JP2015191819A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
基板が位置する雰囲気を区画する区画部材と、
前記区画部材内に清浄気体を供給するための清浄気体供給部と、
前記区画部材内を除電するために、波長が1pm〜10nmである軟X線を前記区画部材内に照射して前記清浄気体をイオン化するための軟X線照射源と、を備え、
軟X線照射源は、軟X線照射源と、この軟X線照射源から照射された軟X線を反射するミラー部と、を備えたことを特徴とする。
本発明の基板処理装置に係る熱処理装置1について概略側面図である図1を参照しながら説明する。この熱処理装置1は、例えばシリコンからなる多数枚の半導体基板であるウエハWを一括して加熱処理する。熱処理装置1は、例えばステンレス等より構成された、区画部材である筐体11を備える。図中12は、筐体11内を前後方向に分割して区画する区画壁である。筐体11内の前方側、後方側は、夫々キャリア搬送領域21、ウエハ搬送領域22として構成される。キャリア搬送領域21においては、例えば25枚のウエハWを格納するFOUP(front open unified pod)と呼ばれるキャリア2が搬送され、ウエハ搬送領域22においては前記キャリア2から取り出されたウエハWが搬送される。
ところで、上記のFFU53、54及び気体吸入部55に軟X線の照射がされないようにすることで、これらFFU53、54及び気体吸入部55を構成する樹脂の劣化を抑えることができ、これらFFU53、54及び気体吸入部55の寿命を延ばして、交換する頻度を低減させることができる。また、前記昇降機構41を構成するボールねじ46の表面にはグリスが塗布されている。このグリスに軟X線が照射されないようにすることで、その交換あるいは補充を行う頻度を下げることができる。第2の実施形態においては、このようにFFU53、54、気体吸入部55及び昇降機構41に軟X線が照射されないように熱処理装置1が構成される。以下、第1の実施形態との差異点を中心に、第2の実施形態について説明する。
ところで、この熱処理装置1では、ウエハWがウエハボート3に上下方向に搭載されるため、ウエハWの移動路は上下方向に比較的長い。そのため、第1、第2の実施形態では、反射した軟X線の照射領域を昇降させることで、その上下の移動路に軟X線を照射し、この移動路を通過する各ウエハWの帯電が抑えられるように構成されているが、各ウエハWの帯電を抑えることができればよいため、そのように軟X線の照射領域を移動させることには限られない。図22には、第3の実施形態として上記のミラー部71と軟X線照射源62の他の配置例を示しており、この例ではこれらミラー部71及び軟X線照射源62は、ウエハ搬送領域22に固定されて設けられている。軟X線照射源62は上方向に軟X線を照射し、ミラー部71は横方向に軟X線を反射して拡散させる。この反射した軟X線は、ボート昇降機構38により昇降されるウエハボート3に照射される。例えばボート昇降機構38の昇降時に、照射源62から軟X線が照射され、ミラー部71により、ウエハボート3に保持されたウエハWに照射される。ウエハボート3が昇降しているため、全てのウエハWに軟X線が照射され、除電を行うことができる。
軟X線照射源62及びこの軟X線を拡散させるためのミラー部は、搬送領域22の外側に配置してもよい。図23に示す例では、上記のミラー部71及び軟X線照射源62を搬送領域22の外部に配置し、照射源62からの軟X線をミラー部71が上下方向に反射して拡散させている。そして、その反射した軟X線をミラー部75、76が横方向に反射させ、筐体11の側壁に設けられた例えば石英からなる軟X線の透過部材77を介して、ウエハ搬送領域22に照射している。
上記の実施形態と略同様に構成された熱処理装置1を用いて行われた評価試験について説明する。この評価試験では、図24に示すように、処理容器36の開口部35の下方にセンサヘッド81を配置した。センサヘッド81には表面電位計82が接続されている。ウエハボート3が処理容器36に搬入出されるにあたり、当該ウエハボート3に保持され、前記センサヘッド81の正面に位置するウエハWの電位が、表面電位計82により計測できる。ウエハ搬送領域22内には、上記の軟X線照射源62が設けられ、この軟X線照射源62からの軟X線は搬送領域22内の所定の場所に照射される。この評価試験では、ミラー部により軟X線を反射させずに、ウエハ搬送領域22に供給している。
1 熱処理装置
10 制御部
11 筐体
2 キャリア
22 ウエハ搬送領域
3 ウエハボート
4 ウエハ移載機構
41 昇降機構
42 昇降台
45 フォーク
62 軟X線照射源
65 ミラー部
66 反射軟X線照射領域
Claims (7)
- 半導体または絶縁体である基板を外部から搬入し、搬送機構により基板搬送領域を介して基板処理部に搬送して、前記基板処理部にて基板に対して処理を行う基板処理装置において、
基板が位置する雰囲気を区画する区画部材と、
前記区画部材内に清浄気体を供給するための清浄気体供給部と、
前記区画部材内を除電するために、波長が1pm〜10nmである軟X線を前記区画部材内に照射して前記清浄気体をイオン化するための軟X線照射源と、を備え、
軟X線照射源は、軟X線照射源と、この軟X線照射源から照射された軟X線を反射するミラー部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記光照射源及び反射部材は、前記筐体内に設けられることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記ミラー部は、主として縦方向及び横方向の一方に軟X線を反射するように構成され、
前記軟X線照射源を、前記ミラー部における軟X線の主たる反射方向と交差する方向に移動させる移動機構を設けたことを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。 - 前記移動機構は前記搬送機構を兼用していることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
- 前記ミラー部は、軟X線照射源から見て左右に軟X線が分かれて反射されるように構成されると共に、互いに左右に分かれて形成される軟X線照射領域の間に前記搬送機構の駆動部が位置していることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ミラー部は、柱状または凹曲面状に形成されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ミラー部から反射される軟X線の照射領域を移動させるために、軟X線照射源に対して当該ミラー部を移動または回転させるためのミラー部移動機構を設けたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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WO2020087865A1 (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 曝边机及曝光方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001044089A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Takasago Thermal Eng Co Ltd | クリーンルームシステム |
JP2004311048A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Takasago Thermal Eng Co Ltd | 除電された絶縁体基板の製造方法及びその装置 |
JP2005072374A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2006049390A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sharp Corp | 基板保持装置、除電方法、基板保持装置制御プログラムおよびその記録媒体 |
JP2008277181A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Takasago Thermal Eng Co Ltd | 除電搬送装置および搬送時の除電方法 |
JP2012196604A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Seiko Epson Corp | 印刷装置及び製造装置 |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001044089A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Takasago Thermal Eng Co Ltd | クリーンルームシステム |
JP2004311048A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Takasago Thermal Eng Co Ltd | 除電された絶縁体基板の製造方法及びその装置 |
JP2005072374A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2006049390A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sharp Corp | 基板保持装置、除電方法、基板保持装置制御プログラムおよびその記録媒体 |
JP2008277181A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Takasago Thermal Eng Co Ltd | 除電搬送装置および搬送時の除電方法 |
JP2012196604A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Seiko Epson Corp | 印刷装置及び製造装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020087865A1 (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 曝边机及曝光方法 |
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