JP2015153806A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 貫通孔を有する基板と、金属片と、前記基板に含まれる成分に対して活性な活性金属、銀および銅を含み前記金属片よりも融点が低い合金を含んでいる金属ペーストと、を用意する工程と、
   前記貫通孔に前記金属片の少なくとも一部を配置し、前記金属片と前記貫通孔との間に前記金属ペーストを配置する工程と、
   前記金属ペーストを焼成し、前記金属片を前記基板に固定する工程と、
   を含んでいることを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記用意する工程において、
   前記基板は、セラミックス基板であり、
   前記活性金属は、前記セラミックス基板に含まれるセラミックス成分に対して活性である請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 前記用意する工程において、
   前記セラミックス基板は、焼結した基板である請求項２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記用意する工程において、
   前記セラミックス基板は、焼結していない基板であり、
   前記金属ペーストを焼成する工程では、前記金属ペーストと共に前記焼結していない基板も焼成する請求項２に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記金属片は、幅が前記貫通孔よりも大きい挿入規制部を有している請求項１ないし４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
6. 前記金属ペーストを配置する工程では、前記挿入規制部と前記基板との間にも前記金属ペーストを配置する請求項５に記載の配線基板の製造方法。
7. 前記活性金属は、周期律表の第４族に属する金属である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
8. 前記周期律表の第４族に属する金属は、チタンである請求項７に記載の配線の製造方法。
9. 前記金属ペーストを焼成する温度は、前記合金の融点よりも高く、前記金属片の融点よりも低い請求項１ないし８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
10. 前記セラミックス基板の表面に前記金属片と電気的に接続する金属配線を形成する工程を更に含んでいる請求項１ないし９のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
11. 貫通孔を備えている基板と、
    前記基板の表面と前記貫通孔内とに一体で配置されている金属配線と、
    前記貫通孔の内周面と前記金属配線との間に配置され、チタンを含んでいる活性金属層と、
    を含んでいることを特徴とする配線基板。
12. 請求項１１に記載の配線基板と、
    前記配線基板に搭載されている電子部品と、を含むことを特徴とする電子デバイス。
13. 請求項１２に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
14. 請求項１２に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。