JP2015127601A - 給湯装置 - Google Patents

Abstract

【課題】給湯温度に影響を与えることなく、風呂に高温の足し湯ができる給湯装置を提供する。
【解決手段】貯湯タンク３の上部から給湯用混合弁２２を介して所望の温度の湯を給湯するための給湯回路Ｌ１２,Ｌ３１,Ｌ３２,２１〜２４と、上記給湯回路Ｌ１２,Ｌ３１,Ｌ３２,２１〜２４から分岐して浴槽４に接続される風呂給湯回路Ｌ３３,２５,２６,２７,２８と、上記貯湯タンク３の上部から浴槽４に高温の足し湯をするための高温足し湯回路を備える。上記高温足し湯回路の下流側を風呂給湯回路Ｌ３３,２５,２６,２７,２８の途中に接続している。
【選択図】図１

Description

この発明は、給湯装置に関する。

従来、給湯装置としては、浴槽への高温足し湯中に他の給湯栓の使用の要求があるときは、高温足し湯の温度を一定温度以下に変更するものがある(例えば、特開平１１−１３２５６１号公報(特許文献１)参照)。上記給湯装置では、高温足し湯中に給湯栓が開かれたときに、浴槽への高温足し湯運転を停止することなく、一定温度以下の湯が給湯栓から出るようにすることにより、使い勝手のよい給湯装置を提供している。

特開平１１−１３２５６１号公報

しかしながら、上記従来の給湯装置では、給湯栓が開かれて高温足し湯の温度を８０℃から５０℃に下げているため、浴槽内の湯の温まりが遅くなると共に、給湯栓から熱いお湯(５０℃)が出湯されるという問題がある。

そこで、この発明の課題は、給湯温度に影響を与えることなく、風呂に高温の足し湯ができる給湯装置を提供することにある。

上記課題を解決するため、この発明の給湯装置は、
貯湯タンクの上部から混合弁を介して所望の温度の湯を給湯するための給湯回路と、
上記給湯回路から分岐して浴槽に接続される風呂給湯回路と、
上記貯湯タンクの上部から上記浴槽に高温の足し湯をするための高温足し湯回路を備え、
上記高温足し湯回路の下流側が上記風呂給湯回路の途中に接続されていることを特徴とする。

上記構成によれば、貯湯タンクの上部から混合弁を介して所望の温度の湯を給湯するための給湯回路やその給湯回路から分岐して浴槽に接続される風呂給湯回路とは別に、貯湯タンクの上部から浴槽に高温の足し湯をするための高温足し湯回路を備え、その高温足し湯回路の下流側を風呂給湯回路の途中に接続したことによって、貯湯タンクの上部から混合弁を介して所望の温度の湯を給湯回路により給湯していても、高温足し湯回路で貯湯タンクの上部から浴槽に高温の湯を足すので、給湯回路の給湯温度に影響を与えることなく、風呂の浴槽内に高温の足し湯を行うことができる。

また、一実施形態の給湯装置では、
上記高温足し湯回路は高温足し湯用電磁弁を有する。

上記実施形態によれば、高温足し湯回路を開閉する高温足し湯用電磁弁を備えることによって、給湯回路による給湯動作に関わらず、高温足し湯用電磁弁で高温足し湯回路を開閉することにより浴槽への高温足し湯を制御できる。

また、一実施形態の給湯装置では、
上記風呂給湯回路は湯張り用電磁弁を有し、
上記高温足し湯回路の下流側は、上記風呂給湯回路の上記湯張り用電磁弁の下流側に接続されている。

上記実施形態によれば、風呂給湯回路の湯張り用電磁弁の下流側に高温足し湯回路の下流側を接続することによって、湯張り用電磁弁を閉じて高温足し湯ができる。そのため、高温足し湯の際に給湯用混合弁からの湯(４０℃程度)が混合されることがなく、高温足し湯の温度が下がらない。また、風呂給湯回路の湯張り用電磁弁の下流側の部分を高温足し湯に兼用することができ、回路構成を簡略化できる。

また、一実施形態の給湯装置では、
上記風呂給湯回路は、上記浴槽側への流れのみを許容する逆流防止機構を有し、
上記高温足し湯回路の下流側は、上記風呂給湯回路の上記逆流防止機構の上流側に接続されている。

上記実施形態によれば、風呂給湯回路の逆流防止機構の上流側に高温足し湯回路の下流側を接続することによって、風呂給湯回路の逆流防止機構を高温足し湯回路の逆流防止に兼用することができる。

また、一実施形態の給湯装置では、
上記高温足し湯回路は、上記貯湯タンクの上部から上記風呂給湯回路を介して上記浴槽に給湯するか、または、上記貯湯タンクの上部から上記高温足し湯回路を介して上記浴槽に足し湯するかを切り換える三方弁を有する。

上記実施形態によれば、貯湯タンクの上部から風呂給湯回路を介して浴槽に給湯するか、または、貯湯タンクの上部から高温足し湯回路を介して浴槽に足し湯するかを三方弁によって切り換えるので、簡単な構成で風呂の浴槽内に高温の足し湯を行うことができる。

また、一実施形態の給湯装置では、
上記風呂給湯回路は湯張り用電磁弁を有し、
上記三方弁は、上記風呂給湯回路の上記湯張り用電磁弁の上流側に配設されている。

上記実施形態によれば、風呂給湯回路の湯張り用電磁弁の上流側に三方弁を配設することによって、湯張り用電磁弁を高温足し湯回路を開閉する電磁弁に兼用することができる。

また、一実施形態の給湯装置では、
上記貯湯タンク内の湯水の沸き上げ温度が５０℃〜７０℃である。

上記実施形態によれば、貯湯タンク内の湯温が５０℃〜７０℃となるので、一般的な高温足し湯時に使用する６０℃前後で貯湯タンクの上部からそのまま浴槽に足し湯を行うことができ、湯温調整のための混合弁なしに高温足し湯回路を構成できる。

また、一実施形態の給湯装置では、
上記貯湯タンク内の湯水を沸き上げるヒートポンプユニットを備え、
上記ヒートポンプユニットにＨＦＣ冷媒を用いた。

上記実施形態によれば、ヒートポンプユニットにＨＦＣ冷媒を用いることによって、沸き上げ温度を効率よく５０℃〜７０℃にすることができ、貯湯タンクの上部からそのまま浴槽に高温の足し湯を行うのに好適である。

また、一実施形態の給湯装置では、
上記貯湯タンクと上記給湯回路と上記風呂給湯回路と上記高温足し湯回路を収容する貯湯ユニットを備え、
上記貯湯タンク内の湯水を沸き上げるための沸き上げ熱交換器を、上記貯湯ユニット内に配置した。

上記実施形態によれば、貯湯タンク内の湯水を沸き上げるための沸き上げ熱交換器を貯湯ユニットに内蔵しているので、熱源(ヒートポンプユニットなど)側に沸き上げ熱交換器が内蔵されている場合に比べて、熱源と貯湯ユニットとの間の配管での湯の放熱がなく、貯湯タンク内の湯水を効率よく沸き上げることができる。

以上より明らかなように、この発明によれば、貯湯タンクの上部から浴槽に高温の足し湯をするための高温足し湯回路を備えることによって、給湯温度に影響を与えることなく、風呂に高温の足し湯ができる給湯装置を実現することができる。

図１はこの発明の第１実施形態のヒートポンプ式の給湯装置の配管系統図である。 図２はこの発明の第２実施形態のヒートポンプ式の給湯装置の配管系統図である。

以下、この発明の給湯装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。

〔第１実施形態〕
図１はこの発明の第１実施形態のヒートポンプ式の給湯装置の配管系統図を示している。

この給湯装置は、図１に示すように、貯湯ユニット１と、上記貯湯ユニット１に接続されたヒートポンプユニット２を備えている。上記貯湯ユニット１は、貯湯タンク３と、沸き上げ熱交換器１０と、追い焚き熱交換器２０と、制御装置１００等を有する。

上記貯湯タンク３の下部に配管Ｌ１の一端を接続し、配管Ｌ１の他端を沸き上げ熱交換器１０の一端に接続している。また、上記沸き上げ熱交換器１０の他端を配管Ｌ２の一端に接続し、配管Ｌ２の他端を貯湯タンク３の上部に接続している。上記配管Ｌ１に沸き上げ用循環ポンプＰ１を配設している。上記配管Ｌ１,Ｌ２と沸き上げ熱交換器１０で沸き上げ用循環回路を構成している。

上記沸き上げ用循環ポンプＰ１を駆動することにより、貯湯タンク３内の湯水を、配管Ｌ１,沸き上げ熱交換器１０,配管Ｌ２を介して循環させる。

また、上記沸き上げ熱交換器１０を冷媒配管Ｌ３,Ｌ４を介してヒートポンプユニット２に接続している。上記ヒートポンプユニット２は、ＨＦＣ冷媒を用いており、沸き上げ熱交換器１０からの出湯温度を例えば５０℃〜７０℃の範囲で制御することが可能である。このヒートポンプユニット２に用いられるＨＦＣ冷媒としては、Ｒ３２、Ｒ１２５、Ｒ１３４ａ、Ｒ４０４Ａ、Ｒ４１０Ａ、Ｒ４０７Ｃなどがある。

次に、上記貯湯タンク３の下部に配管Ｌ１１を介して外部の給水管を接続している。この配管Ｌ１１に、減圧弁１１と逆止弁１２を上流側から順に配設している。この逆止弁１２は、給水管側から貯湯タンク３側への流れのみを許容する。

また、上記貯湯タンク３の上部に配管Ｌ２１の一端を接続し、配管Ｌ２１の他端を追い焚き熱交換器２０の１次側の入力に接続している。上記追い焚き熱交換器２０の１次側の出力に配管Ｌ２２の一端を接続し、配管Ｌ２２の他端を貯湯タンク３の下部に接続している。上記配管Ｌ２２に追い焚き用循環ポンプＰ２を配設している。

上記追い焚き用循環ポンプＰ２を駆動することにより、貯湯タンク３内の湯を、配管Ｌ２１,追い焚き熱交換器２０(１次側),配管Ｌ２２を介して循環させる。

また、上記貯湯タンク３の上部に配管Ｌ３１の一端を接続し、配管Ｌ３１の他端を給湯用混合弁２２の一方の入力側に接続している。上記配管Ｌ３１に、貯湯タンク３側から給湯用混合弁２２への流れのみを許容する逆止弁２１を配設している。また、給湯用混合弁２２の他方の入力側に、分岐配管Ｌ１２の一端を接続し、分岐配管Ｌ１２の他端を、配管Ｌ１１の減圧弁１１と逆止弁１２の間に接続している。上記分岐配管Ｌ１２に、配管Ｌ１１側から給湯用混合弁２２への流れのみを許容する逆止弁２３を配設している。

そして、上記給湯用混合弁２２の出力側に配管Ｌ３２の一端を接続し、配管Ｌ３２の他端を給湯栓６０(この実施形態では蛇口)に接続している。上記配管Ｌ３２に水量センサ２４を配設している。

上記分岐配管Ｌ１２と配管Ｌ３１と配管Ｌ３２と逆止弁２１と給湯用混合弁２２と逆止弁２３および水量センサ２４で給湯回路を構成している。

また、上記配管Ｌ３２の水量センサ２４の上流側に配管Ｌ３３の一端を接続し、配管Ｌ３３の他端を、浴槽４に設けられた接続アダプタ９の給湯口９aに接続している。この配管Ｌ３３の上流側から順に、湯張り用電磁弁２５と、逆流防止機構の一例としての逆止弁２６と、逆止弁２７と、水量センサ２８とを配設している。この逆止弁２６,２７は、給湯用混合弁２２側から浴槽４への流れのみを許容する。

上記配管Ｌ３３と湯張り用電磁弁２５と逆止弁２６,２７および水量センサ２８で、給湯回路の配管Ｌ３２から分岐して浴槽４に接続される風呂給湯回路を構成している。

上記接続アダプタ９の追焚用吸水口９bに配管Ｌ３５の一端を接続し、配管Ｌ３５の他端を追い焚き熱交換器２０の２次側の入力に接続している。上記配管Ｌ３５に風呂用循環ポンプＰ３を配設している。また、配管Ｌ３３の水量センサ２８よりも下流側に配管Ｌ３４の一端を接続し、配管Ｌ３４の他端を追い焚き熱交換器２０の２次側の出力に接続している。

上記風呂用循環ポンプＰ３により、浴槽４内の湯水を、配管Ｌ３５,追い焚き熱交換器２０(２次側),配管Ｌ３４,配管Ｌ３３(一部)を介して循環させる。

上記配管Ｌ３５,追い焚き熱交換器２０(２次側),配管Ｌ３４,配管Ｌ３３(一部)で風呂循環回路を構成している。

また、上記配管Ｌ３１の貯湯タンク３の上部と逆止弁２１との間に高温足し湯用配管Ｌ５０の一端を接続し、その高温足し湯用配管Ｌ５０の他端を、配管Ｌ３３の湯張り用電磁弁２５と逆止弁２６との間に接続している。上記高温足し湯用配管Ｌ５０に高温足し湯用電磁弁５０を配設している。

上記高温足し湯用配管Ｌ５０と高温足し湯用電磁弁５０で高温足し湯回路を構成している。

さらに、上記配管Ｌ２１に配管Ｌ４１の一端を接続し、配管Ｌ４１の他端を排水口に接続している。また、上記配管Ｌ４１に逃し弁３１を配設している。この配管Ｌ４１の逃し弁３１の下流側に配管Ｌ４２の一端を接続し、配管Ｌ４２の他端を配管Ｌ３３の逆止弁２６と逆止弁２７との間に接続している。上記配管Ｌ４２に排水弁２９を配設している。

上記貯湯タンク３には、下側から上側に向かって略等間隔に４つの温度センサＴ１〜Ｔ４を設けている。また、配管Ｌ１に入水温度を検出する温度センサＴ１１を設けると共に、配管Ｌ２に出湯温度を検出する温度センサＴ１２を設けている。また、沸き上げ熱交換器１０に温度センサＴ１３を設けている。また、給湯栓６０に接続された配管Ｌ３２には、水量センサ２４よりも下流側に給湯温度を検出する温度センサＴ２１を設けている。また、浴槽４に接続された配管Ｌ３５には、浴槽４側の接続アダプタ９と風呂用循環ポンプＰ３との間に、水位センサＬＳと、水流スイッチＳＷと、温度センサＴ２３を接続アダプタ９側から順に設けている。さらに、浴槽４に接続された配管Ｌ３３の水量センサ２８の下流側に、浴槽４に供給される湯温を検出する温度センサＴ２２を設けている。

また、上記給湯装置は、マイクロコンピュータと入出力回路などからなる制御装置１００と、上記制御装置１００との間で信号を送受信するリモートコントローラ２００とを備えている。上記制御装置１００は、温度センサＴ１〜Ｔ４,Ｔ１１〜Ｔ１３,Ｔ２１〜Ｔ２３と水位センサＬＳと水流スイッチＳＷと水量センサ２４,２８と外気温度センサ(図示せず)およびリモートコントローラ２００などからの信号を受けて、ヒートポンプユニット２と沸き上げ用循環ポンプＰ１と追い焚き用循環ポンプＰ２と風呂用循環ポンプＰ３と給湯用混合弁２２と湯張り用電磁弁２５と高温足し湯用電磁弁５０を制御する。

また、上記制御装置１００は、貯湯タンク３内の湯水を沸き上げる運転を制御する沸き上げ制御部１００aと、給湯栓６０への給湯温度を制御する給湯制御装置１００bと、「風呂湯張り運転」などを含む浴槽４への注湯運転を制御する注湯制御部１００cとを有する。

上記構成の給湯装置において、給湯制御装置１００bは、温度センサＴ２１により検出された給湯温度が給湯設定温度になるように、給湯用混合弁２２の混合比率を制御する。

<沸き上げ運転>
上記ヒートポンプユニット２により貯湯タンク３内の湯水を沸き上げる「沸き上げ運転」では、制御装置１００の沸き上げ制御部１００aにより沸き上げ用循環ポンプＰ１を運転して、貯湯タンク３内の湯水を、配管Ｌ１,沸き上げ熱交換器１０,配管Ｌ２を介して循環させる。

上記沸き上げ制御部１００aは、沸き上げ運転時、温度センサＴ１２により検出された出湯温度が目標出湯温度ＴＳになるように、ヒートポンプユニット２と沸き上げ用循環ポンプＰ１を制御する。ここで、目標出湯温度ＴＳは、貯湯タンク３から給湯される湯量などに基づいて制御装置１００で算出される。例えば、使用される湯量が多い場合、目標出湯温度ＴＳは例えば７０℃と高くなり、使用される湯量が少ない場合、目標出湯温度ＴＳは例えば５０℃と低くなる。

<風呂湯張り運転>
次に、上記貯湯タンク３から風呂の浴槽４内に給湯する「風呂湯張り運転」を行う場合、制御装置１００の注湯制御部１００cにより湯張り用電磁弁２５を開いて、貯湯タンク３内の湯が給湯用混合弁２２と風呂給湯回路(Ｌ３３,２５,２６,２７,２８)を介して浴槽４内に供給される。このとき、注湯制御部１００cは、給湯用混合弁２２を制御して、目標設定温度に基づいて、貯湯タンク３からの高温の湯と外部からの給水とを混合すると共に、水位センサＬＳにより検出された浴槽４内の水位が設定水位になると、湯張り用電磁弁２５を閉じる。

<高温足し湯運転>
上記貯湯タンク３から風呂の浴槽４内に高温の足し湯をする「高温足し湯運転」を行う場合、湯張り用電磁弁２５を閉じた状態で制御装置１００の注湯制御部１００cにより高温足し湯用電磁弁５０を開いて、貯湯タンク３の上部の高温の湯が高温足し湯回路(Ｌ５０,５０)を介して浴槽４内に供給される。このとき、制御装置１００は、水量センサ２８により検出された高温足し湯時の水量が所定の設定水量になると、高温足し湯用電磁弁５０を閉じる。

この高温足し湯運転により、浴槽４への高温の湯を追加することにより浴槽４内の湯温を上昇させる。

上記構成の給湯装置によれば、給湯回路(Ｌ１２,Ｌ３１,Ｌ３２,２１〜２４)や風呂給湯回路(Ｌ３３,２５,２６,２７,２８)とは別に、貯湯タンク３の上部から浴槽４に高温の足し湯をするための高温足し湯回路(Ｌ５０,５０)を備え、その高温足し湯回路(Ｌ５０,５０)の下流側を風呂給湯回路(Ｌ３３,２５,２６,２７,２８)の途中に接続したことによって、貯湯タンク３の上部から給湯用混合弁２２を介して所望の温度の湯を上記給湯回路により給湯していても、上記高温足し湯回路で貯湯タンク３の上部から浴槽４に高温の湯を足すので、給湯回路の給湯温度に影響を与えることなく、風呂の浴槽４内に高温の足し湯を行うことができる。

したがって、高温足し湯中に給湯栓(シャワーなど)を開いても、給湯温度に影響を与えない。

また、上記高温足し湯回路が高温足し湯用電磁弁５０を有することによって、給湯回路による給湯動作に関わらず、高温足し湯用電磁弁５０で高温足し湯回路を開閉することにより浴槽４への高温足し湯を制御できる。

また、上記風呂給湯回路の湯張り用電磁弁２５の下流側に高温足し湯用配管Ｌ５０の下流側を接続することによって、湯張り用電磁弁２５を閉じて高温足し湯ができる。そのため、高温足し湯の際に給湯用混合弁２２からの湯(４０℃程度)が混合されることがなく、高温足し湯の温度が下がらない。また、風呂給湯回路の湯張り用電磁弁２５の下流側の部分を高温足し湯に兼用することができ、回路構成を簡略化できる。

また、上記風呂給湯回路の逆流防止機構(逆止弁２６)の上流側に高温足し湯用配管Ｌ５０の下流側を接続することによって、風呂給湯回路の逆流防止機構(逆止弁２６)を高温足し湯回路の逆流防止に兼用することができる。

また、上記貯湯タンク３内の湯水の沸き上げ温度を５０℃〜７０℃とすることによって、一般的な高温足し湯時に使用する６０℃前後で貯湯タンク３の上部からそのまま浴槽に足し湯を行うことができ、湯温調整のための混合弁なしに高温足し湯回路を構成できる。

また、上記ヒートポンプユニット２にＨＦＣ冷媒を用いることによって、沸き上げ温度を効率よく５０℃〜７０℃にすることができ、貯湯タンク３の上部からそのまま浴槽に高温の足し湯を行うのに好適である。

また、上記沸き上げ熱交換器１０を貯湯ユニット１に内蔵しているので、ヒートポンプユニット側に沸き上げ熱交換器が内蔵されている場合に比べて、ヒートポンプユニット２と貯湯ユニット１との間の配管での湯の放熱がなく、貯湯タンク３内の湯水を効率よく沸き上げることができる。

上記第１実施形態では、高温足し湯用配管Ｌ５０と高温足し湯用電磁弁５０で構成された高温足し湯回路を用いたが、高温足し湯回路はこれに限らず、給湯回路の一部を介さずに貯湯タンク３の上部に高温足し湯用配管の一端を接続し、その高温足し湯用配管の他端を、配管Ｌ３３の湯張り用電磁弁２５と逆止弁２６との間に接続してもよいし、貯湯タンク３の上部と浴槽４とを高温足し湯用配管で直接接続してもよい。

〔第２実施形態〕
図２はこの発明の第２実施形態のヒートポンプ式の給湯装置の配管系統図を示している。この第２実施形態の給湯装置は、高温足し湯回路と制御装置の動作を除いて第１実施形態の給湯装置と同一の構成をしており、同一構成部には同一参照番号を付している。以下、第１実施形態の給湯装置と異なる点について説明する。

上記第１実施形態の給湯装置では、配管Ｌ３３の湯張り用電磁弁２５と逆止弁２６との間に高温足し湯用配管Ｌ５０の他端を接続して、高温足し湯用配管Ｌ５０に高温足し湯用電磁弁５０を配設していたのに対して、この第２実施形態の給湯装置では、図２に示すように、配管Ｌ３１の貯湯タンク３の上部と逆止弁２１との間に高温足し湯用配管Ｌ１５０の一端を接続し、その高温足し湯用配管Ｌ１５０の他端を、配管Ｌ３３に配設された三方弁１５０に接続している。また、第２実施形態の給湯装置の高温足し湯用配管Ｌ１５０には、流量調整用電磁弁を配設しない。

上記給湯装置では、高温足し湯用配管Ｌ１５０と三方弁１５０で高温足し湯回路を構成している。

上記構成の給湯装置は、貯湯タンク３の上部から給湯用混合弁２２を介して所望の温度の湯を給湯回路(Ｌ１２,Ｌ３１,Ｌ３２,２１〜２４)により給湯していても、高温足し湯回路(Ｌ５０,１５０)で貯湯タンク３の上部から浴槽４に高温の足し湯が行えるので、給湯回路の給湯温度に影響を与えることなく、風呂の浴槽４内に高温の足し湯を行うことができる。

また、上記貯湯タンク３の上部から風呂給湯回路を介して浴槽４に給湯するか、または、貯湯タンク３の上部から高温足し湯回路を介して浴槽４に足し湯するかを三方弁１５０によって切り換えるので、簡単な構成で風呂の浴槽４内に高温の足し湯を行うことができる。

また、上記風呂給湯回路の湯張り用電磁弁２５の上流側に三方弁１５０を配設することによって、湯張り用電磁弁２５を高温足し湯回路を開閉する電磁弁に兼用することができる。

上記第２実施形態では、高温足し湯用配管Ｌ１５０と三方弁１５０で構成された高温足し湯回路を用いたが、高温足し湯回路はこれに限らず、貯湯タンク３の上部に高温足し湯用配管の一端を接続し、その高温足し湯用配管の他端を三方弁１５０に接続してもよい。

上記第１,第２実施形態では、熱源としてヒートポンプユニット２を用いた給湯装置について説明したが、熱源はこれに限らず、ボイラーなどの他の熱源により貯湯タンク内の湯水を沸き上げる給湯装置でもよい。

また、上記第１,第２実施形態では、ヒートポンプユニット２にＨＦＣ冷媒を用いたが、ヒートポンプユニットに用いる冷媒はこれに限らず、ＣＯ^２冷媒や他の冷媒を用いてもよい。

この発明の具体的な実施の形態について説明したが、この発明は上記第１,第２実施形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内で種々変更して実施することができる。

１…貯湯ユニット
２…ヒートポンプユニット
３…貯湯タンク
４…浴槽
９…接続アダプタ
９a…給湯口
９b…追焚用吸水口
１０…沸き上げ熱交換器
１１,１２,２１,２３,２６,２７…逆止弁
２０…追い焚き熱交換器
２２…給湯用混合弁
２４,２８…水量センサ
２５…湯張り用電磁弁
２９…排水弁
３１…逃し弁
５０…高温足し湯用電磁弁
６０…給湯栓
１００…制御装置
１００a…沸き上げ制御部
１００b…給湯制御部
１００c…注湯制御部
１５０…三方弁
２００…リモートコントローラ
Ｌ１,Ｌ２,Ｌ１１,Ｌ２１,Ｌ２２,Ｌ３１〜Ｌ３５,Ｌ４１,Ｌ４２…配管
Ｌ３,Ｌ４…冷媒配管
Ｌ１２…分岐配管
Ｌ５０,Ｌ１５０…高温足し湯用配管
ＬＳ…水位センサ
Ｐ１…沸き上げ用循環ポンプ
Ｐ２…追い焚き用循環ポンプ
Ｐ３…風呂用循環ポンプ
ＳＷ…水流スイッチ
Ｔ１〜Ｔ４,Ｔ１１〜Ｔ１３,Ｔ２１〜Ｔ２３…温度センサ

Claims (9)

1. 貯湯タンク(３)の上部から混合弁(２２)を介して所望の温度の湯を給湯するための給湯回路(Ｌ１２,Ｌ３１,Ｌ３２,２１〜２４)と、
   上記給湯回路(Ｌ１２,Ｌ３１,Ｌ３２,２１〜２４)から分岐して浴槽に接続される風呂給湯回路(Ｌ３３,２５,２６,２７,２８)と、
   上記貯湯タンク(３)の上部から上記浴槽に高温の足し湯をするための高温足し湯回路(Ｌ５０,５０,Ｌ１５０,１５０)を備え、
   上記高温足し湯回路(Ｌ５０,５０,Ｌ１５０,１５０)の下流側が上記風呂給湯回路(Ｌ３３,２５,２６,２７,２８)の途中に接続されていることを特徴とする給湯装置。
2. 請求項１に記載の給湯装置において、
   上記高温足し湯回路(Ｌ５０,５０)は高温足し湯用電磁弁(５０)を有することを特徴とする給湯装置。
3. 請求項２に記載の給湯装置において、
   上記風呂給湯回路(Ｌ３３,２５,２６,２７,２８)は湯張り用電磁弁(２５)を有し、
   上記高温足し湯回路(Ｌ５０,５０)の下流側は、上記風呂給湯回路(Ｌ３３,２５,２６,２７,２８)の上記湯張り用電磁弁(２５)の下流側に接続されていることを特徴とする給湯装置。
4. 請求項２または３に記載の給湯装置において、
   上記風呂給湯回路(Ｌ３３,２５,２６,２７,２８)は、上記浴槽側への流れのみを許容する逆流防止機構(２６)を有し、
   上記高温足し湯回路(Ｌ５０,５０)の下流側は、上記風呂給湯回路(Ｌ３３,２５,２６,２７,２８)の上記逆流防止機構(２６)の上流側に接続されていることを特徴とする給湯装置。
5. 請求項１に記載の給湯装置において、
   上記高温足し湯回路(Ｌ１５０,１５０)は、上記貯湯タンク(３)の上部から上記風呂給湯回路(Ｌ３３,２５,２６,２７,２８)を介して上記浴槽に給湯するか、または、上記貯湯タンク(３)の上部から上記高温足し湯回路(Ｌ１５０,１５０)を介して上記浴槽に足し湯するかを切り換える三方弁(１５０)を有することを特徴とする給湯装置。
6. 請求項５に記載の給湯装置において、
   上記風呂給湯回路(Ｌ３３,２５,２６,２７,２８)は湯張り用電磁弁(２５)を有し、
   上記三方弁(１５０)は、上記風呂給湯回路(Ｌ３３,２５,２６,２７,２８)の上記湯張り用電磁弁(２５)の上流側に配設されていることを特徴とする給湯装置。
7. 請求項１から６までのいずれか１つに記載の給湯装置において、
   上記貯湯タンク(３)内の湯水の沸き上げ温度が５０℃〜７０℃であることを特徴とする給湯装置。
8. 請求項１から７までのいずれか１つに記載の給湯装置において、
   上記貯湯タンク(３)内の湯水を沸き上げるヒートポンプユニット(２)を備え、
   上記ヒートポンプユニット(２)にＨＦＣ冷媒を用いたことを特徴とする給湯装置。
9. 請求項１から８までのいずれか１つに記載の給湯装置において、
   上記貯湯タンク(３)と上記給湯回路(Ｌ１２,Ｌ３１,Ｌ３２,２１〜２４)と上記風呂給湯回路(Ｌ３３,２５,２６,２７,２８)と上記高温足し湯回路(Ｌ５０,５０,Ｌ１５０,１５０)を収容する貯湯ユニット(１)を備え、
   上記貯湯タンク(３)内の湯水を沸き上げるための沸き上げ熱交換器(１０)を、上記貯湯ユニット(１)内に配置したことを特徴とする給湯装置。

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