JP2015181103A - 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の一態様では、単色光としてはマイクロキャビティ効果による色純度の高い光を示しつつ、これらの光を複数組み合わせた際には、白色発光が得られる発光装置を提供する。また、本発明の一態様では、高精細な発光装置を提供する。また、本発明の一態様では、消費電力の低い発光装置を提供する。【解決手段】白色カラーフィルタ方式のトップエミッション構造を有する発光装置において、１つの画素がＲＧＢＹの４つの副画素で構成され、ＥＬ層は、青色発光を呈する第１の発光物質と、青色の補色に相当する発光を呈する第２の発光物質を有し、半透過・半反射電極（上部電極）がＥＬ層の端部を覆って形成される発光装置を提供する。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、電界を加えることにより発光が得られる有機化合物を一対の電極間に挟んでなる発光素子、また、このような発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

薄型軽量、入力信号に対する高速な応答性、低消費電力などのポテンシャルから、次世代の照明装置や表示装置として有機化合物を発光物質とする発光素子（有機ＥＬ素子）を用いた表示装置が開発、発表及び一部商品化されている。

有機ＥＬ素子は電極間に発光層を挟んで電圧を印加することにより、電極から注入された電子およびホールが再結合して有機化合物である発光物質が励起状態となり、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。発光物質が発する光のスペクトルはその発光物質特有のものであり、異なる種類の有機化合物を発光物質として用いることによって、様々な色の発光を呈する発光素子を得ることができる。

ディスプレイなど、画像を表示することを念頭においた発光装置の場合、フルカラーの映像を再現するためには、少なくとも赤、緑、青の３色の光を得ることが必要になる。さらに、色の再現性を良好なものとし画質を高めるために、マイクロキャビティ構造や、カラーフィルタを用いることで発光の色純度を高める工夫もなされる。

また、赤、緑、青の３色の光の他に白色発光を追加することによって、消費電力が低減された発光装置も提案及び実用化されている。

上述のような発光素子を用いて、フルカラー表示を実現する方式としては、各々の光を発する発光素子を別々に形成するいわゆる塗り分け方式と、白色発光素子にカラーフィルタを組み合わせた白色カラーフィルタ方式、青色発光素子などの単色発光素子に色変換フィルタを組み合わせた色変換方式などがあり、それぞれメリット、デメリットを有する。

特開２００７−５３０９０号公報

白色カラーフィルタ方式は、複数の発光素子が一つの発光層を共有するため塗り分け方式と比較して高精細化が容易である。また、ボトムエミッション構造よりも開口率を高くすることが容易なトップエミッション構造を採用することによって、より高精細化することも可能である。このため、白色カラーフィルタ方式とトップエミッション構造の組み合わせ（以下白色カラーフィルタトップエミッション構造とも称する）は、依然高精細化が求められているディスプレイ市場に適合した表示方式であるといえる。

この白色カラーフィルタトップエミッション構造を有する発光装置に、上述のように赤、緑、青の３色の光を発する発光素子の他に白色発光を呈する発光素子を追加することで消費電力を低減させることもできる。しかし、この際、白色発光に色が付く、視野角依存性が大きくなるなどの不都合が生じることがあった。

トップエミッション構造では、発光素子の上部電極を介して発光を取り出す都合上、上部電極は透光性を有する部材で形成する必要がある。しかし、ＩＴＯに代表される透明導電膜は、電極材料として用いる導電性材料の中でも高抵抗であるため、通常、透明導電膜と低抵抗な金属薄膜との組み合わせにより上部電極が形成される。大画面のディスプレイであればそれは必須となる。

上述の金属薄膜は透光性を有する程度に薄く形成されるが、一部光を反射するため、上部電極は半透過・半反射電極となる。そのため、このような構造を有する発光素子においては、下部電極である反射電極と、上部電極である半透過・半反射電極によって必然的にマイクロキャビティ構造が形成される。

従って、赤、緑、青の発光の場合、上部電極と下部電極との光学距離を各々の発光波長を強めるべく調整することで、正面輝度及び色純度の両方を向上させることができる。しかし、白色発光の場合、特定の発光波長が強められると白色発光を得ることが難しいという問題を有する。

また、赤、緑、青のような単色の発光であればカラーフィルタを用いることによって、視野角依存性を抑えることが可能であるが、白色発光の場合、カラーフィルタを用いることができないため視野角依存性が大きく、斜めから見ると大きく色ずれを起こすという問題を有する。

そこで、本発明の一態様では、単色光としてはマイクロキャビティ効果による色純度の高い光を示しつつ、これらの光を複数組み合わせた際には、白色発光が得られる発光装置を提供する。また、本発明の一態様では、単色光としてはマイクロキャビティ効果による色純度の高い光を示しつつ、これらの光を複数組み合わせた際には、視野角依存性の低い白色発光が得られる発光装置を提供する。また、本発明の一態様では、高精細な発光装置を提供する。また、本発明の一態様では、消費電力の低い発光装置を提供する。さらに、本発明の一態様では、高精細な電子機器および照明装置を提供する。さらに、本発明の一態様では、消費電力の低い電子機器および照明装置を提供する。または、本発明の一態様は、新規な発光装置、または、新規な照明装置などを提供する。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子とを有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第２の発光素子は、第２の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第４の発光素子は、第４の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第１の反射電極とＥＬ層との間には第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、第２の反射電極とＥＬ層との間には第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、第３の反射電極とＥＬ層との間には第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、第４の反射電極とＥＬ層との間には第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、第１の発光素子の半透過・半反射電極側には、第１のカラーフィルタを有し、第２の発光素子の半透過・半反射電極側には、第２のカラーフィルタを有し、第３の発光素子の半透過・半反射電極側には、第３のカラーフィルタを有し、ＥＬ層は、青色発光を呈する第１の発光物質と、青色の補色に相当する発光を呈する第２の発光物質を有し、第４の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離が青色の補色に相当する発光を相対的に強めるべく形成され、半透過・半反射電極は、ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置である。

また、本発明の別の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子とを有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第２の発光素子は、第２の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第４の発光素子は、第４の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第１の反射電極とＥＬ層との間には第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、第２の反射電極とＥＬ層との間には第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、第３の反射電極とＥＬ層との間には第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、第４の反射電極とＥＬ層との間には第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、第１の発光素子の半透過・半反射電極側には、第１のカラーフィルタを有し、第２の発光素子の半透過・半反射電極側には、第２のカラーフィルタを有し、第３の発光素子の半透過・半反射電極側には、第３のカラーフィルタを有し、ＥＬ層は、青色発光を呈する第１の発光物質と、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する発光を呈する第２の発光物質を有し、第４の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離が５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する発光を相対的に強めるべく形成され、半透過・半反射電極は、ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置である。

また、本発明の別の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子とを有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第２の発光素子は、第２の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第４の発光素子は、第４の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第１の反射電極とＥＬ層との間には第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、第２の反射電極とＥＬ層との間には第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、第３の反射電極とＥＬ層との間には第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、第４の反射電極とＥＬ層との間には第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、第１の発光素子の半透過・半反射電極側には、第１のカラーフィルタを有し、第２の発光素子の半透過・半反射電極側には、第２のカラーフィルタを有し、第３の発光素子の半透過・半反射電極側には、第３のカラーフィルタを有し、ＥＬ層は、青色発光を呈する第１の発光物質と、黄色発光を呈する第２の発光物質とを有し、第４の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離が黄色発光を相対的に強めるべく形成され、半透過・半反射電極は、ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置である。

また、本発明の別の一態様は、発光素子ごとに形成される反射電極と、各発光素子に共通の半透過・半反射電極との間に共通のＥＬ層を有する複数の発光素子を有し、マイクロキャビティ構造と着色層（カラーフィルタ）を組み合わせてなる発光装置であって、ＥＬ層には、青色発光を呈する第１の発光物質と、青色の補色に相当する発光を呈する第２の発光物質を有し、半透過・半反射電極は、ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置である。

本発明の別の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子とを有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第２の発光素子は、第２の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第４の発光素子は、第４の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第１の反射電極とＥＬ層との間には第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、第２の反射電極とＥＬ層との間には第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、第３の反射電極とＥＬ層との間には第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、第４の反射電極とＥＬ層との間には第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、第１の発光素子の半透過・半反射電極側には、第１のカラーフィルタを有し、第２の発光素子の半透過・半反射電極側には、第２のカラーフィルタを有し、第３の発光素子の半透過・半反射電極側には、第３のカラーフィルタを有し、第４の発光素子の半透過・半反射電極側には、第４のカラーフィルタを有し、ＥＬ層は、青色発光を呈する第１の発光物質と、青色の補色に相当する発光を呈する第２の発光物質を有し、第４の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離が青色の補色に相当する発光を相対的に強めるべく形成され、半透過・半反射電極は、ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置である。

また、本発明の別の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子とを有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第２の発光素子は、第２の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第４の発光素子は、第４の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第１の反射電極とＥＬ層との間には第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、第２の反射電極とＥＬ層との間には第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、第３の反射電極とＥＬ層との間には第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、第４の反射電極とＥＬ層との間には第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、第１の発光素子の半透過・半反射電極側には、第１のカラーフィルタを有し、第２の発光素子の半透過・半反射電極側には、第２のカラーフィルタを有し、第３の発光素子の半透過・半反射電極側には、第３のカラーフィルタを有し、第４の発光素子の半透過・半反射電極側には、第４のカラーフィルタを有し、ＥＬ層は、青色発光を呈する第１の発光物質と、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する発光を呈する第２の発光物質を有し、第４の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離が５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する発光を相対的に強めるべく形成され、半透過・半反射電極は、ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置である。

また、本発明の別の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子とを有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第２の発光素子は、第２の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第４の発光素子は、第４の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第１の反射電極とＥＬ層との間には第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、第２の反射電極とＥＬ層との間には第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、第３の反射電極とＥＬ層との間には第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、第４の反射電極とＥＬ層との間には第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、第１の発光素子の半透過・半反射電極側には、第１のカラーフィルタを有し、第２の発光素子の半透過・半反射電極側には、第２のカラーフィルタを有し、第３の発光素子の半透過・半反射電極側には、第３のカラーフィルタを有し、第４の発光素子の半透過・半反射電極側には、第４のカラーフィルタを有し、ＥＬ層は、青色発光を呈する第１の発光物質と、黄色発光を呈する第２の発光物質とを有し、第４の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離が黄色発光を相対的に強めるべく形成され、半透過・半反射電極は、ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置である。

上記各構成において、第１の発光素子は、赤色発光を呈し、第２の発光素子は、緑色発光を呈し、第３の発光素子は、青色発光を呈することを特徴とする。

上記各構成において、第１の発光物質は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有することを特徴とする。

上記各構成において、第２の発光物質は５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有することを特徴とする。

上記各構成において、第１の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離は赤色発光を相対的に強めるべく形成され、第２の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離は緑色発光を相対的に強めるべく形成され、第３の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離は青色発光を相対的に強めるべく形成されることを特徴とする。

また、本発明の一態様は、上記各構成に示した発光装置を有する電子機器および照明装置も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは、発光装置を含む場合がある。

本発明の一態様により、単色光としてはマイクロキャビティ効果による色純度の高い光を示しつつ、これらの光を複数組み合わせた際には、白色発光が得られる発光装置を提供することができる。また、本発明の一態様では、単色光としてはマイクロキャビティ効果による色純度の高い光を示しつつ、これらの光を複数組み合わせた際には、視野角依存性の低い白色発光が得られる発光装置を提供することができる。また、本発明の一態様では、高精細な発光装置を提供することができる。また、本発明の一態様では、消費電力の低い発光装置を提供することができる。さらに、本発明の一態様では、高精細な電子機器および照明装置を提供することができる。さらに、本発明の一態様では、消費電力の低い電子機器および照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様では、新規な電子機器または新規な照明装置を提供することができる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

発光素子の構造について説明する図。 発光装置の画素部の構成について説明する図。 発光装置について説明する図。 電子機器について説明する図。 電子機器について説明する図。 照明装置について説明する図。 発光装置の画素部の構成について説明する図。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置に含まれる発光素子について説明する。

本実施の形態で説明する発光素子は、一対の電極間に発光層を含むＥＬ層を挟んで形成された構造を有する。なお、発光素子に含まれるＥＬ層は、単層のみならず電荷発生層を挟んで積層された構造（タンデム構造）であってもよい。本実施の形態では、ＥＬ層が２層積層されたタンデム構造の発光素子について、図１により説明する。

図１に示す発光素子は、一対の電極（第１の電極１０１、第２の電極１０２）間に発光層を含む２つのＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）が挟まれており、各ＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）は、第１の電極１０１側から正孔（ホール）注入層（１０４ａ、１０４ｂ）、正孔（ホール）輸送層（１０５ａ、１０５ｂ）、発光層（１０６ａ、１０６ｂ）、電子輸送層（１０７ａ、１０７ｂ）、電子注入層（１０８ａ、１０８ｂ）等が順次積層された構造を有する。また、ＥＬ層１０３ａとＥＬ層１０３ｂとの間には、電荷発生層１０９を有する。

なお、本発明の一態様である発光装置に含まれる発光素子のＥＬ層は、青色発光を呈する発光性物質と黄色発光を呈する発光性物質を少なくとも含む構成を有する。従って、図１に示すタンデム構造の発光素子の場合には、発光層（１０６ａ、１０６ｂ）の一方に青色発光を呈する発光性物質を含み、他方に黄色発光を呈する発光性物質を少なくとも含む構成とし、その他の物質を適宜組み合わせて含めることもできる。また、青色および黄色の発光は、蛍光発光でも燐光発光でもよい。なお、中間層を用いずにＥＬ層が単層である発光素子の場合、青色発光を呈する発光性物質を少なくとも含む発光層と、黄色発光を呈する発光性物質を少なくとも含む発光層とが直接積層された構造や、青色発光を呈する発光性物質と黄色発光を呈する発光性物質を含む発光層を有する構造としてもよい。

電荷発生層１０９は、第１の電極１０１と第２の電極１０２に電圧を印加したときに、一方のＥＬ層（１０３ａまたは１０３ｂ）に電子を注入し、他方のＥＬ層（１０３ｂまたは１０３ａ）に正孔を注入する機能を有する。従って、図１において、第１の電極１０１に第２の電極１０２よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層１０９からＥＬ層１０３ａに電子が注入され、ＥＬ層１０３ｂに正孔が注入されることとなる。

なお、電荷発生層１０９は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層１０９に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層１０９は、第１の電極１０１や第２の電極１０２よりも低い導電率であっても機能する。

また、図１に示す発光素子において、各ＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）に含まれる各発光層（１０６ａ、１０６ｂ）から全方向に射出される発光は、微小光共振器（マイクロキャビティー）としての機能を有する第１の電極（反射電極）１０１と、第２の電極（半透過・半反射電極）１０２とによって共振させることができる。そして、いずれ第２の電極１０２側から射出される。なお、第１の電極１０１は、反射電極であるが、反射性を有する導電性材料と透明導電膜との積層構造を有し、透明導電膜の膜厚を制御することにより光学調整を行っている。また、場合によっては、ＥＬ層１０３ａに含まれる正孔（ホール）注入層１０４ａの膜厚制御で光学調整を行うこともできる。

このように、第１の電極１０１や正孔（ホール）注入層１０４ａの膜厚を制御して光学調整を行うことで、各発光層（１０６ａ、１０６ｂ）から得られる光のスペクトルを狭線化させ、色純度の良い発光を得ることができる。

なお、各発光層（１０６ａ、１０６ｂ）から得られる発光は、第１の電極（反射電極）１０１と第２の電極（半透過・半反射電極）１０２とで形成されるマイクロキャビティ構造により、青色（例えば、４００ｎｍと４８０ｎｍとの間、より好ましくは４５０ｎｍと４７０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する）、緑色（例えば、５００ｎｍと５６０ｎｍとの間、より好ましくは５２０ｎｍと５５５ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する）、赤色（例えば、５８０ｎｍと６８０ｎｍとの間、より好ましくは６００ｎｍと６２０ｎｍとの間、に発光スペクトルのピークを有する）、黄色（例えば、５４０ｎｍと６００ｎｍとの間、より好ましくは５４０ｎｍと５８０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する）の発光色を示す（ただし、黄緑から橙色まで含む）。また、各発光層（１０６ａ、１０６ｂ）に用いる発光性物質の発光色の具体的な組み合わせとしては、「１０６ａ＼１０６ｂ」で表すと、例えば「青色＼黄色」、「黄色＼青色」、「青色＼黄色・青色」、「青色＼青色・黄色」、「青色・黄色＼青色」、「青色・黄色＼黄色」、「黄色＼黄色・青色」、「黄色＼青色・黄色」、「黄色・青色＼青色」、「黄色・青色＼黄色」などが挙げられる。

なお、上述した発光素子にマイクロキャビティ効果を利用して取り出す発光色に応じた着色層（カラーフィルタ）を組み合わせることで、それぞれの発光色の発光スペクトルをより狭線化させることができる。

次に、上記の発光素子を作製する上での具体例について説明する。

第１の電極１０１は、反射電極であることから反射性を有する導電性材料により形成され、その膜に対する可視光の反射率が４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下であり、かつその抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・半反射電極１０２は、反射性を有する導電性材料と光透過性を有する導電性材料とにより形成され、その膜に対する可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下であり、かつその抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。

また、所望の波長の光を共振させ強めることができるように、所望の光の波長に合わせて第１の電極１０１と第２の電極１０２との光学距離を調整する。具体的には、第１の電極１０１の一部に用いる透明導電膜の膜厚を変え、所望の光の波長λに対して、電極間の光学距離がｍλ／２（ただし、ｍは自然数）となるように調整する。

さらに、所望の波長の光を増幅させるために、第１の電極１０１と、発光層との光学距離を調整する。具体的には、第１の電極１０１の一部に用いる透明導電膜、もしくは正孔（ホール）注入層１０４ａを形成する有機膜の膜厚を変え、第１の電極１０１と、発光層との光学距離を所望の光の波長λに対して、（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は自然数）となるように調節する。なお、タンデム型の発光素子のように発光層が離れて２層あり、各々から異なる波長の光を得る場合は、所望の波長λの光がより強く発光を呈する方の発光層に対して上記光学距離を設定すればよい。

また、上記の場合、第１の電極１０１と第２の電極１０２との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域から第２の電極１０２における反射領域までの膜厚と屈折率の積で表される。しかし、第１の電極１０１や第２の電極１０２における反射領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１と第２の電極１０２の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。また、第１の電極１０１と、所望の光を射出する発光層との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域と、所望の光を射出する発光層における発光領域との光学距離であるということができる。しかし、第１の電極１０１における反射領域や、所望の光を射出する発光層における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１の任意の位置を反射領域、所望の光を射出する発光層の任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。

上記の条件を満たす第１の電極１０１および第２の電極１０２を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）の他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、マグネシウム（Ｍｇ）、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。なお、第１の電極１０１および第２の電極１０２は、例えばスパッタリング法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。

正孔注入層（１０４ａ、１０４ｂ）は、電極から正孔輸送性の高い正孔輸送層（１０５ａ、１０５ｂ）に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む層である。正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含むことで、アクセプター性物質により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、正孔輸送層（１０５ａ、１０５ｂ）に正孔が注入される。なお、正孔輸送層（１０５ａ、１０５ｂ）は、正孔輸送性材料を用いて形成される。

正孔注入層（１０４ａ、１０４ｂ）および正孔輸送層（１０５ａ、１０５ｂ）に用いる正孔輸送性材料としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その他、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール誘導体、等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。

さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。

また、正孔注入層（１０５ａ、１０５ｂ）に用いるアクセプター性物質としては、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。

発光層（１０６ａ、１０６ｂ）は、発光性物質を含む層である。なお、発光層（１０６ａ、１０６ｂ）には、発光性物質に加えて、電子輸送性材料、正孔輸送性材料の一方または両方を含んで構成される。

また、発光層（１０６ａ、１０６ｂ）に用いることが可能な発光性物質としては、一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質や三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質を用いることができる。なお、上記発光性物質としては、例えば、以下のようなものが挙げられる。

一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、蛍光を発する物質が挙げられ、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）などの青色の発光（発光波長４００ｎｍ〜４８０ｎｍ）を呈する物質や、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）などの黄色の発光（発光波長５４０ｎｍ〜５８０ｎｍ）を呈する物質を用いることができる。

また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、例えば、燐光を発する物質が挙げられ、例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３）、トリス［３−（５−ビフェニル）−５−イソプロピル−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）_３）、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）_３）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３）、ｆａｃ−トリス［（１−２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３）などの青色の発光（発光波長４００ｎｍ〜４８０ｎｍ）を呈する物質や、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６−ジメチル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））などの黄色の発光（発光波長５４０ｎｍ〜５８０ｎｍ）を呈する物質を用いることができる。

発光層（１０６ａ、１０６ｂ）に用いる電子輸送性材料としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物が好ましく、例えば、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）等のキノキサリンないしはジベンゾキノキサリン誘導体が挙げられる。

また、発光層（１０６ａ、１０６ｂ）に用いる正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体やインドール誘導体）や芳香族アミン化合物が好ましく、例えば、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）が挙げられる。

電子輸送層（１０７ａ、１０７ｂ）は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層（１０７ａ、１０７ｂ）には、Ａｌｑ_３、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などの金属錯体を用いることができる。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層（１０７ａ、１０７ｂ）として用いてもよい。

また、電子輸送層（１０７ａ、１０７ｂ）は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が２層以上積層したものとしてもよい。

電子注入層（１０８ａ、１０８ｂ）は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層（１０８ａ、１０８ｂ）には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１０８にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層（１０７ａ、１０７ｂ）を構成する物質を用いることもできる。

また、電子注入層（１０８ａ、１０８ｂ）に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層（１０７ａ、１０７ｂ）を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

また、電荷発生層１０９は、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。

正孔輸送性材料に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔輸送性材料としては、例えば、ＮＰＢやＴＰＤ、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。

また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

一方、電子輸送性材料に電子供与体が添加された構成とする場合において、電子輸送性材料としては、例えば、Ａｌｑ、Ａｌｍｑ_３、ＢｅＢｑ_２、ＢＡｌｑなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、ＰＢＤやＯＸＤ−７、ＴＡＺ、Ｂｐｈｅｎ、ＢＣＰなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。

また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第２、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。

なお、上述した材料を用いて電荷発生層１０９を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

なお、上述した正孔注入層（１０４ａ、１０４ｂ）、正孔輸送層（１０５ａ、１０５ｂ）、発光層（１０６ａ、１０６ｂ）、電子輸送層（１０７ａ、１０７ｂ）、電子注入層（１０８ａ、１０８ｂ）、および電荷発生層１０９は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、印刷法（グラビア印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等）、塗布法等の方法で形成することができる。

なお、本実施の形態では、ＥＬ層を２層有する発光素子について説明したが、３層以上のＥＬ層を積層することも可能である。このようなタンデム型の発光素子は、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。

また、本実施の形態で示した発光素子は、マイクロキャビティ構造を有しており、同じＥＬ層から異なる波長の光（単色光）を取り出すことができるため塗り分け（例えば、ＲＧＢ）が不要となる。従って、高精細化を実現することが容易であるなどの理由からフルカラー化を実現する上で有利である。さらに、着色層（カラーフィルタ）と組み合わせることにより視野角依存を低減させることができる。この構成は、３色以上の画素を用いたカラーディスプレイ（画像表示装置）に適用する場合に、特に有用であるが、照明装置などの用途に用いても良い。

また、上記発光素子を備えた発光装置の構成としては、パッシブマトリクス型の発光装置やアクティブマトリクス型の発光装置などを作製することができ、これらは、いずれも本発明の一態様に含まれるものとする。

なお、アクティブマトリクス型の発光装置の場合において、トランジスタ（ＦＥＴ）の構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型や逆スタガ型のＦＥＴを適宜用いることができる。また、ＦＥＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型およびＰ型のＦＥＴからなるものでもよいし、Ｎ型のＦＥＴまたはＰ型のＦＥＴのいずれか一方のみからなるものであってもよい。さらに、ＦＥＴに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることができる。また、半導体材料としては、第１３族（ガリウム等）半導体、第１４族（ケイ素等）半導体、化合物半導体（酸化物半導体を含む）の他、有機半導体等を用いることができる。

また、本実施の形態で示した発光素子は、様々な基板上に形成することができる。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の合成樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。

なお、これらの基板上に発光素子と共にトランジスタが形成される場合には、特に、半導体基板、単結晶基板、又はＳＯＩ基板などを用いることによって、特性、サイズ、又は形状などのばらつきが少なく、電流能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造することができる。また、このようなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消費電力化、又は回路の高集積化を図ることができる。

また、発光素子やトランジスタを形成する基板として、上述した可撓性基板を用いる場合には、可撓性基板上に発光素子やトランジスタを直接形成してもよいし、ベース基板上に剥離層を介して発光素子やトランジスタを一部または全部形成した後、ベース基板より分離し、他の基板に転載してもよい。このような剥離層を用いて別の基板に転載して作製する場合には、耐熱性の劣る基板や直接形成が難しい可撓性の基板上に発光素子やトランジスタを形成することができる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド等の有機樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。さらに、転載する基板としては、上述したトランジスタを形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、耐久性や耐熱性に優れ、軽量化および薄型化を図ることができる。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した発光素子に着色層（カラーフィルタ等）を組み合わせる場合の発光装置の一態様について説明する。なお、本実施の形態では、発光装置の画素部の構成について図２、図７を用いて説明する。

図２では、基板２０１上に複数のＦＥＴ２０２が形成されており、各ＦＥＴ２０２は、各発光素子（２０７Ｒ、２０７Ｇ、２０７Ｂ、２０７Ｙ）と電気的に接続されている。具体的には、各ＦＥＴ２０２が発光素子の画素電極である第１の電極２０３と電気的に接続されている。また、隣り合う第１の電極２０３の端部を埋めるべく隔壁２０４が設けられている。

なお、本実施の形態における第１の電極２０３の構成は、実施の形態１で示したものと共通であり、反射電極としての機能を有する。また、第１の電極２０３上には、透明導電膜からなる導電膜（２１２Ｂ、２１２Ｇ、２１２Ｒ、２１２Ｙ）が形成されており、各導電膜（２１２Ｂ、２１２Ｇ、２１２Ｒ、２１２Ｙ）の膜厚は、各発光素子（２０７Ｒ、２０７Ｇ、２０７Ｂ、２０７Ｙ）の第１の電極２０３と第２の電極２１０との光学距離が、取り出したい光の波長に合うように調整される。（但し、光学調整において、該導電膜の形成が不要な場合もある。）また、第１の電極２０３および導電膜（２１２Ｂ、２１２Ｇ、２１２Ｒ、２１２Ｙ）上にはＥＬ層２０５が形成され、ＥＬ層２０５上には第２の電極２１０が形成されている。ＥＬ層２０５および第２の電極２１０の構成についても実施の形態１で説明したものと共通であり、ＥＬ層については各々異なる発光色の光を呈する複数の発光性物質を有する構成であり、第２の電極２１０については、半透過・半反射電極として機能する電極である。

各発光素子（２０７Ｒ、２０７Ｇ、２０７Ｂ、２０７Ｙ）からは、それぞれ異なるスペクトルを有する発光が得られる。具体的には、発光素子２０７Ｒは、赤色発光が得られるように光学調整されており、２０６Ｒで示される領域において着色層２０８Ｒを通って矢印の方向に赤色の光が射出される。また、発光素子２０７Ｇは、緑色発光が得られるように光学調整されており、２０６Ｇで示される領域において着色層２０８Ｇを通って矢印の方向に緑色の光が射出される。また、発光素子２０７Ｂは、青色発光が得られるように光学調整されており、２０６Ｂで示される領域において着色層２０８Ｂを通って矢印の方向に青色の光が射出される。また、発光素子２０７Ｙは、黄色発光が得られるように光学調整されており、２０６Ｙで示される領域において矢印の方向に黄色の光が射出される。なお、図７においても、発光素子２０７Ｙは、黄色発光が得られるように光学調整されており、図７に示したように、２０６Ｙで示される領域において着色層２０８Ｙを通って矢印の方向に黄色の光が射出されるようにしても良い。

なお、各着色層（２０８Ｒ、２０８Ｇ、２０８Ｂ、２０８Ｙ）は、図２、図７に示すように各発光素子（２０７Ｒ、２０７Ｇ、２０７Ｂ、２０７Ｙ）が設けられた基板２０１の上方に配置された透明な封止基板２１１に設けられている。なお、各着色層（２０８Ｒ、２０８Ｇ、２０８Ｂ、２０８Ｙ）は、それぞれの発光色を呈する各発光素子（２０７Ｒ、２０７Ｇ、２０７Ｂ、２０７Ｙ）と重なる位置にそれぞれ設けられている。図２のように、発光素子２０７Ｙに着色層を設けない構成では、特に発光効率が良好な発光装置を得ることができ、図７のように発光素子２０７Ｙに着色層２０８Ｙを設けた構成では、視野角依存性が良好であり且つ発光効率が良好な発光装置を得ることができる。

また、隣り合う各着色層（２０８Ｒ、２０８Ｇ、２０８Ｂ、２０８Ｙ）の端部を埋めるべく黒色層（ブラックマトリックス）２０９が設けられていても良い。なお、各着色層（２０８Ｒ、２０８Ｇ、２０８Ｂ、２０８Ｙ）と黒色層２０９は、透明な材料を用いたオーバーコート層で覆われていても良い。

以上に説明した構成では、封止基板２１１側に発光を取り出す構造（トップエミッション型）の発光装置となる。従って、基板２０１として遮光性の基板および透光性の基板を用いることができるが、遮光性の基板を用いるのがより好ましい。

以上のような構成とすることにより、複数の発光色（赤色、青色、緑色、黄色）を呈する発光素子が得られるとともに、これらの発光を合わせた発光効率の高い白色発光を呈する発光装置を得ることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置の一例として、アクティブマトリクス型の発光装置について図３を用いて説明する。なお、本実施の形態に示す発光装置には、実施の形態１で説明した発光素子を適用することが可能である。

なお、図３（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板３０１上に設けられた画素部３０２と、駆動回路部（ソース線駆動回路）３０３と、駆動回路部（ゲート線駆動回路）３０４（３０４ａ及び３０４ｂ）と、を有する。画素部３０２、駆動回路部３０３、及び駆動回路部３０４は、シール材３０５によって、素子基板３０１と封止基板３０６との間に封止されている。

また、素子基板３０１上には、駆動回路部３０３、及び駆動回路部３０４に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線３０７が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）３０８を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図３（Ｂ）を用いて説明する。素子基板３０１上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース線駆動回路である駆動回路部３０３と、画素部３０２が示されている。

駆動回路部３０３はＦＥＴ３０９とＦＥＴ３１０とを組み合わせた構成について例示している。なお、駆動回路部３０３が有するＦＥＴ３０９とＦＥＴ３１０は、単極性（Ｎ型またはＰ型のいずれか一方のみ）のトランジスタを含む回路で形成されても良いし、Ｎ型のトランジスタとＰ型のトランジスタを含むＣＭＯＳ回路で形成されても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。

また、画素部３０２はスイッチング用ＦＥＴ（図示せず）と、電流制御用ＦＥＴ３１２とを有し、電流制御用ＦＥＴ３１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）は、発光素子３１７ａおよび発光素子３１７ｂの第１の電極（陽極）（３１３ａ、３１３ｂ）と電気的に接続されている。また、本実施の形態においては、画素部３０２に２つのＦＥＴ（スイッチング用ＦＥＴ、電流制御用ＦＥＴ３１２）を用いて構成する例について示したが、これに限定されない。例えば、３つ以上のＦＥＴと、容量素子とを組み合わせる構成としてもよい。

ＦＥＴ３０９、３１０、３１２としては、例えば、スタガ型や逆スタガ型のトランジスタを適用することができる。ＦＥＴ３０９、３１０、３１２に用いることのできる半導体材料としては、例えば、第１３族（ガリウム等）半導体、第１４族（ケイ素等）半導体、化合物半導体、酸化物半導体、有機半導体材料を用いることができる。また、該半導体材料の結晶性については、特に限定されず、例えば、非晶質半導体膜、または結晶性半導体膜を用いることができる。特に、ＦＥＴ３０９、３１０、３１２としては、酸化物半導体を用いると好ましい。該酸化物半導体としては、例えば、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、またはＮｄ）等が挙げられる。ＦＥＴ３０９、３１０、３１２として、例えば、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体材料を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。

また、第１の電極３１３には、光学調整のための導電膜３２０を積層した構造を含む。例えば、図３（Ｂ）に示すように発光素子３１７ａと発光素子３１７ｂは、取り出す光の波長が異なるため、導電膜３２０ａと導電膜３２０ｂとは膜厚を変えて形成される。また、第１の電極（３１３ａ、３１３ｂ）の端部を覆うように絶縁物からなる隔壁３１４が形成される。ここでは、隔壁３１４として、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いて形成する。また、本実施の形態では、第１の電極（３１３ａ、３１３ｂ）を陽極として用いる。

また、隔壁３１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。隔壁３１４の形状を上記のように形成することで、隔壁３１４の上層に形成される膜の被覆性を良好なものとすることができる。例えば、隔壁３１４の材料として、ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれかを使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等を使用することができる。

第１の電極（３１３ａ、３１３ｂ）上には、ＥＬ層３１５及び第２の電極３１６が積層形成されている。ＥＬ層３１５は、少なくとも発光層が設けられており、第１の電極（３１３ａ、３１３ｂ）、ＥＬ層３１５及び第２の電極３１６からなる発光素子（３１７ａ、３１７ｂ）が共有するＥＬ層３１５の端部が、第２の電極３１６で覆われた構造を有する。また、ＥＬ層３１５の構成については、実施の形態１と同様とする。

なお、第１の電極３１３、ＥＬ層３１５及び第２の電極３１６に用いる材料としては、実施の形態１に示す材料を用いることができる。また、発光素子（３１７ａ、３１７ｂ）の第１の電極（３１３ａ、３１３ｂ）は、領域３２１において、引き回し配線３０７と電気的に接続されＦＰＣ３０８を介して外部信号が入力される。さらに、発光素子（３１７ａ、３１７ｂ）の第２の電極３１６は、領域３２２において、引き回し配線３２３と電気的に接続され、ここでは図示しないが、ＦＰＣ３０８を介して外部信号が入力される。

また、図３（Ｂ）に示す断面図では発光素子３１７を２つのみ図示しているが、画素部３０２においては、実施の形態２で示したように複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。すなわち、画素部３０２には、４種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの発光が得られる発光素子をそれぞれ形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。

さらに、第２の電極３１６上に封止膜（図示せず）を設けても良い。封止膜は発光素子３１７にダメージを与えないような方法で形成し、例えばＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成する酸化アルミニウム膜などが好適である。シール材３０５で封止基板３０６を素子基板３０１と貼り合わせることにより、素子基板３０１、封止基板３０６、およびシール材３０５で囲まれた空間３１８に発光素子３１７が備えられた構造になっている。

また、封止基板３０６には、有色層（カラーフィルタ）３２４が設けられており、隣り合う有色層の間には、黒色層（ブラックマトリクス）３２５が設けられている。なお、発光素子３１７ａ、３１７ｂで得られた発光は、有色層（カラーフィルタ）３２４を介して外部に取り出される。

なお、空間３１８は、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材３０５で充填される構成も含むものとする。

また、シール材３０５にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板３０６に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。シール材としてガラスフリットを用いる場合には、接着性の観点から素子基板３０１及び封止基板３０６はガラス基板であることが好ましい。

以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。なお、発光装置としては、実施の形態１に示す素子構造を有する発光素子を適用したパッシブマトリクス型の発光装置を作製することも可能である。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を用いて完成させた様々な電子機器の一例について、図４、図５を用いて説明する。

発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

図４（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。

テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図４（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製することができる。

図４（Ｃ）は、スマートウオッチであり、筐体７３０２、表示パネル７３０４、操作ボタン７３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有する。

ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示パネル７３０４は、非矩形状の表示領域を有している。表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表示することができる。

なお、図４（Ｃ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。

また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光装置をその表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。

図４（Ｄ）は、携帯電話機（スマートフォンを含む）の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に、表示部７４０２、マイク７４０６、スピーカ７４０５、カメラ７４０７、外部接続部７４０４、操作用ボタン７４０３などを備えている。また、本発明の一態様に係る発光素子を、可撓性を有する基板に形成して発光装置を作製した場合、図４（Ｄ）に示すような曲面を有する表示部７４０２に適用することが可能である。

図４（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。

表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。

また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロセンサや加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。

また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１のボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。

また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。

表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。

さらに、携帯電話機（スマートフォンを含む）の別の構成として、図４（Ｄ’−１）や図４（Ｄ’−２）のような構造を有する携帯電話機に適用することもできる。

なお、図４（Ｄ’−１）や図４（Ｄ’−２）のような構造を有する場合には、文字情報や画像情報などを筐体７５００（１）、７５００（２）の第１面７５０１（１）、７５０１（２）だけでなく、第２面７５０２（１）、７５０２（２）に表示させることができる。このような構造を有することにより、携帯電話機を胸ポケットに収納したままの状態で、第２面７５０２（１）、７５０２（２）などに表示された文字情報や画像情報などを使用者が容易に確認することができる。

また、図５（Ａ）〜（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末９３１０を示す。図５（Ａ）に展開した状態の携帯情報端末９３１０を示す。図５（Ｂ）に展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。図５（Ｃ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。

表示パネル９３１１はヒンジ９３１３によって連結された３つの筐体９３１５に支持されている。ヒンジ９３１３を介して２つの筐体９３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末９３１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様の発光装置を表示パネル９３１１に用いることができる。表示パネル９３１１における表示領域９３１２は折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０の側面に位置する表示領域である。表示領域９３１２には、情報アイコンや使用頻度の高いアプリやプログラムのショートカットなどを表示させることができ、情報の確認やアプリなどの起動をスムーズに行うことができる。

以上のようにして、本発明の一態様である発光装置を適用して電子機器を得ることができる。なお、適用できる電子機器は、本実施の形態に示したものに限らず、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用した照明装置の一例について、図６を用いて説明する。

図６は、発光装置を室内の照明装置８００１として用いた例である。なお、発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８００２を形成することもできる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８００３を備えても良い。

また、発光装置をテーブルの表面に用いることによりテーブルとしての機能を備えた照明装置８００４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いることにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。

以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置は本発明の一態様に含まれるものとする。

また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

１０１ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１０３ａ、１０３ｂ ＥＬ層
１０４ａ、１０４ｂ 正孔注入層
１０５ａ、１０５ｂ 正孔輸送層
１０６ａ 発光層
１０６ｂ 発光層
１０７ａ、１０７ｂ 電子輸送層
１０８ａ、１０８ｂ 電子注入層
１０９ 電荷発生層
２０１ 基板
２０２ ＦＥＴ
２０３ 第１の電極
２０４ 隔壁
２０５ ＥＬ層
２０６Ｒ、２０６Ｇ、２０６Ｂ、２０６Ｙ 発光領域
２０７Ｒ、２０７Ｇ、２０７Ｂ、２０７Ｙ 発光素子
２０８Ｒ、２０８Ｇ、２０８Ｂ、２０８Ｙ 着色層
２０９ 黒色層（ブラックマトリクス）
２１０ 第２の電極
２１１ 封止基板
２１２Ｂ、２１２Ｇ、２１２Ｒ、２１２Ｙ 導電膜
３０１ 素子基板
３０２ 画素部
３０３ 駆動回路部（ソース線駆動回路）
３０４ａ、３０４ｂ 駆動回路部（ゲート線駆動回路）
３０５ シール材
３０６ 封止基板
３０７ 配線
３０８ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
３０９ ＦＥＴ
３１０ ＦＥＴ
３１２ ＦＥＴ
３１３ａ、３１３ｂ 第１の電極
３１４ 隔壁
３１５ ＥＬ層
３１６ 第２の電極
３１７ａ、３１７ｂ 発光素子
３１８ 空間
３２０ａ、３２０ｂ 導電膜
３２１ 領域
３２２ 領域
３２３ 配線
３２４ 着色層
３２５ 黒色層
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０２ 筐体
７３０４ 表示パネル
７３０５ 時刻を表すアイコン
７３０６ その他のアイコン
７３１１ 操作ボタン
７３１２ 操作ボタン
７３１３ 接続端子
７３２１ バンド
７３２２ 留め金
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ ボタン
７４０４ 外部接続部
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７４０７ カメラ
７５００（１）、７５００（２） 筐体
７５０１（１）、７５０１（２） 第１面
７５０２（１）、７５０２（２） 第２面
８００１ 照明装置
８００２ 照明装置
８００３ 照明装置
８００４ 照明装置
９３１０ 携帯情報端末
９３１１ 表示パネル
９３１２ 表示領域
９３１３ ヒンジ
９３１５ 筐体

Claims (12)

1. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子とを有し、
   前記第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、
   前記第２の発光素子は、第２の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第３の発光素子は、第３の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第４の発光素子は、第４の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第１の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、
   前記第２の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、
   前記第３の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、
   前記第４の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、
   前記第１の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第１のカラーフィルタを有し、
   前記第２の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第２のカラーフィルタを有し、
   前記第３の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第３のカラーフィルタを有し、
   前記ＥＬ層は、青色発光を呈する第１の発光物質と、青色の補色に相当する発光を呈する第２の発光物質を有し、
   前記第４の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離が青色の補色に相当する発光を相対的に強めるべく形成され、
   前記半透過・半反射電極は、前記ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置。
2. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子とを有し、
   前記第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、
   前記第２の発光素子は、第２の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第３の発光素子は、第３の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第４の発光素子は、第４の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第１の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、
   前記第２の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、
   前記第３の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、
   前記第４の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、
   前記第１の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第１のカラーフィルタを有し、
   前記第２の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第２のカラーフィルタを有し、
   前記第３の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第３のカラーフィルタを有し、
   前記ＥＬ層は、青色発光を呈する第１の発光物質と、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する発光を呈する第２の発光物質を有し、
   前記第４の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離が５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する発光を相対的に強めるべく形成され、
   前記半透過・半反射電極は、前記ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置。
3. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子とを有し、
   前記第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、
   前記第２の発光素子は、第２の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第３の発光素子は、第３の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第４の発光素子は、第４の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第１の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、
   前記第２の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、
   前記第３の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、
   前記第４の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、
   前記第１の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第１のカラーフィルタを有し、
   前記第２の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第２のカラーフィルタを有し、
   前記第３の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第３のカラーフィルタを有し、
   前記ＥＬ層は、青色発光を呈する第１の発光物質と、黄色発光を呈する第２の発光物質とを有し、
   前記第４の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離が黄色発光を相対的に強めるべく形成され、
   前記半透過・半反射電極は、前記ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置。
4. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子とを有し、
   前記第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、
   前記第２の発光素子は、第２の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第３の発光素子は、第３の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第４の発光素子は、第４の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第１の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、
   前記第２の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、
   前記第３の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、
   前記第４の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、
   前記第１の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第１のカラーフィルタを有し、
   前記第２の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第２のカラーフィルタを有し、
   前記第３の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第３のカラーフィルタを有し、
   前記第４の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第４のカラーフィルタを有し、
   前記ＥＬ層は、青色発光を呈する第１の発光物質と、青色の補色に相当する発光を呈する第２の発光物質を有し、
   前記第４の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離が青色の補色に相当する発光を相対的に強めるべく形成され、
   前記半透過・半反射電極は、前記ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置。
5. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子とを有し、
   前記第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、
   前記第２の発光素子は、第２の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第３の発光素子は、第３の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第４の発光素子は、第４の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第１の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、
   前記第２の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、
   前記第３の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、
   前記第４の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、
   前記第１の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第１のカラーフィルタを有し、
   前記第２の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第２のカラーフィルタを有し、
   前記第３の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第３のカラーフィルタを有し、
   前記第４の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第４のカラーフィルタを有し、
   前記ＥＬ層は、青色発光を呈する第１の発光物質と、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する発光を呈する第２の発光物質を有し、
   前記第４の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離が５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する発光を相対的に強めるべく形成され、
   前記半透過・半反射電極は、前記ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置。
6. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子とを有し、
   前記第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、
   前記第２の発光素子は、第２の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第３の発光素子は、第３の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第４の発光素子は、第４の反射電極と、前記ＥＬ層と、前記半透過・半反射電極とを有し、
   前記第１の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、
   前記第２の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、
   前記第３の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、
   前記第４の反射電極と前記ＥＬ層との間には前記第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、
   前記第１の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第１のカラーフィルタを有し、
   前記第２の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第２のカラーフィルタを有し、
   前記第３の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第３のカラーフィルタを有し、
   前記第４の発光素子の前記半透過・半反射電極側には、第４のカラーフィルタを有し、
   前記ＥＬ層は、青色発光を呈する第１の発光物質と、黄色発光を呈する第２の発光物質とを有し、
   前記第４の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離が黄色発光を相対的に強めるべく形成され、
   前記半透過・半反射電極は、前記ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第１の発光素子は、赤色発光を呈し、
   前記第２の発光素子は、緑色発光を呈し、
   前記第３の発光素子は、青色発光を呈することを特徴とする発光装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記第１の発光物質は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有することを特徴とする発光装置。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
   前記第２の発光物質は５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有することを特徴とする発光装置。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
    前記第１の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離は赤色発光を相対的に強めるべく形成され、
    前記第２の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離は緑色発光を相対的に強めるべく形成され、
    前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離は青色発光を相対的に強めるべく形成されることを特徴とする発光装置。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の発光装置を用いた電子機器。
12. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の発光装置を用いた照明装置。

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