムの製造方法＞
図４は、図３に示す半導体ウエハ加工用ダイシングフィルム１００を製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

まず、ダイシングフィルム用基材フィルム４を用意し、このダイシングフィルム用基材フィルム４上に粘着層２を形成する（図４（ａ）参照。）。

ダイシングフィルム用基材フィルム４の製造方法としては、特に限定されず、Ｔダイス又は環状ダイスを使用した押出法やカレンダー法等の公知の方法が挙げられるが、ダイシングフィルム用基材フィルム４の厚み精度の点から、Ｔダイスを使用した押出法が好ましい。

以下、Ｔダイスを使用した押出法について説明する。

まず、表面層４２及び基材層４１を構成する樹脂成分をそれぞれドライブレンド又は溶融混練し、各層形成用樹脂を得る。そして、各層形成用樹脂をスクリュー式押出機に供給し、１８０〜２４０℃に調整された多層Ｔダイからフィルム状に押出し、これを１０〜５０℃に調整された冷却ロールに通しながら冷却して巻き取る。あるいは、各層形成用樹脂を一旦ペレットとして取得した後、上記のように押出成形してもよい。形成される各層の厚みは、押出機のスクリュー回転数を調整することで、調整できる。

上記冷却ロールに通しながら冷却してフィルムを巻き取る工程では、エキスパンド時にフィルムが破れない程度の強度を確保し、エキスパンド後の復元性を向上できる観点から、実質的に無延伸で巻き取りを行うことが好ましい。実質的に無延伸とは、積極的な延伸を行わないことをいい、無延伸、あるいは、ダイシング時のウエハの反りに影響を与えない程度の僅少の延伸を含むものである。通常、フィルムの巻き取りの際に、たるみの生じない程度の引っ張りであればよい。

また、粘着層２は、ダイシングフィルム用基材フィルム４上に、粘着層２の構成材料である樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス状にした液状材料を、塗布または散布した後、溶剤を揮発させて粘着層２を形成することにより得ることができる。

なお、溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、ダイシングフィルム用基材フィルム４上への液状材料の塗布または散布は、例えば、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコートおよびリップコート等の方法を用いて行うことができる。

次に、ダイシングフィルム用基材フィルム４上に形成された粘着層２に対して、中心側と外周側とが分離されるように、粘着層２の厚さ方向に基材４を残存させて円環状に粘着層２の一部を除去することにより、粘着層２を中心部１２２と外周部１２１とを備えるものとする。

粘着層２の一部を円環状に除去する方法としては、例えば、除去すべき領域を取り囲むように打ち抜いた後、この打ち抜かれた領域に位置する粘着層２を除去する方法が挙げられる。

また、除去すべき領域に対する打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に粘着テープ１００を製造することができるロール状金型を用いる方法が好ましい。

なお、本工程では、粘着層２の一部をリング状（円形状）に打ち抜いて中心部１２２と外周部１２１とを形成したが、粘着層２の一部を打ち抜く形状は、前述した半導体装置の製造方法において、粘着層２の外周部１２１をウエハリングで固定できる形状となっていれば如何なる形状のものであってもよい。具体的には、打ち抜く形状としては、例えば、上述した円形状の他、楕円状、俵型状のような長円状や、四角形状、五角形状のような多角形状等が挙げられる。

次に、ダイシングフィルム用基材フィルム４上に形成された粘着層２に対して、セパレーターを積層することにより、粘着層２がセパレーターで被覆されたダイシングフィルム１００を得る。

粘着層２にセパレーターを積層する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールを用いたラミネート方法、プレスを用いたラミネート方法を用いることができる。これらの中でも、連続的に生産できるという生産性の観点から、ロールを用いたラミネート方法が好ましい。

なお、セパレーターとしては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。

また、セパレーターは、ダイシングフィルム１００の使用時に剥がされるために、表面を離型処理を施されたものを使用してもよい。離型処理としては離型剤をセパレーター表面にコーティングする処理や、セパレーター表面に細かい凹凸をつける処理等が挙げられる。なお、離型剤としては、シリコーン系、アルキッド系、フッ素系等のものが挙げられる。

以上のような工程を経て、セパレーターで被覆されたダイシングフィルム１００を形成することができる。

なお、本実施形態で製造されたセパレーターで被覆されたダイシングフィルム１００は、前述したダイシングフィルム１００を用いた半導体装置の製造方法において、ダイシングフィルム１００をセパレーターから剥離した後に使用される。

また、セパレーターが被覆する粘着層２から、このセパレーターを剥がす際には、粘着層２の面に対してセパレーターを９０度以上１８０度以下の角度で剥離を行うことが好ましい。セパレーターを剥離する角度を前記範囲とすることで、粘着層２とセパレーターとの界面以外での剥離を確実に防止することができる。

次に、本発明のダイシングフィルムを用いて製造された半導体装置について説明する。
＜半導体装置＞
図１は、本発明のダイシングフィルムを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１に示す半導体装置１０は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体パッケージであり、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を接着層６０を介して支持するダイパッド３０と、半導体チップ２０と電気的に接続されたリード４０と、半導体チップ２０を封止するモールド部（封止部）５０とを有している。

ダイパッド３０は、金属基板で構成され、半導体チップ２０を支持する支持体として機能を有するものである。

このダイパッド３０は、例えば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉやこれらの合金（例えば、Ｃｕ系合金や、Ｆｅ−４２Ｎｉのような鉄・ニッケル系合金）等の各種金属材料で構成される金属基板や、この金属基板の表面に銀メッキや、Ｎｉ−Ｐｄメッキが施されているもの、さらにＮｉ−Ｐｄメッキの表面にＰｄ層の安定性を向上するために設けられた金メッキ（金フラッシュ）層が設けられているもの等が用いられる。

また、ダイパッド３０の平面視形状は、通常、半導体チップ２０の平面視形状に対応し、例えば、正方形、長方形等の四角形とされる。

ダイパッド３０の外周部には、複数のリード４０が、放射状に設けられている。

このリード４０のダイパッド３０と反対側の端部は、モールド部５０から突出（露出）している。

リード４０は、導電性材料で構成され、例えば、前述したダイパッド３０の構成材料と同一のものを用いることができる。

また、リード４０には、その表面に錫メッキ等が施されていてもよい。これにより、マザーボードが備える端子に半田を介して半導体装置１０を接続する場合に、半田とリード４０との密着性を向上させることができる。

ダイパッド３０には、接着層５５を介して半導体チップ２０が固着（固定）されている。

この接着層５５は、特に限定されないが、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ポリイミド系接着剤およびシアネート系接着剤等の各種接着剤を用いて形成される。また、接着層５５には、銀粉や銅粉のような金属粒子が含まれていてもよい。これにより、接着層５５の熱伝導性が向上することから、接着層５５を介して半導体チップ２０からダイパッド３０に効率よく熱が伝達されるため、半導体チップ２０の駆動時における放熱性が向上する。

また、半導体チップ２０は、電極パッド２１を有しており、この電極パッド２１とリード４０とが、ワイヤー２２で電気的に接続されている。これにより、半導体チップ２０と各リード４０とが電気的に接続されている。

このワイヤー２２の材質は、特に限定されないが、ワイヤー２２は、例えば、Ａｕ線やＡｌ線で構成することができる。

そして、ダイパッド３０、ダイパッド３０の上面側に設けられた各部材およびリード４０の内側の部分は、モールド部５０により封止されている。その結果として、リード４０の外側の端部が、半導体封止材料の硬化物で構成されるモールド部５０から突出している。

かかる構成の半導体装置は、例えば、本発明のダイシングフィルムを用いて以下のようにして製造される。
＜半導体装置の製造方法＞
図２は、図１に示す半導体装置を、本発明のダイシングフィルムを用い製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

まず、基材４と、基材４上に積層された粘着層２とを有するダイシングフィルム１００（以下、単に「粘着テープ１００」ということもある。）を用意する（図２（ａ）参照。）。

このダイシングフィルム１００が本発明のダイシングフィルムで構成されるが、その詳細な説明は後に行うこととする。

次に、図２（ｂ）に示すように、図示しないダイサーテーブルの上に、ダイシングフィルム１００を設置し、その中心部１２２に半導体用ウエハ７の半導体素子の無い側の面を、粘着層２の上に置き、軽く押圧し、半導体用ウエハ７を積層する。

なお、ダイシングフィルム１００に半導体用ウエハ７を予め貼着した後に、ダイサーテーブルに設置しても良い。

また、本実施形態では、ダイシングフィルム１００には、例えば、１２インチのような大型の半導体用ウエハ７が積層される。

次に、粘着層２の外周部１２１をウエハリング９で固定し、その後、図示しない、ダイシングソー（ブレード）を用いて半導体用ウエハ７を切断（ダイシング）して半導体用ウエハ７を個片化する（図２（ｃ）参照）。

この際、半導体用ウエハ７の切断時に生じる粉塵が飛散するのを防止すること、さらには、半導体用ウエハ７が不必要に加熱されるのを抑制することを目的に、半導体用ウエハ７には切削水を供給しつつ、半導体用ウエハ７を切断する。

また、ダイシングフィルム１００は、緩衝作用を有しており、半導体用ウエハ７を切断する際の割れ、欠け等を防止する。

さらに、ブレードを用いた半導体用ウエハ７の切断は、図２（ｃ）に示すように、基材４の厚さ方向の途中まで到達するように実施される。これにより、半導体用ウエハの個片化を確実に実施することができる。

次に、ダイシングフィルム１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性を低下させる。

これにより、粘着層２と半導体用ウエハ７との間で剥離が生じる状態とする。

粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、特に限定されないが、例えば、粘着層２にエネルギー線を照射する方法、粘着層２を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、粘着層２にエネルギー線を粘着テープ１００の基材４側から照射する方法を用いるのが好ましい。

かかる方法は、半導体チップ２０が不要な熱履歴を経る必要がなく、また、粘着層２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。

また、エネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。これらの中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線によれば、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性を効率よく低下させることができる。

次に、ダイシングフィルム１００を図示しないエキスパンド装置で放射状に伸ばして、個片化した半導体用ウエハ−７（半導体チップ２０）を一定の間隔に開き（図２（ｄ）参照。）、その後、この半導体チップ２０を、ニードル等を用いて突き上げた状態とし、この状態で、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等によりピックアップする（図２（ｅ）参照。）。

次に、ピックアップした半導体チップ２０を、接着層６０を介してダイパッド３０上に搭載し、その後、半導体チップ２０が備える電極パッド２１とリード４０とをワイヤーボンディングすることでワイヤー２２により電気的に接続する。

次に、半導体チップ２０をモールド部５０で封止する。

このモールド部５０による封止は、例えば、形成すべきモールド部５０の形状に対応した内部空間を備える成形型を用意し、この内部空間内に配置された半導体チップ２０を取り囲むように、粉末状をなす半導体封止材料を内部空間に充填する。そして、この状態で、半導体封止材料を加熱することにより硬化させて、半導体封止材料の硬化物とすることにより行われる。

以上のような工程を有する半導体装置の製造方法により、半導体装置１０が得られるが、本実施形態では、半導体装置１０を、クワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ）に適用し、かかる構成の半導体装置１０を、ダイシングフィルム１００を用いて製造する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、各種の形態の半導体パッケージの製造に、ダイシングフィルム１００を適用することができ、例えば、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、ロー・プロファイル・クワッド・フラット・パッケージ（ＬＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、マトリクス・アレイ・パッケージ・ボール・グリッド・アレイ（ＭＡＰＢＧＡ）、チップ・スタックド・チップ・サイズ・パッケージ等のメモリやロジック系素子に適用することができる。

以上、本発明の半導体用ウエハ加工用ダイシングフィルムについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。

なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
＜原料＞
実施例及び比較例のダイシングフィルム用基材フィルムの作製に使用した原料は以下の通りである。

スチレン−ブタジエン共重合体（ＨＩＰＳ）：「Ｈ９１５２」（ＰＳジャパン株式会社製）
スチレン−エチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物（ＳＥＢＳ、Ｓｔ含量：１８重量％）：「タフテックＨ１０６２」（旭化成ケミカルズ株式会社製）
スチレン−ブチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物（ＳＢＢＳ，Ｓｔ含量：２０重量％）：「タフテックＰ１０83」（旭化成ケミカルズ株式会社製）
ポリプロピレン（ＰＰ）：「ＦＳ２０１１ＤＧ−２」（住友化学株式会社製）
ポリスチレン（ＰＳ）：「ＨＦ７７」（ＰＳジャパン株式会社製）
（実施例１）
＜ダイシングフィルム用基材フィルムの作成＞
ＨＩＰＳ：７０重量％とＳＥＢＳ：３０重量％とをタンブラーにてドライブレンドし、表面層形成用樹脂を得た。また、ＰＰ：６０重量％とＳＥＢＳ：４０重量％とをドライブレンドし、基材層形成用樹脂を得た。そして、得られた各層形成用樹脂を、２００℃に調整されたそれぞれの押出機に供給し、表面層／基材層の順序になるように、２００℃の２層ダイスから押出し、３０℃に設定された冷却ロールにて冷却固化して、実質的に無延伸の状態で巻き取り、２層構造のダイシングフィルム用基材フィルムを得た。実施例１において、表面層の厚みは１００μｍ、基材層の厚みは５０μｍ、ダイシングフィルム用基材フィルム全体の厚みは１５０μｍであった。

＜引っ張りモジュラス測定用フィルムの作成＞
前記表面層形成用の樹脂を、２００℃に調整された押出機に供給し、ダイスより押出し、３０℃に設定された冷却ロールにて冷却固化して、実質的に無延伸の状態で巻き取り、単層の引っ張りモジュラス測定用フィルムを得た。フィルムの厚みは１００μｍであった。

（実施例２〜８、比較例１〜３）
表１に記載のように樹脂配合を変更した以外は、実施例１と同様にしてダイシングフィルム用基材フィルムおよび引っ張りモジュラス測定用フィルムを得た。

＜１０％モジュラスの測定＞
前記で得られた引っ張りモジュラス測定用フィルムを試験幅１０ｍｍｘ長さ１２０ｍｍにカットし、チャック間距離８０ｍｍ、引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、ＯＲＩＯＮＴＥＣ製、テンシロン万能試験機（ＲＴＣ−１２５０）を使用し、ＪＩＳＫ７１６１に基づいて測定した。

＜ダイシングフィルムの作成＞
以上のようにして作製した実施例１〜＊及び比較例１〜＊の各ダイシングフィルム用基材フィルムの表面層上に粘着剤層を設け、ダイシングフィルムを得た。具体的には、まず、２−エチルヘキシルアクリレート：３０重量％、酢酸ビニル：７０重量％及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート：１重量％をトルエン溶媒中にて混合し、重量平均分子量１５０，０００のベース樹脂を得た。そして、このベース樹脂：１００重量部と、架橋剤としてトリレンジイソシアネートの多価アルコール付加体（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）：２重量部とを酢酸エチルに溶解混合した後、乾燥後の厚さが２０μｍになるようにダイシングフィルム用基材フィルムの表面層上にバーコード塗工した後、８０℃で１０分間乾燥してダイシングフィルムを得た。

得られたダイシングフィルムについて、下記のとおり、切削屑特性、エキスパンド性、
及び復元性の評価を行い、その結果を表１に示した。

＜切削屑特性＞
切削屑特性は、次のようにして評価した。まず、ダイシングフィルムに、シリコンウエハ（厚み：０．６ｍｍ）を貼り付け、下記条件でダイシングを実施し、カットラインの観察を行い、カットラインから出てくる長さ１００μｍ以上の切削屑の数をカウントし、切削屑特性を評価し、評価結果を表１に示した。

判定結果は以下の通りである。

切削屑の数が０〜５本 ：◎
切削屑の数が６〜１０本 ：○
切削屑の数が１１本以上 ：×
［ダイシング条件］
ダイシング装置：「ＤＡＤ―３３５０」（商品名、ＤＩＳＣＯ社製）
ダイシングブレード：「Ｐ０８−ＳＤＣ２２０」（商品名、ＤＩＳＣＯ社製）
ブレード回転数：３００００ｒｐｍ
カット速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
切込み：ダイシングフィルム表面から１００μｍ（表面層に対する切込み量は８０μｍ）
カットサイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ
ブレードクーラー：２Ｌ／ｍｉｎ
＜エキスパンド性及び復元性＞
エキスパンド性及び復元性については、次のようにして評価した。まず、上記切削屑特性の評価と同様して、ダイシングフィルムにシリコンウエハを貼り付け、ダイシングを実施し、ダイシングによって個片化されたウエハが貼り付けられた状態のダイシングフィルムをウエハエキスパンダー装置（商品名「ＨＳ１０１０」、ヒューグル社製）に設置し、引落し量６ｍｍにてエキスパンドを行った。

エキスパンド性に関しては、エキスパンドの開始から１０分経過後にダイシングフィルムが破断したかどうかを評価し、評価結果を表１に示した。

判定結果は以下の通りである。

フィルムが破断しなかった場合：○
フィルムが破断した場合 ：×
復元性に関しては、エキスパンドの開始から１０分経過後にエキスパンドをやめて、その後１０分間放置した後のフィルムのたるみ量を測定し、測定値に基づいて評価し、評価結果を表１に示した。

判定結果は以下の通りである。

フィルムのたるみ量が５ｍｍ以下の場合 ：◎
フィルムのたるみ量が５ｍｍを超え７ｍｍ未満の場合：○
フィルムのたるみ量が７ｍｍ以上の場合、 ：×

表１に示すように、実施例１〜５のダイシングフィルムは、基材の表面層がＪＩＳＫ７１６１の試験方法に基づいて測定した１０％モジュラスが、１０ＭＰａ以上１８ＭＰａであるため、切削屑特性、エキスパンド性、復元性に優れていた。

対して、比較例１、２のダイシングフィルムは、基材の表面層がＪＩＳＫ７１６１の試験方法に基づいて測定した１０％モジュラスが、１８ＭＰａを超えるため 復元性が劣るものとなった。

また、比較例３のダイシングフィルムは、基材の表面層がＪＩＳＫ７１６１の試験方法に基づいて測定した１０％モジュラスが、１０ＭＰａ未満であったため、切削屑特性が悪化した。

４ 基材
４１ 基材層
４２ 表面層
６ バックグラインドテープ
７ 半導体用ウエハ
９ ウエハリング
１０ 半導体装置
２０ 半導体チップ
２１ 電極パッド
２２ ワイヤー
３０ ダイパッド
４０ リード
５０ モールド部
６０ 接着層
１００ ダイシングフィルム
１２１ 外周部
１２２ 中心部
２０１ グラインド装置

Claims (11)

1. 基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシングフィルム用基材フィルムであって、
   前記表面層は、ＪＩＳＫ７１６１の試験方法に基づいて測定した１０％モジュラスが、１０ＭＰａ以上１８ＭＰａであることを特徴とするダイシングフィルム用基材フィルム。
2. 前記表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体またはその水素添加物と、を含有することを特徴とする請求項１記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
3. 前記ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体は、スチレン−エチレン−ブタジエン−スチレン共重合体である、請求項１又は２に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
4. 前記ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体中のビニル芳香族炭化水素の含有量は、１０重量％以上５０重量％以下である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
5. 前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超えて８５重量％以下であり、
   前記表面層における前記ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の含有量は、１５重量％以上５０重量％以下である、請求項１ないし４のいずれか１項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
6. 前記表面層は、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である、請求項１から５のいずれか１項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載のダイシングフィルム用基材フィルムの表面層側の主面上に、粘着層が設けられた、ダイシングフィルム。
8. 前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂を含有する請求項７に記載のダイシングフィルム。
9. 前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である請求項７または８に記載のダイシングフィルム。
10. 前記粘着層は、さらに、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂を含有する請求項７ないし９のいずれか１項に記載のダイシングフィルム。
11. 請求項７ないし１０のいずれか１項に記載のダイシングフィルム上に、半導体ウエハが積層された半導体ウエハ付きダイシングフィルム。

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