JP2015130407A - リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品の製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015130407A JP2015130407A JP2014001238A JP2014001238A JP2015130407A JP 2015130407 A JP2015130407 A JP 2015130407A JP 2014001238 A JP2014001238 A JP 2014001238A JP 2014001238 A JP2014001238 A JP 2014001238A JP 2015130407 A JP2015130407 A JP 2015130407A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- substrate
- stage
- correction value
- lithographic apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 231
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 219
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
【解決手段】
パターンをビームで基板に形成するリソグラフィ装置は、前記基板を保持して可動のステージと、前記基板上の計測箇所に関して前記ステージのフォーカス駆動のために得られた計測値と、当該計測値に対する補正値とに基づいて、前記ステージのフォーカス駆動を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記計測値に基づいて前記ステージを駆動した場合におけるフォーカス誤差を低減するように前記補正値を生成する。
【選択図】図1
Description
本発明の第1実施形態の露光装置100について、図1を参照しながら説明する。図1は、本発明の第1実施形態の露光装置100の構成を示す概略図である。第1実施形態の露光装置100は、スリット光により基板15を走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査露光装置である。そして、露光装置100は、照明光学系11と、マスクステージ13と、投影光学系14と、基板ステージ16(ステージ)と、計測部17と、第1検出部18と、第2検出部19と、制御部20とを含む。制御部20は、CPUやメモリを含み、露光装置100の全体(露光装置100の各部)を制御する。即ち、制御部20は、マスク12に形成されたパターンを基板15に転写する処理(基板15を走査露光する処理)を制御する。
本発明の第2実施形態の露光装置200について、図7を参照しながら説明する。図7は、第2実施形態の露光装置200の構成を示す概略図である。第2実施形態の露光装置200は、所謂、ツインステージ型の露光装置であり、露光ステーション200a(形成ステーション)と、計測ステーション200bと、複数の基板ステージ16−1および16−2とを含みうる。露光ステーション200aは、照明光学系11とマスクステージ13と投影光学系14とを含み、基板15の走査露光を行って基板へのパターンの形成を行う。計測ステーション200bは、計測部17を含み、基板面の高さの計測を行う。そして、複数の基板ステージ16−1および16−2は、露光ステーション200aと計測ステーション200bとの間で入れ替え可能に構成されている。第2実施形態の露光装置200の各部における構成は、第1実施形態と同様であるため、ここでは各部における構成の説明については省略する。
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記のリソグラフィ装置(露光装置)を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (10)
- パターンをビームで基板に形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板を保持して可動のステージと、
前記基板上の計測箇所に関して前記ステージのフォーカス駆動のために得られた計測値と、当該計測値に対する補正値とに基づいて、前記ステージのフォーカス駆動を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記計測値に基づいて前記ステージを駆動した場合におけるフォーカス誤差を低減するように前記補正値を生成する、ことを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記制御部は、複数の基板に関して得られた前記フォーカス誤差の平均値に基づいて前記補正値を生成する、ことを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記基板を走査露光するための走査方向に沿って並んだ計測箇所に関してそれぞれフォーカス計測を行う複数の計測部を含み、
前記制御部は、前記基板上の計測箇所に関して、前記複数の計測部のうちの第1計測部の計測値に基づいて前記ステージを駆動した場合における前記複数の計測部のうちの第2計測部の計測値に基づいて前記補正値を生成する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のリソグラフィ装置。 - 前記制御部は、生成した前記補正値を、該補正値を得るのに用いたものとは異なる基板またはショット領域に適用する、ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1計測部は、前記計測箇所の露光に先立って前記計測箇所のフォーカス計測を行い、
前記第2計測部は、前記計測箇所の露光に並行して前記計測箇所のフォーカス計測を行う、ことを特徴とする請求項3又は4に記載のリソグラフィ装置。 - 前記パターンの形成が行われる形成ステーションと、前記計測値を得る計測部を備えた計測ステーションと、前記形成ステーションと前記計測ステーションとの間で入れ替えが可能な複数の前記ステージとを含む、ことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御部は、前記計測ステーションにおいて前記基板上の複数の計測箇所のそれぞれに関して得られた計測値に基づいて前記フォーカス誤差を得て前記フォーカス駆動のための指令値を生成する、ことを特徴とする請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御部は、前記基板上の複数の計測箇所に関してそれぞれ生成された複数の前記補正値をテーブル又は関数として記憶する、ことを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。 - 基板を保持して可動のステージを用いて、パターンをビームで前記基板に形成するリソグラフィ方法であって、
前記基板上の計測箇所に関して前記ステージのフォーカス駆動のために得られた計測値に基づいて前記ステージをフォーカス駆動した場合におけるフォーカス誤差を低減するように補正値を生成し、
前記計測箇所に関して得られた計測値を前記補正値によって補正して得られた指令値に基づいて前記ステージのフォーカス駆動を制御する、
ことを特徴とするリソグラフィ方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014001238A JP6327861B2 (ja) | 2014-01-07 | 2014-01-07 | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品の製造方法 |
US14/571,709 US10488764B2 (en) | 2014-01-07 | 2014-12-16 | Lithography apparatus, lithography method, and method of manufacturing article |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014001238A JP6327861B2 (ja) | 2014-01-07 | 2014-01-07 | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015130407A true JP2015130407A (ja) | 2015-07-16 |
JP6327861B2 JP6327861B2 (ja) | 2018-05-23 |
Family
ID=53495059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014001238A Expired - Fee Related JP6327861B2 (ja) | 2014-01-07 | 2014-01-07 | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10488764B2 (ja) |
JP (1) | JP6327861B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3534212A1 (en) | 2018-02-28 | 2019-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, method thereof, and method of manufacturing article |
JP2020109531A (ja) * | 2020-04-02 | 2020-07-16 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、および物品製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019069649A1 (ja) * | 2017-10-06 | 2019-04-11 | キヤノン株式会社 | 制御装置、リソグラフィ装置、測定装置、加工装置、平坦化装置及び物品製造方法 |
JP7137363B2 (ja) * | 2018-06-11 | 2022-09-14 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置、物品の製造方法及び計測方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0636991A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH08227854A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-09-03 | Nikon Corp | 露光方法及びその装置 |
JPH11191522A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-07-13 | Canon Inc | 露光方法および装置 |
JP2001015422A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Canon Inc | 投影露光方法、投影露光装置、及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2008071839A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Canon Inc | 表面位置検出方法、露光装置及びデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3587343B2 (ja) * | 1997-12-09 | 2004-11-10 | キヤノン株式会社 | 面位置検出方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
TW490596B (en) * | 1999-03-08 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus |
JPWO2005088686A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2008-01-31 | 株式会社ニコン | 段差計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
JP2007035783A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
-
2014
- 2014-01-07 JP JP2014001238A patent/JP6327861B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-12-16 US US14/571,709 patent/US10488764B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0636991A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH08227854A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-09-03 | Nikon Corp | 露光方法及びその装置 |
JPH11191522A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-07-13 | Canon Inc | 露光方法および装置 |
JP2001015422A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Canon Inc | 投影露光方法、投影露光装置、及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2008071839A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Canon Inc | 表面位置検出方法、露光装置及びデバイスの製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3534212A1 (en) | 2018-02-28 | 2019-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, method thereof, and method of manufacturing article |
US10635005B2 (en) | 2018-02-28 | 2020-04-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, method thereof, and method of manufacturing article |
JP2020109531A (ja) * | 2020-04-02 | 2020-07-16 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、および物品製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10488764B2 (en) | 2019-11-26 |
JP6327861B2 (ja) | 2018-05-23 |
US20150192867A1 (en) | 2015-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20110123665A (ko) | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 | |
JP7147738B2 (ja) | 計測装置及び計測方法、並びに露光装置 | |
JP6422246B2 (ja) | 計測装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 | |
JP6267530B2 (ja) | 露光装置、および物品の製造方法 | |
JP6327861B2 (ja) | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品の製造方法 | |
JP2004014876A (ja) | 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置 | |
KR102354948B1 (ko) | 노광 장치 및 물품의 제조 방법 | |
KR102222673B1 (ko) | 노광 장치 및 물품 제조 방법 | |
JP6436856B2 (ja) | 露光装置、露光方法、および物品の製造方法 | |
JP2009164355A (ja) | 走査露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP6139870B2 (ja) | 露光方法、露光装置および物品の製造方法 | |
JP5734344B2 (ja) | 露光装置および物品の製造方法 | |
JP2014143429A (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP6929041B2 (ja) | 露光装置及び物品の製造方法 | |
JP6053316B2 (ja) | リソグラフィー装置、および、物品製造方法 | |
JP2007129102A (ja) | 補正情報算出方法及び露光方法 | |
JP2021056416A (ja) | 露光装置、露光方法、および物品の製造方法 | |
JP2021026113A (ja) | 露光装置、および物品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170110 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170922 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180319 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180417 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6327861 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |