JP2015121565A - 多チャンネル光モジュール及びそれを用いた情報処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】バックプレーン基板に接続する複数のドータ基板のそれぞれに、送信または受信用のＩＣ及び光電変換素子を高密度に実装することが可能な多チャンネル光モジュール及びそれを用いた情報処理装置を提供する。
【解決手段】光モジュール１００を、表面に配線パターンが形成された基板と、基板の配線パターン上に搭載された半導体デバイスと、この半導体デバイスに搭載されて半導体デバイスで発生する熱を放出する放熱フィン１０８と、基板の配線パターン上に搭載されて半導体デバイスと電気的に接続された光電変換素子１０３と、一面を光電変換素子と接続しているモジュールコネクタ１０６と、このモジュールコネクタの他の面と接続している光ファイバ又は光導波路１０７とを備えて構成し、光ファイバ又は光導波路は、基板上で半導体デバイスと光電変換素子とが並ぶ方向に対して交差する方向に伸びるようにモジュールコネクタに接続されるように構成した。
【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、サーバ、ルータ等の情報処理装置に実装されるバックプレーン基板に接続される複数の回路基板間を光通信により行う多チャンネル光モジュール及びそれを用いた情報処理装置に関する。

サーバ、ルータ等の情報処理装置は、１．４倍／年で大容量化している。複数の基板間の信号を電気伝送しているこれまでの情報処理装置では、伝送速度を向上させることにより大容量化の要求に対応してきた。しかし、伝送速度を上げると基板の配線の損失が大きくなり、電気信号の波形が歪むため、伝送速度は１５Ｇｂ／ｓ程度が限界となる。そこで、伝送速度をさらに向上させるための手段として、光伝送の検討が進められている。
図１１に、従来の情報処理装置の構成の一例を示す。ＬＳＩ等の半導体デバイスで構成される送信または受信用のＩＣ１１０１はドータ基板１１０２に搭載されている。送信または受信用のＩＣ１１０３は、ドータ基板１１０２に形成された配線パターン１１０４を介してバックプレーン基板１１０１に取り付けられたバックプレーンコネクタ１１０５と接続する。バックプレーン基板１１０１上でバックプレーンコネクタ１１０５に装着された複数のドータ基板１１０２間はバックプレーン基板１１０１上に形成された配線パターン１１０６で接続されて信号の送受信が行われる。

光伝送を行うためには、ＬＳＩ等の半導体デバイス（ＩＣ）から出力される電気信号を光信号に変換したり、または受信した光信号をＬＳＩ等の半導体デバイスに入力できる電気信号に変換するための光電変換素子を用いる。

このような構成を備えた光伝送を行う情報処理装置として、例えば特開２００５−８０２９２号公報（特許文献１）には、光バックプレーン基板に複数の光回路基板を連結し、それぞれの光回路基板に搭載した光送信器及び光受信器と光バックプレーン基板側のコネクタとの間を光ファイバで接続する構成が記載されている。

又、特開２００８−５８６９５号公報（特許文献２）には、光バックプレーン基板に装着した回路基板上で、光電変換素子と光コネクタとの間を光ファイバで接続する構成が記載されている。

更に、特開２００７−１０２０１３号公報（特許文献３）には、光バックプレーン基板に装着した回路基板上で、光電変換素子と光コネクタとの間を光ファイバで接続し、光ファイバの配列方向（幅方向）を基板に対して９０度に設定することにより光コネクタの幅を小さくし、実装密度を高くした構成が記載されている。

特開２００５−８０２９２号公報 特開２００８−５８６９５号公報 特開２００７−１０２０１３号公報

情報処理装置を大容量化するには、光電変換を行うモジュールを高密度に配置することが必要である。

特許文献１に記載されている構成においては、バックプレーン基板に連結されたドータ基板に相当する各光回路基板に光送信器と光受信器とを１列に並べて配置した構成しか記載されておらず、光送信器と光受信器とを多数用いる場合にはその用いる数に応じて光回路基板の枚数を増やさなければならない。

また、特許文献２には、ドータ基板に相当するパッケージボード上に送信光モジュールと受信光モジュールとを１対ずつ搭載してそれらと光コネクタとの間を光ファイバで接続した構成が記載されているが、パッケージボード上に複数の送信光モジュール又は受信光モジュールを実装して光電変換モジュールの実装密度を上げることについては記載されていない。

更に、特許文献３には、光電変換モジュールと光コネクタとの間を配列方向（幅方向）を基板に対して９０度に設定した光ファイバで接続することにより、ドータ基板に相当する１枚の回路基板上に複数の光電変換モジュールを一列に並べた構成が記載されているが、それ以上に光電変換モジュールの実装密度を上げることについては記載されていない。

本発明は、従来技術の課題を解決して、バックプレーン基板に接続する複数のドータ基板のそれぞれに、送信または受信用のＩＣ及び光電変換素子を高密度に実装することが可能な多チャンネル光モジュール及びそれを用いた情報処理装置を提供することにある。

上記した課題を解決するために、本発明では、光モジュールを、表面に配線パターンが形成された基板と、該基板の配線パターン上に搭載された半導体デバイスと、該半導体デバイスに搭載されて該半導体デバイスで発生する熱を放出する放熱フィンと、前記基板の配線パターン上に搭載されて前記半導体デバイスと電気的に接続された光電変換素子と、一面を前記光電変換素子と接続しているモジュールコネクタと、該モジュールコネクタの他の面と接続している光ファイバ又は光導波路とを備えて構成し、前記光ファイバ又は光導波路は、前記基板上で前記半導体デバイスと前記光電変換素子とが並ぶ方向に対して交差する方向に伸びるようにモジュールコネクタに接続されるように構成した。

また、上記した課題を解決するために、本発明では、光モジュールを、表面に配線パターンが形成された基板と、該基板の配線パターン上に搭載された半導体デバイスと、該半導体デバイスに搭載されて該半導体デバイスで発生する熱を放出する放熱フィンと、前記基板の配線パターン上に搭載されて前記半導体デバイスと電気的に接続された光電変換素子と、一面を前記光電変換素子と光学的に接続しているモジュールコネクタと、該モジュールコネクタの他の面と光学的に接続している光ファイバ又は光導波路とを備えて構成し、 前記モジュールコネクタは、前記光ファイバ又は光導波路から前記他の面に入射した光の進行方向を９０度変換し、該進行方向を９０度変換した光を前記光電変換素子と光学的に接続された面から出射するように構成した。

また、上記した課題を解決するために、本発明では、バックプレーン基板と、該バックプレーン基板に固定された複数のバックプレーンコネクタと、前記バックプレーン基板上で前記複数のバックプレーンコネクタ間を光学的に接続する光ファイバ又は光導波路と、 複数の光モジュールを搭載して前記バックプレーンコネクタに装着されたドータ基板とを備えた情報処理装置において、前記ドータ基板に搭載された光モジュールを、表面に配線パターンが形成された基板と、該基板の配線パターン上に搭載された半導体デバイスと、 該半導体デバイスに搭載されて該半導体デバイスで発生する熱を放出する放熱フィンと、 前記基板の配線パターン上に搭載されて前記半導体デバイスと電気的に接続された光電変換素子と、一面を前記光電変換素子と光学的に接続しているモジュールコネクタと、一端を前記モジュールコネクタの他の面と光学的に接続し他端を前記バックプレーンコネクタと光学的に接続している光ファイバ又は光導波路とを備えて構成し、前記光ファイバ又は光導波路は、前記基板上で前記半導体デバイスと前記光電変換素子とが並ぶ方向に対して交差する方向に伸びて前記モジュールコネクタに接続されているように構成した。

更にまた、上記した課題を解決するために、本発明では、バックプレーン基板と、該バックプレーン基板に固定された複数のバックプレーンコネクタと、前記バックプレーン基板上で前記複数のバックプレーンコネクタ間を光学的に接続する光ファイバ又は光導波路と、複数の光モジュールを搭載して前記バックプレーンコネクタに装着されたドータ基板とを備えた情報処理装置において、前記ドータ基板に搭載された光モジュールを、表面に配線パターンが形成された基板と、該基板の配線パターン上に搭載された半導体デバイスと、該半導体デバイスに搭載されて該半導体デバイスで発生する熱を放出する放熱フィンと、前記基板の配線パターン上に搭載されて前記半導体デバイスと電気的に接続された光電変換素子と、一面を前記光電変換素子と光学的に接続しているモジュールコネクタと、 一端を前記モジュールコネクタの他の面と光学的に接続し他端を前記バックプレーンコネクタと光学的に接続している光ファイバ又は光導波路とを備えて構成し、前記モジュールコネクタは、前記光ファイバ又は光導波路から前記他の面に入射した光の進行方向を９０度変換し、該進行方向を９０度変換した光を前記光電変換素子と光学的に接続された面から出射するように構成した。

本発明によれば、複数の光モジュールを１枚のドータ基板上に並べて配置できるようにしたことにより比較的高密度に実装することが可能になり、大量の情報を光伝送を用いて高速に処理する大容量の情報処理装置を、比較的コンパクトに作成することが可能になった。

本発明の実施例１における多チャンネル光モジュールの概略の構成を示す光モジュールの正面図である。 本発明の実施例１における多チャンネル光モジュールの概略の構成を示す光モジュールの平面図である。 本発明の実施例１における多チャンネル光モジュールを複数搭載したドータ基板の平面図である。 本発明の実施例１における多チャンネル光モジュールを複数搭載したドータ基板のＸ−Ｘ断面図である。 本発明の実施例１における多チャンネルモジュールコネクタの平面図である。 本発明の実施例１における多チャンネルモジュールコネクタのＹ−Ｙ断面図である。 本発明の実施例１における多チャンネルモジュールコネクタの変形例を示すモジュールコネクタの平面図である。 本発明の実施例１における多チャンネルモジュールコネクタの変形例のＹ−Ｙ方向から見た側面図である。 本発明の実施例１における多チャンネル光モジュールを複数搭載したドータ基板を実装した情報処理装置の斜視図である。 本発明の実施例２における多チャンネル光モジュールの概略の構成を示す光モジュールの正面図である。 本発明の実施例２における多チャンネル光モジュールの概略の構成を示す光モジュールの平面図である。 本発明の実施例２における多チャンネル光モジュールの概略の構成を示す光モジュールのＤ−Ｄ断面矢視図である。 本発明の実施例２における多チャンネル光モジュールを複数搭載したドータ基板の平面図である。 本発明の実施例２における多チャンネルモジュールコネクタの正面図である。 本発明の実施例２における多チャンネルモジュールコネクタの変形例を示すモジュールコネクタの正面図である。 本発明の実施例２における多チャンネルモジュールコネクタの別の変形例を示すモジュールコネクタの正面図である。 本発明の実施例２における多チャンネル光モジュールを複数搭載したドータ基板を実装した情報処理装置の斜視図である。 従来の情報処理装置の構成を示す情報処理装置の斜視図である。 従来の情報処理装置を単純に光伝送方式に置き換えた場合の構成を示す情報処理装置の斜視図である。 従来の情報処理装置を光伝送方式に置き換えた場合において、光電変換素子と送信または受信ＩＣを１枚の基板上に搭載した構成を示す光モジュールの正面図である。 従来の情報処理装置を光伝送方式に置き換えた場合において、光電変換素子と送信または受信ＩＣを１枚の基板上に搭載した構成を示す光モジュールの平面図である。 従来の情報処理装置を光伝送方式に置き換えた場合において、ドータ基板上に光モジュールを複数搭載した構成の例を示す図で、光モジュールを一列に並べて搭載した場合の平面図である。 従来の情報処理装置を光伝送方式に置き換えた場合において、ドータ基板上に光モジュールを複数搭載した構成の例を示す図で、光モジュールを交互に並べて二列に配置した場合の平面図である。

図１１に示した従来の情報処理装置を、光導波路又は光ファイバを用いてバックプレーン基板に装着された複数のドータ基板間の情報伝達を行うように単純に置き換えた場合の構成例を図１２に示す。

図１２に示した例では、バックプレーン基板１２０１上のバックプレーンコネクタ１２１０に装着された複数のドータ基板１２０２の上に送信または受信用ＩＣ１２０３が搭載され、ドータ基板１２０２上に形成した配線パターン１２０４を介して光電変換素子１２０５と接続されている。光電変換素子１２０５とバックプレーンコネクタ１２１０との間は光導波路又は光ファイバ１２０６で接続され、バックプレーン基板１２０１上の各バックプレーンコネクタ１２１０間も光導波路又は光ファイバ１２１１で接続された構成となる。

ここで、図１２には図示していないが、光電変換素子１２０５の上面には、バックプレーン基板１２０１の側から送られてきた光信号を光電変換素子１２０５へ導くための光ファイバを接続したモジュールコネクタが装着される。また、送信または受信用のＩＣ１２０３の上面には、冷却用のフィンが接続される。このような構成をもつ送信または受信用のＩＣ１２０３と光電変換素子１２０５とをドータ基板１２０２上に複数個を直接搭載することは、ドータ基板の配線精度を高精度にする必要があり、コストが高くなってしまう。 この問題を解決する手段として、図１２に示した送信または受信用のＩＣ１２０３と光電変換素子１２０５とを、図１３Ａ及び図１３Ｂに示した送信または受信用のＩＣ１３０２と光電変換素子１３０３のように、光モジュール基板１３０１上に搭載してはんだ１３０４で接続し、送信または受信用のＩＣ１３０２と光電変換素子１３０３との間を配線１３０５で接続し、光電変換素子１３０３にモジュールコネクタ１３０６を装着して光導波路または光ファイバ１３０７でバックプレーン基板１２０１側のバックプレーンコネクタ１２１０と接続する構造を採用する方法が考えられる。
図１３Ａに示した構成では、さらに、送信または受信用のＩＣ１３０２の上面には放熱フィン１３０８が装着され、動作中の送信または受信用のＩＣ１３０２から発生する熱を放熱フィン１３０８で放射して送信または受信用のＩＣ１３０２を冷却する構成となっている。

このように部品が搭載された光モジュール基板１３０１は、はんだ１３０９でドータ基板１２０２に接続される。

このように構成された光モジュール１３００を上面から見たとき、図１３Ｂに示すように、送信または受信用のＩＣ１３０２、光電変換素子１３０３とその上に搭載されたモジュールコネクタ１３０６、及びそれに接続された光ファイバ１３０７とが直線状に並んだ構造になる。

図１３Ａ及び図１３Ｂに示したような構成の光モジュール１３００を複数個、ドータ基板１２０２に搭載して光ファイバ１３０７でバックプレーン基板１２０１のバックプレーンコネクタ１２１０と接続した場合、光ファイバ１３０７は厚み方向には曲げることができても、幅方向に曲げることは難しい。したがって、光モジュール１３００をバックプレーンコネクタ１２１０に対して直角方向に複数並べた場合、光ファイバ１３０７は送信または受信用のＩＣ１３０２に装着された放熱フィン１３０８の上を越えてバックプレーンコネクタ１２１０と接続させなければならない。しかし光ファイバの許容曲げ半径は数cmと大きいため、光モジュール１３００を前後の間隔をあけて配置しなければならず、ドータ基板１２０２上での光モジュール１３００の実装密度が低くなってしまう。また放熱フィン１３０８の上を飛び越えて光ファイバが配線されるため、放熱フィンの効率が悪くなり、ＩＣの熱を逃がせなくなる可能性がある。

この実装密度の低下や放熱の問題を防ぐためには、図１４Ａに示すように光モジュール１３００をバックプレーンコネクタ１２１０に対して平行方向１列に複数個を配置した構成か、又は図１４Ｂに示すように１列目の光モジュール１３００の間隔を広くしてその間を２列目の光モジュール１３００の光ファイバ１３０７を通す構成とするしかなく、１枚のドータ基板１２０２への光モジュール１３００の実装密度をそれ以上高くことが難しい。

そこで、本発明では、以下の実施例に示すような構成とすることにより、ドータ基板への光モジュールの実装密度を向上させた。

以下に、本発明の実施例を図を用いて説明する。

図１Ａ及び図１Ｂに、本実施例におけるドータ基板への実装密度を高めるための光モジュールの構成を示す。図１Ａ及び図１Ｂに示した構成において、光モジュール１００は、光モジュール基板１０１の上に送信又は受信用ＩＣ１０２と光電変換素子１０３とが搭載されてそれらの間がはんだ１０４で接続され、送信または受信用ＩＣ１０２と光電変換素子１０３との間は配線１０５で接続されている。光電変換素子１０３にはレンズとミラーとを備えたモジュールコネクタ１０６が搭載され、モジュールコネクタ１０６には光ファイバ又は光導波路１０７（以下、光ファイバ１０７と記す）が接続されている。また、送信または受信用のＩＣ１０２の上面には放熱フィン１０８が接続され、動作中の送信または受信用のＩＣ１０２から発生する熱を放射して冷却する構成になっている。

このような構成において、光ファイバ１０７は、図１Ｂに示すように、光モジュール基板１０１の上で送信又は受信用ＩＣ１０２と光電変換素子１０３とが並ぶ方向に対して交差した方向、好ましくは直角な方向に取り付けられている。

このように構成した光モジュール１００を複数個、ドータ基板２００に搭載した状態を上面からみた様子を図２Ａに示す。図２Ａにおいては、光モジュール１００をドータ基板２００上に縦方向に３列、横方向に３列で合計９個：１００−１〜１００−９を設置した状態を示している。横方向に並んだ３個の光モジュール例えば１００−１〜１００−３から出ている光ファイバ１０７−１〜１０７−３は、重なった状態でバックプレーンコネクタ２０１と接続している。

光モジュール１００−１から出ている光ファイバ１０７−１は、光モジュール１００−２および１００−３に装着されている放熱フィン１０８−２及び１０８−３とは重ならない位置、即ち、放熱フィン１０８と比べて高さが低いモジュールコネクタ１０６の上を通ってバックプレーンコネクタ２０１と接続しているので、光ファイバ１０７−１を厚さ方向に小さな曲率で折り曲げる必要が無い。その結果、光モジュール１００−１を光モジュール１００−２と比較的近接させた状態でドータ基板２００に実装することができる。他の光モジュール１００−３乃至１００−９についても同様に比較的近接させた状態でドータ基板２００に実装することができる。

図２Ｂには、図２ＡのＸ−Ｘ線の断面図示す。図２Ｂでは、ドータ基板２００に搭載された光モジュール１００−１のモジュールコネクタ１０６−１に接続する光ファイバ１０７−１が厚さ方向に折り曲げられて、冷却フィン１０８と比べて高さが低い光モジュール１００−２のモジュールコネクタ１０６−２と光モジュール１００−３のモジュールコネクタ１０６−３の上を通ってバックプレーン基板１０００に取り付けられているバックプレーンコネクタ２０１と接続している。また、光モジュール１００−２のモジュールコネクタ１０６−２に接続する光ファイバ１０７−２は、厚さ方向に折り曲げられて、光モジュール１００−１から延びている光ファイバ１０７−１と光モジュール１００−３のモジュールコネクタ１０６−３との間を通ってバックプレーンコネクタ２０１と接続している。

このように、光ファイバ１０７は、幅方向に曲げることは難しいが厚さ方向には折り曲げることができ、かつ高さの低いモジュールコネクタ１０６の上を通るため、図２Ｂに示したように、光モジュール１００を互いに近接させた状態で光ファイバ１０７を複数重ねて配線することが可能であり、図２Ａに示したようにドータ基板２００上に光モジュール１００を比較的高い密度で搭載することができる。

図３Ａ及び図３Ｂに、モジュールコネクタ１０６の構成を示す。図３Ａはモジュールコネクタ１０６の平面図であり、図３Ｂは図３Ａのモジュールコネクタ１０６をＹ−Ｙ方向から見た側面図である。モジュールコネクタ１０６には、反射面１０６１と１０６２とが形成されている。モジュールコネクタ１０６の側面には光ファイバ１０７が、又下面には光電変換素子１０３が接続されている。

光ファイバ１０７からモジュールコネクタ１０６に入射した光は、図３Ａに点線で示した光路１０６３−１〜１０６３−４に沿ってモジュールコネクタ１０６の内部を進み、光ファイバ１０７からの入射面に対して４５度傾いて設けられた反射面１０６１で反射して光路を９０度折り曲げられる。次に、反射面１０６１で反射した光は、光路に対して４５度傾いて設けられた反射面１０６２で図３Ｂに示すように光電変換素子１０３が接続している面の側に反射して光電変換素子１０３に入射する。

ここで、反射面１０６１と１０６２とは、それぞれ光路に対して４５度傾いて形成されており、光ファイバ１０７から入射して光電変換素子１０３の側に出射するまでのモジュールコネクタ１０６の内部の光路１０６３−１〜１０６３−４の光路長は全て等しくなるので、スキューの調整は不要になる。

図３Ａ及び図３Ｂに示したモジュールコネクタ１０６の構成では、光ファイバ１０７から入射した光を直接モジュールコネクタ１０６の内部に取り込む構成について説明したが、モジュールコネクタ１０６の入射側と出射側に微小なレンズを設けて、光ファイバ１０７から入射した光をこの微小なレンズ平行光に変換してからでモジュールコネクタ１０６の内部を透過させ、出射側に設けた微小なレンズを介して光電変換素子１０３の側に出射させるような構成にしてもよい。

この構成を図４Ａ及び図４Ｂに示す。図４Ａは微小なレンズを装着したモジュールコネクタ１０６´の平面図であり、図４Ｂは図４ＡをＹ−Ｙ方向から見た側面図である。モジュールコネクタ１０６´は、本体１０６１と、本体１０６１に接続された第１のレンズ群１０６６−１〜１０６６−４、第２のレンズ群１０６７−１〜１０６７−４を備えて構成されている。本体１０６１の形状は図３Ａ及び図３Ｂで説明したモジュールコネクタ１０６の形状と同じで、反射面１０６１と１０６２とが形成されている。

第１のレンズ群１０６６−１〜１０６６−４の直前には光ファイバ１０７が設置されている。光ファイバ１０７から第１のレンズ群１０６６−１〜１０６６−４のそれぞれのレンズに入射した光は、本体１０６１の内部を光路１０６８−１〜１０６８−４に沿って直進し、本体１０６１に形成された面１６０１で反射して光路を図４Ａの下側に変換し、図４Ｂに示す本体１０６１に形成された面１６０２で反射して第２のレンズ群１０６７−１〜１０６７−４から光電変換素子１０３の側に出射する。

本体１０６１の構成は図３Ａ及び図３Ｂで説明したモジュールコネクタ１０６の構成と同じであるので、この場合も光ファイバ１０７から入射して光電変換素子１０３の側に出射するまでのモジュールコネクタ１０６の内部の光路１０６３−１〜１０６３−４の光路長は全て等しくなるので、スキューの調整は不要になる。

なお、上記した説明では、光ファイバ１０７からモジュールコネクタ１０６に光が入射して光電変換素子１０３の側に出射する構成で説明したが、逆に、光電変換素子１０３の側からモジュールコネクタ１０６に光が入射して、光ファイバ１０７の側に出射する場合でも同様に作用する。

図５に、本実施例による光モジュール１００を搭載したドータ基板２００を複数枚バックプレーン基板１０００に実装した情報処理装置２０００の構成を示す。各ドータ基板２００に実装された光モジュール１００のモジュールコネクタ１０６とバックプレーン基板１０００側のバックプレーンコネクタ２０１とは、光ファイバ１０７で接続されている。

本実施例によれば、図５に示したように、一つの光モジュール１００からバックプレーンコネクタ２０１に向かって伸びているファイバまたは光導波路１０７の配線に、他の光モジュール１００の放熱フィン１０８が妨げにならないので、１枚のドータ基板２００上でバックプレーンコネクタ２０１の長手方向に対して垂直な方向にも光モジュール１００を並べて配置することが可能となる。
本実施例によれば、光ファイバに大きな負荷をかけることなく、ドータ基板上に光モジュールを比較的高密度に実装することが可能になり、伝送速度を１５Ｇｂ／ｓ以上にしても電気信号の波形歪を小さく抑えて基板の配線の損失を低く抑えることができる情報処理装置を、装置の容積を大きくすることなく、比較的コンパクトに実現することができた。

ドータ基板への実装密度を高めるための光モジュールの構成の第２の実施例を、図６Ａ乃至図６Ｃに示す。本実施例を構成する部品は実施例１で説明した図１Ａ及び図１Ｂの光モジュールを構成する部品と同じであり、実施例１で説明した構成に対して、モジュールコネクタ６０６と光ファイバ６０７とを光モジュール基板６０１に対して立てて配置した点が異なる。即ち、図６Ａに示すように、光ファイバ６０７を、幅方向が光モジュール基板６０１に対して垂直になるように配置した点が異なる。

図６Ａに示した構成において、実施例２における光モジュール６００は、光モジュール基板６０１の上に送信又は受信用ＩＣ６０２と光電変換素子６０３とが搭載されてそれらの間がはんだ６０４で接続されて、送信又は受信用ＩＣ６０２と光電変換素子６０３との間は配線６０５で接続されている。光電変換素子６０３にはレンズとミラーとを備えたモジュールコネクタ６０６が搭載され、モジュールコネクタ６０６には光ファイバ又は光導波路６０７（以下、光ファイバ６０７と記す）が接続される。また、送信または受信用のＩＣ６０２の上面には放熱フィン６０８が接続され、動作中の送信または受信用のＩＣ６０２から発生する熱を放射して冷却させる構成になる。

このような構成において、光ファイバ６０７は、図６Ｂに示すように、光モジュール基板６０１の上で送信又は受信用ＩＣ６０２と光電変換素子６０３とが並ぶ方向に対して直角な方向に、又、図６Ａに示すように、幅方向が光モジュール基板６０１に対して垂直になるように取り付けられている。図６Ｃは、図６ＡのＤ−Ｄ断面矢指図で、光電変換素子６０３に対するモジュールコネクタ６０６と光ファイバ６０７との位置関係を示している。

このように構成した光モジュール６００を複数個、ドータ基板７００に搭載した状態を上面からみた様子を図７に示す。図７においては、光モジュール６００をドータ基板７００上に縦方向に３列、横方向に３列で合計９個：６００−１〜６００−９を設置した状態を示している。横方向に並んだ３個の光モジュール例えば６００−１〜６００−３から出ている光ファイバ６０７−１〜６０７−３は、厚み方向に近接した状態でバックプレーンコネクタ７０１と接続している。

図７に示したドータ基板７００には、光ファイバとは直接接続していない部品又はＬＳＩ７０３がバックプレーンコネクタ７０１の近傍に配置されている状態を示している。このような配置であっても、光ファイバ６０７は厚み方向には曲げやすいという性質を利用して光ファイバ６０７−４〜６０７−６を厚み方向に曲げることにより、部品又はＬＳＩ７０３と干渉することなく光ファイバ６０７−４〜６０７−６をバックプレーンコネクタ７０１と接続させることができる。

図８Ａに、実施例２で用いるモジュールコネクタ６０６の構成を示す。本実施例におけるモジュールコネクタ６０６には、光ファイバ６０７から入射した光の光路を折り曲げるための反射面６０６１を１か所だけ設けた点が、実施例１で説明した反射面を２か所に設けたモジュールコネクタ１０６と異なっている。

モジュールコネクタ６０６の側面６０６０には光ファイバ６０７が、又下面６０６２には光電変換素子６０３が接続されている。

モジュールコネクタ６０６の側面６０６０で光ファイバ６０７から入射した光は、図８Ａに点線で示した光路６０６３−１〜６０６３−４に沿ってモジュールコネクタ６０６の内部を進み、光ファイバ６０７からの入射面に対して４５度傾いて設けられた反射面６０６１で反射して光路を９０度折り曲げられる。反射面６０６１で反射した光は、面６０６２から出射して光電変換素子６０３に入射する。

ここで、反射面６０６１は、光路に対して４５度傾いて形成されており、光ファイバ６０７から入射して光電変換素子６０３の側に出射するまでのモジュールコネクタ６０６の内部の光路６０６３−１〜６０６３−４の光路長は全て等しくなるので、スキューの調整は不要になる。

図８Ａに示したモジュールコネクタ６０６の構成では、光ファイバ６０７から入射した光を直接モジュールコネクタ６０６の内部に取り込む構成について説明したが、モジュールコネクタ６０６の入射側と出射側に微小なレンズを設けて、光ファイバ６０７から入射した光をこの微小なレンズで平行光に変換してからモジュールコネクタ６０６の内部を透過させ、出射側に設けた微小なレンズを介して光電変換素子６０３の側に出射させるような構成にしてもよい。

この構成を図８Ｂに示す。図８Ｂは微小なレンズを装着したモジュールコネクタ６０６´の正面図である。モジュールコネクタ６０６´は、本体６０６５と、本体６０６５に接続された第１のレンズ群６０６６−１〜６０６６−４、第２のレンズ群６０６７−１〜６０６７−４を備えて構成されている。本体６０６１の形状は図８Ａで説明したモジュールコネクタ６０６の形状と同じで、モジュールコネクタ６０６には反射面６０６１が形成されている。

第１のレンズ群６０６６−１〜６０６６−４の直前には光ファイバ６０７が設置されている。光ファイバ６０７から第１のレンズ群６０６６−１〜６０６６−４のそれぞれのレンズに入射した光は、平行光となって面６０６０から本体６０６１に入射する。本体６０６１に入射した光は、光路６０６８−１〜６０６８−４に沿って直進し、本体６０６１に形成された反射面６６０１で反射して光路を９０度折り曲げられる。光路を折り曲げられた光は、面６６０２から出射して第２のレンズ群６０６７−１〜６０６７−４を透過して光電変換素子６０３に入射する。

本体６０６１の構成は図８Ａで説明したモジュールコネクタ６０６の構成と同じであるので、この場合も光ファイバ６０７から入射して光電変換素子６０３の側に出射するまでのモジュールコネクタ６０６の内部の光路６０６３−１〜６０６３−４の光路長は全て等しくなるので、スキューの調整は不要になる。

なお、上記した説明では、光ファイバ６０７からモジュールコネクタ６０６に光が入射して光電変換素子６０３の側に出射する構成で説明したが、逆に、光電変換素子６０３の側からモジュールコネクタ６０６に光が入射して、光ファイバ６０７の側に出射する場合でも同様に作用する。

本実施例におけるモジュールコネクタ６０６の変形例を図９に示す。図９に示したモジュールコネクタ５０６”は、光ファイバ布線シート又は光導波路で形成し、図９に示したような形状に成型した。このように成型したモジュールコネクタ５０６”を用いることにより、図６Ｃに示したような、幅方向が光モジュール基板６０１に対して垂直に配置された光ファイバ６０７から出射された光を、光モジュール基板６０１に搭載された光電変換素子６０３に入力することができる。

ただし、図９に示したようなモジュールコネクタ５０６”を用いる場合、モジュールコネクタ５０６”の内周側と外周側とで光路長が異なるので、モジュールコネクタ５０６”から出射された光のスキューを調整する手段（図示せず）が必要になる。

図６乃至図９で説明した例では、光ファイバ６０７を、幅方向が光モジュール基板６０１に対して垂直になるように配置した例を説明したが、本実施例はこれに限定されるものではなく、光ファイバ６０７を、幅方向が光モジュール基板６０１に対して垂直に近い方向で多少傾けて（立てるようにして）配置してもよい。

図１０に、本実施例による光モジュール６００を搭載したドータ基板７００を複数枚バックプレーン基板１５００に実装した情報処理装置２５００の構成を示す。各ドータ基板７００に実装された光モジュール６００のモジュールコネクタ６０６とバックプレーン基板１５００側のバックプレーンコネクタ７０１とは、光ファイバ６０７で接続されている。

図１０に示したように、本実施例によれば、光ファイバまたは光導波路６０７は幅方向に対して厚さ方向には曲げやすいため、一つの光モジュール６００からバックプレーンコネクタ７０１に向かって伸びているファイバまたは光導波路６０７は、他の光モジュールの放熱フィン６０８やモジュールコネクタ６０６及びその他の部品をよけて配線することが可能となり、ドータ基板７００の上で、バックプレーンコネクタ７０１の長手方向に対し垂直な方向にもモジュールを並べて配置することが可能となる。

本実施例によれば、光ファイバに大きな負荷をかけることなく、ドータ基板上に光モジュールを比較的高密度に実装することが可能になり、伝送速度を１５Ｇｂ／ｓ以上にしても電気信号の波形歪を小さく抑えて基板の配線の損失を低く抑えることができる情報処理装置を、装置の容積を大きくすることなく、比較的コンパクトに実現することができた。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、その要旨を逸脱しない範囲である実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の公知の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。

１００，６００…光モジュール １０１，６０１…光モジュール基板 １０２，６０２…送信又は受信用ＩＣ １０３，６０３…光電変換素子 １０６，６０６…モジュールコネクタ １０７，６０７…光ファイバ又は導波路 ２００，７００…ドータ基板 ２０１，７０１…バックプレーンコネクタ １０００，１５００…バックプレーン基板 ２０００，２５００…情報処理装置。

Claims (12)

1. 表面に配線パターンが形成された基板と、
   該基板の配線パターン上に搭載された半導体デバイスと、
   該半導体デバイスに搭載されて該半導体デバイスで発生する熱を放出する放熱フィンと、
   前記基板の配線パターン上に搭載されて前記半導体デバイスと電気的に接続された光電変換素子と、
   一面を前記光電変換素子と接続しているモジュールコネクタと、
   該モジュールコネクタの他の面と接続している光ファイバ又は光導波路と
   を備えた光モジュールであって、
   前記光ファイバ又は光導波路は、前記基板上で前記半導体デバイスと前記光電変換素子とが並ぶ方向に対して交差する方向に伸びるようにモジュールコネクタに接続されていることを特徴とする多チャンネル光モジュール。
2. 表面に配線パターンが形成された基板と、
   該基板の配線パターン上に搭載された半導体デバイスと、
   該半導体デバイスに搭載されて該半導体デバイスで発生する熱を放出する放熱フィンと、
   前記基板の配線パターン上に搭載されて前記半導体デバイスと電気的に接続された光電変換素子と、
   一面を前記光電変換素子と光学的に接続しているモジュールコネクタと、
   該モジュールコネクタの他の面と光学的に接続している光ファイバ又は光導波路と
   を備えた光モジュールであって、
   前記モジュールコネクタは、前記光ファイバ又は光導波路から前記他の面に入射した光の進行方向を９０度変換し、該進行方向を９０度変換した光を前記光電変換素子と光学的に接続された面から出射することを特徴とする多チャンネル光モジュール。
3. 前記光ファイバ又は光導波路は、該光ファイバ又は光導波路の幅方向が前記基板の表面に平行に前記モジュールコネクタに接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の多チャンネル光モジュール。
4. 前記モジュールコネクタは、前記光ファイバ又は光導波路から前記他の面に入射した光の進行方向を２回以上９０度変化させて前記光電変換素子と光学的に接続された面から出射させることを特徴とする請求項３記載の多チャンネル光モジュール。
5. 前記光ファイバ又は光導波路は、該光ファイバ又は光導波路の幅方向が前記基板の表面に対して垂直に前記モジュールコネクタに接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の多チャンネル光モジュール。
6. 前記モジュールコネクタは、前記光ファイバ又は光導波路から前記他の面に入射した光の進行方向を、該入射した光の進行方向に対して４５度傾けた面で反射させることにより前記光の進行方向を９０度変化させて前記光電変換素子と光学的に接続された面から出射させることを特徴とする請求項５記載の多チャンネル光モジュール。
7. 前記光ファイバは、前記モジュールコネクタとマイクロレンズを介して接続されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の多チャンネル光モジュール。
8. バックプレーン基板と、
   該バックプレーン基板に固定された複数のバックプレーンコネクタと、
   前記バックプレーン基板上で前記複数のバックプレーンコネクタ間を光学的に接続する光ファイバ又は光導波路と、
   複数の光モジュールを搭載して前記バックプレーンコネクタに装着されたドータ基板と
   を備えた情報処理装置であって、
   前記ドータ基板に搭載された光モジュールは、
   表面に配線パターンが形成された基板と、
   該基板の配線パターン上に搭載された半導体デバイスと、
   該半導体デバイスに搭載されて該半導体デバイスで発生する熱を放出する放熱フィンと、
   前記基板の配線パターン上に搭載されて前記半導体デバイスと電気的に接続された光電変換素子と、
   一面を前記光電変換素子と光学的に接続しているモジュールコネクタと、
   一端を前記モジュールコネクタの他の面と光学的に接続し他端を前記バックプレーンコネクタと光学的に接続している光ファイバ又は光導波路と
   を備え、
   前記光ファイバ又は光導波路は、前記基板上で前記半導体デバイスと前記光電変換素子とが並ぶ方向に対して交差する方向に伸びて前記モジュールコネクタに接続されていることを特徴とする情報処理装置。
9. バックプレーン基板と、
   該バックプレーン基板に固定された複数のバックプレーンコネクタと、
   前記バックプレーン基板上で前記複数のバックプレーンコネクタ間を光学的に接続する光ファイバ又は光導波路と、
   複数の光モジュールを搭載して前記バックプレーンコネクタに装着されたドータ基板と
   を備えた情報処理装置であって、
   前記ドータ基板に搭載された光モジュールは、
   表面に配線パターンが形成された基板と、
   該基板の配線パターン上に搭載された半導体デバイスと、
   該半導体デバイスに搭載されて該半導体デバイスで発生する熱を放出する放熱フィンと、
   前記基板の配線パターン上に搭載されて前記半導体デバイスと電気的に接続された光電変換素子と、
   一面を前記光電変換素子と光学的に接続しているモジュールコネクタと、
   一端を前記モジュールコネクタの他の面と光学的に接続し他端を前記バックプレーンコネクタと光学的に接続している光ファイバ又は光導波路と
   を備え、
   前記モジュールコネクタは、前記光ファイバ又は光導波路から前記他の面に入射した光の進行方向を９０度変換し、該進行方向を９０度変換した光を前記光電変換素子と光学的に接続された面から出射することを特徴とする情報処理装置。
10. 前記ドータ基板上に搭載された複数の光モジュールのうち少なくとも一つの光モジュールから前記モジュールコネクタに伸びている光ファイバ又は光導波路は、前記ドータ基板上に搭載された他の光モジュールから前記モジュールコネクタに伸びている光ファイバ又は光導波路と重なって配線されていることを特徴とする請求項８又は９に記載の情報処理装置。
11. 前記ドータ基板上に搭載された光モジュールの前記光ファイバ又は光導波路は、該光ファイバ又は光導波路の幅方向が前記光モジュールの基板の表面に対して立てた状態で配線されて前記モジュールコネクタに接続されていることを特徴とする請求項８又は９に記載の情報処理装置。
12. 前記ドータ基板上に搭載された複数の光モジュールのうちの少なくとも一つの光モジュールから前記モジュールコネクタに伸びている光ファイバ又は光導波路は、前記ドータ基板上に搭載された他の光モジュールに搭載された前記モジュールコネクタ又は放熱フィンと重ならないようにして配線されていることを特徴とする請求項１１記載の情報処理装置。

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