JP2015205860A - 正孔輸送材料 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】式(1)で表される化合物。
(R1〜R4は各々独立にH、置換或いは未置換のアルキル基又はハロゲン基;R1〜R4は各々独立に単数又は複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一又は異なる基であってもよい;X1及びX2は各々独立に置換或いは未置換の芳香族環式基;Z1及びZ2は各々独立にO又はS;nは、1〜8の整数)
【選択図】なし
Description
有機EL素子の発光は、(i)正孔および電子が電極から注入され、(ii)注入された正孔と電子が輸送され、(iii)発光層内で正孔と電子が再結合し、(iv)発光材料が電子的励起状態を形成し、(v)電子的励起状態から光を放射する、という過程を経て生じている。
発光材料がエネルギーを得て励起状態となるとき、一重項励起状態(S1)と三重項励起状態(T1)が1:3の確率で生成する。
発光は励起状態から基底状態に戻る際に、エネルギーを光として放出することにより生じる。蛍光材料は、S1からのエネルギーしか光に変換されないのに対し、燐光材料は、T1からのエネルギーも光に変換されるため、蛍光材料を素子に用いた場合よりも、燐光材料を素子に用いた場合の方が高効率化が期待できる(非特許文献1、非特許文献2)。
ホスト材料から燐光材料(ゲスト材料)への効率的なエネルギー移動を可能とするためには、ホスト材料のT1エネルギーがゲストである燐光材料のT1エネルギーよりも大きいことが好ましい(非特許文献3)。ゲスト材料のT1エネルギーの方が大きい場合には、通常ゲストからホストへの逆エネルギー移動が起こってしまい、燐光発光の高効率化を妨げる要因となる可能性がある。
正孔と電子の輸送バランスを調整するには、正孔注入材料、正孔輸送材料の正孔移動度や、電子注入材料、電子輸送材料の電子移動度、層界面での電荷注入障壁、またそれぞれの膜の厚さなど、多くのファクターを考慮した上でバランスを調整しなければならない。
しかし、材料自身がもつ正孔と電子の輸送性は、材料によって異なり、また異なる材料で形成された層の界面では、電荷注入障壁が生じるため、発光層内で正孔と電子がバランスよく再結合することは容易ではない。電荷注入・輸送バランスが悪い場合としては、正孔または電子のどちらかが少ない場合、あるいはどちらかが極端に多く、再結合せずに通り抜けてしまう場合などが考えられるが、電荷が対極へ流れ出てしまう場合には、電荷をブロックする層を設けて、電荷を発光層内に閉じ込め、再結合効率を高める方法もある。通常、流出する電荷をブロックして電荷を発光層内に閉じ込めるという役割は、正孔輸送層や電子輸送層が担うことが多い。
また、上記化合物を含む正孔輸送層を備えた長寿命で発光効率の高い有機EL素子を提供することを課題とする。
[1] 式(1)
R1〜R4は、各々独立して、水素、置換基を有していてもよいアルキル基およびハロゲン基からなる群から選択される基であり、
R1〜R4のそれぞれは、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一または異なる基であってもよく、
X1およびX2は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族環式基であり、
Z1およびZ2は、各々独立して、OまたはSであり、
nは、1〜8の整数である、
で表される化合物。
[2] R1〜R4が、水素である、[1]に記載の化合物。
[3] nが2である[1]または[2]に記載の化合物。
[4] X1およびX2が置換基を有していてもよいフェニル基である、[1]〜[3]のいずれかに記載の化合物。
[5] 式(1−I)
[6] 窒素の結合位が、ジベンゾチオフェンの4位である、[5]に記載の化合物。
[7] 窒素の結合位が、ジベンゾチオフェンの2位である、[5]に記載の化合物。
[8] 式(1−II)
[9] 窒素の結合位が、ジベンゾフランの4位である、[8]に記載の化合物。
[10] 窒素の結合位が、ジベンゾフランの2位である、[8]に記載の化合物。
化学式(1−Id)
化学式(1−IId)
一般式(2)
Rは、各々独立して、[1]のR1〜R4と同一の意味を示し、
Xは、[1]のX1およびX2と同一の意味を示し、
Zは、[1]のZ1およびZ2と同一の意味を示す、
で表される化合物またはその塩と、
一般式(3)
nは[1]と同一の意味を示し、
HALは、ハロゲン基である、
で表される化合物とのN−アリール化反応を行う工程を含む、前記方法。
[14] 陽極、陰極、およびこれら両電極間に、有機化合物で形成された層を含有する、有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機化合物で形成された層に[1]〜[12]のいずれかに記載の化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
[15] 陽極、陰極、およびこれら両電極間に、電荷輸送材料を含有する、有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記電荷輸送材料に、[1]〜[12]のいずれかに記載の化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記正孔輸送層に、[1]〜[12]のいずれかに記載の化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
[17] 陽極、陰極、およびこれら両電極間に、発光層、正孔輸送層を含有する、有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層が、ホスト材料と、発光材料からなるゲスト材料とを含み、
前記ホスト材料が、電子輸送性材料、または電子と正孔の両電荷輸送性材料であって、
前記正孔輸送層に、[1]〜[12]のいずれかに記載の化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
[18] 発光材料が、燐光材料であることを特徴とする[17]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
また、上記化合物を含む正孔輸送層を備えた長寿命で発光効率の高い有機EL素子を提供することができる。
一般式(1)
R1〜R4は、各々独立して、水素、置換基を有していてもよいアルキル基およびハロゲン基からなる群から選択される基であり、
R1〜R4のそれぞれは、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一または異なる基であってもよく、
X1およびX2は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族環式基であり、
nは、1〜8の整数である、
で表される化合物に関する。
R1〜R4における置換基を有してもよいアルキル基の置換基は、2以上置換してもよく、各々が異なってもよい。
R1〜R4は、上記のように、水素、アルキル基、またはハロゲン基が選ばれるが、電気的安定性、熱的安定性、成膜性、合成・精製のし易さ等を総合して判断すると、水素またはメチル基が最も好ましい。また、メチル基が選ばれる場合、ジベンゾチオフェンおよびジベンゾフランの反応点である、2位および/または4位に置換されると電気的安定性が増すと考えられ、好ましい。
ジベンゾチオフェンおよびジベンゾフランは軸対称の構造であることから、ジベンゾチオフェンの結合位置および置換位置、ならびにジベンゾフランの結合位置および置換位置を示す場合、ジベンゾチオフェンおよびジベンゾフランそれぞれにおける1位と9位、2位と8位、3位と7位および4位と6位はそれぞれ等価である。したがって、例えば「ジベンゾチオフェンの2位に置換される」には、「ジベンゾチオフェンの8位に置換される」および「ジベンゾチオフェンの2位および8位に置換される」も概念として含まれる。同様に、例えば「ジベンゾフランの2位に置換される」には、「ジベンゾフランの8位に置換される」および「ジベンゾフランの2位および8位に置換される」も概念として含まれる。
置換基を有してもよい芳香族環式基の置換基としては、直鎖もしくは分岐又は環状のアルキル基、ハロゲン基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基が挙げられる。また、アルキル基としては、適切な立体的効果を得るという観点から、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基などが好ましい。また、ハロゲンとしては、合成のし易さの観点からフッ素基が好ましい。
一般式(1)におけるオルトフェニレンの両端のフェニルと、ジベンゾフランとを結ぶ窒素のオルトフェニレン側の結合位はいずれであってもよい。
一般式(1)におけるジベンゾチオフェンと、オルトフェニレン基とを結ぶ窒素のジベンゾフラン側の結合位、およびジベンゾフランと、オルトフェニレン基とを結ぶ窒素のジベンゾフラン側の結合位は、いずれであってもよいが、合成のし易さの観点からは、ジベンゾチオフェンおよびジベンゾフランの2位、または4位であることが好ましい。
一般式(1)で表される化合物は、Z1またはZ2がOであることにより、あるいはZ1とZ2の両方がOであることにより、ジベンゾフランを有することができる。
一般式(1)で表される化合物は、ジベンゾチオフェンとジベンゾフランの両方を有することができる。
特に本発明の化合物を正孔輸送層に用い、それよりもT1エネルギーが低い緑色〜赤色発光材料を発光層に用いた有機EL素子では、発光材料から正孔輸送材料への逆エネルギー移動を防ぐことができるため、高効率であって、かつ極めて長い駆動寿命を兼ね備えることができる。例えば化学式(1)で表される化合物とIr(ppy)3などの緑色発光材料との組合せによる有機EL素子が挙げられる。
本発明の化合物は、例えば、下記反応式に示す方法により合成することができる。
本明細書において、Rは特に言及しない限り、R1〜R4と同一の意味を示し、複数存在する場合には各々独立して、前記R1〜R4と同一の意味を示す。
Xは特に言及しない限り、X1およびX2と同一の意味を示し、複数存在する場合には、各々独立して、X1およびX2と同一の意味を示す。
Zは特に言及しない限り、Z1およびZ2と同一の意味を示し、複数存在する場合には、各々独立して、Z1およびZ2と同一の意味を示す。
ハロゲン化ジベンゾチオフェンまたはハロゲン化ジベンゾフランの4位がハロゲン化された化合物を得るためには、例えば、下記反応式に示される方法が挙げられる。
例えば、下記反応式に示される方法により、下記一般式(2b)で表される置換基Rを有する化合物を合成することができる。
化合物の純度の測定は、例えば、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)等により行うことができる。高速液体クロマトグラフィーは試料を導入した移動相に圧力をかけ、溶媒を高流速で移動相に通し、カラムで試料(混合物)を分離して、分離された試料を検出器で検出することにより、試料の純度を測定する方法である。
カラムには順相系、逆相系を用いることができる。順相系クロマトグラフィーは、固定相の極性が移動相の極性より高い分離系をいい、固定相にはアルミナ等が用いられ、移動相にはヘキサンなどの極性の小さい溶媒を用いることができる。逆相系クロマトグラフィーは、移動相の極性が固定相の極性より高い分離系をいい、固定相には疎水処理をしたシリカ等が用いられ、移動相には、メタノールやアセトニトリルなどの極性溶媒を用いることができる。
検出器は、試料の物性に応じて様々なものを用いることができる。例えば、吸光光度検出器(UV/VIS)、蛍光検出器(FLD)、質量分析装置(MS)等が挙げられる。
試料導入部は、ガスクロマトグラフィー(GC/MS)、高速液体クロマトグラフィー(LC/MS)、キャピラリー電気泳動(CE/MS)に直結することができ、MSを測定するとともに、純度の測定も行うことができる。なお、試料を直接イオン化する、ダイレクトインジェクション方式(DI/MS)も採用される場合がある。
イオン源には様々なイオン化の方式が採用される。例えば、電子イオン化法(EI)、高速原子衝突法(FAB)、エレクトロスプレーイオン化法(ESI)、誘電結合プラズマ法(ICP)等が挙げられる。
さらに、UV吸収波長から、光学的バンドギャップを求め、HOMOレベル(またはIP)から、LUMOレベル(またはEa)を計算で求める手法も用いられる。
本発明の有機EL素子は、本発明の化合物を正孔輸送層材料、例えば正孔輸送層に用いることを特徴とする。
一般的に、有機EL素子は、基板上に陽極、正孔注入層、正孔輸送層(電子阻止層)、発光層、電子輸送層(正孔阻止層)、電子注入層、陰極がこの位置関係で積層されて構成される。
有機EL素子は全てが有機物で形成される必要はなく、電極や正孔注入層、電子注入層等には無機材料が用いられる場合がある。
また、有機EL素子を形成する層のうち、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層のうちいずれかが省略される場合もある。
有機EL素子は、基板側から光を取り出すボトムエミッション型素子と、基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション型があり、本発明の有機EL素子においては、どちらの方式をとることもできる。
基板に用いられる材料は、石英ガラス、ソーダガラス、パイレックス(登録商標)等、各種のガラスを用いることができる。また、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエチレンテレフタレート等、各種のプラスチック基板を用いることもできる。さらに、これらを2種以上組み合わせて使用することもできる。
発光効率は、外部量子効率で表され、有機EL素子の理論上の限界値は、ガラスや有機膜の屈折率によっても異なり、一般的な素子では約20%であるため20%に近い程よいが、15%程度確保されていれば十分といえる。
ホスト材料は、正孔輸送性および電子輸送性を有する両電荷輸送性の材料を用いることができる。また、本発明の正孔輸送性材料は電子阻止性能にも優れるため、ホスト材料に電子輸送性の材料を用いることもできる。
ゲスト材料として燐光材料が選ばれる場合は、ホスト材料のT1エネルギーがゲスト材料のT1エネルギーよりも高くなるように、ホスト材料を選択することが好ましい。
(ホスト材料)
(蛍光材料)
(燐光材料)
電子注入層が、無機化合物からなるものである場合には、例えば、アルカリ金属や、アルカリ土類金属の他、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、炭酸セシウム等を用いることができる。
トップエミッション方式を採用する場合、陰極には、ITO、IZO等の透明電極を用いることができる。ここで、ITOは仕事関数が大きいため、電子注入が困難となることに加え、ITO膜を形成するためには、スパッタ法やイオンビーム蒸着法が用いられるが、成膜時に電子輸送層等にダメージを与える可能性がある。そこで、電子注入を改善するとともに、成膜時の電子輸送層へのダメージを低減するために、電子輸送層と、ITOとの間に、マグネシウム層や銅フタロシアニン層を設けることもできる。
同じ材料を用いても、有機ELの素子構成が異なる場合には、外部量子効率や寿命は、当然に異なった値となる。
また、評価装置や、評価環境が異なる場合も、たとえ素子構成が同じだったとしても、異なった結果となる場合がある。
このことから、有機EL素子に用いる材料の評価は、同じ素子構成、同じ評価装置、同じ評価環境で行うことが好ましい。
合成例1
下記化学式(1−Ia)で表される化合物(1−Ia)を、以下に示す合成経路により合成した。
下記化学式(1−Ib)で表される化合物1−Ibを、以下に示す合成経路により合成した。
化合物はMSスペクトルで同定した。
下記化学式(1−Ic)で表される化合物1−Icを、以下に示す合成経路により合成した。
合成例4
下記化学式(2c−II)で表される化合物2c−IIを、以下に示す合成経路により合成した。
アルゴン雰囲気下、撹拌子を備えた500mLシュレンク管にジベンゾフラン33.6g(0.2mol)と脱水ジエチルエーテル200mLを仕込んた後、この反応溶液を氷冷下で0℃に冷却した。ここに、1.6M n−ブチルリチウム/ヘキサン溶液138mL(0.22mol)を滴下した後、還流下で16時間反応し、ジベンゾフランの4位をアニオン化した。
さらに、ジベンゾフランのアニオン化物を−8℃に冷却した後、ここにヨウ素50.8g(0.2mol)の粉末を加え、徐々に室温に戻しながら15時間撹拌した。
反応混合物を水に注加し、ジエチルエーテルで抽出した後、得られた有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次いで溶媒を留去した後、得られた残留物をヘキサンで再結晶を行った。
以上の工程により、目的とする上記化合物4a−IIを、収量24.8g、収率42%で得た。化合物の同定は、1H−NMR及び質量分析にて分子イオンピーク(M+294)が目的物と一致することで行った。
化合物の同定は、質量分析にて分子イオンピークが目的物と一致することで行った。
下記化学式(2d−II)で表される化合物2d−IIを、以下に示す合成経路により合成した。
化合物の同定は、質量分析にて分子イオンピークが目的物と一致することで行った。
化合物の同定は、質量分析にて分子イオンピークが目的物と一致することで行った。
下記化学式(3d)で表される化合物3dを、以下に示す合成経路により合成した。
化合物の同定は、質量分析にて分子イオンピークが目的物と一致することで行った。
下記化学式(3e)で表される化合物3eを、以下に示す合成経路により合成した。
化合物の同定は、質量分析にて分子イオンピークが目的物と一致することで行った。
化学式(1−IIa)で表される化合物1−IIaを、以下に示す合成経路により合成した。
化学式(1−IIb)で表される化合物1−IIbを、以下に示す合成経路により合成した。
下記化学式(1−IIc)で表される化合物1−IIcを、以下に示す合成経路により合成した。
下記化学式(1−IId)で表される化合物1−IIdを、以下に示す合成経路により合成した。
上記合成例1で合成した上記化学式(1−Ia)で表される化合物1−Ia、上記合成例2で合成した化学式(1−Ib)で表される化合物1−Ibおよび合成例3で合成した上記化学式(1−Ic)で表される化合物1−Icついて、DSC測定を行った。
比較例1
比較化合物3DTAPBPについて、DSC測定を行った。
Tgおよび分解温度を表1に示す。
化合物1−Iaからなる薄膜、化合物1−Ibからなる薄膜、化合物1−Icからなる薄膜および上記3DTAPBP(比較化合物)からなる薄膜をそれぞれ石英基板上に形成した。これらの薄膜をSHIMADZU社製のUV−2500PCを用いてUV/visスペクトルを測定し、光学的バンドギャップを算出した。結果を表2に示す。
化合物1−Iaからなる薄膜、化合物1−Ibからなる薄膜、化合物1−Icからなる薄膜および3DTAPBPからなる薄膜について、それぞれHORIBA社製のFluoroMax−4を用い、波長300nmの励起光源を用いて、77Kの低温下で発光スペクトルを測定した。低温ではリン光発光が観測できるため、低温での発光スペクトルの測定結果から、各薄膜の三重項励起状態(T1)のエネルギーに関する知見が得られる。なお、蛍光発光成分を除去してリン光スペクトルを観測するために、励起光照射後200ミリ秒の遅延を設けて低温での発光スペクトルを測定した。さらに、発光材料であるIr(mppy)3についても燐光発光波長を測定し、T1エネルギーを算出した。
実施例4
基板上に、ITO(酸化インジウムスズ)からなる陽極と、上記PEDOT:PSSからなる厚み30nmの正孔注入層と、上記α−NPDからなる厚み20nmの第2正孔輸送層と、化合物1−Iaからなる厚み10nmの正孔輸送層と、ゲスト材料として上記Ir(mppy)3を用い、ホスト材料として上記Bepp2を用い、発光層中のゲスト材料の含有量を6重量%とした厚み35nm発光層と、TPBiからなる厚み40nmの電子輸送層と、LiF膜からなる厚み1nmの電子注入層と、Al膜からなる陰極とを公知の方法により順に形成した。
化合物1−Iaを化合物1−Ibに代えたこと以外は、実施例4と同様にして、有機EL素子を形成した。
正孔輸送層の材料を上記3DTAPBPに代えたこと以外は、実施例4と同様にして、有機EL素子を形成した。
合成例8〜11で合成した化合物について、DSC測定を行った。
比較例4
既存の正孔輸送材料である比較化合物3DTAPBP、比較化合物DBTPBおよび比較化合物α−NPDについて、DSC測定を行った。
上記合成例8〜11で合成した化合物1−IIaからなる薄膜、化合物1−IIbからなる薄膜、化合物1−IIcからなる薄膜、化合物1−IIdからなる薄膜、3DTAPBP(比較化合物)からなる薄膜およびDBTPB(比較化合物)からなる薄膜をそれぞれ石英基板上に形成した。これらの薄膜をSHIMADZU社製のUV−2500PCを用いてUV/visスペクトル、およびJASCO社製のFP−6500を用いてPLスペクトルを測定した。この結果から、UV最大吸収波長、PLスペクトル、および光学的バンドギャップを知ることができる。
結果を以下の表6に示す。
化合物1−IIaからなる薄膜、1−IIbからなる薄膜および3DTAPBP(比較化合物)からなる薄膜およびDBTPB(比較化合物)からなる薄膜について、それぞれHORIBA社製のFluoroMax−4を用い、波長300nmの励起光源を用いて、77Kの低温下で発光スペクトルを測定した。低温では燐光発光が観測できるため、低温での発光スペクトルの測定結果から、成分を除去して燐光スペクトルを観測するために、励起光照射後200ミリ秒の遅延を設けて低温での発光スペクトルを測定した。さらに、発光材料である下記Ir(mppy)3についても燐光発光波長を測定し、T1エネルギーを算出した。
実施例9
基板上に、ITO(酸化インジウムスズ)からなる陽極と、PEDOT:PSSからなる正孔注入層と、α−NPDからなる厚み20nmの第2正孔輸送層と、化合物1−IIaからなる厚み10nmの正孔輸送層と、ゲスト材料としてIr(mppy)3を用い、ホスト材料として上記Bepp2を用い、発光層中のゲスト材料の含有量を6重量%とした厚み25nm発光層と、上記TPBIからなる厚み35nmの電子輸送層と、LiF膜からなる厚み8nmの電子注入層と、Al膜からなる陰極とを公知の方法により順に形成した。
正孔輸送層の材料を上記DBTPBに代えたこと以外は、実施例9と同様にして、有機EL素子を形成した。外部量子効率、および素子寿命を評価した。
実施例10
ジベンゾフランを有する化合物1−IIaを用いた有機EL素子について、同一の有機EL素子条件下で、外部量子効率、および素子寿命を評価した。
比較例5および実施例10の結果を以下の表8に示す。なお、有機EL素子の各有機層の膜厚等の条件は実施例のものと異なるが、非特許文献8に記載の3DTAPBPの結果について併記する。
Claims (18)
- 式(1)
R1〜R4は、各々独立して、水素、置換基を有していてもよいアルキル基およびハロゲン基からなる群から選択される基であり、
R1〜R4のそれぞれは、各々独立して、単数または複数存在していてもよく、複数存在する場合は、互いに同一または異なる基であってもよく、
X1およびX2は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族環式基であり、
Z1およびZ2は、各々独立して、OまたはSであり、
nは、1〜8の整数である、
で表される化合物。 - R1〜R4が、水素である、請求項1に記載の化合物。
- nが2である請求項1または2に記載の化合物。
- X1およびX2が置換基を有していてもよいフェニル基である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の化合物。
- 式(1−I)
- 窒素の結合位が、ジベンゾチオフェンの4位である、請求項5に記載の化合物。
- 窒素の結合位が、ジベンゾチオフェンの2位である請求項5に記載の化合物。
- 式(1−II)
- 窒素の結合位が、ジベンゾフランの4位である、請求項8に記載の化合物。
- 窒素の結合位が、ジベンゾフランの2位である、請求項8に記載の化合物。
- 化学式(1−Ia)、
化学式(1−Id)
- 化学式(1−IIa)、
化学式(1−IId)
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載の化合物を製造する方法であって、
一般式(2)
Rは、各々独立して、請求項1のR1〜R4と同一の意味を示し、
Xは、請求項1のX1およびX2と同一の意味を示し、
Zは、請求項1のZ1およびZ2と同一の意味を示す、
で表される化合物またはその塩と、
一般式(3)
nは請求項1と同一の意味を示し、
HALは、ハロゲン基である、で表される化合物とのN−アリール化反応を行う工程を含む、前記方法。 - 陽極、陰極、およびこれら両電極間に、有機化合物で形成された層を含有する、有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機化合物で形成された層に請求項1〜12のいずれか一項に記載の化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 陽極、陰極、およびこれら両電極間に、電荷輸送材料を含有する、有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記電荷輸送材料に、請求項1〜12のいずれか一項に記載の化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 陽極、陰極、およびこれら両電極間に、正孔輸送層を含有する、有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記正孔輸送層に、請求項1〜12のいずれか一項に記載の化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 陽極、陰極、およびこれら両電極間に、発光層、正孔輸送層を含有する、有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層が、ホスト材料と、発光材料からなるゲスト材料とを含み、
前記ホスト材料が、電子輸送性材料、または電子と正孔の両電荷輸送性材料であって、
前記正孔輸送層に、請求項1〜12のいずれか一項に記載の化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 発光材料が、燐光材料であることを特徴とする請求項17に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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