JP2015122330A - 導電粒子および導電粒子を含む導電材料 - Google Patents
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Abstract
Description
Sf:導電粒子の破壊が始まる力(F2、mN)を加えたときの変形量(μm)
Sc:導電粒子の直径と同じ数値の力(F1、mN)を加えたときの変形量(μm)
D:導電粒子の平均直径(μm)
を示す。
Sf:導電粒子の破壊が始まる力(F2)を加えたときの変形量(μm)
Sc:導電粒子の直径と同じ数値の力(F1)を加えたときの変形量(μm)、
D:導電粒子の平均直径(μm)
を示す。
1600gの脱イオン水に、15gの分散安定剤「PVP−30K」15gを溶解させた。かかる溶液に、ヘキサンジオールジアクリレートモノマー85gとジビニルベンゼンモノマー85gとを入れて、攪拌しながら懸濁液を製造した。この懸濁液に、重合剤としての過酸化ベンゾイル1.5gを添加し、攪拌してよく混合させた。前記懸濁液を85℃で加熱して重合反応を行い、反応が完結するまで12時間を維持した。合成が完了した後、懸濁液中の微粒子に対して濾過、洗浄、分級および乾燥工程を行って、コア樹脂微粒子を得た。
トリメチロールプロパントリアクリレートモノマー85gとジビニルベンゼンモノマー85gとを用いた以外は実施例1と同様にして、平均直径3.15μmの微粒子を合成した。前記微粒子20gを用いて実施例1と同様のメッキ前処理工程を経た後、溶液(b)を初期5分間20mL/minの速度で投入し、しかる後に、残りは6mL/minで投入して、平均直径3.47μm、Sc 1.04μm、Sf 1.72μm、P 47.7μm−1、メッキ層の厚さ160nmおよび突起の高さ230nmの導電粒子を製造した。
エチレングリコールジメタククリレートモノマー85gとジビニルベンゼン85gとを用いた以外は実施例1と同様にして、平均直径3.85μmの微粒子を合成した。前記微粒子50gを用いて実施例1と同様のメッキ工程を行い、平均直径4.02μm、Sc 1.48μm、Sf 1.78μm、P 29.79μm−1、メッキ層の厚さ85nmおよび突起の高さ151nmの導電粒子を製造した。
エチレングリコールジメタクリレートモノマー51gとジビニルベンゼン119gとを用いた以外は実施例1と同様にして、平均直径4.9μmの微粒子を合成した。前記微粒子75gを用いて実施例1と同様のメッキ前処理工程を経た後、溶液(b)を初期5分間20mL/minの速度で投入し、しかる後に、残りは15mL/minで投入して、平均直径5.05μm、Sc 1.67μm、Sf 2.56μm、P 30.4μm−1、メッキ層の厚さ78nmおよび突起の高さ65nmの導電粒子を製造した。
エチレングリコールジメタクリレートモノマー85gとメチルメタクリレート85gとを用いた以外は実施例1と同様にして、平均直径7.6μmの微粒子を合成した。前記微粒子50gを用いて実施例2と同様のメッキ工程を行い、平均直径7.96μm、Sc 1.85μm、Sf 3.95μm、P 26.8μm−1、メッキ層の厚さ180nmおよび突起の高さ246nmの導電粒子を製造した。
実施例3で合成された微粒子15gを用いて実施例1と同様の前処理工程を経た後、溶液(b)を初期5分間20mL/minの速度で投入し、しかる後に、残りは5mL/minの速度で投入して、平均直径4.4μm、Sc 1.35μm、Sf 1.87μm、P 31.5μm−1、メッキ層の厚さ275nmおよび突起の高さ425nmの導電粒子を製造した。
実施例3で合成された微粒子80gを用いて実施例1と同様の前処理工程を経た後、溶液(b)を初期5分間20mL/minの速度で投入した。しかる後に、残りは15mL/minの速度で投入して、Ni−Pメッキ層を形成し、置換反応を用いたAuメッキを施すことにより、平均直径3.96μm、Sc 1.35μm、Sf 1.74μm、P 31.8μm−1、メッキ層の厚さ55nmおよび突起の高さ52nmの導電粒子を製造した。
実施例3で合成された微粒子40gを用いて実施例1と同様の方法でNi−Pメッキを施し、メッキされた導電粒子にCuメッキを施した。CuメッキにはMSCで製造されたMS−KAPA製品を用いた。これにより、平均直径4.11μm、Sc 1.52μm、Sf 1.76μm、P 28.2μm−1、メッキ層の厚さ130nmおよび突起の高さ133nmの導電粒子を製造した。
スチレンモノマー170gを用いた以外は実施例1と同様にして、平均直径2.83μmの微粒子を合成した。前記微粒子30gを用いて実施例1と同様のメッキ工程を行い、平均直径3.04μm、Sc 1.98μm、Sf 1.12μm、P 18.6μm−1、メッキ層の厚さ105nmおよび突起の高さ135nmの導電粒子を製造した。
比較例1の工程と同様に行い、最終Cuメッキを施した。これにより、平均直径3.08μm、Sc 1.98μm、Sf 1.12μm、P 18.6μm−1、メッキ層の厚さ125nmおよび突起の高さ124nmの導電粒子を製造した。
<実験例1:接続抵抗の測定>
接続抵抗を測定するためにエポキシ樹脂と前記導電粒子を混合し、フィルム状に作って電極と接合させた後、抵抗を測定した。
Claims (7)
- 樹脂微粒子と、
前記樹脂微粒子の外面に設けられ、表面に突起を有する被覆層と、
を含み、
前記突起は、100〜300nmの高さを有し、
前記被覆層は、ニッケルおよびリンを含み、
下記式1によるP値が20≦P≦50である、導電粒子。
P(μm−1)=[(Sf/Sc)/D]×100・・・(式1)
ここで、上記式1において、
Sf:導電粒子の破壊が始まる力(F2、mN)を加えたときの変形量(μm)
Sc:導電粒子の直径と同じ数値の力(F1、mN)を加えたときの変形量(μm)
D:導電粒子の平均直径(μm)
を示す。 - 前記被覆層は、30〜300nmの厚さを有する、請求項1に記載の導電粒子。
- 前記突起は、前記被覆層と同一の物質からなる、請求項1または2に記載の導電粒子。
- 前記被覆層の外面には、Au、Pt、AgおよびPdからなる群から選択される1種または2種以上の合金からなる追加の被覆層をさらに含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電粒子。
- 前記導電粒子は、COG(Chip on Glass)用異方性導電フィルム(ACF)に含まれる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の導電粒子。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の導電粒子を含む、異方性導電材料。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の導電粒子、または、請求項6の異方性導電材料を含む、電子装置。
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