JP2015102452A - 表面分析装置 - Google Patents
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Abstract
Description
電子線またはX線を試料に照射し試料から発生する電子を検出してスペクトルを取得する表面分析装置であって、
検出された電子の運動エネルギーから電子の検出深さを算出する検出深さ算出部と、
前記スペクトルと、前記検出深さ算出部で算出された電子の検出深さの情報と、を表示部に表示させる制御を行う表示制御部と、
を含む。
前記表示制御部は、電子の運動エネルギーと前記検出深さの情報とを関連づけて前記表示部に表示させる制御を行ってもよい。
前記スペクトルから前記試料の膜構造を求める膜構造解析部を含み、
前記表示制御部は、前記膜構造解析部で求められた前記試料の膜構造の情報を前記表示部に表示させる制御を行ってもよい。
前記表示制御部は、前記スペクトルを、第1軸を電子の運動エネルギーとし第2軸を検出強度として前記表示部に表示させる制御を行ってもよい。
前記表示制御部は、前記検出深さの情報を、前記第1軸に沿う第3軸として前記表示部に表示させる制御を行ってもよい。
電子の運動エネルギーを選択するための操作を受け付ける操作部を含み、
前記表示制御部は、前記操作部が前記操作を受け付けた場合に、選択された電子の運動エネルギーに対応する前記検出深さの情報を前記表示部に表示させる制御を行ってもよい。
まず、第1実施形態に係る表面分析装置について図面を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る表面分析装置100の構成を説明するための図である。ここでは、表面分析装置100が、オージェ電子分光装置である例について説明する。
レンズ30の中心とが合った状態で電子線EBを偏向させることができる。
次に、第2実施形態に係る表面分析装置について図面を参照しながら説明する。図6は、第2実施形態に係る表面分析装置200の構成を説明するための図である。
大して示す図である。さらに、図8には、金属状態のSi LVVの標準スペクトル、および酸化状態のSi LVVの標準スペクトルを図示している。なお、標準スペクトルは、検出領域のすべてが対象となる元素で構成されている試料を測定して得られたものである。
KLLの強度比は、Si LVV:Si KLL=118:100であるのに対して、測定で得られたスペクトルの酸化状態のSi LVVとSi KLLの強度比は、Si LVV:Si KLL=173:100であった。
る。さらに、高エネルギー側のSi KLLでは、金属状態のSiがメインである。そのため、酸化膜の厚みは、2nm〜6nm程度と推定される。
なお、本発明は上述した実施形態や変形例に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
報を表示部82に表示させるため、測定結果をわかりやすく提示することができる。
Claims (6)
- 電子線またはX線を試料に照射し試料から発生する電子を検出してスペクトルを取得する表面分析装置であって、
検出された電子の運動エネルギーから電子の検出深さを算出する検出深さ算出部と、
前記スペクトルと、前記検出深さ算出部で算出された電子の検出深さの情報と、を表示部に表示させる制御を行う表示制御部と、
を含む、表面分析装置。 - 請求項1において、
前記表示制御部は、電子の運動エネルギーと前記検出深さの情報とを関連づけて前記表示部に表示させる制御を行う、表面分析装置。 - 請求項1または2において、
前記スペクトルから前記試料の膜構造を求める膜構造解析部を含み、
前記表示制御部は、前記膜構造解析部で求められた前記試料の膜構造の情報を前記表示部に表示させる制御を行う、表面分析装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記表示制御部は、前記スペクトルを、第1軸を電子の運動エネルギーとし第2軸を検出強度として前記表示部に表示させる制御を行う、表面分析装置。 - 請求項4において、
前記表示制御部は、前記検出深さの情報を、前記第1軸に沿う第3軸として前記表示部に表示させる制御を行う、表面分析装置。 - 請求項1ないし5のいずれか1項において、
電子の運動エネルギーを選択するための操作を受け付ける操作部を含み、
前記表示制御部は、前記操作部が前記操作を受け付けた場合に、選択された電子の運動エネルギーに対応する前記検出深さの情報を前記表示部に表示させる制御を行う、表面分析装置。
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田沼繁夫: "表面電子分光法における電子の散乱効果の研究", 表面化学, vol. 27, no. 11, JPN7017002159, 2006, pages 657 - 661, ISSN: 0003592039 * |
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