JP2015173075A - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】スパッタによる成膜や銀ペーストによる直接描画に比べて、厚膜の補助電極を狭小スペースに容易に形成することができ、しかも、補助電極の形成に伴う有機発光層の汚染も少なくすることができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。【解決手段】封止材１１が基板１の表面に設けられる封止材配置工程と、封止材配置工程後に第１導電層２０の表面に補助電極３が形成される補助電極形成工程とを備える。また封止材配置工程では、第１導電層２０の一部が電極形成部３０として封止材１１よりも外側に露出するように、封止材１１が基板１の表面に形成される。また補助電極形成工程では、補助電極３が前記電極形成部３０の表面に電解めっきにより形成される。【選択図】図５

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、補助電極が電解めっきにより形成される工程を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。

近年、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と称する）が照明パネルなどの用途に応用されている。有機ＥＬ素子としては、透光性の第１電極（陽極）と、発光層を含む有機発光層と、第２電極（陰極）とが、この順で透光性の基板の表面に積層されたものが知られている。有機ＥＬ素子では、陽極と陰極の間に電圧を印加することによって、発光層で発した光が透光性の電極及び基板を通して外部に取り出される。

このような有機ＥＬ素子において、例えば、特許文献１には、有機ＥＬ素子（デバイス）の外部電極（端子）の表面に、電気めっきや無電解めっきによりメタル層を成膜することが記載されている（請求項１参照）。このメタル層は外部電極の保護膜となり、イオンマイグレーションなどによる外部電極の腐食が低減される。また、特許文献２には、封止前の有機ＥＬ基板において、ＩＴＯ膜上に、ＡｕやＡｇ、Ｃｕなどのメタル膜を成膜する方法が記載されている（請求項１参照）。

図１０、図１１、図１２は、従来の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示している。

図１０のように、透光性の基板１の表面には透光性の導電層２が略全面にわたって形成されている。導電層２は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などで形成される。導電層２の表面には補助電極３と陰極端子４と陽極端子５とが形成されている。補助電極３と陰極端子４と陽極端子５はいずれも導電性の金属層で形成されている。また補助電極３と陰極端子４と陽極端子５はいずれも透光性がほとんど無い。補助電極３は平面視で額縁状に形成されている。補助電極３で囲まれている導電層２の中央領域は第１電極６として形成されている。陰極端子４と陽極端子５は補助電極３で囲まれていない導電層２の周端領域に形成されている。一つの陰極端子４と二つの陽極端子５とが基板１の一辺に沿って形成されている。また別の二つの陽極端子５と一つの陰極端子４とが基板１の他の一辺に沿って形成されている。陰極端子４は二つの陽極端子５の間に設けられている。導電層２には切欠部７が設けられている。切欠部７は陰極端子４を囲って形成されている。陰極端子４は切欠部７により補助電極３及び陽極端子５と電気的に絶縁されている。

図１１のように、発光層を含む有機発光層８は第１電極６の表面に形成されている。また有機発光層８の表面には第２電極９が全面にわたって形成されている。第２電極９は陰極端子５と電気的に接続されている。有機発光体１０は第１電極６と有機発光層８と第２電極９とが積層されて形成されている。有機発光体１０の発光領域（発光面）は、第１電極６と有機発光層８と第２電極９とが積層された領域であり、平面視において補助電極３の内側の領域に形成される。

図１２のように、補助電極３及び有機発光体１０は封止材１１で封止される。封止材１１はガラス基板などで形成される。封止材１１は導電層２の表面に接着などにより固定される。陽極端子４及び陰極端子５は封止材１１で封止されず、封止材１１の外側に露出されている。

図１２のような有機ＥＬ素子１００は有機発光体１０への給電により発光する。有機発光体１０への給電は、陽極端子４及び陰極端子５を通じて行われる。ここで、有機ＥＬ素子１００は、基板１の面積が大きくなると、導電層２の面積も大きくなって、導電層２のシート抵抗値が高くなる。導電層２のシート抵抗値が高くなると、電流が第１電極６に均一に流れにくくなり、有機ＥＬ素子１００の面内の発光にばらつきが生じやすくなる。そのため、有機ＥＬ素子１００の面内においてより均一な発光を得る目的で、導電層２のシート抵抗値よりも低い抵抗値の補助電極３が設けられている。すなわち、有機ＥＬ素子１００は、導電層２の通電性が補助電極３により高められ、有機ＥＬ素子１００の発光が面内において、より均一に近づけられる。

特開２０１３−０２６０２７号公報 特開２０１２−２４８２８５号公報

しかしながら、上記のような有機ＥＬ素子１００では、ほとんど透光性の無い補助電極３が形成されているため、有機発光体１０からの発光が補助電極３で遮られやすい。従って、補助電極３が設けられた領域は、有機ＥＬ素子１００の非発光領域となりやすい。すなわち、補助電極３によって有機発光体１０の外周部分のスペースが占有されると、有機ＥＬ素子１００の非発光領域が額縁状に形成されることになる。そして、この非発光領域の割合が大きくなると、有機ＥＬ素子１００の全体面積に対する面内の発光割合が小さくなり、有機ＥＬ素子１００の面内の有効発光率が低下するおそれがある。

そこで、有機ＥＬ素子１００の非発光領域の面積が小さくなるように、補助電極３の幅が狭小に形成されることが好ましいが、この場合、補助電極３の導電性を損なわないために、導電率の高い材料で高膜厚の補助電極３が形成されることが好ましい。例えば、補助電極３がスパッタによって形成されることが考えられる。この場合、スパッタにより成膜されたメタル層がメタルマスクあるいはフォトリソグラフにより所定のパターンの補助電極３に形成されることが一般的である。しかし、スパッタでのメタル層の成膜は膜厚１μｍ以下が一般的であり、それ以上、メタル層を厚くしようとすると、成膜コストやパターニングコストが大幅に増加することがある。また、補助電極３が銀ペースト（Ａｇペースト）などで直接描画されて形成されることが考えれる。しかし、この場合は、額縁状の狭いスペースに銀ペーストを厚膜に積み上げることが難しいため、所定の形状の補助電極３が形成されにくい。

尚、特許文献１には、外部電極に電気めっきや無電解めっきで保護膜を形成することが記載されているが、補助電極そのものを電気めっき等で形成することは記載されていない。また、特許文献２には、封止前の基板をめっきの対象としているため、メッキ液やパターニングのためのレジスト膜によって基板表面を汚染させる懸念がある。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、スパッタによる成膜や銀ペーストによる直接描画に比べて、厚膜の補助電極を狭小スペースに容易に形成することができ、しかも、補助電極の形成に伴う有機発光層の汚染も少なくすることができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、透光性の基板と、前記基板の表面に形成される透光性の第１導電層と、前記第１導電層と電気的に接続される有機発光層と、前記有機発光層と電気的に接続される第２導電層と、前記有機発光層を前記基板との間で封止する封止材と、前記第１導電層に電気的に接続される補助電極とを備えた有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記封止材が前記基板の表面に設けられる封止材配置工程と、前記封止材配置工程後に前記第１導電層の表面に補助電極が形成される補助電極形成工程とを備え、前記封止材配置工程では、前記第１導電層の一部が電極形成部として前記封止材よりも外側に露出するように、前記封止材が前記基板の表面に形成され、前記補助電極形成工程では、前記補助電極が前記電極形成部の表面に電解めっきにより形成されることを特徴とする。

前記補助電極形成工程は複数の前記基板に分割されるベース基板に対して行われ、前記電解めっき後に前記ベース基板が複数の前記基板に分割される基板分割工程を備えるのが好ましい。

前記封止材配置工程はマザー封止板が前記ベース基板に接合される接合工程と、前記接合工程後の前記マザー封止板から前記封止材が形成されて前記電極形成部を前記封止材よりも外側に露出させる露出工程とを備えることが好ましい。

前記第１導電層は、陰極として形成される陰極領域と、陽極として形成される陽極領域と、前記陰極領域と前記陽極領域とを接続する接続部とを備え、前記補助電極形成工程後に前記接続部で前記陰極領域と前記陽極領域とが分断される接続部分断工程を備えるのが好ましい。

本発明は、めっき補助材料配置工程と、めっき補助材料除去工程とを備え、前記めっき補助材料配置工程では、めっき補助材料が前記補助電極形成工程前に前記第１導電層に配置され、前記めっき補助材料除去工程では、前記第１導電層に配置された前記めっき補助材料が前記補助電極形成工程後に除去されることが好ましい。

本発明は、前記基板分割工程と前記めっき補助材料除去工程とが同時に行われることが好ましい。

本発明は、補助電極形成工程において、補助電極が電極形成部の表面に電解めっきにより形成されるため、スパッタによる成膜や銀ペーストによる直接描画に比べて、厚膜の補助電極を狭小スペースに容易に形成することができる。また本発明は、有機発光層が封止材で封止された状態で補助電極形成工程が行われるため、有機発光層が封止材で保護された状態で電解めっきが行われることになり、補助電極の形成に伴う有機発光層の汚染も少なくすることができる。

本発明で製造される有機ＥＬ素子の一例を示し、図９におけるＸ−Ｘ断面図である。 本発明で製造される有機ＥＬ素子の一例を示し、図９におけるＹ−Ｙ断面図である。 本発明の第１導電層の形成工程の一例を示す斜視図である。 本発明の有機発光体の形成工程の一例を示す斜視図である。 本発明の接合工程の一例を示す斜視図である。 本発明の露出工程の一例を示す斜視図である。 本発明の電気めっき工程の一例を示す斜視図である。 本発明の基板分割工程の一例を示す斜視図である。 本発明で製造される有機ＥＬ素子の一例を示す斜視図である。 従来例の製造工程の一部を示す斜視図である。 従来例の製造工程の他の一部を示す斜視図である。 従来例で製造される有機ＥＬ素子を示す斜視図である。

以下、本発明を実施するための形態を説明する。

図１は、本実施の形態で製造される有機ＥＬ素子１００の一例を示す。

有機ＥＬ素子１００は、基板１、有機発光体１０、封止材１１、補助電極３などを備えて形成されている。有機発光体１０は基板１の表面に形成されている。有機発光体１０は、第１電極６と有機発光層８と第２電極９とが基板１からこの順で積層されて形成されている。有機発光体１０は、基板１に接着された封止材１１によって覆われ、基板１と封止材１１との間で封止されている。基板１の表面の端部には電極形成部３０が形成されている。補助電極３は電極形成部３０の表面に形成されている。補助電極３は基板１の周端部に形成されている。

基板１は、透光性（光透過性）を有する透明な基板１であることが好ましく、例えば、ガラス基板、ポリエステル樹脂などの耐透湿性の良好な透明樹脂基板、ガラスと透明樹脂との複合材料で形成される基板などが挙げられる。基板１がガラス基板である場合、ガラスは水分の透過性が低いので、水分が封止領域の内部に浸入することが抑制される。基板１の表面における第１電極６との界面には、光取り出し層が設けられていてもよい。光取り出し層が設けられることにより、光取り出し性を高めることができる。光取り出し層は、例えば、ガラスよりも屈折率の高い樹脂層や、光散乱粒子を含む樹脂層や、高屈折率ガラスなどによって形成される。基板１は矩形平板状に形成されているが、基板１の形状は特に限定されない。

有機発光体１０は、第１電極６、有機発光層８及び第２電極９の積層体である。有機発光体１０の設けられる領域は、平面視（基板表面と垂直な方向から見た場合）において、基板１の中央部の領域である。有機ＥＬ素子１００では、平面視における有機発光体１０が設けられた領域が発光領域となる。

第１電極６及び第２電極９は、互いに対となる電極であり、一方が陽極を構成し、他方が陰極を構成する。例えば、陽極が第１電極６により形成され、陰極が第２電極９により形成される。第１電極６は光透過性を有することが好ましく、その場合、第１電極６は光取り出し側の電極となる。第１電極６は透明な第１導電層２０によって形成される。第１導電層２０の材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯなどが例示される。第２電極９は光反射性を有していてもよい。その場合、有機発光体１０から第２電極９側に向って発せられる光は、第２電極９で反射されて基板１側から取り出される。また、第２電極９は光透過性の電極であってもよい。第２電極９が光透過性の場合、有機発光体１０から第２電極９側に向って発せられる光は封止材１１から取り出される。あるいは、第２電極９が光透過性の場合、第２電極９における有機発光層８とは反対側の面に光反射性の層を設けることによって、第２電極９の方向に進行した光が反射されて、基板１側から取り出すことが可能である。第２電極９は第２導電層９０によって形成される。第２導電層９０としては、例えば、ＡｌやＡｇなどが例示される。

有機発光層８は、発光を生じさせる機能を有する層であり、ホール注入層、ホール輸送層、発光層（発光材料を含有する層）、電子輸送層、電子注入層、中間層などから適宜選ばれる複数の機能層によって構成されるものである。有機発光層８は第１電極６と電気的に接続されている。また有機発光層８は第２電極９と電気的に接続されている。

封止材１１は封止板１１ａと接着層１１ｂとで構成されている。封止板１１ａは矩形平板状に形成されている。封止板１１ａは基板１と同様の材料で形成され、例えば、ガラス基板が挙げられる。封止板１１ａは、水分の透過性が低い基板材料を用いて形成することができる。封止板１１ａとしては、例えば、ガラス基板を用いることができる。ガラス基板を用いることにより、水分が浸入するのを抑制することができる。封止板１１ａは基板１よりもやや小さく形成されている。従って、基板１の周端面は封止板１１ａの周端面よりも外側に位置している。接着層１１ｂは封止板１１ａを基板１に接着している。接着層１１ｂは樹脂接着剤などを形成される。接着層１１ｂは有機発光体１０を囲うように額縁状に形成される。封止板１１ａは接着層１１ｂの上に配置されて接着されている。封止板１１ａの周端面は接着層１１ｂの外周面よりも外側に位置している。接着層１１ｂは、エポキシ樹脂を含む接着剤やアクリル樹脂を含む接着剤などで形成される。

有機ＥＬ素子１００では、第１電極６と第２電極９とに電圧を印加し、有機発光層８（発光材料含有層）において正孔と電子を結合させて発光を生じさせる。

以下に、上記のような有機ＥＬ素子１００の製造方法を説明する。

まず、第１導電層２０の形成工程が行われる。この工程では、図３のように、第１導電層２０がベース基板２５の表面に形成される。ベース基板２５は切断されることにより複数の基板１に形成されるものである。従って、ベース基板２５は基板１と同様の材質で基板１よりも大きく、基板１と同じ厚みに形成されている。例えば、一つのベース基板２５は四つの基板１を得ることができる大きさに形成されている。第１導電層２０の厚みは、特に限定されるものではないが、３０〜３００ｎｍの範囲にすることができ、例えば、第１導電層２０の厚みを５０ｎｍ程度にすることができる。第１導電層２０はＩＴＯなどの材料で公知の方法により形成される。

第１導電層２０には複数の切欠部７が形成される。切欠部７は主部７ａと二つの枝部７ｂとで形成されている。枝部７ｂは主部７ａの両端に主部７ａに対して略直角に形成されている。従って、切欠部７は平面視で略Ｃ字状に形成されている。切欠部７は二個一組で使用される。組になっている二個の切欠部７は主部７ａ同士が対向した状態で線対称に形成されている。図３においては、一つのベース基板２５に四組の切欠部７の組が形成されている。第１導電層２０は、組になっている二個の切欠部７の主部７ａの間の領域が陽極領域２１として形成されている。第１導電層２０は、一つの切欠部７の枝部７ｂの間の領域が陰極領域２３として形成されている。陽極領域２１と陰極領域２３とは接続部２２により接続されている。接続部２２は、第１導電層２０の枝部７ｂの直近の領域で形成されている。従って、陽極領域２１と陰極領域２３と接続部２２とは一体的に形成され、電気的に接続されている。切欠部７は、平坦な第１導電層２０に対してエッチングやレーザ加工やフォトリソ加工などのパターニングを施すことにより形成される。

図４はめっき補助材料配置工程と有機発光体１０の形成工程を示す。めっき補助材料配置工程は第１導電層２０の形成工程の次に行われる。めっき補助材料配置工程は第１導電層２０の表面にめっき補助材料２４が配置される。めっき補助材料２４は線状に配置される。めっき補助材料２４は第１導電層２０を四つの領域に区分するように格子状（グリッド）に形成されている。すなわち、二本の線状のめっき補助材料２４が第１導電層２０の表面に形成され、且つ第１導電層２０の表面の中央部で直交するように形成されている。また一方の線状のめっき補助材料２４は第１導電層２０を横方向で二等分するように形成され、他方の第１導電層２０を縦方向で二等分するように形成される。めっき補助材料２４で区切られた領域には、切欠部７が一組ずつ形成されている。一組の切欠部７はめっき補助材料２４で区切られた領域の略中央部に形成されている。

有機発光体１０の形成工程は、めっき補助材料配置工程の次に行われる。有機発光層８は第１導電層２０の表面に形成される。有機発光層８は、組となる二個の切欠部７に跨がるように形成される。すなわち、めっき補助材料２４で区切られた領域に一つずつ有機発光層８が形成される。従って、図４においては、一つのベース基板２５に四つの有機発光層８が形成されている。有機発光層８の下面の中央部は陽極領域２１と密着して形成されている。有機発光層８の両端部（長手端部）の略中央部は陽極領域２１をはみ出して切欠部７に入り込むように形成されている。但し、有機発光層８は陰極領域２３とは接触しないように形成されている。有機発光層８は蒸着や塗布により有機発光層８を構成する各層を順次に重ねていくことにより形成される。有機発光層８の形成後に、第２導電層９０が形成される。第２導電層９０は有機発光層８の表面に第２電極９として形成される。また第２導電層９０には接続片９１が第２電極９の周端部に突出して形成される。接続片９１の先端は陰極領域２３に接続される。第２導電層９０は蒸着やスパッタにより形成される。尚、有機発光体１０の形成工程は、めっき補助材料配置工程の前に行っても良い。

次に、めっき補助材料配置工程と有機発光体１０の形成工程を施した後のベース基板２５に対して封止材配置工程が行われる。この工程は、複数の封止板１１ａに分割されるマザー封止板２６をベース基板２５に接合する接合工程と、接合工程後に電極形成部３０を封止材１１よりも外側に露出させる露出工程とを備える。

接合工程では、封止材１１がベース基板２５の表面に形成される。図５のように、ベース基板２５には複数のマザー封止板２６が接合される。各マザー封止板２６は露出工程でその一部が切り出されて封止板１１ａが形成される。従って、マザー封止板２６は封止板１１ａと同じ材質で且つ同じ厚みに形成され、封止板１１ａを形成可能な大きさに形成されている。マザー封止板２６は、めっき補助材料２４で区切られた複数の領域のそれぞれに対応して設けられる。マザー封止板２６を配置する前に、ベース基板２５に形成された第１導電層２０の表面に接着層１１ｂが形成されている。接着層１１ｂは複数の有機発光体１０のそれぞれの外周を囲うように額縁状に形成される。また接着層１１ｂは陰極領域２３の表面に形成されるが、接続部２２の表面には形成されない。接着層１１ｂは接続部２２よりも有機発光体１０側に寄せて形成される。接着層１１ｂの厚みは、有機発光体１０の厚み以上であれば特に限定されるものではないが、例えば、０．０１〜１ｍｍの範囲にすることができる。

次に、露出工程が行われる。露出工程では、図６のように、各マザー封止板２６の不要部分（封止板１１ａにならない部分）が切除される。これにより、各封止材１１の外周を囲うように第１導電層２０の一部の電極形成部３０が露出される。まためっき補助材料２４も露出される。一方、有機発光体１０は封止材１１で封止されているので、外部に露出されない。マザー封止板２６は、隣り合う封止板１１ａの端面間に２ｍｍ程度の間隔が形成されるように切除される。

次に、補助電極形成工程が行われる。補助電極形成工程は電解めっき工程と基板分割工程とを備える。電解めっき工程は露出工程後のベース基板２５に対して行われる。すなわち、図７のように、容器５０に貯留されているめっき液５１の中に、露出工程後のベース基板２５は浸漬され、この状態で第１導電層２０に通電が行われる。第１導電層２０への通電はめっき補助材料２４を通じて行われる。この場合、電源５２とめっき補助材料２４とが配線５３により電気的に接続される。めっき補助材料２４を通じて第１導電層２０に通電が行われるため、シート抵抗の高い第１導電層２０であっても電流を全体にわたって均一に通電しやすくなる。ベース基板２５に形成された有機発光体１０は封止材１１で封止されているため、有機発光体１０にめっき液が及ぶようなことがほとんどなく、有機発光体１０の汚染が低減される。電解めっき工程では、封止材１１で封止された以外の箇所において、第１導電層２０の表面にめっき層５４が形成される。めっき層５４は、例えば、ニッケルストライクめっき、銅めっき、ニッケルめっきの順で形成される。めっき層５４の厚みは、例えば、１〜１０μｍに形成され、さらに１μｍに形成されるのが好ましい。めっき層５４は、例えば、ニッケル、金、銀、銅などの金属の単層で形成される場合もある。

基板分割工程では、図８の一点鎖線に沿ってベース基板２５、第１導電層２０、めっき層５４が切断される。これにより、ベース基板２５が基板１に分割される。また基板１の周端部の全長にわたって第１導電層２０が残存し、この残存部分が電極形成部３０として形成される。電極形成部３０は接着層１１ｂの下を通って封止材１１で封止された空間から基板１の周端部にまで達して形成されている。また封止材１１で封止された空間の外側において、電極形成部３０の表面にはめっき層５４が残存し、この残存部分が補助電極３として形成される。補助電極３は電極形成部３０を通じて陽極領域２１と電気的に接続されている。また補助電極３は電極形成部３０を通じて陰極領域２３と接続されている。補助電極３は封止材１１の接着層１１ｂの外面に密着して形成される。補助電極３の幅寸法は狭小であることが好ましく、例えば、０．１〜０．５ｍｍに形成されている。

基板分割工程と同時に、めっき補助材料除去工程を行うことが好ましい。めっき補助材料除去工程は、基板１からめっき補助材料２４を分断して除去する工程である。めっき補助材料除去工程は、例えば、ベース基板２５のめっき補助材料２４が形成された部分を基板１から分断することにより行われる。

基板分割工程とめっき補助材料除去工程の後に、接続部分断工程が行われる。この工程は、二つの接続部２２と各接続部２２の表面に形成されためっき層５４（補助電極３）を除去することにより行われる。接続部分断工程により、陽極領域２１と陰極領域２３とが分断されて両者は電気的に絶縁される。また補助電極３０は接続部２２の二箇所の位置で分断され、二箇所の分断位置の間に形成されるめっき層５４で陰極端子５５が形成される。また二箇所の分断位置の間に形成される第１導電層２０により、陰極領域２３に接続される電極形成部３０ａが形成される。陽極領域２１からは第１電極６が形成される。第１電極６は補助電極３と電極形成部３０を通じて電気的に接続される。陰極領域２３に電気的に接続されためっき層５４は補助電極３と分離され、陰極端子５５となって封止材１１の外側に位置している。陰極端子５５は陰極領域２３に接続された電極形成部３０ａの表面に形成され、この電極形成部３０ａと陰極領域２３と接続片９１を通じて第２電極９に電気的に接続される。また補助電極３は陽極端子５６として使用可能である。尚、基板分割工程とめっき補助材料除去工程と接続部分断工程は、研磨具などが用いられる。

本実施の形態は、透光性の基板１と、基板１の表面に形成される透光性の第１導電層２０と、第１導電層２０と電気的に接続される有機発光層８と、有機発光層８と電気的に接続される第２導電層９０と、有機発光層８を基板１との間で封止する封止材１１と、第１導電層２０に電気的に接続される補助電極３とを備えた有機ＥＬ素子１００の製造方法に関する。そして、本実施の形態の特徴は、封止材１１が基板１の表面に設けられる封止材配置工程と、封止材配置工程後に第１導電層２０の表面に補助電極３が形成される補助電極形成工程とを備える。また封止材配置工程では、第１導電層２０の一部が電極形成部３０として封止材１１よりも外側に露出するように、封止材１１が基板１の表面に形成される。また補助電極形成工程では、補助電極３が前記電極形成部３０の表面に電解めっきにより形成される。

このような特徴を有する有機ＥＬの製造方法では、補助電極形成工程において、補助電極３が電極形成部３０の表面に電解めっきにより形成されるため、スパッタによる成膜や銀ペーストによる直接描画に比べて、厚膜の補助電極を狭小スペースに容易に形成することができる。すなわち、スパッタ工法では、狭い面積に成膜するために、マスク付きで成膜、あるいは、全面成膜後、エッチングなどでパターニングする方法があるが、いずれも補助電極はテーパーがついて形成されるため、めっきのように垂直に積み上げて補助電極を形成するのは困難である。また銀ペーストによる直接描画においても、銀ペーストは吐出後、広がるため、めっきのように垂直に厚く積み上げて補助電極を形成するのは困難である。また上記のような特徴を有する有機ＥＬの製造方法では、有機発光層８が封止材で封止された状態で補助電極形成工程が行われるため、有機発光層８が封止材１１で保護された状態で電解めっきが行われることになり、補助電極３の形成に伴う有機発光層８の汚染を少なくすることができる。

また本実施の形態では、補助電極形成工程が、複数の基板１に分割されるベース基板２５に対して行われ、電解めっき後にベース基板２５を複数の基板１に分割する基板分割工程を備えることもできる。この場合、個々の基板１の第１導電層２０が電気的に接続されており、電気めっきの際の給電を個別の基板１に形成した第１導電層２０のそれぞれ行う必要がない。従って、本実施の形態では、より高い生産性で有機ＥＬ素子１００を製造することが可能となる。

また本実施の形態では、封止材配置工程が、マザー封止板２６をベース基板２５に接合する接合工程と、接合工程後のマザー封止板２６から封止材１１を形成して電極形成部３０を前記封止材１１よりも外側に露出させる露出工程とを備えることもできる。この場合、電気めっきの際に、めっき液が電極形成部３０に均一に行き渡りやすくなり、むらのなく補助電極３０が形成しやすい。

また本実施の形態では、第１導電層２０が、陰極として形成される陰極領域２３と、陽極として形成される陽極領域２１と、陰極領域２３と陽極領域２１とを接続する接続部２２とを備え、補助電極形成工程後に接続部２２で陰極領域２３と陽極領域２１とを分断する接続部分断工程を備えることも好ましい。この場合、補助電極形成工程では陰極領域２３と陽極領域２１とが接続部２２で接続されており、補助電極３０が容易に陰極領域２３と陽極領域２１とに形成され、補助電極形成工程では補助電極３０が接続部２２で分断されることになり、より高い生産性で有機ＥＬ素子１００を製造することが可能となる。

また本実施の形態では、めっき補助材料配置工程と、めっき補助材料除去工程とを備えることができる。めっき補助材料配置工程では、めっき補助材料２４が補助電極形成工程前に第１導電層２０に配置され、めっき補助材料除去工程では、第１導電層２０に配置されためっき補助材料２４が補助電極形成工程後に除去される。この場合、高導電率なめっき補助材料２４が第１導電層２０に形成されることになる。そして、このようなめっき補助材料２４が設けることによって、第１導電層２０の全体に電気めっきの際の電流が行き渡りやすくなり、ムラのない、均一な電気めっき層５４を形成することが可能となる。

また本実施の形態では、前記基板分割工程と前記めっき補助材料除去工程とが同時に行われることが好ましい。この場合、めっき補助材料２４を第１導電層２０から除去するのと同時に、ベース基板２５の分割も行えることになり、より簡便で高い生産性で有機ＥＬ素子１００を製造することが可能である。

１ 基板
３ 補助電極
８ 有機発光層
１１ 封止材
２０ 第１導電層
２１ 陽極領域
２２ 接続部
２３ 陰極領域
２４ めっき補助材料
２５ ベース基板
２６ マザー封止板
３０ 電極形成部
９０ 第２導電層
１００ 有機ＥＬ素子

Claims (6)

1. 透光性の基板と、前記基板の表面に形成される透光性の第１導電層と、前記第１導電層と電気的に接続される有機発光層と、前記有機発光層と電気的に接続される第２導電層と、前記有機発光層を前記基板との間で封止する封止材と、前記第１導電層に電気的に接続される補助電極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
   前記封止材が前記基板の表面に設けられる封止材配置工程と、前記封止材配置工程後に前記第１導電層の表面に補助電極が形成される補助電極形成工程とを備え、
   前記封止材配置工程では、前記第１導電層の一部が電極形成部として前記封止材よりも外側に露出するように、前記封止材が前記基板の表面に形成され、
   前記補助電極形成工程では、前記補助電極が前記電極形成部の表面に電解めっきにより形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
2. 前記補助電極形成工程は、複数の前記基板に分割されるベース基板に対して行われ、前記電解めっき後に前記ベース基板が複数の前記基板に分割される基板分割工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
3. 前記封止材配置工程は、マザー封止板が前記ベース基板に接合される接合工程と、前記接合工程後の前記マザー封止板から前記封止材が形成されて前記電極形成部を前記封止材よりも外側に露出させる露出工程とを備えることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
4. 前記第１導電層が、陰極として形成される陰極領域と、陽極として形成される陽極領域と、前記陰極領域と前記陽極領域とを接続する接続部とを備え、前記補助電極形成工程後に前記接続部で前記陰極領域と前記陽極領域とが分断される接続部分断工程を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
5. めっき補助材料配置工程と、めっき補助材料除去工程とを備え、前記めっき補助材料配置工程では、めっき補助材料が前記補助電極形成工程前に前記第１導電層に配置され、前記めっき補助材料除去工程では、前記第１導電層に配置された前記めっき補助材料が前記補助電極形成工程後に除去されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
6. 前記基板分割工程と前記めっき補助材料除去工程とが同時に行われることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

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