JP2015128100A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
搭載部品間の高速信号を伝送させるための伝送線路を有する多層配線基板では、高い信号密度を処理するために、基板表面近傍の表層配線のみならず、基板内部の内層配線も高速信号の伝送経路として用いる場合がある。
ところがこの構造では、表層から内層に信号伝送する信号経路に、信号伝送に直接寄与しない箇所となるいわゆるスタブ構造が残存する。このスタブ構造の存在は、高周波帯域では信号品質を低下させる要因となる。
スタブ構造対策の他の手法として、内層配線までの非貫通孔を形成して、非貫通孔内を導電性ペーストで充填する構造が開示されている(特許文献2,3を参照)。
以下、配線基板及びその製造方法の好適な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態では、複数の配線層が積層されてなる多層配線基板を開示し、その構成を製造方法と共に説明する。
図1〜図3は、第1の実施形態による多層配線基板の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
詳細には、一主面のみに配線が形成された単層基板、又は両主面にそれぞれ配線が形成された両面基板、或いは単層基板及び両面基板の双方の基板を用意する。各基板は、熱可塑性樹脂等の絶縁層の厚みが例えば100μm程度〜200μm程度、銅(Cu)又はCu合金等の配線の厚みが例えば10μm程度〜30μm程度とされている。当該基板を複数積層し、一括してプレスする。これにより、多層基板1が形成される。多層基板1は、上記の積層により、絶縁層11内に埋設形成された複数の内層配線12と、絶縁層11の表面及び裏面に形成された表層配線等、ここでは表層配線13及びランド14とを備えて構成される。多層基板1の内部に所定の電子部品を組み込み形成する場合もある。
詳細には、ランド14で規定された径、例えば150μm程度〜300μm程度の径のドリルを用いて、多層基板1のランド14の部位に貫通孔1aを形成する。貫通孔1aは、その側壁面に所定の内層配線12の端面が露出する。
詳細には、貫通孔1aの側壁面を電解メッキ処理又は無電解メッキ処理し、例えばCuのメッキ膜15を形成する。メッキ膜15は、例えば10μm程度〜30μm程度の厚みに形成される。以上により、多層基板1に、メッキ膜15を介して端面が側壁面から露出する内層配線12とランド14とが電気的に接続されてなる貫通ビア2が形成される。
詳細には、所定径、例えば150μm程度〜300μm程度の径のドリルを用いて、多層基板1に有底の非貫通孔1bを形成する。非貫通孔1bは、その側壁面に所定の内層配線12の端面が露出する。
詳細には、非貫通孔1b内に導電材料、例えばボール状のハンダ16を供給する。これにより、非貫通孔1bの底部にハンダ16が配置される。ハンダ16は、例えば80μm程度〜100μm程度の径のボール状のものである。ボール状のハンダ16を用いる代わりに、例えばスクリーン印刷によりハンダペーストを非貫通孔1bの底部に供給するようにしても良い。
詳細には、非貫通孔1b内に、例えば100μm程度〜200μm程度の径で非貫通孔1bの孔径よりも幅狭の導電細線、ここでは導電性に優れた金(Au)又は銅(Cu)製の金属棒17を挿入し、金属棒17の下端部をハンダ16と当接する。この状態でハンダ16を加熱して溶融させ、金属棒17の下端部17aをハンダ16内に押し込み、ハンダ16を固化する。以上により、金属棒17が下端部17aでハンダ16と接合される。
詳細には、絶縁材料、ハンダ16よりも硬化温度が低い、例えばエポキシ系の絶縁性樹脂18を用いて、金属棒17と非貫通孔1bの側壁面との間隙を絶縁性樹脂18で充填し、非貫通孔1b内を封止する。絶縁性樹脂18は、硬化温度がハンダ16よりも低いため、溶融した状態で非貫通孔1b内に供給しても、ハンダ16の固化状態に影響を与えない。そのため、絶縁性樹脂18の供給時においても、金属棒17とハンダ16との良好な接合が保持される。
詳細には、金属棒17及び絶縁性樹脂18の上面を切削又は研磨し、平坦化する。平坦化された当該上面は、多層基板1の表面よりも所定量だけ高い位置に規定される。
詳細には、絶縁性樹脂18をアッシング処理し、絶縁性樹脂18の上端部を選択的に除去する。これにより、絶縁性樹脂18の上面から、非貫通孔1b内で立設する金属棒17の上端部17bが所定量だけ突出する。上端部17bを適宜突出させることにより、電子部品の接続端子との接続をより確実に行うことができる。
また、接続部3においてスタブ構造が生じないため、信号伝送特性が向上する。
また、接続部3では、その信号伝達に寄与する実質的な径がドリル径ではなく金属棒17の径となるため、接続部の小径化が実現する。
また、接続部3を形成する際に、溶融したハンダ16に金属棒17の下端部17aを押し込み、ハンダ16を固化するため、接続部3の接続信頼性が向上する。
以下、半導体装置の好適な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態では、第1の実施形態による多層配線基板に、電子部品としてLSIを有するパッケージ基板を搭載してなる半導体装置を開示し、その構成を製造方法と共に説明する。
図4は、第2の実施形態による半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
詳細には、多層配線基板10において、接続部3の突出する金属棒17の上端部17b上と及びランド14上にバンプ、ここではハンダバンプ21を付与する。
詳細には、多層配線基板10の表面に、所定のパッケージ基板20の表面を対向させる。多層配線基板10の接続部3及びランド14と、パッケージ基板20の接続パッド22とをハンダバンプ21により電気的に接続する。
しかる後、所定の後工程を経て、多層配線基板10にパッケージ基板20が接合されてなる半導体装置が形成される。
前記非貫通孔内の底部に導電材料を配する工程と、
前記非貫通孔内に、前記非貫通孔の孔径よりも幅狭の導電細線を挿入し、前記導電細線の下端部を前記導電材料と接合する工程と、
前記非貫通孔内における前記導電細線と前記非貫通孔の側壁面との間隙を、絶縁材料で充填する工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
前記基板の表面に非貫通状態に形成された接続部と
を含み、
前記接続部は、
底部に配された導電材料と、
下端部が前記導電材料と接合して立設された導電細線と、
前記導電細線の側面を覆う絶縁材料と
を有することを特徴とする配線基板。
1a 貫通孔
1b 非貫通孔
2 貫通ビア
3 接続部
10 多層配線基板
11 絶縁層
12 内層配線
13 表層配線
14 ランド
15 メッキ膜
16 ハンダ
17 金属棒
17a 下端部
17b 上端部
18 絶縁性樹脂
20 パッケージ基板
21 ハンダバンプ
22 接続パッド
Claims (8)
- 複数層の配線を備えた基板に非貫通孔を形成する工程と、
前記非貫通孔内の底部に導電材料を配する工程と、
前記非貫通孔内に、前記非貫通孔の孔径よりも幅狭の導電細線を挿入し、前記導電細線の下端部を前記導電材料と接合する工程と、
前記非貫通孔内における前記導電細線と前記非貫通孔の側壁面との間隙を、絶縁材料で充填する工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記導電細線の上面及び前記絶縁材料の上面を平坦化し、前記絶縁材料の上面から前記導電細線の上面を露出させる工程を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。
- 前記平坦化の後、前記絶縁材料の一部を選択的に除去して、前記絶縁材料の上面から前記導電細線の上端部を突出させる工程を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の配線基板の製造方法。
- 前記導電細線の上面にバンプを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。
- 複数層の配線を備えた基板と、
前記基板の表面に非貫通状態に形成された接続部と
を含み、
前記接続部は、
底部に配された導電材料と、
下端部が前記導電材料と接合して立設された導電細線と、
前記導電細線の側面を覆う絶縁材料と
を有することを特徴とする配線基板。 - 前記導電細線は、その上面が前記絶縁材料の上面から露出していることを特徴とする請求項5に記載の配線基板。
- 前記導電細線は、その上端部が前記絶縁材料の上面から突出していることを特徴とする請求項6に記載の配線基板。
- 前記導電細線の上面にバンプが形成されることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載の配線基板。
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2013
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