JP2015200691A - マイクロレンズアレイ基板の製造方法、マイクロレンズアレイ基板、電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】クラックの発生を抑制し、コスト競争力に優れたマイクロレンズアレイ基板の製造方法、マイクロレンズアレイ基板、電気光学装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】光透過性を有する基板５１の第１領域Ｆに複数の凹部を形成する工程と、基板５１を覆うように、光透過性を有し基板５１とは異なる屈折率を有するレンズ層４３を形成する工程と、レンズ層４３の上において第１領域Ｆの外側である第２領域Ｇに緩和層１８ｂを形成する工程と、レンズ層４３及び緩和層１８ｂを覆うように保護層３３を形成する工程と、を有する。【選択図】図５

Description

本発明は、マイクロレンズアレイ基板の製造方法、マイクロレンズアレイ基板、電気光学装置、及び電子機器に関する。

上記電気光学装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。このような液晶装置においては、高い光利用効率を実現することが求められている。

そこで、例えば、液晶装置の素子基板および対向基板の少なくとも一方にマイクロレンズアレイ基板を備え、液晶装置に入射する光のうち遮光層で遮光されてしまう光をマイクロレンズで集光して画素の開口領域内に入射させることにより、液晶装置の実質的な開口率の向上を図る構成が知られている。

マイクロレンズアレイ基板は、例えば、石英などの無機材料からなる基板の表面に設けられた複数の凹部を、基板と異なる屈折率を有する無機材料からなるレンズ層で埋め込むことにより形成される（例えば、特許文献１参照）。

特開２００８−２０９８６０号公報

しかしながら、レンズ層を形成する工程において、基板上にレンズ層が凹部の深さよりも厚く形成されるため、レンズ層に曲げモーメントが作用することでレンズ層の周縁部に応力がかかってクラックが生じる場合がある。レンズ層の成膜条件を調整することでクラックの発生を抑えようとすると、レンズ層を形成する工程において様々な制約を受けることとなる。そのため、レンズ層の成膜条件に関わらずクラックの発生を抑止できるマイクロレンズアレイ基板の製造方法が要望されている。

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法は、光透過性を有する基板の第１面の第１領域に複数の凹部を形成する工程と、前記基板の前記第１面の側を覆うように、光透過性を有し前記基板とは異なる屈折率を有する第１層を形成する工程と、前記第１層の上において前記第１領域の外側である第２領域に第２層を形成する工程と、前記第１層及び前記第２層を覆うように第３層を形成する工程と、を有することを特徴とする。

本適用例によれば、基板の第１領域に形成された複数の凹部を、基板とは異なる屈折率を有する第１層で埋めることにより、複数のマイクロレンズが構成される。また、第１層の第２領域に第２層を形成し、第１層及び第２層を覆うように第３層を形成する。すなわち、第２領域において、第１層と第３層との間に第２層が介在する。そのため、基板上に形成された第３層に曲げモーメントが作用しても、曲げモーメントにより生じる応力が第２層により緩和されるので、第２層が設けられていない場合と比べて、第３層にクラックが生じることを抑えることができる。

［適用例２］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、前記第２層を形成する工程は、前記第２層に複数の開口孔を形成する工程を含むことが好ましい。

本適用例によれば、第２層が、基板におけるシール材が配置される領域と平面視で重なって配置されたとしても、第２層に複数の開口孔を形成するので、シール材に紫外線を照射させることが可能となり、紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤を硬化させることができる。

［適用例３］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、前記複数の開口孔を千鳥状に配置することが好ましい。

本適用例によれば、千鳥状に開口孔を形成するので、開口孔と開口孔との縦横の間隔を略同じに配置することが可能となり、第２層と平面視で重なる領域にあるシール材に、略均一に紫外線を照射することができる。よって、一対の基板を良好な状態で貼り合わせることができる。

［適用例４］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、前記第２層を前記基板の側端部まで形成することが好ましい。

本適用例によれば、第２層が基板の側端部まで形成されるので、第１層と第３層の周縁部との間に第２層が介在する。そのため、曲げモーメントによる応力が集中し易い第３層の周縁部において、応力を第２層により緩和することができるので、第３層にクラックが生じることをより確実に抑えることができる。

［適用例５］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、前記第２層を形成する工程は、前記第１層を覆うように金属材料を形成する工程と、前記金属材料の一部を除去して遮光膜と前記第２層を形成する工程と、を有することが好ましい。

本適用例によれば、遮光膜を形成すると同時に第２層を形成するので、製造工程を増やすことなく第２層を形成することが可能となり、第２層を別工程で形成する場合と比較して、かかるコストを抑えることができる。

［適用例６］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、前記第２層の材料のポアソン比は、前記第１層の材料のポアソン比及び前記第３層の材料のポアソン比よりも大きいことが好ましい。

本適用例によれば、第２層の材料のポアソン比が、第１層及び第３層の材料のポアソン比よりも大きいので、第２層は、第１層及び第３層と比べて、一つの方向に応力がかかって歪みが生じたとき、その方向と垂直な方向に生じる歪みが大きい。すなわち、第２層は、第１層及び第３層と比べて、応力がかかると断面の変形が起き易い。したがって、第１層と第３層との間に第２層が介在することにより、第３層にかかる応力を緩和することができる。

［適用例７］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、前記基板の前記第１面の前記第２領域に第４層を形成する工程を有することが好ましい。

本適用例によれば、基板の第２領域に第４層を形成する、言い換えれば、第２領域において基板と第１層との間に第４層が介在する。これにより、基板上に形成された第１層に曲げモーメントが作用しても、曲げモーメントにより生じる応力が第４層により緩和されるので、第４層が設けられていない場合と比べて、第１層にクラックが生じることを抑えることができる。

［適用例８］本適用例に係るマイクロレンズアレイ基板は、上記に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法で製造されたことを特徴とする。

本適用例によれば、第３層にクラックが生じることを抑えることができるので、製造工程における歩留まりが向上する。これにより、コスト競争力に優れたマイクロレンズアレイ基板を提供できる。

［適用例９］本適用例に係る電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、を備え、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に、上記に記載のマイクロレンズアレイ基板を備えていることを特徴とする。

本適用例によれば、コスト競争力に優れた電気光学装置を提供できる。

［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記電気光学装置を備えていることを特徴とする。

本適用例によれば、上記電気光学装置を備えているので、コスト競争力に優れた電子機器を提供することができる。

液晶装置の構成を示す模式平面図。 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図。 大型のマイクロレンズアレイ基板の構成を示す模式図であり、（ａ）は大型のマイクロレンズアレイ基板の模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿う模式断面図。 マイクロレンズアレイ基板の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す模式断面図。 マイクロレンズアレイ基板の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す模式断面図。 マイクロレンズアレイ基板の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す模式断面図。 マイクロレンズアレイ基板の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す模式断面図。 液晶装置を備えたプロジェクターの構成を示す概略図。 変形例の緩和層の構成を示す模式平面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

本実施形態では、電気光学装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

＜電気光学装置としての液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。なお、図２に示す液晶装置は、マイクロレンズアレイの図示を省略している。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。

図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向するように配置された素子基板１０（第１基板）および対向基板２０（第２基板）と、これら一対の基板１０，２０によって挟持された電気光学層としての液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する基板としての第１基材１１、および対向基板２０を構成する第２基材４１は、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板１０，２０は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス：ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光部材としての遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。

また、Ｘ方向およびＹ方向と直交し図１における上方に向かう方向をＺ方向とする。なお、本明細書では、液晶装置１００の対向基板２０側表面の法線方向（Ｚ方向）から見ることを「平面視」という。

図２に示すように、第１基材１１の液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ４０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。

また、ＴＦＴ４０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ４０、配向膜２８を含むものである。

対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された第３層としての保護層３３と、保護層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも保護層３３、対向電極３１、配向膜３２を含むものである。

遮光膜１８は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

保護層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような保護層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

対向電極３１は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなり、保護層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極２７を覆う配向膜２８、および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。

このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、共通電位配線としての容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ４０と、容量素子２１とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはＴＦＴ４０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ４０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ４０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ４０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子２１が接続されている。容量素子２１は、ＴＦＴ４０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。

＜液晶装置を構成する画素の構成＞
図４は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置のうち画素の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

図４に示すように、対向基板２０は、マイクロレンズアレイ基板３０と、遮光膜１８と、保護層３３と、対向電極３１と、配向膜３２とを備えている。

マイクロレンズアレイ基板３０は、第２基材４１と、第１層としてのレンズ層４３とを備えている。第２基材４１は、例えば、ガラスや石英などの光透過性を有する無機材料からなる。第２基材４１の液晶層１５側の面を、第１面としての面４１ｂとする。第２基材４１の液晶層１５とは反対側の面を、第２面としての面４１ａとする。第２基材４１は、面４１ｂ側に形成された複数の凹部４２を有している。各凹部４２は、画素Ｐに対応して設けられている。

レンズ層４３は、第２基材４１の面４１ｂ側を覆うように設けられている。レンズ層４３は、凹部４２の深さよりも厚く形成されており、複数の凹部４２を埋め込むように形成されている。レンズ層４３は、光透過性を有し、第２基材４１とは異なる屈折率を有する材料からなる。より具体的には、レンズ層４３は、第２基材４１よりも光屈折率の高い無機材料からなる。このような無機材料としては、例えばＳｉＯＮ、Ａｌ₂Ｏ₃などが挙げられる。

レンズ層４３を形成する材料で凹部４２を埋め込むことにより、凸状のマイクロレンズＭＬが構成される。したがって、各マイクロレンズＭＬは、画素Ｐに対応して設けられている。また、複数のマイクロレンズＭＬによりマイクロレンズアレイＭＬＡが構成される。マイクロレンズアレイ基板３０の表面、すなわちレンズ層４３の表面は、略平坦な面となっている。

遮光膜１８は、レンズ層４３上に設けられている。遮光膜１８は、素子基板１０の遮光層１２および遮光層１７に平面視で重なるように、格子状または島状に形成されている。図４は、遮光膜１８が格子状に形成されており、開口部１８ａを有する場合を示している。この場合、遮光膜１８の開口部１８ａ内が、光が透過する領域となる。

保護層３３は、遮光膜１８を覆うように設けられている。対向電極３１は、保護層３３を覆うように設けられている。対向電極３１は、複数の画素Ｐに跨って形成されている。対向電極３１は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなる。配向膜３２は、対向電極３１を覆うように設けられている。

なお、保護層３３は、遮光膜１８を覆って対向電極３１が形成される液晶層１５側の表面を平坦化するためのものである。例えば、導電性の遮光膜１８を直接覆うように対向電極３１を形成する構成としてもよく、その場合は保護層３３を省略してもよい。

素子基板１０は、第１基材１１と、遮光層１２と、絶縁層１３と、ＴＦＴ４０と、絶縁層１６と、遮光層１７と、絶縁層１９と、画素電極２７と、配向膜２８とを備えている。第１基材１１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料からなる。

遮光層１２は、第１基材１１上に設けられている。遮光層１２は、上層の遮光層１７とともに、遮光膜１８と平面視で重なるように格子状に形成されている。遮光層１２および遮光層１７は、素子基板１０の厚さ方向（Ｚ方向）において、ＴＦＴ４０を間に挟むように配置されている。遮光層１２は、ＴＦＴ４０の少なくともチャネル領域と平面視で重なっている。

遮光層１２および遮光層１７が設けられていることにより、ＴＦＴ４０への光の入射が抑制される。遮光層１２に囲まれた領域（開口部１２ａ内）、および、遮光層１７に囲まれた領域（開口部１７ａ内）は、平面視で互いに重なっており光が透過する領域となる。

絶縁層１３は、第１基材１１と遮光層１２とを覆うように設けられている。絶縁層１３は、例えば、ＳｉＯ₂などの無機材料からなる。

ＴＦＴ４０は、絶縁層１３上に設けられている。ＴＦＴ４０は、画素電極２７を駆動するスイッチング素子である。ＴＦＴ４０は、図示しない半導体層、ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極で構成されている。半導体層には、ソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域が形成されている。チャネル領域とソース領域、又は、チャネル領域とドレイン領域との界面にはＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成されていてもよい。

ゲート電極は、素子基板１０において平面視で半導体層のチャネル領域と重なる領域に絶縁層１６の一部（ゲート絶縁膜）を介して形成されている。図示を省略するが、ゲート電極は、下層側に配置された走査線にコンタクトホールを介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってＴＦＴ４０をオン／オフ制御している。

絶縁層１６は、絶縁層１３とＴＦＴ４０とを覆うように設けられている。絶縁層１６は、例えば、ＳｉＯ₂などの無機材料からなる。絶縁層１６は、ＴＦＴ４０の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。絶縁層１６により、ＴＦＴ４０によって生じる表面の凹凸が緩和される。絶縁層１６上には、遮光層１７が設けられている。そして、絶縁層１６と遮光層１７とを覆うように、無機材料からなる絶縁層１９が設けられている。

画素電極２７は、絶縁層１９上に、画素Ｐに対応して設けられている。画素電極２７は、遮光層１２の開口部１２ａおよび遮光層１７の開口部１７ａに平面視で重なる領域に配置されている。画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなる。配向膜２８は、画素電極２７を覆うように設けられている。液晶層１５は、素子基板１０側の配向膜２８と対向基板２０側の配向膜３２との間に挟持されている。

なお、ＴＦＴ４０と、ＴＦＴ４０に電気信号を供給する電極や配線など（図示しない）とは、平面視で遮光層１２および遮光層１７に重なる領域に設けられている。これらの電極や配線などが遮光層１２や遮光層１７を兼ねる構成であってもよい。

本実施形態の液晶装置１００では、例えば、光源などから発せられた光は、マイクロレンズＭＬを備える対向基板２０（第２基材４１）側から入射し、マイクロレンズＭＬによって集光される。第２基材４１側から面４１ａの法線方向に沿ってマイクロレンズＭＬに入射する光のうち、画素Ｐの領域の平面的な中心を通過する光軸に沿って入射した入射光Ｌ１は、マイクロレンズＭＬをそのまま直進し、液晶層１５を通過して素子基板１０側に射出される。

入射光Ｌ１よりも外側の平面視で遮光膜１８（または遮光層１７）と重なる領域からマイクロレンズＭＬの周縁部に入射した入射光Ｌ２は、仮にそのまま直進した場合、破線で示すように遮光膜１８（または遮光層１７）で遮光されてしまうが、第２基材４１とレンズ層４３との間の光屈折率の差により、画素Ｐの領域の平面的な中心側へ屈折する。

液晶装置１００では、このように直進した場合に遮光膜１８（または遮光層１７）で遮光されてしまう入射光Ｌ２も、マイクロレンズＭＬの作用により開口部１８ａ内（または開口部１７ａ内）に入射させて液晶層１５を通過させることができる。この結果、素子基板１０側から射出される光の量を多くできるので、光の利用効率を高めることができる。

＜マイクロレンズアレイ基板の製造方法＞
図５は、大型のマイクロレンズアレイ基板の構成を示す模式図であり、（ａ）は大型のマイクロレンズアレイ基板の模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿う模式断面図である。図６〜図９は、マイクロレンズアレイ基板の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す模式断面図である。なお、図６〜図９は、図５のＢ−Ｂ’線に沿う部分断面図に相当する。以下、マイクロレンズアレイ基板の製造方法を、図５〜図９を参照しながら説明する。

図５（ａ）は、マイクロレンズアレイ基板３０を複数個取りできる大型のマイクロレンズアレイ基板６０を、図４における液晶層１５側の方向から見た平面図である。マイクロレンズアレイ基板３０の製造工程では、大型のマイクロレンズアレイ基板６０の状態で加工が行われ、最終的にマイクロレンズアレイ基板６０を切断して個片化することにより、複数のマイクロレンズアレイ基板３０が得られる。

図５（ａ）に示すように、マイクロレンズアレイ基板６０の基材は、平面視で略円形のウェハ状の基板５１からなる。マイクロレンズアレイ基板３０の第２基材４１（図４参照）は、基板５１がマイクロレンズアレイ基板３０毎に個片化されたものである。マイクロレンズアレイ基板６０は、複数のマイクロレンズアレイ基板３０が形成される第１領域Ｆと、第１領域Ｆの外側に第１領域Ｆを囲むように配置された第２領域Ｇとを有している。第１領域Ｆには、マイクロレンズアレイ基板３０毎にマイクロレンズアレイＭＬＡ（図４参照）が設けられる。

図５（ａ）及び（ｂ）では、基板５１上に、後述する第３層としての保護層３３が形成された状態（図９（ａ）参照）を示している。図５（ｂ）は、図４に対して上下（Ｚ方向）が反転している。図５（ｂ）に示すように、基板５１は、第２基材４１の面４１ｂに対応する第１面としての面５１ｂと、第２基材４１の面４１ａに対応する第２面としての面５１ａとを有する。

マイクロレンズアレイ基板６０において、基板５１の面５１ｂの外周端部と面５１ａの外周端部との間の部分を側端部Ｈという。側端部Ｈにおいて、基板５１の面５１ｂと側面５１ｃとの角部および面５１ａと側面５１ｃとの角部は、基板５１の外周に沿って面取りされており、面５１ｂと側面５１ｃとの間、および面５１ａと側面５１ｃとの間に斜面５１ｄが設けられている。

基板５１の面５１ｂの第２領域Ｇには、第４層としての導電層４５が設けられている。導電層４５は、面５１ｂにおける第２領域Ｇ全体を覆うように設けられていてもよい。また、導電層４５は、面５１ａにおいて第１領域Ｆと第２領域Ｇとに亘って設けられている。さらに、導電層４５は、側端部Ｈ（面５１ａと側面５１ｃとの間の斜面５１ｄ、側面５１ｃ、および側面５１ｃと面５１ｂとの間の斜面５１ｄ）にも設けられていることが好ましい。換言すれば、導電層４５は、基板５１の面５１ｂに少なくとも第１領域Ｆを含む大きさの開口部４５ａを有し、基板５１の開口部４５ａ以外の部分を覆うように設けられていることが好ましい。

導電層４５は、マイクロレンズアレイ基板６０の製造工程において、基板５１の面５１ａ側を静電チャック（静電吸着）により固定するための機能と、レンズ材料層４３ａに生じる応力を緩和する機能とを兼ね備えている。換言すれば、導電層４５のうち、面５１ａ側に設けられた部分は静電吸着層であり、面５１ｂ側に設けられた部分が応力緩和層である。図５（ｂ）に示すように、導電層４５が側端部Ｈにも設けられている場合は、導電層４５のこの部分も応力緩和層としての役割を担う。

導電層４５は、導電性を有するとともに、基板５１のポアソン比およびレンズ材料層４３ａのポアソン比よりも大きいポアソン比を有する材料からなる。このような導電層４５の材料として、例えば、シリコンを用いることができる。導電層４５の材料は、アルミニウムなどの金属であってもよい。導電層４５の膜厚は、例えば、３５０ｎｍ〜２０００ｎｍ程度である。導電層４５のＸ方向における幅（側端部Ｈ側から開口部４５ａまでの距離）は、例えば、３ｍｍ〜５ｍｍ程度である。

レンズ材料層４３ａは、基板５１の面５１ｂの第１領域Ｆと第２領域Ｇとに亘って設けられている。レンズ材料層４３ａの周縁部と基板５１との間には、導電層４５が配置されている。レンズ材料層４３ａは、その周縁部が側端部Ｈ、すなわち、基板５１の面５１ｂから斜面５１ｄおよび側面５１ｃに到達する範囲まで設けられていてもよい。なお、後述するが、レンズ材料層４３ａの上面を研磨して平坦化することにより、レンズ層４３が形成される。

レンズ材料層４３ａ上には、第２領域Ｇに第２層としての緩和層１８ｂが形成されている。更に、緩和層１８ｂ及びレンズ材料層４３ａを覆うように、保護層３３が形成されている。

緩和層１８ｂは、図５（ｂ）に示すように、例えば、フォトレジストの露光の関係により、基板５１の外周から２ｍｍ程度の範囲には形成されていない。よって、製造方法による制約がなければ、基板５１の外周まで緩和層１８ｂを形成することが望ましい。これによれば、クラックマージンを向上させることができる。

また、第２領域Ｇにおいて、レンズ材料層４３ａと保護層３３との間に緩和層１８ｂが介在することにより、保護層３３に曲げモーメントが作用しても、曲げモーメントにより生じる応力が緩和層１８ｂにより緩和されるので、緩和層１８ｂが設けられていない場合と比べて、保護層３３にクラックが生じることを抑えることができる。

続いて、マイクロレンズアレイ基板６０（マイクロレンズアレイ基板３０）の製造方法を、図６〜図９を参照して説明する。なお、図６〜図９の各図に示す第１領域Ｆの部分は、１つのマイクロレンズアレイ基板３０のうちのマイクロレンズＭＬが形成される部分である。

まず、図６（ａ）に示すように、石英などからなる光透過性を有する基板５１の表面、すなわち、面５１ａおよび面５１ｂにおける第１領域Ｆおよび第２領域Ｇとを覆うように、導電層４５を形成する。基板５１の面５１ａ側に導電層４５を形成することにより、以降の工程で基板５１の面５１ａ側を静電チャック（静電吸着）により固定して、面５１ｂ側の加工を行うことが可能となる。

導電層４５の材料として、例えば、シリコンを用いることができる。導電層４５を形成する方法としては、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いることができる。ＣＶＤ法を用いることで、導電層４５となるシリコン膜を容易に側端部Ｈ（面５１ａと側面５１ｃとの間の斜面５１ｄ、側面５１ｃ、および側面５１ｃと面５１ｂとの間の斜面５１ｄ）にも成膜することができる。

次に、図６（ｂ）に示すように、導電層４５のうち基板５１の面５１ｂ側において、少なくとも第１領域Ｆを覆う部分を除去し、それ以外の部分を残す。これにより、導電層４５に、少なくとも第１領域Ｆを含む大きさの開口部４５ａが形成される。開口部４５ａ内には、基板５１の面５１ｂが露出する。

導電層４５を部分的に除去する方法としては、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）などのドライエッチングを用いることができる。ＲＩＥは、ＲＩＥ装置内でプラズマから生成されたイオンを加速して被エッチング物に衝撃させるものであり、基板５１を支持するステージを介して基板５１にバイアスを印加することで、導電層４５のうち平面視でステージと重なる部分を除去できる。導電層４５を部分的に除去する方法として、ウエットエッチングを用いることも可能である。

なお、図示を省略するが、各マイクロレンズアレイ基板３０にはアライメントマークが設けられている。このアライメントマークは、各マイクロレンズアレイ基板３０の４隅などに配置され、例えば遮光膜１８のフォトリソグラフィ法によるパターニングで用いるマスクなどとの位置合わせを行うためのものである。本実施形態では、アライメントマークは、導電層４５として基板５１（第２基材４１）の面５１ｂ（面４１ｂ）側に成膜されたシリコン膜のうち、アライメントマーク以外の部分をドライエッチングにより除去して形成される。

したがって、図６（ｂ）に示す工程では、基板５１の面５１ｂ側に成膜されたシリコン膜のうち、第１領域Ｆ内においてマイクロレンズアレイ基板３０毎にアライメントマーク以外の部分を除去することによりアライメントマークを形成し、かつ、第２領域Ｇに成膜された部分を残すことにより第４層としての応力緩和層となる導電層４５を形成することができる。すなわち、静電吸着層と応力緩和層とアライメントマークとを同一の工程で形成することができる。

次に、図６（ｃ）に示すように、基板５１の面５１ｂ側を覆うようにマスク層７１を形成する。そして、マスク層７１をパターニングして、マスク層７１のうち第１領域Ｆ内の部分に複数の開口部７１ａを形成する。開口部７１ａは、マイクロレンズアレイ基板３０毎に、後の工程で得られるマイクロレンズＭＬ（凹部４２）の平面的な中心位置、すなわち、画素Ｐの領域（図４参照）の平面的な中心位置に対応して設けられる。これにより、開口部７１ａ内に基板５１の面５１ｂが露出する。

次に、図６（ｄ）に示すように、マスク層７１の開口部７１ａを介して基板５１に等方性エッチング処理を施すことにより、基板５１の第１領域Ｆ内の部分に複数の凹部４２を形成する。等方性エッチング処理としては、例えばフッ酸溶液などのエッチング液を用いたウエットエッチングを用いることができる。

この等方性エッチング処理により、基板５１の面５１ｂ側から複数の開口部７１ａのそれぞれを中心として等方的にエッチングされ、断面視で略半球状の領域が除去されて、複数の凹部４２が形成される。凹部４２の断面形状は、球面状に限定されるものではなく、底部に略平坦な部分や、周縁部にテーパー状の部分を含む形状などであってもよい。

なお、マスク層７１を形成する前に、基板５１上に等方性エッチングにおけるエッチングレートが基板５１と異なるＳｉＯ₂などの酸化膜を形成してもよい。このようにすることで、凹部４２を形成する際の深さ方向（Ｚ方向）のエッチングレートに対する幅方向（Ｗ方向）のエッチングレートを適宜調整して、所望の凹部４２の断面形状を得ることができる。等方性エッチング処理が終了したら、図７（ａ）に示すように、基板５１からマスク層７１を除去する。

次に、図７（ｂ）に示すように、基板５１の面５１ｂ側の第１領域Ｆおよび第２領域Ｇにレンズ層４３の材料を配置して、複数の凹部４２を埋め込むとともに平面視で導電層４５と重なるように、レンズ材料層４３ａを形成する。レンズ層４３の材料としては、光透過性を有し、基板５１よりも高い屈折率を有する無機材料である酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）などが用いられる。レンズ材料層４３ａは、例えば、プラズマＣＶＤ法などを用いて形成できる。

レンズ材料層４３ａは、凹部４２の深さよりも厚く形成される。第１領域Ｆに形成されたレンズ材料層４３ａの上面は、凹部４２と凹部４２同士の境界部や凹部４２が形成されていない部分との段差が反映された凹凸形状となる。レンズ材料層４３ａは、第２領域Ｇにおいては導電層４５を覆うように形成される。

なお、レンズ材料層４３ａは、側端部Ｈまで形成されていてもよい。これによれば、緩和層１８ｂが基板５１の側端部Ｈまで形成されるので、レンズ層４３と保護層３３の周縁部との間に緩和層１８ｂが介在する。そのため、曲げモーメントによる応力が集中し易い保護層３３の周縁部において、応力を緩和層１８ｂにより緩和することができるので、保護層３３にクラックが生じることをより確実に抑えることができる。

次に、図７（ｂ）に示すレンズ材料層４３ａに対して平坦化処理を施す。平坦化処理の方法として、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理などが用いられ、レンズ材料層４３ａのうち上側の凹凸が形成された部分（図７（ｂ）に示す２点鎖線の上の部分）を研磨して除去し表面を平坦化する。平坦化処理の方法としては、エッチバック法を用いてもよい。

この結果、図７（ｃ）に示すように、レンズ材料層４３ａの上面が平坦化されてレンズ層４３が得られ、凹部４２を埋めるレンズ層４３によりマイクロレンズＭＬが構成される。これにより、マイクロレンズアレイ基板６０の第１領域Ｆに、マイクロレンズアレイＭＬＡを備えた複数のマイクロレンズアレイ基板３０（図５（ａ）参照）が形成される。

引き続き、マイクロレンズアレイ基板３０（６０）を備えた対向基板２０の製造方法を説明する。まず、図８（ａ）に示すように、レンズ層４３を覆うように遮光材料層１８'を形成する。最初に、基板５１の面５１ａを覆う導電層４５を除去する。次に、レンズ層４３を覆うように、例えば、プラズマＣＶＤ法などを用いて遮光材料層１８'を形成する。

遮光材料層１８'は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）と窒化チタン（ＴｉＮ）との金属材料からなる積層膜である。アルミニウムの厚みは、例えば、１０００Åである。窒化チタンの厚みは、例えば、５００Åである。

次に、図８（ｂ）に示すように、遮光材料層１８'から遮光膜１８と緩和層１８ｂとを形成する。遮光材料層１８'を部分的に除去する方法としては、例えば、ＲＩＥなどのドライエッチングを用いることができる。これにより、第１領域Ｆにおいて、画素Ｐと画素Ｐとの間の領域に遮光膜１８が形成される。また、第２領域Ｇにおいて緩和層１８ｂが形成される。

次に、図８（ｃ）に示すように、遮光膜１８、緩和層１８ｂ、及びレンズ層４３の全体を覆うように、保護材料層３３ａを形成する。保護材料層３３ａを成膜する方法としては、例えば、プラズマＣＶＤを用いることができる。これにより、保護材料層３３ａの表面は、遮光膜１８及び緩和層１８ｂの厚みに対応して凹凸になっている。保護材料層３３ａの厚みは、例えば、２０μｍ程度である。

次に、図９（ａ）に示すように、保護材料層３３ａの上面に平坦化処理を施す。平坦化処理の方法として、例えば、ＣＭＰ処理などが用いられる。これにより、上面が平坦化された保護層３３が形成される。

次に、図９（ｂ）に示すように、保護層３３を覆うように対向電極３１を形成する。保護層３３の上に対向電極３１を形成する方法としては、例えば、プラズマＣＶＤを用いることができる。これにより、保護層３３を覆うように対向電極３１が形成される。その後、図示しないが、対向電極３１の上に配向膜３２を形成する。

この後、マイクロレンズアレイ基板６０のうち第１領域Ｆの部分をマイクロレンズアレイ基板３０毎に切断して個片化する。なお、基板５１の面５１ａ側を覆う導電層４５を、これらの層を形成した後に除去することとしてもよい。なお、マイクロレンズアレイ基板３０が個片化された後は、マイクロレンズアレイ基板６０のうち第２領域Ｇの部分および側端部Ｈの部分は不要となる。

図５（ｂ）に示すように、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板６０では、保護層３３とレンズ層４３との間に緩和層１８ｂが配置されている。保護層３３及びレンズ層４３のポアソン比は、０．１４〜０．１７程度である。これに対して、緩和層１８ｂ（アルミニウム）のポアソン比は、０．３６〜０．３７程度である。よって、緩和層１８ｂのポアソン比の方が大きい。

そのため、緩和層１８ｂは、保護材料層３３ａ及びレンズ層４３と比べて、一つの方向（例えば、Ｘ方向）に応力がかかって歪みが生じたとき、その方向と垂直な方向（例えば、Ｙ方向）に生じる歪みが大きい。すなわち、緩和層１８ｂは、保護材料層３３ａ及びレンズ層４３と比べて、応力がかかると断面の変形が起き易い。したがって、保護材料層３３ａとレンズ層４３との間に緩和層１８ｂが介在することにより、保護材料層３３ａにかかる応力が緩和されるので、保護材料層３３ａにクラックが生じることを抑えることができる。

加えて、レンズ材料層４３ａの周縁部と基板５１との間に導電層４５が配置されている。石英からなる基板５１のポアソン比は０．１４〜０．１７程度であり、レンズ材料層４３ａのポアソン比も同程度である。これに対して、シリコンからなる導電層４５のポアソン比は、０．２６〜０．２８程度であり、基板５１のポアソン比およびレンズ材料層４３ａのポアソン比よりも大きい。

よって、そのため、導電層４５は、基板５１およびレンズ材料層４３ａと比べて、一つの方向（例えば、Ｘ方向）に応力がかかって歪みが生じたとき、その方向と垂直な方向（例えば、Ｙ方向）に生じる歪みが大きい。すなわち、導電層４５は、基板５１およびレンズ材料層４３ａと比べて、応力がかかると断面の変形が起き易い。したがって、基板５１とレンズ材料層４３ａとの間に導電層４５が介在することにより、レンズ材料層４３ａにかかる応力が緩和されるので、レンズ材料層４３ａにクラックが生じることを抑えることができる。

緩和層１８ｂ（導電層４５）の応力緩和層としての効果は、緩和層１８ｂ（導電層４５）の膜厚が厚いほど大きく、緩和層の幅（面積）が大きいほど大きい。

＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としてのプロジェクターについて、図１０を参照しながら説明する。図１０は、上記した液晶装置を備えたプロジェクターの構成を示す概略図である。

図１０に示すように、本実施形態のプロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このようなプロジェクター１０００の構成によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０を用いているので、品質が高く明るいプロジェクター１０００を提供することができる。

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上詳述したように、マイクロレンズアレイ基板３０の製造方法、マイクロレンズアレイ基板３０、液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）本実施形態のマイクロレンズアレイ基板３０の製造方法によれば、基板５１の第１領域Ｆに形成された複数の凹部４２を、基板５１とは異なる屈折率を有するレンズ層４３で埋めることにより、複数のマイクロレンズＭＬが構成される。また、レンズ層４３の第２領域Ｇに緩和層１８ｂを形成し、レンズ層４３及び緩和層１８ｂを覆うように保護層３３を形成する。すなわち、第２領域Ｇにおいて、レンズ層４３と保護層３３との間に緩和層１８ｂが介在する。そのため、基板５１上に形成された保護層３３に曲げモーメントが作用しても、曲げモーメントにより生じる応力が緩和層１８ｂにより緩和されるので、緩和層１８ｂが設けられていない場合と比べて、保護層３３にクラックが生じることを抑えることができる。加えて、その後に形成する対向電極３１など高温で行うプロセスに対しても、プロセスの自由度を上げることができる。

（２）本実施形態のマイクロレンズアレイ基板３０の製造方法によれば、遮光膜１８を形成すると同時に緩和層１８ｂを形成するので、製造工程を増やすことなく緩和層１８ｂを形成することが可能となり、緩和層１８ｂを別工程で形成する場合と比較して、かかるコストを抑えることができる。

（３）本実施形態のマイクロレンズアレイ基板３０の製造方法によれば、緩和層１８ｂの材料のポアソン比が、レンズ層４３及び保護層３３の材料のポアソン比よりも大きいので、緩和層１８ｂは、レンズ層４３及び保護層３３と比べて、一つの方向に応力がかかって歪みが生じたとき、その方向と垂直な方向に生じる歪みが大きい。すなわち、緩和層１８ｂは、レンズ層４３及び保護層３３と比べて、応力がかかると断面の変形が起き易い。したがって、レンズ層４３と保護層３３との間に緩和層１８ｂが介在することにより、保護層３３にかかる応力を緩和することができる。

（４）本実施形態のマイクロレンズアレイ基板３０、及び液晶装置１００によれば、保護層３３にクラックが生じることを抑えることができるので、製造工程における歩留まりが向上する。これにより、コスト競争力に優れたマイクロレンズアレイ基板３０及び液晶装置１００を提供できる。

（５）本実施形態の電子機器によれば、上記液晶装置１００を備えているので、コスト競争力に優れた電子機器を提供することができる。

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記したように、緩和層１８ｂを第２領域Ｇにベタ状に形成することに限定されず、例えば、図１１に示すようにしてもよい。図１１は、変形例の緩和層１８ｂの構成を示す模式平面図である。（ａ）は、マイクロレンズアレイ基板の構成を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示すマイクロレンズアレイ基板のＣ部を拡大して示す拡大平面図である。（ｃ）は、（ｂ）に示すマイクロレンズアレイ基板の変形例を示す拡大平面図である。

図１１（ａ）に示すように、基板５１の第１領域Ｆの周囲（第２領域Ｇ）には、緩和層１８ｂが形成されている。変形例の緩和層１８ｂは、図１１（ｂ）に示すように、複数の開口孔１８ｃが形成されている。開口孔１８ｃが形成された緩和層１８ｂの開口率は、１０％程度である。望ましい開口率の範囲としては、５％〜３０％である。開口孔１８ｃと開口孔１８ｃとの間隔は、例えば、３６μｍである。

このような緩和層１８ｂによれば、基板５１の第２領域Ｇに緩和層１８ｂを形成した場合でも、第２領域Ｇに配置される緩和層１８ｂに複数の開口孔１８ｃが形成されているので、例えば、シール材１４に紫外線を照射させることが可能となり、紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤を硬化させることができる。

また、図１１（ｃ）に示す緩和層１８ｂのように、複数の開口孔１８ｄが千鳥状に配置されていてもよい。これによれば、開口孔１８ｄと開口孔１８ｄとの間隔を、縦横バランスよく配置させることができる。

このような緩和層１８ｂによれば、基板５１の第２領域Ｇに緩和層１８ｂを形成した場合でも、シール材に略均等の紫外線を照射させることが可能となり、一対の基板を良好な状態で貼り合わせることができる。

（変形例２）
上記したように、緩和層１８ｂ（遮光材料層１８'）は、アルミニウムと窒化チタンとの積層膜であることに限定されず、例えば、アルミニウムの単層でもよいし、窒化チタンの単層でもよい。

（変形例３）
上記したように、マイクロレンズアレイ基板６０は、側端部Ｈにおいて、基板５１の側面５１ｃと面５１ｂとの間、および側面５１ｃと面５１ａとの間に斜面５１ｄが設けられた構成を有していたが、本発明はこのような形態に限定されない。

（変形例４）
上述した液晶装置１００では、マイクロレンズアレイ基板３０を対向基板２０に備えていたが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、マイクロレンズアレイ基板３０を素子基板１０に備えた構成としてもよい。また、マイクロレンズアレイ基板３０を素子基板１０および対向基板２０の双方に備えた構成としてもよい。

（変形例５）
上記したように、電気光学装置として液晶装置１００を適用することに限定されず、例えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー（ＥＰＤ）等に適用するようにしてもよい。

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…第１基板としての素子基板、１１…第１基材、１２…遮光層、１２ａ…開口部、１３…絶縁層、１４…シール材、１５…電気光学層としての液晶層、１６…絶縁層、１７…遮光層、１７ａ…開口部、１８…遮光膜、１８ａ…開口部、１８ｂ…第２層としての緩和層、１８ｃ，１８ｄ…開口孔、１９…絶縁層、２０…第２基板としての対向基板、２１…容量素子、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２９…配線、３０…マイクロレンズアレイ基板、３１…対向電極、３３…第３層としての保護層、３３ａ…保護材料層、４０…ＴＦＴ、４１…基板としての第２基材、４１ａ…第２面としての面、４１ｂ…第１面としての面、４２…凹部、４３…第１層としてのレンズ層、４３ａ…レンズ材料層、４５…第４層としての導電層、４５ａ…開口部、５１…基板、６０…マイクロレンズアレイ基板、６１…外部接続用端子、７１…マスク層、７１ａ…開口部、１００…液晶装置、１０００…プロジェクター、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

Claims (10)

1. 光を透過する基板の第１領域に複数の凹部を形成する工程と、
   前記基板の前記複数の凹部が形成された側の面である第１面の側を覆うように、光を透過し前記基板とは異なる屈折率を有する第１層を形成する工程と、
   前記第１領域の外側である第２領域を覆うように第２層を形成する工程と、
   前記第１層及び前記第２層を覆うように第３層を形成する工程と、
   を有することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
2. 請求項１に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
   前記第１領域の外側である第２領域を覆うように第２層を形成する工程は、前記第２層に複数の開口孔を形成する工程を含むことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
3. 請求項２に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
   前記複数の開口孔を千鳥状に配置することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
   前記第２層を前記基板の側端部まで形成することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
   前記第１領域の外側である第２領域を覆うように第２層を形成する工程は、前記第１層を覆うように金属材料を形成する工程と、前記金属材料の一部を除去して遮光膜と前記第２層を形成する工程と、を有することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
   前記第２層の材料のポアソン比は、前記第１層の材料のポアソン比及び前記第３層の材料のポアソン比よりも大きいことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
   前記基板の前記第１面の前記第２領域に第４層を形成する工程を有することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法で製造されたことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
9. 第１基板と、
   前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、
   を備え、
   前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方は、請求項８に記載のマイクロレンズアレイ基板であることを特徴とする電気光学装置。
10. 請求項９に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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