JP5274434B2 - Electronic component storage package - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a package for storing an electronic component ensuring a junction strength of a frame-like metallized layer, and an insulating property between a connection wiring conductor and the frame-like metallized layer. <P>SOLUTION: The package for storing an electronic component includes an insulating substrate 101 on which the frame-like metallized layer surrounding a mount section 102 of an electronic component is formed, a metal frame body 106 brazed to the frame-like metallized layer, and the connection wiring conductor 103 close to an inner periphery of the frame-like metallized layer. The frame-like metallized layer comprises a first frame-like metallized layer 104 that is deposited on the insulating substrate 101 and includes the inner periphery close to an outer periphery of the mount section 102 and a second frame-like metallized layer 105 that is deposited from an upper surface of the insulating substrate 101 to an upper surface of the first frame-like metallized layer 104 along the outer periphery of the first frame-like metallized layer 104 and is thicker than the first frame-like metallized layer 104. The frame-like metallized layer comprising the first and second frame-like metallized layers 104, 105 is thick, thus increasing the junction strength. The first metallized layer 104 is thin, thus ensuring the insulation property. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、電子部品を収容するための搭載部を有する絶縁基板の上面に搭載部を囲むメタライズ層が被着され、このメタライズ層に金属枠体がろう付けされてなる電子部品収納用パッケージに関するものである。   The present invention relates to an electronic component storage package in which a metallized layer surrounding a mounting part is attached to an upper surface of an insulating substrate having a mounting part for storing an electronic component, and a metal frame is brazed to the metallized layer. Is.

従来、水晶振動子や半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる電子部品収納用パッケージとして、図3に示すような構造のものが用いられている(例えば、特許文献1を参照。)。図3(a)は、従来の電子部品収納用パッケージの一例を示す平面図であり、図3(b)は図3(a)のB−B’線における断面図であり、図3(c)は図3(b)の要部を拡大して示す要部拡大断面図である。図3に示す電子部品収納用パッケージは、上面に電子部品(図示せず)の搭載部202を有する絶縁基板201と、搭載部202を取り囲んで絶縁基板201の上面に被着された枠状メタライズ層204と、枠状メタライズ層204にろう付けされた金属枠体206と、搭載部202に形成され電子部品が電気的に接続される接続配線導体203と、搭載部202から絶縁基板201の下面等にかけて形成された配線導体(図示せず)とにより基本的に構成されている。   Conventionally, as an electronic component storage package used for mounting an electronic component such as a crystal resonator or a semiconductor element, a package having a structure as shown in FIG. 3 is used (see, for example, Patent Document 1). . FIG. 3A is a plan view showing an example of a conventional electronic component storage package, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. ) Is an enlarged cross-sectional view of the main part showing the main part of FIG. The electronic component storage package shown in FIG. 3 includes an insulating substrate 201 having an electronic component (not shown) mounting portion 202 on the upper surface, and a frame-shaped metallization that surrounds the mounting portion 202 and is attached to the upper surface of the insulating substrate 201. Layer 204, metal frame 206 brazed to frame-like metallized layer 204, connection wiring conductor 203 formed on mounting portion 202 to which electronic components are electrically connected, and lower surface of insulating substrate 201 from mounting portion 202 It is basically composed of a wiring conductor (not shown) formed over the same.

このような電子部品収納用パッケージでは、蓋体(図示せず)をシーム溶接等の接合方法で金属枠体206の上面に接合することにより、搭載部202に搭載された電子部品が気密に封止される。   In such an electronic component storage package, a lid (not shown) is joined to the upper surface of the metal frame 206 by a joining method such as seam welding, so that the electronic components mounted on the mounting portion 202 are hermetically sealed. Stopped.

なお、この例では、枠状メタライズ層204の上面に、枠状メタライズ層204よりも幅が狭いスペーサ用のメタライズ層205が被着されている。このメタライズ層205は、枠状メタライズ層204と金属枠体206との間に一定のスペースを確保し、このスペースにろう材207の溜まりを形成して、金属枠体206のろう付け強度を高くするためのものである。   In this example, a spacer metallization layer 205 having a narrower width than the frame-shaped metallization layer 204 is attached to the upper surface of the frame-shaped metallization layer 204. This metallized layer 205 secures a certain space between the frame-like metallized layer 204 and the metal frame 206, and forms a pool of brazing material 207 in this space to increase the brazing strength of the metal frame 206. Is to do.

また、搭載部202に形成される接続配線導体203は、電子部品の形状や電極の位置により枠状メタライズ層204の内周に近接して形成される場合がある。例えば、電子部品が水晶振動子(図示せず)であるような場合に、水晶振動子の一対の電極は四角板状の本体(水晶板)の下面の端部に形成される。そして、そのような電極の接続配線導体203に対する接続を容易かつ確実に行なえるようにするため、接続配線導体203は、四角形状の搭載部202の隅部に形成されて、枠状メタライズ層204の内周と近接している。   Further, the connection wiring conductor 203 formed on the mounting portion 202 may be formed close to the inner periphery of the frame-like metallized layer 204 depending on the shape of the electronic component and the position of the electrode. For example, when the electronic component is a crystal resonator (not shown), the pair of electrodes of the crystal resonator is formed at the end of the lower surface of the rectangular plate-shaped main body (crystal plate). In order to easily and surely connect such electrodes to the connection wiring conductor 203, the connection wiring conductor 203 is formed at the corner of the rectangular mounting portion 202, and the frame-shaped metallized layer 204 is formed. It is close to the inner circumference.

このような電子部品収納用パッケージの絶縁基板201は、例えばセラミックグリーンシート積層法により製作される。すなわち、搭載部202を有する絶縁基板201となるセラミックグリーンシートの上面に、搭載部202を囲むように枠状メタライズ層204となる金属ペースト、およびスペーサ用のメタライズ層205となる金属ペーストを順次スクリーン印刷法等の方法で印刷した後に焼成することにより製作される。枠状メタライズ層204は、例えば絶縁基板201に対する接合強度(いわゆるメタライズ強度)を確保するために、約20〜30μm程度の厚みで被着されている。そして、枠状メタライズ層204(メタライズ層205)に金属枠体206を、銀ろう等のろう材207を用いてろう付けすることにより電子部品収納用パッケージが製作される。   The insulating substrate 201 of such an electronic component storage package is manufactured by, for example, a ceramic green sheet lamination method. That is, on the upper surface of the ceramic green sheet that becomes the insulating substrate 201 having the mounting portion 202, a metal paste that becomes the frame-like metallization layer 204 and a metal paste that becomes the metallization layer 205 for the spacer are sequentially screened so as to surround the mounting portion 202. It is manufactured by firing after printing by a printing method or the like. The frame-like metallized layer 204 is deposited with a thickness of about 20 to 30 μm, for example, in order to ensure bonding strength (so-called metallized strength) to the insulating substrate 201. An electronic component storage package is manufactured by brazing the metal frame 206 to the frame-shaped metallized layer 204 (metallized layer 205) using a brazing material 207 such as silver brazing.

特開平9−139439号公報JP-A-9-139439

しかしながら、近年、電子部品収納用パッケージは、電子部品の小型化に応じて小型化が進んできているため、電子部品が接続される接続配線導体203と枠状メタライズ層204との間の絶縁性を確保することが難しくなってきているという問題があった。これは、枠状メタライズ層204となる金属ペーストが印刷後に横方向に広がる(いわゆるにじみを生じる)ためである。このようなにじみが生じると、元々互いに近接している枠状メタライズ層204の内周と接続配線導体203との間で絶縁性が低下したり、電気的に短絡したりする可能性がある。枠状メタライズ層204と接続配線導体203との間で絶縁性の低下や短絡が発生すると、例えば接続配線導体203の電位が変動して、水晶振動子に適切な信号が作用しなくなり、発振不良が発生する。   However, in recent years, since the electronic component storage package has been reduced in size in accordance with the downsizing of the electronic component, the insulating property between the connection wiring conductor 203 to which the electronic component is connected and the frame-like metallized layer 204 is increased. There was a problem that it was becoming difficult to secure. This is because the metal paste that becomes the frame-like metallized layer 204 spreads in the lateral direction after printing (so-called bleeding occurs). When such blurring occurs, there is a possibility that the insulation between the inner periphery of the frame-shaped metallized layer 204 and the connection wiring conductor 203 that are originally close to each other may be reduced or an electrical short circuit may occur. If insulation degradation or a short circuit occurs between the frame-shaped metallized layer 204 and the connection wiring conductor 203, for example, the potential of the connection wiring conductor 203 fluctuates, and an appropriate signal does not act on the crystal unit, resulting in oscillation failure. Will occur.

このような問題に対しては、例えば、枠状メタライズ層204となる金属ペーストの印刷厚みを薄く(例えば約10μm程度)することが考えられる。しかしながら、このように金属ペーストの印刷厚み、つまり枠状メタライズ層204の厚みを薄くした場合には、枠状メタライズ層204の絶縁基板201に対する接合強度が低くなる可能性がある。そして、金属枠体206を枠状メタライズ層204(およびメタライズ層205)にろう付けする際の熱応力等の応力により、枠状メタライズ層204が絶縁基板201から剥がれる可能性が高くなる。   For such a problem, for example, it is conceivable to reduce the printing thickness of the metal paste to be the frame-like metallized layer 204 (for example, about 10 μm). However, when the printed thickness of the metal paste, that is, the thickness of the frame-like metallized layer 204 is reduced in this way, the bonding strength of the frame-like metallized layer 204 to the insulating substrate 201 may be lowered. Then, there is a high possibility that the frame-like metallized layer 204 is peeled off from the insulating substrate 201 due to stress such as thermal stress when the metal frame 206 is brazed to the frame-like metallized layer 204 (and the metallized layer 205).

本発明はかかる問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、絶縁基板が小型化しても、枠状メタライズ層の絶縁基板に対する接合強度を高く確保しながら、電子部品が接続される接続配線導体と枠状メタライズ層との間の絶縁性を確保することができる電子部品収納用パッケージを提供することにある。   The present invention has been devised in view of such problems, and its purpose is to connect electronic components while ensuring high bonding strength of the frame metallized layer to the insulating substrate even if the insulating substrate is downsized. An object of the present invention is to provide an electronic component storage package that can ensure insulation between a connection wiring conductor and a frame-like metallized layer.

本発明の電子部品収納用パッケージは、上面の中央部に電子部品の搭載部を有し、前記上面の外周部に前記搭載部を取り囲む枠状メタライズ層が形成された絶縁基板と、前記枠状メタライズ層にろう付けされた金属枠体と、前記搭載部に前記枠状メタライズ層の内周に近接して形成された、前記電子部品が電気的に接続される接続配線導体とを備える電子部品収納用パッケージであって、前記枠状メタライズ層は、前記絶縁基板の上面に直接被着され、内周が前記搭載部の外周に近接して沿っている第1枠状メタライズ層と、該第1枠状メタライズ層の外周に沿って前記絶縁基板の上面から前記第1枠状メタライズ層の上面の幅方向の外側の部分にかけて被着された、前記第1枠状メタライズ層よりも厚い第2枠状メタライズ層とからなることを特徴とする。
The electronic component storage package of the present invention has an electronic component mounting portion at the center of the upper surface, and an insulating substrate in which a frame-shaped metallization layer surrounding the mounting portion is formed on the outer peripheral portion of the upper surface; An electronic component comprising: a metal frame brazed to a metallized layer; and a connection wiring conductor formed on the mounting portion adjacent to the inner periphery of the frame-shaped metallized layer and electrically connected to the electronic component A storage package, wherein the frame-shaped metallization layer is directly attached to the upper surface of the insulating substrate, and an inner periphery thereof is close to an outer periphery of the mounting portion, and the first frame-shaped metallization layer, A second layer thicker than the first frame-shaped metallization layer is deposited from the upper surface of the insulating substrate along the outer periphery of the one-frame-shaped metallization layer to the outer portion in the width direction of the upper surface of the first frame-shaped metallization layer. Consists of a framed metallization layer The features.

また、本発明の電子部品収納用パッケージは、上記構成において、前記第2枠状メタライズ層の前記絶縁基板の上面に直接被着された部分の上、および前記第1枠状メタライズ層の前記第2枠状メタライズ層で覆われていない部分の上の少なくとも一方と前記金属枠体との間に、ろう材の溜まりが形成されていることを特徴とする。   According to the electronic component storage package of the present invention, in the above-described configuration, the second frame-shaped metallized layer is formed on a portion directly attached to the upper surface of the insulating substrate and on the first frame-shaped metallized layer. A reservoir of brazing material is formed between at least one of the portions not covered with the two-frame metallized layer and the metal frame.

本発明の電子部品収納用パッケージによれば、枠状メタライズ層は、絶縁基板の上面に直接被着され、内周が搭載部の外周に近接して沿っている第1枠状メタライズ層と、第1枠状メタライズ層の外周に沿って絶縁基板の上面から第1枠状メタライズ層の上面の幅方向の外側の部分にかけて被着された、第1枠状メタライズ層よりも厚い第2枠状メタライズ層とからなり、第1枠状メタライズ層が比較的薄いことから、この第1枠状メタライズ層となる金属ペーストが印刷後に横方向に広がることを抑制することができる。そのため、絶縁基板が小型化しても、電子部品が接続される接続配線導体と第1枠状メタライズ層の内周との間の絶縁性を確保することができる。
According to the electronic component storage package of the present invention, the frame-shaped metallization layer is directly attached to the upper surface of the insulating substrate, and the first frame-shaped metallization layer whose inner periphery is close to the outer periphery of the mounting portion; A second frame shape thicker than the first frame-shaped metallization layer deposited from the upper surface of the insulating substrate along the outer periphery of the first frame-shaped metallization layer to the outer portion in the width direction of the upper surface of the first frame-shaped metallization layer Since it consists of a metallized layer and the first frame-shaped metallized layer is relatively thin, it is possible to prevent the metal paste that becomes the first frame-shaped metallized layer from spreading laterally after printing. Therefore, even if the insulating substrate is reduced in size, it is possible to ensure insulation between the connection wiring conductor to which the electronic component is connected and the inner periphery of the first frame-like metallized layer.

また、枠状メタライズ層は、第1枠状メタライズ層の上面に第1枠状メタライズ層よりも厚い第2枠状メタライズ層が被着されていることから、絶縁基板に対する接合強度を確保する上で十分な厚みを確保することができる。   In addition, since the frame-shaped metallized layer has a second frame-shaped metallized layer that is thicker than the first frame-shaped metallized layer on the upper surface of the first frame-shaped metallized layer, the bonding strength to the insulating substrate is ensured. Can secure a sufficient thickness.

また、本発明の電子部品収納用パッケージによれば、上記構成において、第2枠状メタライズ層の絶縁基板の上面に直接被着された部分の上、および第1枠状メタライズ層の第2枠状メタライズ層で覆われていない部分の上の少なくとも一方と金属枠体との間に、ろう材の溜まりが形成されている場合には、このろう材の溜まりにより、金属枠体をより強固に枠状メタライズ層にろう付けすることができる。   According to the electronic component storage package of the present invention, in the above-described configuration, the second frame metallization layer on the portion directly attached to the top surface of the insulating substrate and the second frame of the first frame metallization layer. When a brazing material pool is formed between at least one of the portions not covered with the metalized metallization layer and the metal frame, the brazing material pool further strengthens the metal frame. It can be brazed to the frame metallization layer.

(a)は本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の一例を示す平面図であり、(b)は(a)のA−A’線における断面図であり、(c)は(b)の要部を拡大して示す要部拡大断面図である。(A) is a top view which shows an example of embodiment of the electronic component storage package of this invention, (b) is sectional drawing in the AA 'line of (a), (c) is (b) It is a principal part expanded sectional view which expands and shows the principal part of FIG. (a)〜(c)はそれぞれ本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。(A)-(c) is the principal part expanded sectional view which shows the other example of embodiment of the electronic component storage package of this invention, respectively. (a)は従来の電子部品収納用パッケージの一例を示す平面図であり、(b)は(a)のB−B’線における断面図であり、(c)は(b)の要部を拡大して示す要部拡大断面図である。(A) is a top view which shows an example of the conventional electronic component storage package, (b) is sectional drawing in the BB 'line of (a), (c) is the principal part of (b). It is a principal part expanded sectional view expanded and shown.

本発明の電子部品収納用パッケージについて、添付の図面を参照しつつ説明する。なお、この実施の形態の例では、電子部品として水晶振動子を収納する場合を例に挙げて説明する。   The electronic component storage package of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the example of this embodiment, a case where a crystal resonator is housed as an electronic component will be described as an example.

図1(a)は本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の一例を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A’線における断面図であり、図1(c)は図1(b)の要部を拡大して示す要部拡大断面図である。図1において101は絶縁基板、102は電子部品(図示せず)の搭載部、103は電子部品を電気的に接続するための接続配線導体、104は第1枠状メタライズ層、105は第2枠状メタライズ層、106は金属枠体である。そして、主に、接続配線導体103,第1枠状メタライズ層104および第2枠状メタライズ層105を備えた絶縁基板101と金属枠体106とで電子部品収納用パッケージが構成されている。なお、図1(a)では、見やすくするために金属枠体106を省略している。   FIG. 1A is a plan view showing an example of an embodiment of an electronic component storage package according to the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. FIG. 1C is an enlarged cross-sectional view of the main part showing the main part of FIG. In FIG. 1, 101 is an insulating substrate, 102 is a mounting portion for an electronic component (not shown), 103 is a connection wiring conductor for electrically connecting the electronic component, 104 is a first frame-like metallized layer, and 105 is a second layer. A frame-like metallized layer 106 is a metal frame. An electronic component storage package is mainly composed of the insulating substrate 101 including the connection wiring conductor 103, the first frame-like metallized layer 104, and the second frame-like metallized layer 105 and the metal frame 106. In FIG. 1A, the metal frame 106 is omitted for easy viewing.

絶縁基板101は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム焼結体,ムライト質焼結体,ガラス−セラミック焼結体等のセラミック材料から成り、例えば平面視で一辺の長さが1.6〜10mm程度の長方形状で、厚みが0.4〜2mm程度の板状である。なお、絶縁基板101は、セラミック材料からなる絶縁層(図示せず)が必要に応じて積層されて構成されたものであり、絶縁層が1層でもよく、2層以上でもよい。   The insulating substrate 101 is made of a ceramic material such as an aluminum oxide sintered body, an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, or a glass-ceramic sintered body. For example, the length of one side in a plan view is about 1.6 to 10 mm. The plate has a rectangular shape with a thickness of about 0.4 to 2 mm. The insulating substrate 101 is configured by laminating insulating layers (not shown) made of a ceramic material as necessary, and the insulating layer may be one layer or two or more layers.

また、絶縁基板101は、上面に電子部品を搭載するための四角形状等の搭載部102を有している。このような絶縁基板101は、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダや溶剤,可塑剤等を添加混合して泥漿状にするとともに、これを例えばドクターブレード法やロールカレンダー法等のシート成形法によりシート状となすことにより複数枚のセラミックグリーンシートを得て、次にそれらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに上下に積層し、その積層体を高温で焼成することにより製作される。   In addition, the insulating substrate 101 has a mounting portion 102 such as a square shape for mounting electronic components on the upper surface. If such an insulating substrate 101 is made of an aluminum oxide sintered body, an appropriate organic binder, solvent, plasticizer, etc. are added to and mixed with raw material powders such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide and calcium oxide. Then, a plurality of ceramic green sheets are obtained by making them into a sheet shape by a sheet forming method such as a doctor blade method or a roll calender method, and then suitable for the ceramic green sheets. It is manufactured by punching and laminating up and down and firing the laminate at a high temperature.

絶縁基板101は、それぞれがこのような絶縁基板101となる複数の領域(図示せず)がセラミック母基板に縦横の並びに配列された、いわゆる多数個取り基板を製作し、これを領域の境界において切断して個片に分割する方法で製作してもよい。   As the insulating substrate 101, a plurality of regions (not shown), each of which becomes such an insulating substrate 101, are manufactured in a so-called multi-chip substrate in which the ceramic mother substrate is arranged vertically and horizontally, and this is formed at the boundary of the regions. You may manufacture by the method of cut | disconnecting and dividing | segmenting into a piece.

また、絶縁基板101の搭載部102の隅部に、一対の接続配線導体103が形成されている。この接続配線導体103は、搭載部102に搭載される電子部品である水晶振動子の電極を接続するための接続導体として機能する。水晶振動子(図示せず)は、通常、その外形が四角形状で、その主面の隅部に接続用の一対の電極(図示せず)が形成されており、そのような電極の接続を容易かつ確実に行なえるようにするため、接続配線導体103は搭載部102の隅部に形成されている。   In addition, a pair of connection wiring conductors 103 are formed at the corners of the mounting portion 102 of the insulating substrate 101. The connection wiring conductor 103 functions as a connection conductor for connecting an electrode of a crystal resonator that is an electronic component mounted on the mounting portion 102. A crystal resonator (not shown) is usually rectangular in shape, and a pair of electrodes (not shown) for connection are formed at the corners of the main surface. The connection wiring conductor 103 is formed at the corner of the mounting portion 102 so that it can be easily and reliably performed.

電子部品の各電極と接続配線導体103との接続は、例えば半田や導電性接着剤等の導電性接続材を介して行なわれる。すなわち、電子部品の主面の隅部に形成された電極が接続配線導体103に対向するように電子部品を搭載部102に位置決めして、あらかじめ電極や接続配線導体103に被着させておいた導電性接続材を加熱溶融させたり硬化させたりすれば、電子部品の電極と接続配線導体103とが接続される。   Each electrode of the electronic component and the connection wiring conductor 103 are connected via a conductive connection material such as solder or a conductive adhesive. That is, the electronic component is positioned on the mounting portion 102 so that the electrode formed at the corner of the main surface of the electronic component faces the connection wiring conductor 103, and is previously attached to the electrode and the connection wiring conductor 103. If the conductive connecting material is heated and melted or cured, the electrode of the electronic component and the connection wiring conductor 103 are connected.

なお、接続配線導体103は、この実施の形態の例では電子部品として水晶振動子を用いた例を説明しているので上記のように一対のものが形成されているが、他の形態の電子部品を収納する場合であれば、その電子部品の電極の配置に応じて形状や個数等を変えて形成すればよい。このような電子部品としては、例えば、セラミック圧電素子や弾性表面波素子等の圧電素子,半導体素子,容量素子,抵抗器等を挙げることができる。これらの電子部品の場合でも、例えば電子部品の多機能化に対応した接続配線導体103の数の増加や、電子部品収納用パッケージの小型化等のために、接続配線導体103が第1枠状メタライズ層104の内周に近接して形成される。   Note that the connection wiring conductor 103 is described as an example in which a crystal resonator is used as an electronic component in the example of this embodiment, and thus a pair of connection wiring conductors 103 is formed as described above. In the case of storing a component, the shape, the number, etc. may be changed according to the arrangement of the electrodes of the electronic component. Examples of such electronic components include piezoelectric elements such as ceramic piezoelectric elements and surface acoustic wave elements, semiconductor elements, capacitive elements, resistors, and the like. Even in the case of these electronic components, for example, the connection wiring conductor 103 has a first frame shape in order to increase the number of connection wiring conductors 103 corresponding to the multi-functionality of the electronic components and to reduce the size of the electronic component storage package. It is formed close to the inner periphery of the metallized layer 104.

接続配線導体103は、例えば、接続配線導体103から絶縁基板101の外表面にかけて形成された配線導体(図示せず)を介して絶縁基板101の外表面に電気的に導出されている。配線導体は搭載部102に搭載されている電子部品の各電極を外部の電気回路(図示せず)に電気的に接続するための導電路として機能する部位である。この配線導体の絶縁基板101外表面に形成された部分を、半田等を介して外部電気回路に接続することにより、電子部品の電極が接続配線導体103および配線導体を介して外部の電気回路に電気的に接続される。   The connection wiring conductor 103 is electrically led to the outer surface of the insulating substrate 101 via a wiring conductor (not shown) formed from the connection wiring conductor 103 to the outer surface of the insulating substrate 101, for example. The wiring conductor is a portion that functions as a conductive path for electrically connecting each electrode of the electronic component mounted on the mounting portion 102 to an external electric circuit (not shown). By connecting the portion of the wiring conductor formed on the outer surface of the insulating substrate 101 to an external electric circuit via solder or the like, the electrode of the electronic component is connected to the external electric circuit via the connection wiring conductor 103 and the wiring conductor. Electrically connected.

また、接続配線導体103および配線導体は、接続配線導体103や配線導体の酸化腐食を防止するとともに、接続配線導体103と電子部品の電極との接続や、配線導体と外部の電気回路との接続をより容易で強固なものとするためには、それらの露出した表面に1〜10μm程度の厚みのニッケルめっき層と0.1〜3μm程度の厚みの金めっき層とが順次被着されているのがよい。   The connection wiring conductor 103 and the wiring conductor prevent oxidative corrosion of the connection wiring conductor 103 and the wiring conductor, and also connect the connection wiring conductor 103 and the electrode of the electronic component, and connect the wiring conductor and an external electric circuit. In order to make it easier and stronger, a nickel plating layer having a thickness of about 1 to 10 μm and a gold plating layer having a thickness of about 0.1 to 3 μm are sequentially deposited on the exposed surfaces. Good.

接続配線導体103および配線導体は、例えば、タングステンやモリブデン,マンガン,銅,銀等のメタライズ層からなり、このような金属材料のペーストを、絶縁基板101を構成する絶縁層となるセラミックグリーンシートに所定パターンに印刷しておき、絶縁基板101と同時焼成する方法で形成される。   The connection wiring conductor 103 and the wiring conductor are made of, for example, a metallized layer of tungsten, molybdenum, manganese, copper, silver, or the like, and paste of such a metal material is applied to a ceramic green sheet serving as an insulating layer constituting the insulating substrate 101. It is formed by printing in a predetermined pattern and firing simultaneously with the insulating substrate 101.

また、絶縁基板101の上面には、搭載部102を取り囲むようにタングステンやモリブデン,マンガン,銅,銀等のメタライズ層からなる第1枠状メタライズ層104、および第2枠状メタライズ層105が被着されている。第1枠状メタライズ層104および第2枠状メタライズ層105は、接続配線導体103や配線導体と同様に、これらの金属材料を用いて作製した金属ペーストを所定パターンに印刷する方法で形成することができる。これらの具体的な形成方法については後述する。   Further, on the upper surface of the insulating substrate 101, a first frame-shaped metallized layer 104 and a second frame-shaped metallized layer 105 made of a metallized layer of tungsten, molybdenum, manganese, copper, silver or the like so as to surround the mounting portion 102 are covered. It is worn. The first frame-like metallized layer 104 and the second frame-like metallized layer 105 are formed by a method of printing a metal paste produced using these metal materials in a predetermined pattern, like the connection wiring conductor 103 and the wiring conductor. Can do. These specific forming methods will be described later.

第1および第2枠状メタライズ層104,105により、金属枠体106をろう付けするための下地金属層である枠状メタライズ層(符号なし)が構成され、枠状メタライズ層に金属枠体106がろう付けされて電子部品収納用パッケージが構成されている。   The first and second frame-like metallized layers 104 and 105 constitute a frame-like metallized layer (no symbol) that is a base metal layer for brazing the metal frame 106, and the metal frame 106 is added to the frame-like metallized layer. The electronic component storage package is configured by brazing.

そして、絶縁基板101の搭載部102に電子部品を搭載し、電子部品の電極を導電性接着剤等で接続配線導体103に接続した後、金属枠体106の上面に蓋体を接合することにより、蓋体と金属枠体106と絶縁基板101とからなる容器内に電子部品が気密封止され、電子装置(水晶発振器等)(図示せず)となる。   Then, by mounting an electronic component on the mounting portion 102 of the insulating substrate 101 and connecting the electrode of the electronic component to the connection wiring conductor 103 with a conductive adhesive or the like, the lid is bonded to the upper surface of the metal frame 106 An electronic component is hermetically sealed in a container including the lid, the metal frame 106, and the insulating substrate 101, and an electronic device (a crystal oscillator or the like) (not shown) is formed.

金属枠体106は、例えば鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属材料からなり、蓋体を絶縁基板101に接合するための金属部材として機能する。この金属枠体106は、例えば、厚みが0.1〜0.5mm程度であり、幅が0.15〜0.45mm程度の四角枠状である。また、金属枠体106を枠状メタライズ層にろう付けする方法としては、例えば、金属枠体106の下面に予め20〜50μmの厚みの銀ろうを被着させておき、この銀ろうが被着された下面を枠状メタライズ層上に載置して、これらをカーボン製の治具等で仮固定しながら電気炉等で加熱する方法を挙げることができる。この方法により、容易に蓋体とメタライズ層との間を気密性よく強固にろう付けすることができる。   The metal frame 106 is made of a metal material such as an iron-nickel alloy or an iron-nickel-cobalt alloy, and functions as a metal member for joining the lid to the insulating substrate 101. The metal frame 106 has, for example, a rectangular frame shape with a thickness of about 0.1 to 0.5 mm and a width of about 0.15 to 0.45 mm. Further, as a method of brazing the metal frame 106 to the frame-like metallized layer, for example, a silver brazing having a thickness of 20 to 50 μm is previously applied to the lower surface of the metal frame 106, and this silver brazing is applied. A method of placing the lower surface on the frame-like metallized layer and heating them with an electric furnace or the like while temporarily fixing them with a carbon jig or the like can be mentioned. By this method, the lid and the metallized layer can be easily and tightly brazed with good airtightness.

蓋体は、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属材料やセラミック材料,樹脂材料からなり、ろう付け法や溶接法(例えばシーム溶接やエレクトロンビーム溶接等)等の接合法で金属枠体106に接合される。なお、蓋体がセラミック材料や樹脂材料からなる場合は、ろう付け法や溶接法によって第1および第2枠状メタライズ層104,105に接合できるようにするために、蓋体の接合面に、メタライズ法やめっき法,金属体の埋め込み等の方法により金属層を形成しておくのがよい。なお、蓋体の形状は、例えば四角平板状や下面に凹部を有する四角形状である。   The lid is made of a metal material such as an iron-nickel alloy or iron-nickel-cobalt alloy, a ceramic material, or a resin material, and is metalized by a joining method such as a brazing method or a welding method (for example, seam welding or electron beam welding). The frame body 106 is joined. When the lid is made of a ceramic material or a resin material, in order to be able to join the first and second frame-like metallized layers 104 and 105 by a brazing method or a welding method, The metal layer is preferably formed by a metallizing method, a plating method, a metal body embedding method, or the like. The shape of the lid is, for example, a rectangular flat plate shape or a quadrangular shape having a recess on the lower surface.

ろう材107は、例えば、銀−銅共晶組成をベースとする銀ろう(例えば、71〜73質量%銀−27〜29質量%銅、JIS名称:BAg−8)である。BAg−8の場合、融点は780℃程度である。このようなろう材107を使用することにより、800〜850℃程度の熱処理において金属枠体106を枠状メタライズ層にろう付けすることができる。このろう材107は、絶縁基板101の大きさや形状,用途等に応じて、濡れ性や溶融温度等の調整のために、錫,亜鉛等の金属元素が添加されていてもよい。   The brazing material 107 is, for example, a silver brazing based on a silver-copper eutectic composition (for example, 71 to 73 mass% silver-27 to 29 mass% copper, JIS name: BAg-8). In the case of BAg-8, the melting point is about 780 ° C. By using such a brazing material 107, the metal frame body 106 can be brazed to the frame-like metallized layer in a heat treatment of about 800 to 850 ° C. The brazing material 107 may be added with a metal element such as tin and zinc in order to adjust wettability, melting temperature, and the like according to the size, shape, application, and the like of the insulating substrate 101.

本発明の電子部品収納用パッケージにおいて、図1(c)に詳しく示すように、枠状メタライズ層は、絶縁基板101の上面に直接被着され、内周が搭載部102の外周に近接して沿っている第1枠状メタライズ層104と、第1枠状メタライズ層104の外周に沿って絶縁基板101の上面から第1枠状メタライズ層104の上面の幅方向の外側の部分にかけて被着された、第1枠状メタライズ層104よりも厚い第2枠状メタライズ層105とからなっている。 In the electronic component storage package of the present invention, as shown in detail in FIG. 1 (c), the frame-like metallized layer is directly attached to the upper surface of the insulating substrate 101, and the inner periphery is close to the outer periphery of the mounting portion 102. The first frame-like metallized layer 104 extending along the outer periphery of the first frame-like metallized layer 104 and the outer surface of the first frame-like metallized layer 104 from the upper surface of the first frame-like metallized layer 104 to the outer side in the width direction. The second frame metallization layer 105 is thicker than the first frame metallization layer 104.

この構成によれば、比較的薄い第1枠状メタライズ層104が、内周が搭載部102の外周に沿って被着されているので、この第1枠状メタライズ層104となる金属ペーストに印刷にじみ等が発生することは効果的に抑制される。そして、搭載部102の外周に、第1枠状メタライズ層104の内周に近接して接続配線導体103が形成されていても、また絶縁基板101の小型化等によって第1枠状メタライズ層104と接続配線導体103とがさらに近接したとしても、第1枠状メタライズ層104(枠状メタライズ層)の内周と接続配線導体103との間の間隔(ギャップ109)を確保することができ、第1枠状メタライズ層104と接続配線導体103との間の絶縁性を確保することができる。   According to this configuration, the relatively thin first frame-shaped metallization layer 104 is attached along the outer periphery of the mounting portion 102, so that the first frame-shaped metallization layer 104 is printed on the metal paste that becomes the first frame-shaped metallization layer 104. Occurrence of bleeding or the like is effectively suppressed. Even if the connection wiring conductor 103 is formed on the outer periphery of the mounting portion 102 in the vicinity of the inner periphery of the first frame-like metallized layer 104, the first frame-like metallized layer 104 can be formed by downsizing the insulating substrate 101 or the like. Even if the connection wiring conductor 103 is further closer, a gap (gap 109) between the inner periphery of the first frame-like metallized layer 104 (frame-like metallization layer) and the connection wiring conductor 103 can be secured, Insulation between the first frame-like metallized layer 104 and the connection wiring conductor 103 can be ensured.

つまり、内周が接続配線導体103に近接して形成されている第1枠状メタライズ層104が比較的薄いため、第1枠状メタライズ層104となる金属ペーストのにじみを抑制して、接続配線導体103と第1枠状メタライズ層104の内周との間にギャップ109を確保することができ、これによって絶縁性の確保が可能となる。   That is, since the first frame-like metallized layer 104 formed on the inner periphery in the vicinity of the connection wiring conductor 103 is relatively thin, bleeding of the metal paste that becomes the first frame-like metallization layer 104 is suppressed, and the connection wiring A gap 109 can be ensured between the conductor 103 and the inner periphery of the first frame-like metallized layer 104, thereby ensuring insulation.

また、第1枠状メタライズ層104よりも厚い第2枠状メタライズ層105が、第1枠状メタライズ層104の上面の外周に沿って絶縁基板101の上面から第1枠状メタライズ層104の上面にかけて被着されているので、枠状メタライズ層について絶縁基板101に対する接合強度を高くする上で十分な厚みを確保することができる。これにより、絶縁基板101が小型化しても、枠状メタライズ層の絶縁基板101に対する接合強度を高く確保しながら、第1枠状メタライズ層104と接続配線導体103との間の絶縁性を確保することができる電子部品収納用パッケージを提供することができる。   Further, a second frame-shaped metallized layer 105 thicker than the first frame-shaped metallized layer 104 extends from the upper surface of the insulating substrate 101 along the outer periphery of the upper surface of the first frame-shaped metallized layer 104 to the upper surface of the first frame-shaped metallized layer 104. Therefore, the frame-shaped metallized layer can have a sufficient thickness for increasing the bonding strength to the insulating substrate 101. As a result, even if the insulating substrate 101 is downsized, the insulating property between the first frame-like metallized layer 104 and the connection wiring conductor 103 is ensured while ensuring high bonding strength of the frame-like metallized layer to the insulating substrate 101. It is possible to provide a package for storing electronic components.

枠状メタライズ層を構成する第1および第2枠状メタライズ層104,105のそれぞれの厚みは、例えば、第1枠状メタライズ層104の厚みが5〜10μm程度であり、第2枠状メタライズ層105の厚みが15〜30μm程度である。   The thickness of each of the first and second frame-like metallization layers 104 and 105 constituting the frame-like metallization layer is, for example, that the thickness of the first frame-like metallization layer 104 is about 5 to 10 μm. The thickness of 105 is about 15 to 30 μm.

また、絶縁基板101が、電子部品である水晶振動子を収納するパッケージとして多用されている、平面視で1辺の長さが2.0〜5.0mm程度の四角形状の場合であれば、枠状メタライズ層の幅(平面視で第1および第2枠状メタライズ層104,105の合計の幅)は、0.2〜0.5mm程度である。また、第2枠状メタライズ層105は、例えば第1枠状メタライズ層104の幅方向の中央部から外側の部分において第1枠状メタライズ層104を覆っている。枠状メタライズ層の幅が0.2〜0.5mm程度である場合、第1枠状メタライズ層104の幅を0.1〜0.3mm程度に設定し、第2枠状メタライズ層105の幅を約0.15〜0.4mm程度に設定すればよい。   In addition, if the insulating substrate 101 is a quadrangular shape having a length of one side of about 2.0 to 5.0 mm in plan view, which is often used as a package for storing a crystal resonator as an electronic component, a frame-shaped metallization is used. The width of the layer (the total width of the first and second frame-like metallized layers 104 and 105 in plan view) is about 0.2 to 0.5 mm. In addition, the second frame-shaped metallized layer 105 covers the first frame-shaped metallized layer 104, for example, at a portion outside the center in the width direction of the first frame-shaped metalized layer 104. When the width of the frame-shaped metallized layer is about 0.2 to 0.5 mm, the width of the first frame-shaped metallized layer 104 is set to about 0.1 to 0.3 mm, and the width of the second frame-shaped metallized layer 105 is about 0.15 to 0.4 mm. What is necessary is just to set to a grade.

なお、枠状メタライズ層は、第1枠状メタライズ層104を第2枠状メタライズ層105が覆っている部分と、それよりも外側の部分(第2枠状メタライズ層105のみの部分)および内側の部分(第1枠状メタライズ層104のみの部分)とで厚みが異なるので、この厚みの差に応じた段差が生じている。   The frame-shaped metallized layer includes a portion in which the first frame-shaped metallized layer 104 is covered by the second frame-shaped metallized layer 105, a portion outside the portion (a portion having only the second frame-shaped metalized layer 105), and an inner side. Since the thickness is different from this portion (the portion having only the first frame-like metallized layer 104), a step corresponding to the difference in thickness is generated.

このような枠状メタライズ層を形成する方法としては、まず第1枠状メタライズ層104となる金属ペーストを、内周が搭載部102の外周に近接して沿った枠状のパターンで比較的薄く(例えば10μm程度で)印刷して、次に、内周部が第1枠状メタライズ層104の上面の外周部を覆い、外周部が絶縁基板101の上面の外周に沿った部分を覆うような枠状のパターンで第2枠状メタライズ層105となる金属ペーストを比較的厚く(例えば25μm程度で)印刷すればよい。   As a method for forming such a frame-shaped metallized layer, first, a metal paste that becomes the first frame-shaped metallized layer 104 is relatively thin with a frame-shaped pattern whose inner periphery is close to the outer periphery of the mounting portion 102. Printing (for example, at about 10 μm), and then the inner periphery covers the outer periphery of the upper surface of the first frame-like metallized layer 104 and the outer periphery covers the portion along the outer periphery of the upper surface of the insulating substrate 101 What is necessary is just to print the metal paste used as the 2nd frame-shaped metallization layer 105 by a frame-like pattern comparatively thickly (for example, about 25 micrometers).

ここで、第1枠状メタライズ層104となる金属ペーストを印刷する際に、同時に接続配線導体103となる金属ペーストを印刷すれば、第1枠状メタライズ層104と接続配線導体103との互いの位置精度を高くすることが容易である。また、第1枠状メタライズ層104となる金属ペーストと接続配線導体103となる金属ペーストとを同時に印刷するようにした場合には、それぞれの金属ペーストを互いに同じ厚さで印刷することが容易であり、接続配線導体103の厚みを第1枠状メタライズ層104と同程度に薄くすることができる。そして、接続配線導体103となる金属ペーストのにじみも効果的に抑制することができる。そのため、第1枠状メタライズ層104と接続配線導体103との電気的短絡をより効果的に抑制する上で有利である。   Here, when printing the metal paste that becomes the first frame-shaped metallized layer 104, if the metal paste that becomes the connection wiring conductor 103 is printed at the same time, the first frame-shaped metallization layer 104 and the connection wiring conductor 103 are mutually connected. It is easy to increase the positional accuracy. Further, when the metal paste to be the first frame-like metallized layer 104 and the metal paste to be the connection wiring conductor 103 are printed at the same time, it is easy to print each metal paste with the same thickness. In addition, the thickness of the connection wiring conductor 103 can be made as thin as the first frame-like metallized layer 104. Further, bleeding of the metal paste that becomes the connection wiring conductor 103 can be effectively suppressed. Therefore, it is advantageous for more effectively suppressing an electrical short circuit between the first frame-like metallized layer 104 and the connection wiring conductor 103.

なお、金属枠体106やろう材107、第1および第2枠状メタライズ層104,105の露出する表面には、これらが酸化腐食するのを有効に防止するとともに封止用の金属枠体106と蓋体との接合を容易なものとするために、1〜10μm程度の厚みのニッケルめっき層と0.3〜3μm程度の金めっき層とが順次被着されている。   The exposed surfaces of the metal frame 106, the brazing material 107, and the first and second frame-like metallized layers 104 and 105 are effectively prevented from being oxidized and corroded, and the metal frame 106 for sealing is used. In order to make it easy to join the lid and the lid, a nickel plating layer having a thickness of about 1 to 10 μm and a gold plating layer having a thickness of about 0.3 to 3 μm are sequentially deposited.

また、この例では、電子部品である水晶振動子が絶縁基板101の上面(搭載部102)に接するのを避けるために、接続配線導体103にある程度の厚みを確保する必要がある場合もあり得る。このような場合には、接続配線導体103の上面の中央部等に、水晶振動子の支持台となるメタライズ層(図示せず)を被着させればよい。   In this example, it may be necessary to secure a certain thickness for the connection wiring conductor 103 in order to avoid the quartz crystal resonator, which is an electronic component, coming into contact with the upper surface (mounting portion 102) of the insulating substrate 101. . In such a case, a metallized layer (not shown) that serves as a support for the crystal resonator may be attached to the center of the upper surface of the connection wiring conductor 103 or the like.

支持台となるメタライズ層は、例えば、第2枠状メタライズ層105となる金属ペーストを印刷する際に、同時に、この支持台となるメタライズ層用の金属ペーストを印刷するようにすれば形成することができる。支持台となるメタライズ層用の金属ペーストは、接続配線導体103の場合と同様の金属ペーストを用いることができる。なお、支持台となるメタライズ層は、上記のように接続配線導体103の上面の中央部等、その外周が接続配線導体103の外周よりも内側に位置するように形成することが好ましい。これは、支持台となるメタライズ層用の金属ペーストが広がったときに、この金属ペーストによって接続配線導体103と第1枠状メタライズ層104との間の絶縁性が低下するようなことを防ぐためである。   The metallized layer that becomes the support base is formed, for example, by printing the metal paste for the metallization layer that becomes the support base at the same time when the metal paste that becomes the second frame-shaped metallization layer 105 is printed. Can do. As the metal paste for the metallized layer serving as the support base, the same metal paste as that for the connection wiring conductor 103 can be used. Note that the metallized layer serving as a support is preferably formed so that the outer periphery thereof is located inside the outer periphery of the connection wiring conductor 103, such as the central portion of the upper surface of the connection wiring conductor 103 as described above. This is to prevent the insulation between the connection wiring conductor 103 and the first frame-like metallized layer 104 from being lowered by the metal paste when the metal paste for the metallized layer serving as the support spreads. It is.

さらに、第1枠状メタライズ層104を第2枠状メタライズ層105が覆っている部分の幅を変化させることにより、枠状メタライズ層の幅を調整することができる。また、第1枠状メタライズ層104の第2枠状メタライズ層105で覆われていない部分の幅、および第2枠状メタライズ層105の絶縁基板101に直接被着している部分の幅も調整することもできる。なお、これらの幅を調整する際には、金属枠体106の枠状メタライズ層への位置決め時の安定性を考慮しながら行なうことが望ましい。   Furthermore, the width of the frame-shaped metallized layer can be adjusted by changing the width of the portion of the first frame-shaped metallized layer 104 that is covered by the second frame-shaped metallized layer 105. In addition, the width of the portion of the first frame-shaped metallized layer 104 that is not covered with the second frame-shaped metallized layer 105 and the width of the portion of the second frame-shaped metalized layer 105 that is directly attached to the insulating substrate 101 are also adjusted. You can also It should be noted that when adjusting these widths, it is desirable to consider the stability when positioning the metal frame 106 on the frame-like metallized layer.

ここで、具体的に、酸化アルミニウム質焼結体からなる、平面視で2.0mm×2.5mmの長方形板状である絶縁基板101に、鉄−ニッケル−コバルト合金からなる、厚みが0.25mmであり、幅が0.3mmである金属枠体106をろう付けして作製した電子部品収納用パッケージを例に挙げて、その効果を説明する。   Here, specifically, the insulating substrate 101 made of an aluminum oxide sintered body and having a rectangular plate shape of 2.0 mm × 2.5 mm in plan view is made of an iron-nickel-cobalt alloy and has a thickness of 0.25 mm. The effect will be described with reference to an example of an electronic component storage package manufactured by brazing a metal frame 106 having a width of 0.3 mm.

この例において、枠状メタライズ層を構成する第1および第2枠状メタライズ層104,105は、ともにタングステンからなり、タングステンの金属ペーストを絶縁基板101と同時焼成することにより形成されたものとした。第1枠状メタライズ層104の厚みは約10μmに設定し、第2枠状メタライズ層105の厚みは約25μmに設定した。また、第1枠状メタライズ層104の幅は約0.2mmであり、第2枠状メタライズ層105の幅は約0.35mmであり、第2枠状メタライズ層105が約0.15mmの幅で第1枠状メタライズ層104の上面に被着して、枠状メタライズ層の幅は約0.4mmであった。また、第1枠状メタライズ層104と接続配線導体103との間隔は0.3mmとし、第2枠状メタライズ層105は、その外周が絶縁基板101の外周から0.1mm離れて沿ったパターンになるように設定した。そして、枠状メタライズ層に対する金属枠体106のろう付けは、ろう材107としてB−Ag8ろう(銀ろう)を用いて、電気トンネル炉(還元雰囲気)で約850℃に加熱して行なった。   In this example, the first and second frame-like metallization layers 104 and 105 constituting the frame-like metallization layer are both made of tungsten and formed by co-firing tungsten metal paste with the insulating substrate 101. . The thickness of the first frame-shaped metallized layer 104 was set to about 10 μm, and the thickness of the second frame-shaped metalized layer 105 was set to about 25 μm. The width of the first frame-like metallized layer 104 is about 0.2 mm, the width of the second frame-like metallized layer 105 is about 0.35 mm, and the width of the second frame-like metallized layer 105 is about 0.15 mm. The width of the frame-shaped metallization layer was about 0.4 mm, applied to the upper surface of the frame-shaped metallization layer 104. The distance between the first frame-like metallized layer 104 and the connection wiring conductor 103 is set to 0.3 mm, and the second frame-like metallized layer 105 has a pattern in which the outer periphery is 0.1 mm away from the outer periphery of the insulating substrate 101. Set to. Then, the metal frame 106 was brazed to the frame metallized layer by using B-Ag8 brazing (silver brazing) as the brazing material 107 and heating to about 850 ° C. in an electric tunnel furnace (reducing atmosphere).

この例の電子部品収納用パッケージについて、第1枠状メタライズ層104と接続配線導体103との間の絶縁性が確保されているか否かを、電気抵抗計(横河ヒューレットパッカード社製)を用いて検査した。測定環境を室温25±5℃、相対湿度40〜70%とし、直流電圧100Vを印加して測定した。この測定において、枠状メタライズ層104と接続配線導体103との間の電気抵抗が1×106Ω未満の製品を絶縁性が確保されていないものとして判断した。その結果、検査した約1000個の電子部品収納用パッケージにおいて、枠状メタライズ層(第1枠状メタライズ層104)と接続配線導体103との間の電気抵抗は1×106Ω以上であり、絶縁性が確保されていた。なお、従来技術の電子部品収納用パッケージ(例えば図3に示した例)の場合、例えば、枠状メタライズ層(204)の厚みが約25μmで、枠状メタライズ層の内周と接続配線導体(203)との間の距離が約0.3mmに設定されて製作されたものの場合には、約0.5%の割合で枠状メタライズ層(204)と接続配線導体(203)との間の電気抵抗が1×106Ω未満となり、絶縁性が確保されていないものが発生していた。 For the electronic component storage package of this example, an electrical resistance meter (manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard Company) is used to determine whether insulation between the first frame-like metallized layer 104 and the connection wiring conductor 103 is ensured. And inspected. The measurement environment was a room temperature of 25 ± 5 ° C., a relative humidity of 40 to 70%, and a DC voltage of 100 V was applied for measurement. In this measurement, a product having an electrical resistance between the frame-like metallized layer 104 and the connection wiring conductor 103 of less than 1 × 10 6 Ω was judged as having no insulation. As a result, in the inspected about 1000 electronic component storage packages, the electrical resistance between the frame-like metallized layer (first frame-like metallized layer 104) and the connection wiring conductor 103 is 1 × 10 6 Ω or more, Insulation was ensured. In the case of a conventional electronic component storage package (for example, the example shown in FIG. 3), for example, the thickness of the frame-shaped metallized layer (204) is about 25 μm, and the inner periphery of the frame-shaped metallized layer and the connection wiring conductor ( 203), the electrical resistance between the frame-like metallized layer (204) and the connection wiring conductor (203) is about 0.5%. Some of them were less than 1 × 10 6 Ω, and insulation was not ensured.

また、この例の電子部品収納用パッケージについて、金属枠体106に鉄−ニッケル−コバルト合金からなる蓋体をシーム溶接法で接合した後、蓋体を金属枠体106から機械的に剥がす試験を行なった。その結果、試験した200個の電子部品収納用パッケージにおいて、第1および第2枠状メタライズ層104,105に剥がれが発生しなかった。なお、比較例として、約10μmの厚さのメタライズ層のみで枠状メタライズ層を絶縁基板に被着させた電子部品収納用パッケージ(図示せず)を作製し、上記の例と同様に蓋体を接合した後に引き剥がす試験を行なった。その結果、試験した200個の比較例の電子部品収納用パッケージのうち2個において、枠状メタライズ層の外周部に部分的な剥がれが発生した。なお、この機械的な引き剥がしの試験は、金属枠体106に蓋体を接合した後に、この電子部品収納用パッケージをガラスエポキシ基板にはんだで実装し、蓋体上にはんだでφ0.5mm程度のアルミニウム製のワイヤーを接合して、プッシュプルゲージでワイヤーを引っ張り、蓋体を機械的に剥がすように応力を加える試験方法である。   In addition, with respect to the electronic component storage package of this example, after a lid made of an iron-nickel-cobalt alloy was joined to the metal frame 106 by the seam welding method, a test for mechanically peeling the lid from the metal frame 106 was performed. I did it. As a result, in the tested 200 electronic component storage packages, the first and second frame-like metallized layers 104 and 105 did not peel off. As a comparative example, an electronic component storage package (not shown) in which a frame-like metallized layer is attached to an insulating substrate with only a metallized layer having a thickness of about 10 μm is manufactured, and a lid is formed as in the above example. The test which peels after bonding was done. As a result, in two of the 200 electronic component storage packages tested, partial peeling occurred on the outer peripheral portion of the frame-shaped metallized layer. In this mechanical peeling test, after the lid was joined to the metal frame 106, the electronic component storage package was mounted on the glass epoxy board with solder, and the solder was about φ0.5 mm on the lid. This is a test method in which an aluminum wire is joined, the wire is pulled with a push-pull gauge, and stress is applied so as to mechanically peel off the lid.

また、本発明の電子部品収納用パッケージによれば、上記構成において、第2枠状メタライズ層105の絶縁基板101の上面に直接被着された部分の上、および第1枠状メタライズ層104の第2枠状メタライズ層105で覆われていない部分の上の少なくとも一方と金属枠体106との間に、ろう材の溜まり108が形成されている場合には、このろう材の溜まり108によって、金属枠体106をより一層強固に枠状メタライズ層(第1および第2枠状メタライズ層104,105)にろう付けすることができる。   Further, according to the electronic component storage package of the present invention, in the above-described configuration, the second frame metallization layer 105 on the portion directly attached to the upper surface of the insulating substrate 101 and the first frame metallization layer 104. In the case where a brazing material reservoir 108 is formed between at least one of the portions not covered with the second frame-like metallized layer 105 and the metal frame body 106, The metal frame 106 can be brazed to the frame-like metallized layer (first and second frame-like metallized layers 104, 105) even more firmly.

なお、このろう材の溜まり108は、前述した、第1枠状メタライズ層104を部分的に第2枠状メタライズ層105が覆っている構造により生じた枠状メタライズ層の段差部分に形成されている。ろう材の溜まり108の形成が、例えば図2(a)および(b)に示すように、第2枠状メタライズ層105の絶縁基板101の上面に直接被着された部分(外側段差)の上、または第1枠状メタライズ層104の第2枠状メタライズ層105で覆われていない部分(内側段差)の上の一方のみであっても、ろう材の溜まり108が形成されていない場合(例えば図2(c)に示す例)に比べて、金属枠体106の枠状メタライズ層に対するろう付けの強度を高めることができる。なお、図2(a)〜(c)は、それぞれ本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。図2において図1と同様の部位には同様の符号を付している。図2(c)に示す例においても、枠状メタライズ層の内周と接続配線導体103との絶縁性(ギャップ109)を確保する効果、および枠状メタライズ層の絶縁基板101に対する接合強度を高くする効果を得ることができる。   The brazing material reservoir 108 is formed at the step portion of the frame-like metallization layer generated by the structure in which the first frame-like metallization layer 104 is partially covered with the second frame-like metallization layer 105 described above. Yes. For example, as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), the brazing material reservoir 108 is formed on the portion (outer step) directly attached to the upper surface of the insulating substrate 101 of the second frame-like metallized layer 105. Or the brazing material reservoir 108 is not formed on only one of the first frame-shaped metallized layers 104 that is not covered with the second frame-shaped metallized layer 105 (inner step) (for example, Compared to the example shown in FIG. 2 (c), the brazing strength of the metal frame 106 to the frame-like metallized layer can be increased. 2A to 2C are main part enlarged cross-sectional views showing other examples of the embodiment of the electronic component storage package of the present invention. In FIG. 2, the same parts as those in FIG. Also in the example shown in FIG. 2C, the effect of ensuring the insulation (gap 109) between the inner periphery of the frame-like metallized layer and the connection wiring conductor 103 and the bonding strength of the frame-like metallized layer to the insulating substrate 101 are increased. Effect can be obtained.

また、ろう材の溜まり108が外側段差および内側段差の両方の上にそれぞれ形成されている場合には、さらに効果的に金属枠体106の接合の強度を高めることができる。   In addition, when the brazing material pool 108 is formed on both the outer step and the inner step, the strength of joining the metal frame 106 can be further effectively increased.

このようなろう材の溜まり108を金属枠体106と枠状メタライズ層との間に形成するためには、金属枠体106が外側段差や内側段差の上に位置している必要があり、金属枠体106が、そのような部位に位置することができる程度の幅を有している必要がある。   In order to form such a reservoir 108 of brazing material between the metal frame 106 and the frame-like metallized layer, the metal frame 106 must be positioned on the outer step or the inner step, It is necessary that the frame 106 has a width that allows the frame 106 to be positioned at such a portion.

なお、このようなろう材の溜まり108は、前述した従来技術による電子部品収納用パッケージにおいても形成することができるが、本発明の電子部品収納用パッケージにおいては、次のような優れた効果を有している。   Such a brazing material reservoir 108 can also be formed in the above-described conventional electronic component storage package, but the electronic component storage package of the present invention has the following excellent effects. Have.

つまり、従来の技術によれば、比較的厚く印刷された従来技術の枠状メタライズ層となる金属ペーストの上に、スペーサ用のメタライズ層となる金属ペーストを印刷する必要があるので、スペーサ用のメタライズ層となる金属ペーストに厚みばらつきが生じやすい。これは、上記枠状メタライズ層となる印刷された金属ペーストの分、セラミックグリーンシートの表面に段差が生じるため、スペーサ用のメタライズ層となる金属ペーストを印刷するための製版(版面)と被印刷物(従来技術の枠状メタライズ層となる金属ペースト)との間の距離がばらつきやすくなるためである。この場合、スペーサ用のメタライズ層の幅が狭いので、製版と被印刷物との間の距離のばらつきに応じた印刷厚みのばらつきが大きくなりやすい傾向がある。   That is, according to the conventional technique, it is necessary to print the metal paste that becomes the metallization layer for the spacer on the metal paste that becomes the frame-shaped metallization layer of the conventional technique printed relatively thickly. Variations in thickness tend to occur in the metal paste that becomes the metallized layer. This is because a step is generated on the surface of the ceramic green sheet by the amount of the printed metal paste that becomes the frame-like metallized layer, so that the plate making (plate surface) and the printing material for printing the metal paste that becomes the metallized layer for the spacer are used. This is because the distance between the metal paste and the metal paste that becomes the frame-shaped metallized layer of the prior art is likely to vary. In this case, since the width of the metallization layer for the spacer is narrow, there is a tendency that the variation in the printing thickness according to the variation in the distance between the plate making and the printing material tends to increase.

これに対し、本発明の電子部品収納用パッケージによれば、第1枠状メタライズ層104が例えば5〜10μm程度と比較的薄いので、製版と被印刷物(第1枠状メタライズ層104となる金属ペーストおよびセラミックグリーンシート)との間の距離がばらつくことを効果的に抑制することができる。そのため、第2枠状メタライズ層105の厚み、および枠状メタライズ層としての厚みのばらつきを小さく抑えることができる。   On the other hand, according to the electronic component storage package of the present invention, the first frame-shaped metallized layer 104 is relatively thin, for example, about 5 to 10 μm. It is possible to effectively suppress variation in the distance between the paste and the ceramic green sheet. Therefore, variations in the thickness of the second frame-like metallized layer 105 and the thickness as the frame-like metallized layer can be reduced.

また、第1枠状メタライズ層104よりも第2枠状メタライズ層105が厚いことから、外側段差のメタライズ層の厚みを厚く形成でき、枠状メタライズ層の外周における絶縁基板101に対する接合強度を高くする効果がある。この場合には、金属枠体106の上面に金属材料からなる蓋体(図示せず)を例えばシームウエルド法等により溶接した後、金属枠体106および蓋体の収縮により第1および第2枠状メタライズ層104,105の特に外周部に熱応力が加わったとしても、その熱応力はろう材の溜まり108、および第2枠状メタライズ層105の厚い部位によって良好に吸収される。そのため、第1および第2枠状メタライズ層104,105が絶縁基板101から剥離することや、第1枠状メタライズ層104から第2枠状メタライズ層105が剥離することを有効に防止することができる。   Further, since the second frame metallization layer 105 is thicker than the first frame metallization layer 104, the thickness of the outer metallization layer can be increased, and the bonding strength to the insulating substrate 101 at the outer periphery of the frame metallization layer is increased. There is an effect to. In this case, after a lid (not shown) made of a metal material is welded to the upper surface of the metal frame 106 by, for example, a seam weld method, the first and second frames are contracted by contraction of the metal frame 106 and the lid. Even if thermal stress is applied to the outer peripheral portions of the metallized layers 104 and 105, the thermal stress is favorably absorbed by the brazing material reservoir 108 and the thick part of the second frame metallized layer 105. Therefore, it is possible to effectively prevent the first and second frame metallization layers 104 and 105 from peeling from the insulating substrate 101 and the second frame metallization layer 105 from peeling from the first frame metallization layer 104. it can.

さらに、絶縁基板101の外周に近い外側段差の上に形成されるろう材の溜まり108の厚みを比較的薄くすることができることから、ろう材107の配線基板101の外周側面等への飛散や流れ出しを抑制する上で有利である。ろう材107の飛散や流れ出しを抑制することにより、例えば絶縁基板101の外側面や下面の外周等に形成された配線導体と枠状メタライズ層(第2枠状メタライズ層105)との電気的短絡の発生をより有効に防止することができる。   Further, since the thickness of the brazing material reservoir 108 formed on the outer step near the outer periphery of the insulating substrate 101 can be made relatively thin, the brazing material 107 can be scattered or flowed out to the outer peripheral side surface of the wiring substrate 101 or the like. It is advantageous in suppressing the above. By suppressing scattering and flow-out of the brazing material 107, for example, an electrical short circuit between the wiring conductor formed on the outer surface or the outer periphery of the lower surface of the insulating substrate 101 and the frame metallization layer (second frame metallization layer 105). Can be more effectively prevented.

また、例えば図2(a)に示すように、外側段差の幅が内側段差の幅よりも広い場合には、特に蓋体を金属枠体106に接合したときの熱応力に起因する枠状メタライズ層の外周の剥離を抑制する上で十分なろう材107の幅を確保することができる。   Further, for example, as shown in FIG. 2A, when the width of the outer step is wider than the width of the inner step, the frame-shaped metallization caused by the thermal stress particularly when the lid is joined to the metal frame 106. A sufficient width of the brazing material 107 can be ensured for suppressing peeling of the outer periphery of the layer.

すなわち、金属枠体106の上面に金属材料からなる蓋体を例えばシームウエルド法等により溶接した後、金属枠体106および蓋体の収縮により第1および第2枠状メタライズ層104,105の特に外周部に熱応力が加わったとしても、その熱応力は外側段差の上に幅広く形成されたろう材の溜まり108および第2枠状メタライズ層105によって良好に吸収される。そのため、第2枠状メタライズ層105の外周部分等が絶縁基板101から剥離することをより有効に防止することができる。   That is, after the lid made of a metal material is welded to the upper surface of the metal frame 106 by, for example, the seam weld method, the first and second frame-like metallized layers 104 and 105 are particularly affected by contraction of the metal frame 106 and the lid. Even if thermal stress is applied to the outer peripheral portion, the thermal stress is satisfactorily absorbed by the brazing material reservoir 108 and the second frame-like metallized layer 105 that are widely formed on the outer step. Therefore, it is possible to more effectively prevent the outer peripheral portion and the like of the second frame-like metallized layer 105 from peeling off from the insulating substrate 101.

なお、絶縁基板101への金属枠体106のろう付けは、絶縁基板101を前述した多数個取り基板の形態で作製する場合の例を挙げると、例えば以下のようにして行なわれる。   Note that the brazing of the metal frame 106 to the insulating substrate 101 is performed as follows, for example, in the case where the insulating substrate 101 is manufactured in the form of the multi-chip substrate described above.

まず、絶縁基板101となる複数の領域が縦横の並びに配列された母基板(図示せず)の外辺に位置決め用の切り欠き部(図示せず)を形成しておく。   First, a notch for positioning (not shown) is formed on the outer side of a mother board (not shown) in which a plurality of regions to be the insulating substrate 101 are arranged vertically and horizontally.

次に、主面におけるこの切り欠き部に対応する位置に位置決めピンが設けられているとともに、その主面に、それぞれが金属枠体106の外形に対応する複数の穴が上記の領域に対応して配列された板状等のろう付け用治具(図示せず)を準備する。   Next, a positioning pin is provided at a position corresponding to the notch on the main surface, and a plurality of holes each corresponding to the outer shape of the metal frame 106 correspond to the above region on the main surface. A brazing jig (not shown) such as a plate shape arranged in a row is prepared.

そして、治具の穴にそれぞれ金属枠体106を入れた後、治具に母基板を、切り欠き部に位置決めピンが挿入されるようにして載置し、これらを炉中でろう材107のろう付け温度(銀−銅ろうの場合であれば約750〜900℃程度)に加熱することによってろう付けが行なわれる。なお、この場合、金属枠体106の絶縁基板101とろう付けされる面に、あらかじめろう材107をフィルム状に被着させておくとよい。治具は、耐熱性が良好で、熱膨張係数が小さい材料、例えばカーボンにより形成されている。   Then, after putting the metal frame 106 in each hole of the jig, the mother board is placed on the jig and the positioning pins are inserted into the notches, and these are placed in the furnace with the brazing material 107. Brazing is performed by heating to a brazing temperature (about 750 to 900 ° C. in the case of silver-copper brazing). In this case, a brazing material 107 may be preliminarily attached to the surface of the metal frame 106 to be brazed to the insulating substrate 101 in the form of a film. The jig is made of a material having good heat resistance and a low thermal expansion coefficient, such as carbon.

以上の工程により、絶縁基板101の第1枠状メタライズ層104および第2枠状メタライズ層105に金属枠体106がろう付けされる。   Through the above steps, the metal frame 106 is brazed to the first frame-like metallized layer 104 and the second frame-like metallized layer 105 of the insulating substrate 101.

なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えても何ら差し支えない。例えば、この例では絶縁基板101の搭載部102内に形成された接続配線導体103を1対の接続配線導体103として形成したが、搭載部102内に収容される電子部品の形態に合わせて、搭載部102内に形成される接続配線導体103の形状や数を変更してもよい。   It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made without departing from the gist of the present invention. For example, in this example, the connection wiring conductor 103 formed in the mounting portion 102 of the insulating substrate 101 is formed as a pair of connection wiring conductors 103. According to the form of the electronic component accommodated in the mounting portion 102, The shape and number of the connection wiring conductors 103 formed in the mounting portion 102 may be changed.

101・・・絶縁基板
102・・・搭載部
103・・・接続配線導体
104・・・第1枠状メタライズ層
105・・・第2枠状メタライズ層
106・・・金属枠体
107・・・ろう材
108・・・ろう材の溜まり
109・・・ギャップ
101 ・ ・ ・ Insulating substrate
102 ・ ・ ・ Mounting part
103 ・ ・ ・ Connection wiring conductor
104 ... 1st frame-shaped metallization layer
105 ... 2nd frame metallization layer
106 ・ ・ ・ Metal frame
107 ... brazing material
108 ... Holding of brazing material
109 ... Gap

Claims (2)

上面の中央部に電子部品の搭載部を有し、前記上面の外周部に前記搭載部を取り囲む枠状メタライズ層が形成された絶縁基板と、前記枠状メタライズ層にろう付けされた金属枠体と、前記搭載部に前記枠状メタライズ層の内周に近接して形成された、前記電子部品が電気的に接続される接続配線導体とを備える電子部品収納用パッケージであって、前記枠状メタライズ層は、前記絶縁基板の上面に直接被着され、内周が前記搭載部の外周に近接して沿っている第1枠状メタライズ層と、該第1枠状メタライズ層の外周に沿って前記絶縁基板の上面から前記第1枠状メタライズ層の上面の幅方向の外側の部分にかけて被着された、前記第1枠状メタライズ層よりも厚い第2枠状メタライズ層とからなることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。 An insulating substrate having an electronic component mounting portion at the center of the upper surface, and a frame-shaped metallization layer surrounding the mounting portion on the outer periphery of the upper surface, and a metal frame brazed to the frame-shaped metallization layer And a mounting wiring conductor formed on the mounting portion in the vicinity of the inner periphery of the frame-shaped metallization layer, to which the electronic component is electrically connected, The metallized layer is directly attached to the upper surface of the insulating substrate, and a first frame-like metallized layer whose inner circumference is close to the outer circumference of the mounting portion, and along the outer circumference of the first frame-like metallized layer And a second frame metallization layer thicker than the first frame metallization layer, which is deposited from the upper surface of the insulating substrate to the outer portion in the width direction of the upper surface of the first frame metallization layer. Electronic component storage package . 前記第2枠状メタライズ層の前記絶縁基板の上面に直接被着された部分の上、および前記第1枠状メタライズ層の前記第2枠状メタライズ層で覆われていない部分の上の少なくとも一方と前記金属枠体との間に、ろう材の溜まりが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電子部品収納用パッケージ。   At least one of a portion of the second frame metallization layer directly attached to the upper surface of the insulating substrate and a portion of the first frame metallization layer not covered with the second frame metallization layer. 2. The electronic component storage package according to claim 1, wherein a brazing material reservoir is formed between the metal frame and the metal frame.
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