JP2015126534A - Piezoelectric oscillator - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric oscillator which can be reduced in size.SOLUTION: An oscillator 1 includes a substrate 5, a vibration element 7 mounted on the substrate 5, and an integrated circuit element 9 that is mounted on the substrate 5 and includes an oscillation circuit. The substrate 5 is a single-layer substrate, and includes: an insulating substrate 13; external terminals 3A to 3D provided on the insulating substrate 13; a second interconnection that is provided in a layered state on a first main surface 13a of the insulating substrate 13 and connects the integrated circuit element 9 and the vibration element 7; an insulating layer partly covering the second interconnection; and a first interconnection that is provided in a layered state astride the first main surface 13a of the insulating substrate 13 and the insulating layer, three-dimensionally intersects with the second interconnection with the insulating layer interposed therebetween, and connects the external terminals 3A to 3D with the integrated circuit element 9.

Description

本発明は、圧電発振器に関する。   The present invention relates to a piezoelectric oscillator.

圧電発振器として、基板と、基板の一方の主面に実装された振動素子と、前記一方の主面に実装された集積回路素子とを有するものが知られている(例えば特許文献1)。特許文献1の基板は、セラミック多層基板により構成されている。基板の外部端子、振動素子及び集積回路素子は、セラミック多層基板の外層導体、内層導体、ビア導体等により互いに接続されている。   A piezoelectric oscillator having a substrate, a vibration element mounted on one main surface of the substrate, and an integrated circuit element mounted on the one main surface is known (for example, Patent Document 1). The board | substrate of patent document 1 is comprised by the ceramic multilayer substrate. The external terminal, the vibration element, and the integrated circuit element of the substrate are connected to each other by an outer layer conductor, an inner layer conductor, a via conductor, and the like of the ceramic multilayer substrate.

特開2011−199577号公報JP 2011-199577 A

圧電発振器においては更なる小型化が要求されており、そのような要求に応えられる圧電発振器が提供されることが望ましい。   Piezoelectric oscillators are required to be further miniaturized, and it is desirable to provide a piezoelectric oscillator that can meet such demands.

本発明の圧電発振器は、基板と、前記基板に実装された振動素子と、前記基板に実装された、発振回路を含む集積回路素子と、を有し、前記基板は、単層基板からなり、絶縁基板と、前記絶縁基板に設けられた外部端子と、前記絶縁基板の主面に層状に設けられ、前記外部端子と前記集積回路素子とを接続する、又は、前記集積回路素子と前記振動素子とを接続する下側配線と、前記下側配線を部分的に覆う絶縁層と、前記絶縁基板の主面上及び前記絶縁層上に跨って層状に設けられ、前記絶縁層を介して前記下側配線と立体交差し、前記外部端子と前記集積回路素子とを接続する、又は、前記集積回路素子と前記振動素子とを接続する上側配線と、を有する。   The piezoelectric oscillator of the present invention includes a substrate, a vibration element mounted on the substrate, and an integrated circuit element including an oscillation circuit mounted on the substrate, and the substrate is a single layer substrate, An insulating substrate; an external terminal provided on the insulating substrate; and a layer formed on a main surface of the insulating substrate to connect the external terminal and the integrated circuit element, or the integrated circuit element and the vibration element. A lower wiring that connects the lower wiring, an insulating layer that partially covers the lower wiring, a main surface of the insulating substrate, and a layer straddling the insulating layer, and the lower wiring via the insulating layer And an upper wiring that crosses the side wiring and connects the external terminal and the integrated circuit element, or connects the integrated circuit element and the vibration element.

好適には、前記下側配線は、前記集積回路素子と前記振動素子とを接続する配線であり、前記上側配線は、前記外部端子と前記集積回路素子とを接続する配線である。   Preferably, the lower wiring is a wiring that connects the integrated circuit element and the vibration element, and the upper wiring is a wiring that connects the external terminal and the integrated circuit element.

好適には、前記発振器は、前記基板の主面上に配置され、前記振動素子を封止するキャップを有し、前記下側配線は、前記キャップの内外に亘って延びており、前記絶縁層は、前記下側配線と前記キャップとの間にも介在している。   Preferably, the oscillator includes a cap that is disposed on a main surface of the substrate and seals the vibration element, and the lower wiring extends inside and outside the cap, and the insulating layer Is also interposed between the lower wiring and the cap.

好適には、前記発振器は、前記基板の主面に配置され、前記振動素子を封止するキャップを有し、前記絶縁層は、前記下側配線のうち前記キャップの外側且つ前記集積回路素子に重ならない部分の半分以上を覆っている。   Preferably, the oscillator includes a cap that is disposed on a main surface of the substrate and seals the vibration element, and the insulating layer is formed on the outside of the cap and on the integrated circuit element of the lower wiring. Covers more than half of the non-overlapping parts.

好適には、2つの前記下側配線に対して1つの前記上側配線が立体交差して2つの立体交差部が構成されており、前記絶縁層は、前記2つの立体交差部及びその間に亘って延びており、前記1つの上側配線は、前記2つの立体交差部及びその間に亘って前記絶縁層に重なっている。   Preferably, the one upper wiring is three-dimensionally crossed with respect to the two lower wirings to form two three-dimensional intersections, and the insulating layer includes the two three-dimensional intersections and the space therebetween. The one upper wiring is overlapped with the two three-dimensional intersections and the insulating layer therebetween.

好適には、前記基板は、前記絶縁基板の外周面に設けられ、一方の主面から他方の主面まで延びる表裏接続導体を更に有し、前記絶縁層は、前記表裏接続導体も覆っている。   Preferably, the substrate further includes a front and back connection conductor provided on an outer peripheral surface of the insulating substrate and extending from one main surface to the other main surface, and the insulating layer also covers the front and back connection conductors. .

好適には、前記絶縁層はガラスからなる。   Preferably, the insulating layer is made of glass.

上記の構成によれば、圧電発振器の小型化を実現することができる。   According to said structure, size reduction of a piezoelectric oscillator is realizable.

本発明の実施形態に係る圧電発振器の構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the piezoelectric oscillator which concerns on embodiment of this invention. 図1の圧電発振器の分解斜視図。The disassembled perspective view of the piezoelectric oscillator of FIG. 図2のIII−III線における圧電発振器の断面図。Sectional drawing of the piezoelectric oscillator in the III-III line | wire of FIG. 図1の圧電発振器の基板の下側配線層を示す図。The figure which shows the lower wiring layer of the board | substrate of the piezoelectric oscillator of FIG. 図4に加えて絶縁層を示す図。The figure which shows an insulating layer in addition to FIG. 図5に加えて上側配線層を示す図。The figure which shows an upper side wiring layer in addition to FIG. 図1の圧電発振器の基板の上面を示す図。The figure which shows the upper surface of the board | substrate of the piezoelectric oscillator of FIG. 図8(a)〜図8(c)は、図7のVIIIa−VIIIa線、VIIIb−VIIIb線、VIIIc−VIIIc線における断面図。8A to 8C are cross-sectional views taken along lines VIIIa-VIIIa, VIIIb-VIIIb, and VIIIc-VIIIc in FIG. 図1の圧電発振器の製造方法の手順の一例を示すフローチャートである。3 is a flowchart illustrating an example of a procedure of a method for manufacturing the piezoelectric oscillator of FIG. 1. 図10(a)は変形例に係る基板角部を示す斜視図、図10(b)及び図10(c)は図10(a)の変形例に係る基板角部の断面図。FIG. 10A is a perspective view showing a corner portion of the substrate according to the modified example, and FIGS. 10B and 10C are sectional views of the corner portion of the substrate according to the modified example of FIG.

以下、本発明の実施形態に係る発振器について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。   Hereinafter, an oscillator according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings used in the following description are schematic, and the dimensional ratios and the like on the drawings do not necessarily match the actual ones.

また、同様若しくは類似する構成については、同一の符号を付すことがある。この場合において、「外部端子3」を「外部端子3A」「外部端子3B」とするなど、符号に大文字のアルファベットを付加して、同様若しくは互いに類似する構成を互いに区別することがある。   Moreover, the same code | symbol may be attached | subjected about the same or similar structure. In this case, the same or similar configurations may be distinguished from each other by adding capital letters to the reference numerals such as “external terminal 3” as “external terminal 3A” and “external terminal 3B”.

図1は、本発明の実施形態に係る発振器1の構成を示す斜視図である。なお、図1では、発振器1の上方側の一部の構成を点線で示し、発振器1の内部を実線で示している。   FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of an oscillator 1 according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a part of the configuration on the upper side of the oscillator 1 is indicated by a dotted line, and the inside of the oscillator 1 is indicated by a solid line.

なお、発振器1は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下の実施形態では、便宜的に、直交座標系xyzを定義するとともに、z方向の正側を上方として、上面、下面等の語を用いることがある。   Note that the oscillator 1 may have either direction upward or downward, but in the following embodiments, for convenience, the orthogonal coordinate system xyz is defined and the positive side in the z direction is defined as the upward direction. , Upper surface, lower surface, etc. may be used.

発振器1は、例えば、全体として、概略、薄型の直方体状に形成されている。その下面には、複数(本実施形態では4つ)の外部端子3が露出している(図2も参照)。発振器1は、例えば、下面を不図示の回路基板に対向させ、回路基板上に設けられたパッドと4つの外部端子3とが半田等により固定されることにより回路基板に実装される。   For example, the oscillator 1 is generally formed in a thin, rectangular parallelepiped shape as a whole. A plurality (four in this embodiment) of external terminals 3 are exposed on the lower surface (see also FIG. 2). The oscillator 1 is mounted on a circuit board, for example, with a lower surface facing a circuit board (not shown) and pads provided on the circuit board and four external terminals 3 are fixed by soldering or the like.

4つの外部端子3のうち3つは、例えば、基準電位が付与されるGND端子、駆動電位が付与されるVcc端子(基準電位との電位差で直流電力が供給される端子)、発振器1が生成する発振信号を出力するOutput端子である。残りの一つは、例えば、発振器1からの発振信号の出力及びその停止を制御する信号が入力されるE/D端子、又は、発振信号の周波数を制御する周波数調整信号が入力されるVcon端子である。   Three of the four external terminals 3 are generated by, for example, a GND terminal to which a reference potential is applied, a Vcc terminal to which a drive potential is applied (a terminal to which DC power is supplied by a potential difference from the reference potential), and an oscillator 1 An output terminal for outputting an oscillation signal to be output. The remaining one is, for example, an E / D terminal to which a signal for controlling the output and stop of the oscillation signal from the oscillator 1 is input, or a Vcon terminal to which a frequency adjustment signal for controlling the frequency of the oscillation signal is input. It is.

このように、全ての外部端子3は、製品としての発振器1の動作に必要な信号(電位)の入力又は出力に供されている。すなわち、発振器1は、その製造工程においてのみ利用される外部端子を有していない。外部端子3の具体的な配置及び形状等については後述する。   As described above, all the external terminals 3 are used for inputting or outputting signals (potentials) necessary for the operation of the oscillator 1 as a product. That is, the oscillator 1 does not have an external terminal that is used only in the manufacturing process. The specific arrangement and shape of the external terminal 3 will be described later.

なお、いずれの外部端子3にいずれの機能の端子が割り振られてもよいが、一例として、外部端子3AはVcon端子、外部端子3BはGND端子、外部端子3CはOutput端子、外部端子3DはVcc端子である。   Note that any function terminal may be assigned to any external terminal 3, but as an example, the external terminal 3A is a Vcon terminal, the external terminal 3B is a GND terminal, the external terminal 3C is an output terminal, and the external terminal 3D is Vcc. Terminal.

図2は、発振器1の分解斜視図(ただし、一部の部材は省略)であり、図3は、図2のIII−III線における発振器1の断面図である。   2 is an exploded perspective view of the oscillator 1 (however, some members are omitted), and FIG. 3 is a cross-sectional view of the oscillator 1 taken along line III-III in FIG.

図1〜図3に示すように、発振器1は、例えば、基板5と、基板5に実装された振動素子7(図2及び図3)と、基板5に実装された集積回路素子9と、振動素子7を覆うキャップ11と、集積回路素子9等を封止する封止樹脂12(図1及び図3において点線で示す)とを有している。   As shown in FIGS. 1 to 3, the oscillator 1 includes, for example, a substrate 5, a vibration element 7 (FIGS. 2 and 3) mounted on the substrate 5, an integrated circuit element 9 mounted on the substrate 5, A cap 11 covering the vibration element 7 and a sealing resin 12 (shown by dotted lines in FIGS. 1 and 3) for sealing the integrated circuit element 9 and the like are provided.

上述した外部端子3は、基板5に設けられており、集積回路素子9と接続されている。集積回路素子9は、基板5を介して振動素子7と接続されており、振動素子7に電圧を印加することにより発振信号を生成する。キャップ11は振動素子7を封止しており、封止樹脂12は振動素子7を封止しているキャップ11および集積回路素子7を封止している。これら各部材の具体的構成は、以下のとおりである。   The external terminal 3 described above is provided on the substrate 5 and connected to the integrated circuit element 9. The integrated circuit element 9 is connected to the vibration element 7 via the substrate 5, and generates an oscillation signal by applying a voltage to the vibration element 7. The cap 11 seals the vibration element 7, and the sealing resin 12 seals the cap 11 and the integrated circuit element 7 sealing the vibration element 7. Specific configurations of these members are as follows.

基板5は、いわゆる単層基板により構成されている。ここで、単層基板とは、絶縁基板の一方の主面又は両主面のみに、これら主面に平行な導電層を有しており、絶縁基板の内部には、主面に平行な導電層を有していないものをいう。単層基板は、両主面の導電層を互いに接続するために、絶縁基板の厚み方向に延びる導体(導電層でもよい)を絶縁基板の側面又は内部に有していてもよい。このため、基板5の内部に主面と平行な導電層を設ける必要がないので、当該導電層の厚みの分について基板5を薄型化することができる。   The substrate 5 is configured by a so-called single layer substrate. Here, the single-layer substrate has a conductive layer parallel to these principal surfaces only on one principal surface or both principal surfaces of the insulation substrate, and the insulation substrate has a conductive layer parallel to the principal surface. The one that does not have a layer. The single-layer substrate may have a conductor (which may be a conductive layer) extending in the thickness direction of the insulating substrate on the side surface or inside of the insulating substrate in order to connect the conductive layers on both main surfaces to each other. For this reason, since it is not necessary to provide a conductive layer parallel to the main surface inside the substrate 5, the substrate 5 can be thinned for the thickness of the conductive layer.

本実施形態では、特に図1及び図2に示されているように、基板5は、絶縁基板13と、絶縁基板13の一方の主面(第1主面13a)に設けられた第1導電層15Aと、絶縁基板13の他方の主面(第2主面13b)に設けられた第2導電層15Bと、第1導電層15Aと第2導電層15Bとを接続する複数(本実施形態では4つ)の表裏接続導体17とを有している。   In the present embodiment, as particularly shown in FIGS. 1 and 2, the substrate 5 includes an insulating substrate 13 and a first conductive surface provided on one main surface (first main surface 13 a) of the insulating substrate 13. A plurality of layers (this embodiment) connecting the layer 15A, the second conductive layer 15B provided on the other main surface (second main surface 13b) of the insulating substrate 13, and the first conductive layer 15A and the second conductive layer 15B. 4) front and back connection conductors 17 are provided.

絶縁基板13は、例えば、可撓性を有していない。すなわち、基板5は、いわゆるリジッド式の回路基板である。また、絶縁基板13の材料は、例えば、主としてセラミック又は樹脂である。絶縁基板13の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、概ね矩形である。   The insulating substrate 13 does not have flexibility, for example. That is, the substrate 5 is a so-called rigid circuit substrate. The material of the insulating substrate 13 is mainly ceramic or resin, for example. The planar shape of the insulating substrate 13 may be set as appropriate, but is, for example, generally rectangular.

第1導電層15Aは、図2に特に示されているように、振動素子7が搭載される1対の振動素子用パッド19と、集積回路素子9が接続される複数(本実施形態では4つ)の第1集積回路素子用パッド21及び1対の第2集積回路素子用パッド23と、これらパッド及び表裏接続導体17とを接続する複数の配線とを含んでいる。これらパッド及び配線の具体的な位置及び形状については後述する。   As shown particularly in FIG. 2, the first conductive layer 15A includes a plurality of (four in the present embodiment) to which the pair of vibration element pads 19 on which the vibration element 7 is mounted and the integrated circuit element 9 are connected. A first integrated circuit element pad 21, a pair of second integrated circuit element pads 23, and a plurality of wirings connecting the pads and the front and back connection conductors 17. Specific positions and shapes of these pads and wiring will be described later.

第2導電層15Bは、既述の複数の外部端子3Bを含んでいる。   The second conductive layer 15B includes the plurality of external terminals 3B described above.

複数の表裏接続導体17は、例えば、基板5の外周面(より詳細には、本実施形態では角部)に形成された基板5の厚み方向に延びる溝(キャスタレーション)の内面に形成された導電層により構成されている。   The plurality of front and back connecting conductors 17 are formed, for example, on the inner surface of a groove (castellation) extending in the thickness direction of the substrate 5 formed on the outer peripheral surface of the substrate 5 (more specifically, the corner in this embodiment). It is composed of a conductive layer.

第1導電層15A、第2導電層15B及び表裏接続導体17は、例えば、Cu,Al等の金属により形成されている。なお、これらは、互いに異なる材料及び厚みで形成されてよい。さらに、第1導電層15A内においてパッドと配線とで材料や厚みが異なるなどしてもよい。例えば、配線は、Cu層からなり、パッドは、Cu層にニッケルめっき及び金めっきが施されて構成されてよい。   The first conductive layer 15A, the second conductive layer 15B, and the front / back connection conductor 17 are made of, for example, a metal such as Cu or Al. These may be formed of materials and thicknesses different from each other. Further, the material and thickness may be different between the pad and the wiring in the first conductive layer 15A. For example, the wiring may be formed of a Cu layer, and the pad may be configured by performing nickel plating and gold plating on the Cu layer.

振動素子7の構成は、公知の構成とされてよい。例えば、振動素子7は、図2及び図3に示すように、平板状に形成された圧電体25と、圧電体25の両主面に設けられた1対の励振電極27(図2。一方の励振電極27は圧電体25に隠れて不図示)と、1対の励振電極27に接続された1対の引出電極29とを有している。   The configuration of the vibration element 7 may be a known configuration. For example, as shown in FIGS. 2 and 3, the vibration element 7 includes a piezoelectric body 25 formed in a flat plate shape and a pair of excitation electrodes 27 (FIG. 2. One side) provided on both main surfaces of the piezoelectric body 25. The excitation electrode 27 includes a pair of extraction electrodes 29 connected to the pair of excitation electrodes 27 (not shown) hidden behind the piezoelectric body 25.

圧電体25は、例えば、水晶により構成されており、その平面形状は長方形とされている。1対の励振電極27は、圧電体25の主面の比較的広い範囲を覆う層状電極であり、その平面形状は矩形とされている。1対の引出電極29は、例えば、圧電体25の長手方向の一端において、短手方向に並んで設けられている。   The piezoelectric body 25 is made of, for example, quartz, and its planar shape is rectangular. The pair of excitation electrodes 27 are layered electrodes that cover a relatively wide range of the main surface of the piezoelectric body 25, and the planar shape thereof is rectangular. For example, the pair of extraction electrodes 29 are provided side by side in the lateral direction at one end in the longitudinal direction of the piezoelectric body 25.

振動素子7は、例えば、導電性接着剤31(図3)によって1対の引出電極29と1対の振動素子用パッド19とが固定されることにより、基板5に実装される。振動素子7は、例えば、1対の引出電極29が設けられている側の端部を、振動素子7及び集積回路素子9の並び方向に交差(より詳細には直交)する方向(y方向)へ向けて配置される。   For example, the vibration element 7 is mounted on the substrate 5 by fixing the pair of extraction electrodes 29 and the pair of vibration element pads 19 by the conductive adhesive 31 (FIG. 3). The vibration element 7 has, for example, a direction (y direction) in which the end portion on the side where the pair of extraction electrodes 29 is provided intersects (more specifically, intersects) the arrangement direction of the vibration element 7 and the integrated circuit element 9. Placed towards the.

集積回路素子9は、GND端子及びVcc端子(外部端子3)から直流電力が供給されて動作する。また、集積回路素子9は、振動素子7に電圧を印加することによって生成した所定の周波数の発振信号をOutput端子(外部端子3)から出力する。また、集積回路素子9は、E/D端子(外部端子3)からの信号に基づいて発振信号のOutput端子からの出力を許容又は禁止する、または、Vcon端子(外部端子3)からの信号に基づいて発振信号の周波数を調整する。   The integrated circuit element 9 operates by being supplied with DC power from the GND terminal and the Vcc terminal (external terminal 3). Further, the integrated circuit element 9 outputs an oscillation signal having a predetermined frequency generated by applying a voltage to the vibration element 7 from the Output terminal (external terminal 3). Further, the integrated circuit element 9 allows or prohibits the output of the oscillation signal from the Output terminal based on the signal from the E / D terminal (external terminal 3), or uses the signal from the Vcon terminal (external terminal 3) as a signal. Based on this, the frequency of the oscillation signal is adjusted.

集積回路素子9の構成は、発振回路の構成を含め、公知の構成とされてよい。なお、集積回路素子9は、いわゆるベアチップであってもよいし、パッケージングされたものであってもよい。   The configuration of the integrated circuit element 9 may be a known configuration including the configuration of the oscillation circuit. The integrated circuit element 9 may be a so-called bare chip or a packaged one.

集積回路素子9は、例えば、その外形が概ね薄型の直方体状に形成されており、その下面に複数の接続パッド33(図3)を有している。複数の接続パッド33は、複数のバンプ35(図3)により複数の集積回路素子用パッド(21及び23)に対して接続されるとともに固定されている。バンプ35等の厚みによって構成された、集積回路素子9と基板5との隙間には、アンダーフィル36(図1及び図3)が充填されている。   For example, the integrated circuit element 9 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape, and has a plurality of connection pads 33 (FIG. 3) on its lower surface. The plurality of connection pads 33 are connected to and fixed to the plurality of integrated circuit element pads (21 and 23) by a plurality of bumps 35 (FIG. 3). An underfill 36 (FIGS. 1 and 3) is filled in the gap between the integrated circuit element 9 and the substrate 5, which is configured by the thickness of the bumps 35 and the like.

なお、バンプ35は、例えば、半田(鉛フリー半田含む)又は導電性接着剤からなる。アンダーフィル36は、例えば、主として樹脂からなる。アンダーフィル36は、無機材料からなるフィラーを含んでいてもよい。   The bump 35 is made of, for example, solder (including lead-free solder) or a conductive adhesive. The underfill 36 is mainly made of resin, for example. The underfill 36 may include a filler made of an inorganic material.

キャップ11は、例えば、概略箱状に形成されており、振動素子7に被せられるようにして基板5の第1主面13aに載置される。キャップ11と第1主面13aとは、例えば、キャップ11の下端の全周に亘って接着層14(図1及び図3)により固定される。これにより、振動素子7は封止される。キャップ11は、例えば、金属により構成されており、これにより、強度が確保されつつ薄型化が図られている。   The cap 11 is formed, for example, in a substantially box shape, and is placed on the first main surface 13 a of the substrate 5 so as to cover the vibration element 7. For example, the cap 11 and the first main surface 13 a are fixed by the adhesive layer 14 (FIGS. 1 and 3) over the entire circumference of the lower end of the cap 11. Thereby, the vibration element 7 is sealed. The cap 11 is made of, for example, a metal, and thereby the thickness is reduced while ensuring the strength.

封止樹脂12は、例えば、第1主面13a、キャップ11及び集積回路素子9を覆っている。封止樹脂12の外面の形状は適宜に設定されてよいが、例えば、基板5と同等の面積を有する薄型の直方体状とされている。封止樹脂12は、無機材料からなるフィラーを含んでいてもよい。   The sealing resin 12 covers, for example, the first main surface 13a, the cap 11, and the integrated circuit element 9. The shape of the outer surface of the sealing resin 12 may be set as appropriate. For example, it is a thin rectangular parallelepiped shape having an area equivalent to that of the substrate 5. The sealing resin 12 may include a filler made of an inorganic material.

図4〜図6は、第1導電層15Aの構成を示す上面図である。図4に示すように、第1主面13a上には、まず、下側配線層51が設けられる。次に、図5に示すように、下側配線層51を部分的に覆う絶縁層53が設けられる。その後、図6に示すように、第1主面13a上及び絶縁層53上に上側配線層55が設けられる。下側配線層51及び上側配線層55により、第1導電層15Aが構成されている。そして、下側配線層51と上側配線層55との間に絶縁層53が介在することにより、両者は立体交差が可能となっている。   4 to 6 are top views showing the configuration of the first conductive layer 15A. As shown in FIG. 4, a lower wiring layer 51 is first provided on the first major surface 13a. Next, as shown in FIG. 5, an insulating layer 53 that partially covers the lower wiring layer 51 is provided. Thereafter, as shown in FIG. 6, the upper wiring layer 55 is provided on the first main surface 13 a and the insulating layer 53. The lower wiring layer 51 and the upper wiring layer 55 constitute a first conductive layer 15A. And since the insulating layer 53 is interposed between the lower wiring layer 51 and the upper wiring layer 55, they can be three-dimensionally crossed.

下側配線層51及び上側配線層55は、例えば、Cu,Al等の金属により構成されている。なお、両者は、同一の材料であってもよいし、互いに異なる材料であってもよい。また、両者は、互いに同一の厚みであってもよいし、互いに異なる厚みであってもよい。なお、上側配線層55は、下側配線層51及び絶縁層53の厚みによって生じる段差に跨って設けられるから、この段差によって断線しないように、下側配線層51よりも厚く形成されるなど、比較的厚く形成されることが好ましい。   The lower wiring layer 51 and the upper wiring layer 55 are made of, for example, a metal such as Cu or Al. Both may be the same material or different materials. Further, both may have the same thickness or may have different thicknesses. Since the upper wiring layer 55 is provided across the step formed by the thickness of the lower wiring layer 51 and the insulating layer 53, the upper wiring layer 55 is formed thicker than the lower wiring layer 51 so as not to be disconnected by this step, etc. It is preferable to form it relatively thick.

絶縁層53は、例えば、ガラス(ガラスコート層)からなる。ガラスは、例えば、ホウケイ酸ガラスを主成分としている。絶縁層53の厚みは、下側配線層51と上側配線層55とを絶縁できれば、適宜な厚みとされてよい。   The insulating layer 53 is made of, for example, glass (glass coat layer). The glass contains, for example, borosilicate glass as a main component. The thickness of the insulating layer 53 may be an appropriate thickness as long as the lower wiring layer 51 and the upper wiring layer 55 can be insulated.

図7は、基板5の上面を示す図である。なお、図7では、振動素子7の外形、集積回路素子9の外形及びキャップ11の下面外形を2点鎖線で示している。また、下側配線層51のうち、絶縁層53に覆われた部分を点線で示している。   FIG. 7 is a view showing the upper surface of the substrate 5. In FIG. 7, the outer shape of the vibration element 7, the outer shape of the integrated circuit element 9, and the lower surface outer shape of the cap 11 are indicated by two-dot chain lines. Further, a portion of the lower wiring layer 51 covered with the insulating layer 53 is indicated by a dotted line.

上述のように、複数の外部端子3は、集積回路素子9と接続される。複数の外部端子3から集積回路素子9までの間には、順に、複数の表裏接続導体17、複数の第1配線37及び複数の第1集積回路素子用パッド21が介在している。なお、これらは、互いに同数(本実施形態では4つ)である。   As described above, the plurality of external terminals 3 are connected to the integrated circuit element 9. Between the plurality of external terminals 3 and the integrated circuit element 9, a plurality of front and back connection conductors 17, a plurality of first wirings 37, and a plurality of first integrated circuit element pads 21 are sequentially disposed. Note that these are the same number (four in this embodiment).

また、集積回路素子9は、振動素子7と接続される。集積回路素子9から振動素子7までの間には、順に、1対の第2集積回路素子用パッド23、1対の第2配線39及び1対の振動素子用パッド19が介在している。   The integrated circuit element 9 is connected to the vibration element 7. Between the integrated circuit element 9 and the vibration element 7, a pair of second integrated circuit element pads 23, a pair of second wirings 39, and a pair of vibration element pads 19 are sequentially disposed.

また、発振器1の製造工程においては、複数の外部端子3のうちの2つは、1対の切断用パターン41により振動素子7とも接続される。この切断用パターン41は、発振器1の完成前に切断される。なお、図7では、切断後の状態が示されており、図2及び図4〜図6では、切断前の状態が示されている。   Further, in the manufacturing process of the oscillator 1, two of the plurality of external terminals 3 are also connected to the vibration element 7 by a pair of cutting patterns 41. This cutting pattern 41 is cut before the oscillator 1 is completed. 7 shows a state after cutting, and FIGS. 2 and 4 to 6 show a state before cutting.

具体的には、例えば、切断用パターン41Aは、第1集積回路素子用パッド21Aから第2集積回路素子用パッド23Aに延びている。これにより、外部端子3Aと振動素子用パッド19Aとが接続される。また、例えば、切断用パターン41Bは、第1配線37Cから第2配線39Bに延びている。これにより、外部端子3Cと振動素子用パッド19Bとが接続される。   Specifically, for example, the cutting pattern 41A extends from the first integrated circuit element pad 21A to the second integrated circuit element pad 23A. Thereby, the external terminal 3A and the vibration element pad 19A are connected. For example, the cutting pattern 41B extends from the first wiring 37C to the second wiring 39B. Thereby, the external terminal 3C and the vibration element pad 19B are connected.

基板5は、既に述べたように、主面に平行な導電層を内部に有さない、単層基板から構成されている。そして、表裏接続導体17、第1集積回路素子用パッド21、第2集積回路素子用パッド23及び振動素子用パッド19を互いに接続する配線(第1配線37等)は、全て、第1主面13aに設けられている。   As described above, the substrate 5 is composed of a single-layer substrate that does not have a conductive layer parallel to the main surface. The wirings (first wiring 37 and the like) for connecting the front and back connection conductors 17, the first integrated circuit element pads 21, the second integrated circuit element pads 23, and the vibration element pads 19 to each other are all first main surfaces. 13a.

具体的には、第1配線37は、第1主面13aにおいて表裏接続導体17から第1集積回路素子用パッド21まで延びている。第2配線39は、第1主面13aにおいて第2集積回路素子用パッド23から振動素子用パッド19まで延びている。切断用パターン41も上述のように第1主面において延びている。   Specifically, the first wiring 37 extends from the front / back connection conductor 17 to the first integrated circuit element pad 21 on the first main surface 13a. The second wiring 39 extends from the second integrated circuit element pad 23 to the vibration element pad 19 on the first main surface 13a. The cutting pattern 41 also extends on the first main surface as described above.

各種のパッド及び配線と、上述した下側配線層51及び上側配線層55との関係は、例えば、以下のとおりである。   The relationship between the various pads and wirings and the above-described lower wiring layer 51 and upper wiring layer 55 is, for example, as follows.

第1配線37A及び37C、1対の第2配線39、1対の振動素子用パッド19、並びに、1対の切断用パターン41は、下側配線層51により構成されている。一方、第1配線37B及び37D、4つの第1集積回路素子用パッド21、並びに、1対の第2集積回路素子用パッド23は、上側配線層55により構成されている。   The first wirings 37 </ b> A and 37 </ b> C, the pair of second wirings 39, the pair of vibration element pads 19, and the pair of cutting patterns 41 are configured by the lower wiring layer 51. On the other hand, the first wirings 37 </ b> B and 37 </ b> D, the four first integrated circuit element pads 21, and the pair of second integrated circuit element pads 23 are configured by an upper wiring layer 55.

下側配線層51の第2配線39Bと上側配線層55の第1配線37Dとは、絶縁層53を介して立体交差している。下側配線層51の第2配線39Aと上側配線層55の第1配線37Bとは絶縁層53を介して立体交差している。下側配線層51の第1配線37Aと上側配線層55の第1配線37Bとは絶縁層53を介して立体交差している。   The second wiring 39 </ b> B of the lower wiring layer 51 and the first wiring 37 </ b> D of the upper wiring layer 55 cross three-dimensionally through the insulating layer 53. The second wiring 39 </ b> A of the lower wiring layer 51 and the first wiring 37 </ b> B of the upper wiring layer 55 cross three-dimensionally through the insulating layer 53. The first wiring 37 </ b> A of the lower wiring layer 51 and the first wiring 37 </ b> B of the upper wiring layer 55 cross three-dimensionally through the insulating layer 53.

上記のように、本実施形態においては、振動素子7に接続される1対の第2配線39は、下側配線層51のみから構成されており、上側配線層55は、外部端子3と集積回路素子9とを接続する第1配線37の少なくとも一部を構成することに利用されている。上側配線層55は、下側配線層51に比較して、段差において断線しないように厚く形成される蓋然性が高く、また、段差のばらつき等によって厚みや形状に誤差が生じやすい。そこで、第2配線39については、下側配線層51のみによって構成することにより、第2配線39が振動素子7の電気特性に及ぼす影響を低減できる。   As described above, in the present embodiment, the pair of second wirings 39 connected to the vibration element 7 includes only the lower wiring layer 51, and the upper wiring layer 55 is integrated with the external terminal 3. This is used to configure at least a part of the first wiring 37 that connects the circuit element 9. Compared with the lower wiring layer 51, the upper wiring layer 55 has a high probability of being formed thick so as not to be disconnected at a step, and errors in thickness and shape are likely to occur due to variations in the step. Therefore, by configuring the second wiring 39 with only the lower wiring layer 51, the influence of the second wiring 39 on the electrical characteristics of the vibration element 7 can be reduced.

本実施形態では、振動素子用パッド19は下側配線層51によって構成され、第1集積回路素子用パッド21及び第2集積回路素子用パッド23は上側配線層55によって構成されている。ただし、これらパッドは、基本的に立体交差しないものであるから、いずれの配線層によって構成されてもよいし、互いに同一の配線層によって構成されてもよい。   In this embodiment, the vibration element pad 19 is constituted by the lower wiring layer 51, and the first integrated circuit element pad 21 and the second integrated circuit element pad 23 are constituted by the upper wiring layer 55. However, since these pads basically do not cross three-dimensionally, they may be constituted by any wiring layer or may be constituted by the same wiring layer.

第2配線39は、キャップ11の内外に亘って延びているところ、絶縁層53は、第2配線39とキャップ11(の基板5に対する接着領域)との間にも介在している。従って、例えば、キャップ11の取り付けの前後で、第2配線39及び振動素子7の電気特性が変化することが抑制される。その結果、例えば、キャップ11の取り付け前の振動素子7の電気特性の測定結果を適切に完成後の製品に利用できる。   The second wiring 39 extends in and out of the cap 11, and the insulating layer 53 is also interposed between the second wiring 39 and the cap 11 (an adhesive region with respect to the substrate 5). Therefore, for example, the electrical characteristics of the second wiring 39 and the vibration element 7 are suppressed from being changed before and after the cap 11 is attached. As a result, for example, the measurement result of the electrical characteristics of the vibration element 7 before the cap 11 is attached can be appropriately used for a finished product.

また、絶縁層53は、第2配線39のうちキャップ11の外側且つ集積回路素子9に重ならない部分の半分以上を覆っている。従って、例えば、製造工程において第2配線39に塵などが付着するおそれが低減される。その結果、例えば、第2配線39及び振動素子7の電気特性が製造工程において変化することが抑制され、ひいては、製造工程における振動素子7の電気特性の測定結果を適切に完成後の製品に利用できる。   The insulating layer 53 covers more than half of the second wiring 39 outside the cap 11 and not overlapping the integrated circuit element 9. Therefore, for example, the possibility that dust or the like adheres to the second wiring 39 in the manufacturing process is reduced. As a result, for example, the electrical characteristics of the second wiring 39 and the vibration element 7 are suppressed from changing in the manufacturing process, and as a result, the measurement result of the electrical characteristics of the vibration element 7 in the manufacturing process is appropriately used for the finished product. it can.

また、本実施形態では、第1配線37Bは、第2配線39Aだけでなく、第1配線37Aに対しても立体交差している。すなわち、上側配線層55の一つの配線が下側配線層51の2つの配線に対して立体交差している。絶縁層53は、その2つの立体交差部及びその間に亘って延びており、第1配線37Bは、2つの立体交差部及びその間に亘って絶縁層53に重なっている。   In the present embodiment, the first wiring 37B crosses not only the second wiring 39A but also the first wiring 37A. That is, one wiring of the upper wiring layer 55 crosses three wirings of the lower wiring layer 51 three-dimensionally. The insulating layer 53 extends between the two three-dimensional intersections and between them, and the first wiring 37B overlaps the two three-dimensional intersections and the insulating layer 53 between them.

従って、例えば、絶縁層53は、2つの立体交差部間において段差を構成しない。その結果、絶縁層53の上に重ねられる第1配線37Bが跨ぐ段差が減じられ、ひいては、第1配線37Bの断線のおそれが低減される。   Therefore, for example, the insulating layer 53 does not constitute a step between the two three-dimensional intersections. As a result, the level difference between the first wirings 37B overlaid on the insulating layer 53 is reduced, and the risk of disconnection of the first wirings 37B is reduced.

絶縁層53は、第1主面13aの4隅にも設けられている。すなわち、第1主面13aのうち、表裏接続導体17を設けるための溝(キャスタレーション)の周囲を覆っている。従って、例えば、応力集中が生じやすい位置において基板5の強度が補強され、クラックに起因する断線等が抑制される。   The insulating layers 53 are also provided at the four corners of the first main surface 13a. That is, it covers the periphery of a groove (castellation) for providing the front and back connecting conductors 17 in the first main surface 13a. Therefore, for example, the strength of the substrate 5 is reinforced at a position where stress concentration is likely to occur, and disconnection or the like due to cracks is suppressed.

図8(a)は、図7のVIIIa−VIIIa線の断面図である。   Fig.8 (a) is sectional drawing of the VIIIa-VIIIa line | wire of FIG.

上述のように、第1主面13a上には、下から上へ順に、下側配線層51、絶縁層53及び上側配線層55が積層されている。図8(a)は、接着層14が第1主面13aに接着しない位置の断面であるが、接着層14の第1主面13aからの厚みは、下側配線層51、絶縁層53及び上側配線層55の合計の厚みよりも厚くされている。そして、接着層14は、下側配線層51、絶縁層53及び上側配線層55の厚みによる段差に関わらず、第1主面13a、絶縁層53又は上側配線層55と、キャップ11の下面とを接着している。   As described above, the lower wiring layer 51, the insulating layer 53, and the upper wiring layer 55 are stacked in order from the bottom on the first main surface 13a. FIG. 8A is a cross section at a position where the adhesive layer 14 does not adhere to the first main surface 13a. The thickness of the adhesive layer 14 from the first main surface 13a is as follows: the lower wiring layer 51, the insulating layer 53, and It is thicker than the total thickness of the upper wiring layer 55. The adhesive layer 14 includes the first main surface 13a, the insulating layer 53 or the upper wiring layer 55, and the lower surface of the cap 11 regardless of the steps due to the thicknesses of the lower wiring layer 51, the insulating layer 53, and the upper wiring layer 55. Is glued.

図8(b)は、図7のVIIIb−VIIIb線の断面図であり、図8(c)は、図7のVIIIc−VIIIc線の断面図である。   8B is a cross-sectional view taken along line VIIIb-VIIIb in FIG. 7, and FIG. 8C is a cross-sectional view taken along line VIIIc-VIIIc in FIG.

上述のように、絶縁層53は、第1主面13aにおいて、表裏接続導体17を設けるための溝(キャスタレーション)の周囲を覆っている。下側配線層51と表裏接続導体17とは絶縁層53の下側で接続されており、上側配線層55と表裏接続導体17とは絶縁層53の上側で接続されている。   As described above, the insulating layer 53 covers the periphery of the groove (castellation) for providing the front and back connection conductors 17 on the first main surface 13a. The lower wiring layer 51 and the front / back connection conductor 17 are connected below the insulating layer 53, and the upper wiring layer 55 and the front / back connection conductor 17 are connected above the insulating layer 53.

図9は、発振器1の製造方法の手順の一例を示すフローチャートである。   FIG. 9 is a flowchart showing an example of the procedure of the method for manufacturing the oscillator 1.

まず、基板5、振動素子7及び集積回路素子9を準備する。基板5は、切断用パターン41がまだ切断されていない状態である。振動素子7及び集積回路素子9の作製方法は、公知の方法と同様とされてよい。   First, the substrate 5, the vibration element 7 and the integrated circuit element 9 are prepared. The substrate 5 is in a state where the cutting pattern 41 has not been cut yet. The manufacturing method of the vibration element 7 and the integrated circuit element 9 may be the same as a known method.

基板5は、例えば、絶縁基板13がセラミックからなる場合、絶縁基板13となるセラミックグリーンシートの一方の面に対して、下側配線層51となる導電ペースト、絶縁層53となるガラスペースト、上側配線層55となる導電ペーストをスクリーン印刷等によって順に塗布する。また、溝(キャスタレーション)となる孔を適宜な時期にセラミックグリーンシートに形成し、孔を吸引しつつスクリーン印刷を行うこと等により、外部端子3となる導電ペーストをセラミックグリーンシートの他方の面に塗布するとともに、孔の内周面に表裏接続導体17となる導電ペーストを塗布する。そして、導電ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを焼成する。なお、焼成は、導電ペースト又はガラスペーストを配置する毎に行われてもよい。   For example, when the insulating substrate 13 is made of ceramic, the substrate 5 has a conductive paste that becomes the lower wiring layer 51, a glass paste that becomes the insulating layer 53, an upper side of one surface of the ceramic green sheet that becomes the insulating substrate 13. A conductive paste for forming the wiring layer 55 is sequentially applied by screen printing or the like. In addition, by forming a hole to be a groove (castellation) on the ceramic green sheet at an appropriate time and performing screen printing while sucking the hole, the conductive paste to be the external terminal 3 is transferred to the other surface of the ceramic green sheet. In addition, a conductive paste to be the front and back connection conductor 17 is applied to the inner peripheral surface of the hole. Then, the ceramic green sheet coated with the conductive paste is fired. In addition, baking may be performed whenever it arrange | positions a conductive paste or a glass paste.

また、例えば、絶縁基板13が樹脂等からなる場合、薄膜の形成、フォトリソグラフィーによるマスクの形成、マスクを介したエッチング及びマスクの除去を繰り返し、順次、下側配線層51、絶縁層53及び上側配線層55を形成する。外部端子3も同様に形成する。また、溝(キャスタレーション)となる孔を適宜な時期に絶縁基板13に形成し、めっき法などにより、その内周面に表裏接続導体17を形成する。   Further, for example, when the insulating substrate 13 is made of a resin or the like, formation of a thin film, formation of a mask by photolithography, etching through the mask, and removal of the mask are repeated, and the lower wiring layer 51, the insulating layer 53, and the upper side are sequentially repeated. A wiring layer 55 is formed. The external terminal 3 is formed in the same manner. In addition, a hole to be a groove (castellation) is formed in the insulating substrate 13 at an appropriate time, and the front and back connection conductors 17 are formed on the inner peripheral surface thereof by plating or the like.

次に、基板5に振動素子7を搭載する(ステップST1)。具体的には、例えば、導電性接着剤31を1対の振動素子用パッド19上に配置し、次に、引出電極29を導電性接着剤31に当接させるように振動素子7を配置する。そして、導電性接着剤31を加熱して硬化させる。   Next, the vibration element 7 is mounted on the substrate 5 (step ST1). Specifically, for example, the conductive adhesive 31 is disposed on the pair of vibration element pads 19, and then the vibration element 7 is disposed so that the extraction electrode 29 contacts the conductive adhesive 31. . Then, the conductive adhesive 31 is heated and cured.

次に、振動素子7の周波数調整を行う(ステップST2)。具体的には、例えば、まず、振動素子7が実装された基板5を真空雰囲気下に配置する。また、不図示の電気特性試験装置のプローブを外部端子3A及び3Cに当接させる。すなわち、電気特性試験装置と振動素子7とを外部端子3を介して接続する。そして、振動素子7の発振周波数を測定し、その測定結果に基づいて、また、必要に応じて、励振電極27をレーザ等によりエッチングしたり、逆に、圧電体25に金属を蒸着したりして、振動素子7の発振周波数を調整する。   Next, the frequency of the vibration element 7 is adjusted (step ST2). Specifically, for example, first, the substrate 5 on which the vibration element 7 is mounted is placed in a vacuum atmosphere. Further, the probe of the electrical characteristic test apparatus (not shown) is brought into contact with the external terminals 3A and 3C. That is, the electrical characteristic test apparatus and the vibration element 7 are connected via the external terminal 3. Then, the oscillation frequency of the vibration element 7 is measured, and the excitation electrode 27 is etched with a laser or the like based on the measurement result, or conversely, a metal is deposited on the piezoelectric body 25. Thus, the oscillation frequency of the vibration element 7 is adjusted.

次に、振動素子7を封止する(ステップST3)。具体的には、例えば、基板5又はキャップ11の一方にガラス封止材を塗布する。そして、真空雰囲気下にて、キャップ11を基板5に載置する。そして、ガラス封止材を加熱後、冷却することにより、キャップ11を基板5に接合し、振動素子7を封止する。   Next, the vibration element 7 is sealed (step ST3). Specifically, for example, a glass sealing material is applied to one of the substrate 5 and the cap 11. Then, the cap 11 is placed on the substrate 5 in a vacuum atmosphere. Then, the glass sealing material is heated and then cooled to join the cap 11 to the substrate 5 and seal the vibration element 7.

次に、振動素子7の特性検査を行う(ステップST4)。具体的には、例えば、まず、不図示の電気特性試験装置のプローブを外部端子3A及び3Cに当接させる。すなわち、電気特性試験装置と振動素子7とを外部端子3を介して接続する。そして、例えば、振動素子7の発振周波数やクリスタルインピーダンス値(CI値)を測定する。   Next, the characteristic inspection of the vibration element 7 is performed (step ST4). Specifically, for example, first, a probe of an electrical characteristic test apparatus (not shown) is brought into contact with the external terminals 3A and 3C. That is, the electrical characteristic test apparatus and the vibration element 7 are connected via the external terminal 3. Then, for example, the oscillation frequency and crystal impedance value (CI value) of the vibration element 7 are measured.

なお、この検査結果には、ステップST2の周波数調整のときの測定結果に比較して、ステップST3のキャップ11の取り付け等に伴う特性変化が加味される。ただし、上述のように、第2配線39の一部を覆うように絶縁層53が設けられているので、キャップ11が第2配線39に及ぼす影響は絶縁層53により緩和されており、また、第2配線39に対する塵の付着等も絶縁層53により抑制されている。このため塵の付着により第2配線39上を伝送され外部端子3により測定される振動素子7の発振周波数の変化、または、クリスタルインピーダンス値(CI値)が増加することを抑えることができる。外部端子3で測定される検査結果は、例えば、集積回路素子9による発振周波数の調整に供される。例えば、この検査結果に基づいて集積回路素子9の発振回路が有する可変容量素子の容量が設定される。   In addition, compared with the measurement result at the time of the frequency adjustment in step ST2, the inspection result includes a characteristic change accompanying the attachment of the cap 11 in step ST3. However, as described above, since the insulating layer 53 is provided so as to cover a part of the second wiring 39, the influence of the cap 11 on the second wiring 39 is mitigated by the insulating layer 53. Dust adhesion to the second wiring 39 is also suppressed by the insulating layer 53. For this reason, it is possible to suppress a change in the oscillation frequency of the vibration element 7 transmitted through the second wiring 39 and measured by the external terminal 3 due to the adhesion of dust, or an increase in the crystal impedance value (CI value). The inspection result measured at the external terminal 3 is used for adjustment of the oscillation frequency by the integrated circuit element 9, for example. For example, the capacitance of the variable capacitance element included in the oscillation circuit of the integrated circuit element 9 is set based on the inspection result.

次に、1対の切断用パターン41を切断する(ステップST5)。具体的には、例えば、レーザ光を照射することにより切断用パターン41を切断する。なお、この際、レーザ光の強度乃至は照射時間によっては、切断位置において、切断用パターン41だけでなく、基板5の表面の一部も除去され、第1主面13aに凹部が形成される場合がある。この凹部は、製品として完成した発振器1において、切断用パターン41が存在したことの証拠になる。   Next, the pair of cutting patterns 41 are cut (step ST5). Specifically, for example, the cutting pattern 41 is cut by irradiating a laser beam. At this time, depending on the intensity of the laser beam or the irradiation time, not only the cutting pattern 41 but also a part of the surface of the substrate 5 is removed at the cutting position, and a recess is formed in the first main surface 13a. There is a case. This concave portion is evidence that the cutting pattern 41 exists in the oscillator 1 completed as a product.

次に、集積回路素子9を基板5に搭載する(ステップST6)。具体的には、例えば、複数の第1集積回路素子用パッド21及び1対の第2集積回路素子用パッド23にバンプ35となる半田を配置し、その上に集積回路素子9を載置し、リフロー炉に搬送する。   Next, the integrated circuit element 9 is mounted on the substrate 5 (step ST6). Specifically, for example, solder that becomes the bumps 35 is disposed on the plurality of first integrated circuit element pads 21 and the pair of second integrated circuit element pads 23, and the integrated circuit element 9 is placed thereon. And transport to the reflow oven.

次に、アンダーフィル36を基板5と集積回路素子9との間に充填する(ステップST7)。充填には、毛細管現象を利用する方法(サイドフィル法)などの公知の方法が利用されてよい。   Next, the underfill 36 is filled between the substrate 5 and the integrated circuit element 9 (step ST7). For filling, a known method such as a method using a capillary phenomenon (side fill method) may be used.

次に、基板5上に封止樹脂12を設ける(ステップST8)。例えば、印刷法乃至はディスペンサ法等の公知の方法により、溶融状態の樹脂が基板5上に配置され、固化される。   Next, the sealing resin 12 is provided on the substrate 5 (step ST8). For example, the molten resin is placed on the substrate 5 and solidified by a known method such as a printing method or a dispenser method.

その後、電気特性検査を行う(ステップST9)。具体的には、例えば、まず、不図示の電気特性検査装置のプローブを外部端子3に当接させる。すなわち、電気特性検査装置を外部端子3を介して集積回路素子9に接続する。そして、発振周波数等を測定する。   Thereafter, an electrical characteristic inspection is performed (step ST9). Specifically, for example, first, a probe of an electrical characteristic inspection device (not shown) is brought into contact with the external terminal 3. That is, the electrical characteristic inspection apparatus is connected to the integrated circuit element 9 through the external terminal 3. Then, the oscillation frequency and the like are measured.

以上のとおり、本実施形態に係る発振器1は、基板5と、基板5に実装された振動素子7と、基板5に実装された、発振回路を含む集積回路素子9とを有する。基板5は、単層基板からなり、絶縁基板13と、絶縁基板13に設けられた外部端子3と、絶縁基板13の第1主面13aに層状に設けられ、集積回路素子9と振動素子7とを接続する第2配線39と、第2配線39を部分的に覆う絶縁層53と、絶縁基板13の第1主面13a上及び絶縁層53上に跨って層状に設けられ、絶縁層53を介して第2配線39と立体交差し、外部端子3と集積回路素子9とを接続する第1配線37とを有している。   As described above, the oscillator 1 according to this embodiment includes the substrate 5, the vibration element 7 mounted on the substrate 5, and the integrated circuit element 9 including the oscillation circuit mounted on the substrate 5. The substrate 5 is formed of a single layer substrate, and is provided in layers on the insulating substrate 13, the external terminals 3 provided on the insulating substrate 13, and the first main surface 13 a of the insulating substrate 13, and includes the integrated circuit element 9 and the vibration element 7. A second wiring 39 that connects the first wiring 39, an insulating layer 53 that partially covers the second wiring 39, a first main surface 13a of the insulating substrate 13 and an insulating layer 53. And a first wiring 37 that three-dimensionally intersects the second wiring 39 and connects the external terminal 3 and the integrated circuit element 9.

従って、基板の単層化によって薄型化が図られる。単層化されると、配線の交差を避けるために配線パターンが複雑化するおそれがあるが、絶縁層53を介した立体交差により配線の自由度が向上し、ひいては、配線パターンの簡素化・最短化が期待される。配線パターンの最短化によって、配線間の信号の結合が低減され、電気特性が安定することが期待される。また、配線の自由度が向上することから、発振器1が実装される実装基板の仕様(外部端子3に要求される仕様)に対応しつつ、既存の集積回路素子9を用いることが容易化される。すなわち、外部端子3の仕様に合わせて、集積回路素子9の接続パッド33の役割を設定し、集積回路素子9を再設計する必要が無い。その結果、コスト削減が図られる。   Therefore, the thickness can be reduced by making the substrate a single layer. If a single layer is used, the wiring pattern may be complicated in order to avoid the intersection of the wiring. However, the degree of freedom of the wiring is improved by the three-dimensional intersection via the insulating layer 53, and thus the wiring pattern is simplified. Minimization is expected. By shortening the wiring pattern, it is expected that the signal coupling between the wirings is reduced and the electrical characteristics are stabilized. Further, since the degree of freedom of wiring is improved, it is easy to use the existing integrated circuit element 9 while complying with the specifications of the mounting board on which the oscillator 1 is mounted (specifications required for the external terminals 3). The That is, it is not necessary to set the role of the connection pad 33 of the integrated circuit element 9 according to the specifications of the external terminal 3 and redesign the integrated circuit element 9. As a result, cost reduction is achieved.

図10(a)は、表裏接続導体17付近における変形例を示す斜視図であり、図10(b)及び図10(c)は、当該変形例を示す図8(b)及び図8(c)に対応する断面図である。   FIG. 10A is a perspective view showing a modification in the vicinity of the front and back connection conductors 17, and FIGS. 10B and 10C show FIGS. 8B and 8C showing the modification. Is a cross-sectional view corresponding to FIG.

この変形例では、絶縁層53は、表裏接続導体17も覆っている。図10(b)に示すように、下側配線層51と表裏接続導体17とは接続されており、その上から絶縁層53が被せられている。また、図10(c)に示すように、上側配線層55と表裏接続導体17とは、例えば、下側配線層51を介して接続されている。   In this modification, the insulating layer 53 also covers the front and back connection conductors 17. As shown in FIG. 10B, the lower wiring layer 51 and the front / back connection conductor 17 are connected, and the insulating layer 53 is covered from above. Further, as shown in FIG. 10C, the upper wiring layer 55 and the front / back connection conductor 17 are connected via the lower wiring layer 51, for example.

なお、この変形例の製造においては、例えば、絶縁層53を形成する前に、表裏接続導体17を形成し、次に、溝(キャスタレーション)となる孔を吸引しつつスクリーン印刷を行うこと等により絶縁層53となるガラスペーストを孔の内周面に塗布し、その後、上側配線層55を形成すればよい。   In the manufacture of this modified example, for example, the front and back connection conductors 17 are formed before the insulating layer 53 is formed, and then screen printing is performed while sucking holes serving as grooves (castellations). Then, a glass paste that becomes the insulating layer 53 is applied to the inner peripheral surface of the hole, and then the upper wiring layer 55 is formed.

なお、立体交差のために下側配線層51と上側配線層55との間に介在する絶縁層53とは別に、表裏接続導体17を覆う絶縁層53を形成することとしてもよい。例えば、下側配線層51、これを部分的に覆う絶縁層53及び上側配線層55を形成した後、表裏接続導体17を形成し、これを覆う絶縁層53を形成してもよい。この場合、上側配線層55と表裏接続導体17とは直接に接続される。   In addition, it is good also as forming the insulating layer 53 which covers the front-and-back connection conductor 17 separately from the insulating layer 53 interposed between the lower wiring layer 51 and the upper wiring layer 55 for the three-dimensional intersection. For example, after forming the lower wiring layer 51, the insulating layer 53 and the upper wiring layer 55 partially covering the lower wiring layer 51, the front and back connection conductors 17 may be formed, and the insulating layer 53 covering the upper and lower connection layers 17 may be formed. In this case, the upper wiring layer 55 and the front / back connection conductor 17 are directly connected.

この変形例のように、表裏接続導体17も絶縁層53によって覆うことにより、例えば、発振器1を実装基板に半田により実装するときに、半田が必要以上に表裏接続導体17を伝って第1主面13aへ向かって流れることが抑制される。その結果、例えば、半田の量が安定し、ひいては、電気特性が安定する。   As in this modification, the front and back connection conductors 17 are also covered with the insulating layer 53, so that, for example, when the oscillator 1 is mounted on the mounting board by solder, the solder travels along the front and back connection conductors 17 more than necessary. The flow toward the surface 13a is suppressed. As a result, for example, the amount of solder is stabilized, and as a result, the electrical characteristics are stabilized.

なお、以上の実施形態等において、発振器1は本発明の圧電発振器の一例であり、第2配線39及び第1配線37Aは本発明の下側配線の一例であり、第1配線37B及び37Dは本発明の上側配線の一例である。   In the above embodiment and the like, the oscillator 1 is an example of the piezoelectric oscillator of the present invention, the second wiring 39 and the first wiring 37A are examples of the lower wiring of the present invention, and the first wirings 37B and 37D are It is an example of the upper wiring of this invention.

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。   The present invention is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various aspects.

外部端子、表裏接続導体、第1集積回路素子用パッド及び第1配線の数は、4つに限定されない。2つの外部端子を介して振動素子の電気特性を測定できればよいから、外部端子は2つ以上であればよい。例えば、GND端子及びVcc端子のみ設けられ、発振信号は集積回路素子から無線で出力されてもよい。また、例えば、外部端子は6つ設けられてもよい。この場合、外部端子として、例えば、互いに同一又は異なる発振信号を出力する2つのOutput端子が設けられてもよいし、発振器周囲の温度を出力する端子が設けられてもよい。   The number of external terminals, front and back connection conductors, first integrated circuit element pads, and first wirings is not limited to four. Since it is sufficient that the electrical characteristics of the vibration element can be measured via two external terminals, it is sufficient that the number of external terminals is two or more. For example, only the GND terminal and the Vcc terminal may be provided, and the oscillation signal may be output wirelessly from the integrated circuit element. For example, six external terminals may be provided. In this case, for example, two output terminals that output the same or different oscillation signals may be provided as external terminals, or a terminal that outputs the temperature around the oscillator may be provided.

振動素子の向きは、振動素子及び集積回路素子の並び方向に直交する方向を振動素子の長手方向とする向きに限定されない。例えば、振動素子の向きは、並び方向を振動素子の長手方向とする向きであってもよい。   The direction of the vibration element is not limited to the direction in which the direction orthogonal to the arrangement direction of the vibration element and the integrated circuit element is the longitudinal direction of the vibration element. For example, the direction of the vibration element may be a direction in which the arrangement direction is the longitudinal direction of the vibration element.

表裏接続導体は、側面の溝内面に形成された導電層に限定されない。例えば、表裏接続導体は、絶縁基板を貫通する貫通孔(スルーホール)の内面に形成された導電層又は貫通孔に充填された導電体であってもよい。   The front and back connection conductors are not limited to the conductive layer formed on the inner surface of the side groove. For example, the front and back connection conductors may be a conductive layer formed on the inner surface of a through hole (through hole) penetrating the insulating substrate or a conductor filled in the through hole.

集積回路素子は、バンプを介して集積回路素子用パッドに搭載されるものに限定されない。例えば、集積回路素子は、集積回路素子用パッドに囲まれた領域に接着剤等により固定され、ワイヤボンディングによって集積回路素子用パッドと接続されるものであってもよい。   The integrated circuit element is not limited to that mounted on the integrated circuit element pad via the bump. For example, the integrated circuit element may be fixed to an area surrounded by the integrated circuit element pad by an adhesive or the like and connected to the integrated circuit element pad by wire bonding.

切断用パターンは設けられなくてもよい。すなわち、振動素子の検査専用の外部端子が設けられていてもよい。   The cutting pattern may not be provided. That is, an external terminal dedicated for inspection of the vibration element may be provided.

実施形態では、第1配線と第2配線との立体交差、及び、第2配線同士の立体交差を例示した。ただし、第1配線同士が立体交差してもよい。また、第1配線は、上側配線層によって構成されてもよい。   In the embodiment, the three-dimensional intersection between the first wiring and the second wiring and the three-dimensional intersection between the second wirings are exemplified. However, the first wires may be three-dimensionally crossed. Further, the first wiring may be constituted by an upper wiring layer.

1…発振器、3…外部端子、5…基板、7…振動素子、9…集積回路素子、13…絶縁基板、13a…第1主面、13b…第2主面、17…表裏接続導体、19…振動素子用パッド、21…第1集積回路素子用パッド、23…第2集積回路素子用パッド、37B及び37D…第1配線(上側配線)、39…第2配線(下側配線)、41…切断用パターン、51…下側配線層、53…絶縁層、55…上側配線層。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Oscillator, 3 ... External terminal, 5 ... Board | substrate, 7 ... Vibration element, 9 ... Integrated circuit element, 13 ... Insulation board | substrate, 13a ... 1st main surface, 13b ... 2nd main surface, 17 ... Front and back connection conductor, 19 ... vibration element pad, 21 ... first integrated circuit element pad, 23 ... second integrated circuit element pad, 37B and 37D ... first wiring (upper wiring), 39 ... second wiring (lower wiring), 41 ... Cutting pattern, 51 ... Lower wiring layer, 53 ... Insulating layer, 55 ... Upper wiring layer.

Claims (7)

基板と、
前記基板に実装された振動素子と、
前記基板に実装された、発振回路を含む集積回路素子と、
を有し、
前記基板は、単層基板からなり、
絶縁基板と、
前記絶縁基板に設けられた外部端子と、
前記絶縁基板の主面に層状に設けられ、前記外部端子と前記集積回路素子とを接続する、又は、前記集積回路素子と前記振動素子とを接続する下側配線と、
前記下側配線を部分的に覆う絶縁層と、
前記絶縁基板の主面上及び前記絶縁層上に跨って層状に設けられ、前記絶縁層を介して前記下側配線と立体交差し、前記外部端子と前記集積回路素子とを接続する、又は、前記集積回路素子と前記振動素子とを接続する上側配線と、
を有する圧電発振器。
A substrate,
A vibration element mounted on the substrate;
An integrated circuit element including an oscillation circuit mounted on the substrate;
Have
The substrate comprises a single layer substrate,
An insulating substrate;
An external terminal provided on the insulating substrate;
Provided in a layered manner on the main surface of the insulating substrate, connecting the external terminal and the integrated circuit element, or a lower wiring connecting the integrated circuit element and the vibration element,
An insulating layer partially covering the lower wiring;
Provided in layers over the main surface of the insulating substrate and over the insulating layer, three-dimensionally intersect the lower wiring via the insulating layer, and connect the external terminal and the integrated circuit element, or An upper wiring connecting the integrated circuit element and the vibration element;
A piezoelectric oscillator.
前記下側配線は、前記集積回路素子と前記振動素子とを接続する配線であり、
前記上側配線は、前記外部端子と前記集積回路素子とを接続する配線である
請求項1に記載の圧電発振器。
The lower wiring is a wiring for connecting the integrated circuit element and the vibration element,
The piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein the upper wiring is a wiring that connects the external terminal and the integrated circuit element.
前記基板の主面上に配置され、前記振動素子を封止するキャップを有し、
前記下側配線は、前記キャップの内外に亘って延びており、
前記絶縁層は、前記下側配線と前記キャップとの間にも介在している
請求項2に記載の圧電発振器。
A cap disposed on the main surface of the substrate and sealing the vibration element;
The lower wiring extends over the inside and outside of the cap,
The piezoelectric oscillator according to claim 2, wherein the insulating layer is also interposed between the lower wiring and the cap.
前記基板の主面に配置され、前記振動素子を封止するキャップを有し、
前記絶縁層は、前記下側配線のうち前記キャップの外側且つ前記集積回路素子に重ならない部分の半分以上を覆っている
請求項2に記載の圧電発振器。
A cap disposed on the main surface of the substrate and sealing the vibration element;
The piezoelectric oscillator according to claim 2, wherein the insulating layer covers more than half of the lower wiring outside the cap and not overlapping the integrated circuit element.
2つの前記下側配線に対して1つの前記上側配線が立体交差して2つの立体交差部が構成されており、
前記絶縁層は、前記2つの立体交差部及びその間に亘って延びており、
前記1つの上側配線は、前記2つの立体交差部及びその間に亘って前記絶縁層に重なっている
請求項1〜4のいずれか1項に記載の圧電発振器。
One of the upper wirings is three-dimensionally crossed with respect to the two lower wirings to form two three-dimensional intersections,
The insulating layer extends between the two three-dimensional intersections and between them,
The piezoelectric oscillator according to any one of claims 1 to 4, wherein the one upper wiring overlaps the two three-dimensional intersections and the insulating layer therebetween.
前記基板は、前記絶縁基板の外周面に設けられ、一方の主面から他方の主面まで延びる表裏接続導体を更に有し、
前記絶縁層は、前記表裏接続導体も覆っている
請求項1〜5のいずれか1項に記載の圧電発振器。
The substrate is further provided on the outer peripheral surface of the insulating substrate, and further has front and back connection conductors extending from one main surface to the other main surface,
The piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein the insulating layer also covers the front and back connection conductors.
前記絶縁層はガラスからなる
請求項1〜6のいずれか1項に記載の圧電発振器。
The piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein the insulating layer is made of glass.
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