JP2015177100A - 有機トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板11と、基板11の上に形成されたゲート電極12と、ゲート電極12の上においてゲート電極12を覆うように形成された表面が平坦であるゲート絶縁膜13と、ゲート絶縁膜13の上にてゲート絶縁膜13に接して形成された自己組織化単分子層14と、自己組織化単分子層14の上において自己組織化単分子層14に接して形成された有機半導体薄膜15と、自己組織化単分子層14の上において、ゲート電極12の両端と対応する位置に互いに離間するように形成されて有機半導体薄膜15に接するソース電極16およびドレイン電極17と、を備え、ゲート絶縁膜13はアルミナからなり、当該アルミナ中の塩素濃度が1×1020atoms/cm3以上である。
【選択図】図1
Description
なお、上記実施形態では、塩化アルミニウムを原料とするALD法やCVDによりゲート絶縁膜13を形成する例を述べた。しかし、このようなゲート絶縁膜13の形成方法としては、上記塩素濃度を有するアルミナよりなるゲート絶縁膜13が形成されるならば、これらALD法やCVDに限定されるものではない。
11 基板
12 ゲート電極
13 ゲート絶縁膜
14 自己組織化単分子層
15 有機半導体薄膜
16 ソース電極
17 ドレイン電極
Claims (4)
- 基板(11)と、
前記基板の上に形成されたゲート電極(12)と、
前記ゲート電極の上において前記ゲート電極を覆うように形成された表面が平坦であるゲート絶縁膜(13)と、
前記ゲート絶縁膜の上にて前記ゲート絶縁膜に接して形成された自己組織化単分子層(14)と、
前記自己組織化単分子層の上において前記自己組織化単分子層に接して形成された有機半導体薄膜(15)と、
前記自己組織化単分子層の上において、前記ゲート電極の両端と対応する位置に互いに離間するように形成されて前記有機半導体薄膜に接するソース電極(16)およびドレイン電極(17)と、を備え、
前記ゲート絶縁膜はアルミナからなり、当該アルミナ中の塩素濃度が1×1020atoms/cm3以上であることを特徴とする有機トランジスタ。 - 前記自己組織化単分子層がホスホン酸誘導体であることを特徴とする請求項1に記載の有機トランジスタ。
- 前記塩素濃度が1×1020atoms/cm3以上のアルミナは、塩化アルミニウムを原料として形成されたものであることを特徴とする請求項1または2に記載の有機トランジスタ。
- 前記塩素濃度が1×1020atoms/cm3以上のアルミナは、塩化アルミニウムを原料として原子気相成長法により形成されたものであることを特徴とする請求項3に記載の有機トランジスタ。
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