JP2015135966A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- ガリウム砒素（ＧａＡｓ）ベース層と、
前記ＧａＡｓベース層の上に形成されるインジウムガリウム燐（ＩｎＧａＰ）エミッタ層と、
インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）層と、前記ＩｎＧａＡｓ層の上に形成される拡散制御層とを含み、前記ＩｎＧａＰエミッタ層の上に形成されるエミッタエピタキシャル構造と、
前記ＧａＡｓベース層および前記ＩｎＧａＰエミッタ層の少なくとも一方に結合されるベースコンタクトと、
第１材料と第２材料とが交互に積層された層を有する超格子構造を備え、前記拡散制御層に結合されるエミッタコンタクトと、を備える装置。 - 前記ベースコンタクトおよび前記エミッタコンタクトは、共通メタライズ構造を有する請求項１に記載の装置。
- 前記共通メタライズ構造は、
第１白金（Ｐｔ）層と、
前記第１Ｐｔ層の上に形成されるチタン（Ｔｉ）層と、
前記Ｔｉ層の上に形成される第２白金（Ｐｔ）層と、
前記第２Ｐｔ層の上に形成される金（Ａｕ）層と、
を備える請求項２に記載の装置。 - 前記エミッタコンタクトの前記第１Ｐｔ層は、前記拡散制御層を通じて前記ＩｎＧａＡｓ層の一部まで延びる請求項３に記載の装置。
- 前記拡散制御層は、ＩｎＧａＰ、ＧａＡｓ、インジウム燐（ＩｎＰ）、インジウムアルミニウム砒素（ＩｎＡｌＡｓ）、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびＩｎＧａＡｓの少なくとも一つを備える請求項１に記載の装置。
- 前記拡散制御層は、約３００〜５００Åの厚さを有するＩｎＧａＰ層である請求項５に記載の装置。
- 前記拡散制御層は、前記ＩｎＧａＰエミッタ層の厚さにほぼ等しい厚さを有するＩｎＧａＰ層である請求項５に記載の装置。
- 前記第１材料は、ＩｎＧａＡｓであり、
前記第２材料は、ＧａＡｓ、インジウム燐（ＩｎＰ）、インジウムアルミニウム砒素（ＩｎＡｌＡｓ）、ＩｎＧａＰおよびアルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）の一つである請求項１に記載の装置。 - 前記超格子構造は、少なくとも３周期を含み、各周期は、約２０〜１００Åの厚さを有する前記第１材料の層と、約２０〜１００Åの厚さを有する前記第２材料の層とを備える請求項１に記載の装置。
- 前記エミッタエピタキシャル構造は、
前記ＩｎＧａＰエミッタ層の上に形成されるＧａＡｓ層と、
前記ＧａＡｓ層の上に形成される傾斜ＩｎＧａＡｓ層と、をさらに備え、
前記ＩｎＧａＡｓ層は、前記傾斜ＩｎＧａＡｓ層の上に形成される請求項１に記載の装置。 - 無線周波数（ＲＦ）信号を送信および受信するトランシーバと、
前記トランシーバ内に組み込まれ、または、前記トランシーバに結合されるヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）と、を備え、
前記ＨＢＴは、
ガリウム砒素（ＧａＡｓ）ベース層と、
前記ＧａＡｓベース層の上に形成されるインジウムガリウム燐（ＩｎＧａＰ）エミッタ層と、
インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）層と、前記ＩｎＧａＡｓ層の上に形成される拡散制御層とを含み、前記ＩｎＧａＰエミッタ層の上に形成されるエミッタエピタキシャル構造と、
前記ＧａＡｓベース層および前記ＩｎＧａＰエミッタ層の少なくとも一方に結合されるベースコンタクトと、
第１材料と第２材料とが交互に積層された層を有する超格子構造を備え、前記拡散制御層に結合されるエミッタコンタクトと、を含むシステム。 - パワー増幅器およびパワーコンディショナの少なくとも一方をさらに備え、パワー増幅器およびパワーコンディショナの少なくとも一方が前記ＨＢＴを含む請求項１１に記載のシステム。
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