JP2012141471A - 光インターコネクションモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】端面発光型発光素子11と、面受光型受光素子12と、発光素子と電気的に接続された、発光素子を駆動させるための駆動回路400と、受光素子と電気的に接続された、受光素子からの信号を増幅する増幅回路401と、発光素子と外部の光ファイバ111とを光学的に接続する第1の光導波路105aと、受光素子と光ファイバ111とを光学的に接続する第2の光導波路105bとを有し、発光素子の後端面より後ろであって、発光素子後端面からの直接光の強度が、発光素子の側面からの直接光の強度よりも弱い角度範囲に受光素子が配置されていることを特徴とする光インターコネクションモジュール。
【選択図】図1A
Description
以上のように、本実施例の構成によって、放熱性を向上させ、電気的なクロストークを抑制し、小型化・低背化可能な光インターコネクションモジュールが得られる。
11…発光素子
12…受光素子
100…多層基板、
101…発光素子アレイ、
102…吸光部材、
103…受光部、
104…受光素子アレイ、
105a,105b…光導波路、
106…配線コア、
107…光路変換部、
108…溝、
109a,109b,504…電気配線、
110…光コネクタ、
111…光ファイバ、
112…クラッド層
113…ビア、
114…パッケージ筐体、
115…集積回路素子、
200…レンズ、
201…レンズ集積型受光素子アレイ
202…サブマウント
300a,300b…光吸収体、
400…駆動回路、
401…信号増幅回路、
402…論理回路、
403…電源調整回路、
500…電気コネクタ、
501…ソケット、
502…放熱フィン、
503…回路ボード、
600…光インターコネクションモジュール、
601…LSIパッケージ、
603…バックプレーン
700…分岐部
701…電極
801…熱伝導性基板
Claims (18)
- 端面発光型発光素子と、
面受光型受光素子と、
前記発光素子と電気的に接続された、前記発光素子を駆動させるための駆動回路と、
前記受光素子と電気的に接続された、前記受光素子からの信号を増幅する増幅回路と、
前記発光素子と外部の光ファイバとを光学的に接続する第1の光導波路と、
前記受光素子と前記光ファイバとを光学的に接続する第2の光導波路とを有し、
前記発光素子の後端面より後ろであって、前記発光素子後端面からの直接光の強度が、前記発光素子の側面からの直接光の強度よりも弱い角度範囲に前記受光素子が配置されていることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項1に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記光インターコネクションモジュールはさらに基板を有し、
前記発光素子は前記基板上に実装されており、
前記発光素子の後方かつ前記受光素子の前方には、前記発光素子の使用波長帯の光を吸収する吸光部材が配置され、
前記吸光部材の上端面は、前記発光素子の上端面よりも高い位置であることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項2に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記吸光部材は、第2の受光素子であることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項1に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記モニタ光の光軸を0度、前記発光素子の後端面を90度としたとき、前記角度範囲は40度から90度の範囲であることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項1に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記光インターコネクションモジュールはさらに基板を有し、
前記発光素子、前記受光素子、前記駆動回路および前記増幅回路は、前記基板上に実装されていることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項1に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記第2の光導波路は、前記受光素子の受光部の上まで伸びており、
前記第2の光導波路は、前記光コネクタからの光を前記受光部へ出射するための光路変換部を有していることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項6に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記光路変換部は、前記受光素子に入射する光軸に対し斜めのミラーであることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 端面発光型発光素子と、
面受光型受光素子と、
吸光部材と、
前記発光素子と電気的に接続された、前記発光素子を駆動させるための駆動回路と、
前記受光素子と電気的に接続された、前記受光素子からの信号を増幅する増幅回路と、
前記発光素子と外部の光ファイバとを光学的に接続する第1の光導波路と、
前記受光素子と前記光ファイバとを光学的に接続する第2の光導波路とを有し、
前記吸光部材は、前記発光素子の後端面の後方延長線上に配置され、
前記受光素子は、前記吸光部材の前記発光素子側の端面の延長線から、前記発光素子から離れる側に位置していることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項8に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記吸光部材は、前記発光素子後端面からの出射光をモニタする第2の受光素子であることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項8に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記第2の光導波路は、前記受光素子の受光部の上まで伸びており、
前記第2の光導波路は、前記光コネクタからの光を前記受光部へ出射するための光路変換部を有していることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項10に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記光路変換部は、前記受光素子に入射する光軸に対し斜めのミラーであることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項8に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記光インターコネクションモジュールはさらに基板を有し、
前記発光素子、前記受光素子、前記駆動回路および前記増幅回路は、前記基板上に実装されていることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項12に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記第1の光導波路は、第1のクラッドと前記第1のクラッドよりも屈折率の高い第1のコアとを有し、
前記第2の光導波路は、第2のクラッドと前記第2のクラッドよりも屈折率の高い第2のコアとを有し、
前記第1のコアと前記第2のコアとが、異なる層に形成されていることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項8に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記受光素子は、素子の半導体基板上にレンズが集積されている素子であることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項8に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記第2の光導波路の上面は、前記発光素子の使用波長帯の光を吸収する色を有する吸収体に覆われていることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項8に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記光インターコネクションモジュールはさらに基板と、前記駆動回路および増幅回路上に配置された、底面が扁平な放熱部材とを有し、
前記受光素子は前記基板上にフリップチップ実装され、
前記放熱部材は、前記第2の光導波路の一部を覆っていることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項16に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記発光素子はフリップチップ実装されていることを特徴とする光インターコネクションモジュール。 - 請求項17に記載の光インターコネクションモジュールであって、
前記放熱部材の下には、前記駆動回路、前記増幅回路、前記発光素子及び前記受光素子が実装されていることを特徴とする光インターコネクションモジュール。
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