JP2015199179A - Memsデバイス及びmemsデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10と空洞部23を介して離間するように配置された両端支持構造のメンブレン部31を有する。基板10のメンブレン部31と対向する面に、メンブレン部31に向けて先細る形状で、かつ前記メンブレン部31の幅方向中央部を中心として線対称の突起部21を備えることで、メンブレン部31の製造過程で、空洞部23に充填された犠牲層をウエットエッチングし、乾燥する工程での表面張力によるメンブレン部31の基板10への貼り付きを防止できる。
【選択図】図1
Description
上記技術は、いずれも大きな面でメンブレン部と接触する突部を設けているため、基板へのメンブレン部の貼り付け対策としては十分とはいえない。特に、メンブレン部をSiN等の高圧縮応力の材料で形成するとスティッキングが生じやすく、確実なスティッキング対策が求められる。
本発明のMEMSデバイスは、基板と離間して両端支持構造のメンブレン部を有するMEMSデバイスであって、前記基板の前記メンブレン部と対向する面に、前記メンブレン部に向けて先細る形状の突起部を備えるを特徴とするものである。
従って、本発明のMEMSデバイスでは、突起部のメンブレン部と対向する先端部の幅を小さくすることができる。そのため、純水等の表面張力でメンブレン部が突起部に向けて撓んだ場合でも突起部で撓みが規制されることから、突起部から離れる方向に撓んで応力緩和する。その結果、本発明では、スティッキングを生じさせることなくメンブレン部を形成することができる。
従って、本発明のMEMSデバイスでは、メンブレン部が設けられる範囲に亘ってメンブレン部にスティッキングが生じることを抑制できる。
従って、本発明のMEMSデバイスでは、メンブレン部を挟んだ両側からウエットエッチングすることにより、基板上に突起部を形成することができる。
従って、本発明のMEMSデバイスでは、メンブレン部を挟んだ両側からウエットエッチングすることにより、基板上に突起部を形成することができる。
従って、本発明のMEMSデバイスでは、メンブレン部の弾性エネルギー、固体−液体間の表面エネルギー、固体間の接着エネルギーに基づき、メンブレン部にスティッキングを生じることを回避できる。
これにより、本発明では、突起部を形成した際に、メンブレン部と突起部とが離間したMEMSデバイスを製造することが可能になる。
これにより、本発明では、突起部を形成するための犠牲層と、メンブレン部と突起部との間に空間(空洞)を形成するための第2犠牲層とを、それぞれのエッチング特性に応じて適宜選択することが可能となる。
従って、本発明のMEMSデバイス製造方法では、メンブレン部の弾性エネルギー、固体−液体間の表面エネルギー、固体間の接着エネルギーに基づき、メンブレン部にスティッキングを生じることを回避できる。
なお、以下の実施の実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせている。
図1に示すように、MEMSデバイス1は、シリコン基板(ウエハ)10上に犠牲層としての熱酸化膜層(シリコン酸化膜層)20及びメンブレン層30が設けられた構成を備えている。
まず、シリコン基板10上に熱酸化膜層20を形成した後に、熱酸化膜層20上にレジスト(感光剤)Rを塗布する。そして、レジストRに対して露光処理、現像処理及びエッチング処理等のフォトリソグラフィ処理を実施して、図2(a)に示すように、メンブレン層30の開口部32の位置が露出し、メンブレン部31の位置が被覆されるように、熱酸化膜層20上にマスクMを形成する。
図4に、突起部21を設けた場合のメンブレン部31が座屈しない最大長さ(グラフA)と、突起部21を設けない場合のメンブレン部31が座屈しない最大長さ(グラフB)とを示す。グラフA、Bは、メンブレン部31と突起部21との距離(グラフA)、メンブレン部31とシリコン基板10との距離(グラフB)が1μmであり、乾燥時に座屈に起因する液体が上述した純水、IPA、HFEの場合について示されている。
従って、式(1)においてNp≧1となるためには、Q/W≦(0.0914≒0.1)、すなわち、突起部21の先端幅Qがメンブレン部31の幅Wの1/10以下であれば座屈が生じないため、突起部21の先端部はこの条件を満たすように管理することが好適である。
本構造での実施形態を図6に示す。
まず、図6(a)に示すように、シリコン基板10上に熱酸化膜層20を形成した後に、熱酸化膜層20上にエッチングマスク33を形成する。エッチングマスク33は、レジストや上記BHFに対するマスクとなるSiN、メタル等で形成される。エッチングマスク33は、熱酸化膜層20上に全面的に形成された後に、露光処理、現像処理及びエッチング処理等のフォトリソグラフィ処理を実施して、メンブレン層30の開口部32の位置が露出し、メンブレン部31の位置が被覆されるように形成される(図2(a)参照)。
Claims (9)
- 基板と離間して両端支持構造のメンブレン部を有するMEMSデバイスであって、
前記基板の前記メンブレン部と対向する面に、前記メンブレン部に向けて先細る形状の突起部を備えることを特徴とするMEMSデバイス。 - 前記突起部は、前記メンブレン部が設けられる範囲に亘って設けられることを特徴とする請求項1記載のMEMSデバイス。
- 前記突起部は、前記メンブレン部の幅方向の中央を中心として線対称であることを特徴とする請求項1または2に記載のMEMSデバイス。
- 前記突起部は、凹形状の湾曲面を有することを特徴とする請求項3に記載のMEMSデバイス。
- 前記突起部の頂部の幅は、前記メンブレン部の幅の1/10以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のMEMSデバイス。
- 基板と離間して両端支持構造のメンブレン部を有するMEMSデバイスを製造する方法であって、
前記基板の表面に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の表面にマスクを形成する工程と、
前記マスクの一部をエッチングしてパターニングする工程と、
前記犠牲層をウエットエッチングして、前記メンブレン部と対向する面に、前記メンブレン部に向けて先細る突起部を形成する工程と、
を有することを特徴とするMEMSデバイス製造方法。 - 前記マスクは、前記メンブレン部であることを特徴とする請求項6記載のMEMSデバイス製造方法。
- 前記犠牲層をウエットエッチングして形成された空間に第2犠牲層を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記マスクを除去した前記第2犠牲層の表面に前記メンブレン部を形成する工程と、
前記メンブレン部をマスクとして、前記第2犠牲層を除去する工程と、
を有する請求項6記載のMEMSデバイス製造方法。 - 前記突起部の頂部の幅を、前記メンブレン部の幅の1/10以下に形成することを特徴とする請求項6から8のいずれか一項に記載のMEMSデバイス製造方法。
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CN110116985A (zh) * | 2018-02-07 | 2019-08-13 | 英飞凌科技股份有限公司 | 用于制造薄层和具有薄层的微系统的方法 |
CN110116985B (zh) * | 2018-02-07 | 2024-06-28 | 英飞凌科技股份有限公司 | 用于制造薄层和具有薄层的微系统的方法 |
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JP2002344036A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Seiko Instruments Inc | メンブレンの製造方法 |
JP2006507511A (ja) * | 2002-11-15 | 2006-03-02 | ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・カリフォルニア | 複合センサメンブレン |
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2014
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