JP2015089866A - 表面改質されたシリカナノワイヤ複合体およびその製造方法 - Google Patents
表面改質されたシリカナノワイヤ複合体およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015089866A JP2015089866A JP2014043562A JP2014043562A JP2015089866A JP 2015089866 A JP2015089866 A JP 2015089866A JP 2014043562 A JP2014043562 A JP 2014043562A JP 2014043562 A JP2014043562 A JP 2014043562A JP 2015089866 A JP2015089866 A JP 2015089866A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silica
- silica nanowire
- group
- nanowire
- silane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/308—Wires with resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
- C01P2004/16—Nanowires or nanorods, i.e. solid nanofibres with two nearly equal dimensions between 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/22—Rheological behaviour as dispersion, e.g. viscosity, sedimentation stability
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、シリカナノワイヤ複合体およびその製造方法に関する。【解決手段】本発明のシリカナノワイヤ複合体は、シリカナノワイヤの表面に、自己組織化単分子膜(Self‐Assembled Monomers、SAMs)法または酸素(O2)-プラズマ気相蒸着成長(Plasma Enhanced Chemacal Vapor Deposition、PECVD)法でシラン基を導入することにより製造されることができる。【選択図】図1
Description
本発明は、分散性向上のために表面が改質されたシリカナノワイヤ複合体およびその製造方法に関する。
電子機器の発展に伴い、プリント回路基板の低重量化、薄板化、および小型化が進められている。このようなニーズに応えるために、プリント回路の配線がより複雑化および高密度化しつつあり、基板に対して要求される電気的安定性、熱安定性、および機械的安定性は、より重要な要素として強調されている。
つまり、プリント回路基板に用いられるプリプレグ(Prepreg)および銅張積層板(CCL:Copper Clad Laminate)の厚さをより薄く作製しながらも、従来基板に対して要求されている電気的特性、熱的特性、および機械的特性を維持する必要がある。
しかし、基板の低重量化、薄板化、および小型化につれて基板内の熱膨張率の差による歪み(Warpage)不良が増加しており、これを解決するために、チップ実装過程で熱処理(reflow)中に発生する歪み(warpage)を最小化しなければならない。そのため、基板の低熱膨張率(Low CTE)、高ガラス転移温度(High Tg)、および高モジュラス(High Modulus)の特性が非常に重要となった。
そのため、低熱膨張率を実現するためには低熱膨張率(Low CTE)を有する無機フィラーの含有量を増加させなければならず、その含有量は、プリント回路基板の作製の際に、所定レベル以上増加させることができないという限界がある。また、高モジュラス(High Modulus)の特性を有することにおいて、エポキシ(Epoxy)をベースにする既存の樹脂(Resin)の組成は、その特性に限界がある。
したがって、近年、低熱膨張率とともに高モジュラスを有するシリカナノワイヤをフィラーとして使用するための試みがあった。しかし、シリカナノワイヤフィラーを使用した場合、ナノ物質の特性上、広い表面積による集成現象(aggregation)が起こりナノワイヤ同士が絡み合うため、絶縁層内の分散において問題が生じる。そのため、シリカナノワイヤをフィラーとして使用する際の利点である低熱膨張率(Low CTE)、高ガラス転移温度(High Tg)、および高モジュラス(High Modulus)の特性が容易に発現されないという問題がある。
本発明は、前記従来技術における問題を解決するために考案されたものであって、本発明の目的は、シリカナノワイヤの表面にシラン基を導入してエポキシとの接合力を高める方法により、前記シリカナノワイヤの集成現象を防止し、絶縁層内でシリカナノワイヤが容易に分散するようにして、シリカナノワイヤをフィラーとして使用する際の利点である低熱膨張率(Low CTE)、高ガラス転移温度(High Tg)、および高モジュラス(High Modulus)の特性が基板において容易に実現されるようにしたシリカナノワイヤ複合体を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、自己組織化単分子膜(Self‐Assembled Monomers、SAMs)法でシリカナノワイヤの表面にシラン基を形成する方法を提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的は、プラズマ気相蒸着成長(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition、PECVD)法でシリカナノワイヤの表面にシラン基を形成する方法を提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的は、無機フィラーとして使用する際に分散性が改善するように表面が改質されたシリカナノワイヤを提供することにある。
前記本発明の目的は、シリカナノワイヤと、前記シリカナノワイヤの表面に導入されたシラン基と、を含むシリカナノワイヤ複合体が提供されることによって達成される。
ここで、前記シラン基は、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(GPTMS)、アミノプロピルトリメトキシシラン(APTMS)、ビニルトリエトキシシラン、トリエトキシシラン、卜リクロロシランからなる群から選択されるものであることができ、前記シリカナノワイヤの直径が10nm〜20nmであることができ、前記シリカナノワイヤは、VLS(Vapor‐Liquid‐Solid)工程により製造されることができ、前記シラン基は、1〜3個のシラノール基がシリカナノワイヤの表面に結合していることができる。
本発明の他の目的は、シリコン基板上の表面に触媒として用いられる金(Au)、白金(Pt)またはニッケル(Ni)を塗布する段階と、反応器内で800℃〜1050℃の温度に加熱した後、シラン(SiH4)とヘリウム(He)の混合ガスを反応器の内部に導入してシリカナノワイヤを成長させる段階と、前記シリカナノワイヤの表面に自己組織化単分子膜(Self-Assembled Monomers、SAMs)法でシラン基を導入する段階と、を含むシリカナノワイヤ複合体の製造方法が提供されることによって達成される。
本発明のさらに他の目的は、シリコン基板上の表面に触媒として用いられる金(Au)、白金(Pt)またはニッケル(Ni)を塗布する段階と、反応器内で800℃〜1050℃の温度に加熱した後、シラン(SiH4)とヘリウム(He)の混合ガスを反応器の内部に導入してシリカナノワイヤを成長させる段階と、前記シリカナノワイヤをプラズマチャンバ(Plasma chamber)に導入した後、ガスプラズマ法で前記シリカナノワイヤの表面にシラン基を導入する段階と、を含むシリカナノワイヤ複合体の製造方法が提供されることによって達成される。ここで、前記ガスプラズマ法は、大気圧グロー放電プラズマ(Atmospheric pressure glow-discharge plasma)方式であることができ、前記ガスプラズマ法に用いられる気体は、酸素(O2)、窒素(N2)、アルゴン(Ar)、ネオン(Ne)、二酸化炭素(CO2)からなる群から選択される一つ以上のものであることができる。
また、本発明のさらに他の目的は、本発明により製造されたシリカナノワイヤ複合体と、前記シリカナノワイヤ複合体と混合されたメチルエチルケトン(methyl ethyl ketone、MEK)と、を含む無機フィラースラリーが提供されることによって達成されることができ、前記無機フィラースラリーと、前記無機フィラースラリーと混合されるナフタレン系エポキシ、ノボラック型シアネートエステル、ビスマレイミドと、を含むワニスが提供されることによって達成されることができ、前記ワニスと、前記ワニスが塗布された銅箔と、を含む絶縁フィルムが提供されることによって達成されることができ、前記ワニスと、前記ワニスが含浸されたガラス繊維と、を含むプリプレグが提供されることによって達成されることができる。
本発明によれば、絶縁層内におけるシリカナノワイヤの分散性が向上することにより、シリカナノワイヤをフィラーとして添加して絶縁層を製造した際の利点である低熱膨張率(Low CTE)、高ガラス転移温度(High Tg)、および高モジュラス(High Modulus)の特性を有する基板を製造することができる。
以下、本発明の実施形態について、本発明に係るシリカナノワイヤ複合体およびこれを製造するための方法に関する図面を参照して詳細に説明する。後述する実施形態は、当業者に本発明の思想を十分伝達するための例として提供されるものであって、本発明は、後述する実施形態に限定されず、他の形態に具体化されることができることは言うまでもない。また、図面において、装置の大きさおよび厚さなどは、便宜上、誇張されて表現されることもある。
図1は本発明により製造されたシリカナノワイヤの表面にシラン基が形成されたシリカナノワイヤ複合体の図である。
シリカナノワイヤは、通常、VLS(Vapor Liquid Solid)法で製造される。シリコン(Si)基板上に金属触媒として用いられる金(Au)、白金(Pt)またはニッケル(Ni)を塗布した後(図2、S110)、石英管型電気炉で工程を行ってもよく、まず、シリコン基板上にナノサイズの金属触媒液滴を形成するためにレーザを利用する。レーザで前記金属触媒を蒸発させた後、凝縮させて液体金属液滴を得ることができる。
次に、800℃〜1050℃に加熱された石英管型電気炉にシラン(SiH4)とヘリウム(He)混合ガスを吹き込めば(図2、S120)、前記金属触媒液滴上にシリカナノワイヤ成分物質であるシリカ(Si)が継続して供給される。この際、前記供給されたシリカが前記金属触媒液滴上において過飽和状態となり、シリカナノワイヤの最初の核が生成される。
次に、シリカナノワイヤの核にシリカが供給されることで、核が成長してワイヤ状に成長することができる(図2、S130)。
本実施形態において、このように形成されたシリカナノワイヤの直径が10nm〜20nmの分布を示した。次に、本実施形態において形成されたシリカナノワイヤ110(図1)の表面に自己組織化単分子膜(Self-Assembled Monomers、SAMs)法またはプラズマ気相蒸着成長(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition、PECVD)法でシラン基を形成すると、表面にシラン基が形成されているシリカナノワイヤ複合体100(図1)を形成することができる。自己組織化単分子膜(Self-Assembled Monomers、SAMs)法およびプラズマ気相蒸着成長(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition、PECVD)法については、図2および図3のフローチャートを参照して詳細に説明する。
図2はシリカナノワイヤを製造した後、自己組織化単分子膜(Self-Assembled Monomers、SAMs)法で表面にシラン基を形成する過程を示すフローチャートである。
まず、上述のようにシリカナノワイヤを形成する。このように形成されたシリカナノワイヤとともにシランカップリング剤を溶媒に混合する(図2、S140)。
この際、シランカップリング剤としては、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(Glycidoxypropyltrimethoxysilnae、GPTMS)、アミノプロピルトリメトキシシラン(Aminopropyltrimethoxysilane、APTMS)、ビニルトリエトキシシラン(Vinyltriethoxsilane)、トリエトキシシラン(Tri‐ethoxysilane)、トリメトキシシラン(Tri‐methoxysilane)、卜リクロロシラン(Tri‐chlorosilane)などが主に用いられてもよく、本実施形態において用いられるシランカップリング剤はこれに限定されない。
通常、シランカップリング剤は、下記式の構造を有することができる。
この際、R1は、ビニル基(CH2CH−)、エポキシ基、アミノ基(−NH2)、メタクリル基、メルカプト基(SH−)などからなってもよく、これに限定されない。
前記式のR2は、メチル基(CH3 −)またはエチル基(C2H5 −)であってもよく、前記式におけるR2とともに結合されている酸素(O)とともにアルコキシ基(alkoxy group)であるメトキシ基(CH3O−)またはエトキシ基(CH3CH2O−)を形成することができる。
この際、前記式のR1に該当するビニル基(CH2CH−)、エポキシ基(epoxy group)、アミノ基(−NH2)、メタクリル基、メルカプト基(SH−)などは、有機化合物と結合を形成し、OR2に該当するメトキシ基(CH3O−)、エトキシ基(CH3CH2O−)は、無機物または無機化合物と結合を形成することができる。
つまり、溶媒内における分子間の引力によってシランカップリング剤のR2部分が無機物であるシリカナノワイヤ110の表面と結合して整列されるが(図1)、このような結合反応が自ら行われるため、これを自己組織化単分子膜(Self-Assembled Monomers、SAMs)法と称する。
前記の過程を経てR2部分121(図1)がシリカナノワイヤ110の表面に付着され、その反対部分のR1部分122(図1)がシリカナノワイヤ110の外側部分に向かうシリカナノワイヤ複合体100(図1)が製造されることができる(図2、S160)。次に、本発明のシリカナノワイヤ複合体をフィラーとして使用する場合、R1部分122(図1)は有機化合物であるレジンとの結合性に優れて、非常に優れたフィラー-レジン結合力を確保することができる。これにより、無機フィラーとして用いられるシリカナノワイヤが絶縁層内において均一に分散されるようになり、シリカナノワイヤがまた凝集する、いわゆる再集成現象(reaggregation)を防止することができる。
図3はプラズマ気相蒸着成長(Plasma Enhanced Chemacal Vapor Deposition、PECVD)法によるシリカナノワイヤ複合体の製造工程を示すフローチャートである。
上述した方法によりシリカナノワイヤ110を製造した後、プラズマチャンバにシリカナノワイヤ110(図1)を導入する(図3、S240)。次に、プラズマチャンバにシランカップリング剤とともに気体を導入して、100ワット(Watt)のプラズマ処理(図3、S250)を施してプラズマコーティングを行うと、シラン基120(図1)がシリカナノワイヤ110(図1)の表面に形成され(図3、S260)、結果、シリカナノワイヤ複合体100(図1)が製造されることができる(図3、S270)。
前記導入される気体としては、酸素(O2)、窒素(N2)、アルゴン(Ar)、ネオン(Ne)、二酸化炭素(CO2)などが一般的に用いられてもよく、特にこれに限定されない。
この際、気体によるプラズマ法は、大気圧グロー放電プラズマ方式(Atmospheric pressure glow-discharge plasma)を利用してもよく、特にこれに限定されない。前記大気圧グロー放電プラズマ方式は、従来、高温を必要とするCVD(Chemical Vapor Deposition)方式の代わりにプラズマ法で反応を進めることにより比較的低い温度で反応を行うことができるため、熱に敏感な高分子などの表面処理において特に有用な方式である。本実施形態では、前記プラズマ法でイオンおよびラジカルを形成した後、ラジカル吸着を行い、表面に付着される高分子物質を再分布させて反応を行う。結果、プラズマエネルギーが、シラン基120(図1)がシリカナノワイヤ110(図1)の表面に結合することを容易にすることができる(Plasma‐Enhanced)。
このように製造されたシリカナノワイヤ複合体100(図1)をもって電子部品製造用スラリー(slurry)、絶縁フィルム、プリプレグ(prepreg)を製造する方法について説明する。
製造例1:無機フィラースラリーの製造
溶融シリカ粒子(SiO2、平均粒径0.5μm)と本実施形態によるシリカナノワイヤ複合体100(図1)36gをMEK(Methyl Ethyl Ketone)16gと攪拌して固形分の含有量が69.2%であるフィラースラリー(Filler slurry)52gを製造する。この際、溶融シリカの配合範囲は34.20g〜35.64g、本実施形態によるシリカナノワイヤ複合体100(図1)の配合範囲は0.36g〜1.8gであってもよく、本製造例は前記配合範囲に限定されない。
溶融シリカ粒子(SiO2、平均粒径0.5μm)と本実施形態によるシリカナノワイヤ複合体100(図1)36gをMEK(Methyl Ethyl Ketone)16gと攪拌して固形分の含有量が69.2%であるフィラースラリー(Filler slurry)52gを製造する。この際、溶融シリカの配合範囲は34.20g〜35.64g、本実施形態によるシリカナノワイヤ複合体100(図1)の配合範囲は0.36g〜1.8gであってもよく、本製造例は前記配合範囲に限定されない。
製造例2:ワニス(Varnish)の製造
前記製造例1で製造された無機フィラースラリーにナフタレン系エポキシ(HP-4710、Epoxy Equivalent Weight、EEW250)、ノボラック型シアネートエステル(PT-30)、ビスマレイミド(BMI-2300)をそれぞれ6g、3g、3gの割合で添加して2時間以上攪拌する。触媒として2E4MZ(2-Ethyl 4-Methyl imidazole)0.025g、DTBP(Di‐tert‐butyl peoxide)0.03g、マンガンアセチルアセトネート(manganese acetylacetonate)0.03gを投入して30分間さらに攪拌する。次に、本実施形態によるシリカナノワイヤ粉末をさらに投入して、低い攪拌速度(100RPM以下)で攪拌して、ワニス(Varnish)を製造してもよく、本製造例は前記配合範囲に限定されない。
前記製造例1で製造された無機フィラースラリーにナフタレン系エポキシ(HP-4710、Epoxy Equivalent Weight、EEW250)、ノボラック型シアネートエステル(PT-30)、ビスマレイミド(BMI-2300)をそれぞれ6g、3g、3gの割合で添加して2時間以上攪拌する。触媒として2E4MZ(2-Ethyl 4-Methyl imidazole)0.025g、DTBP(Di‐tert‐butyl peoxide)0.03g、マンガンアセチルアセトネート(manganese acetylacetonate)0.03gを投入して30分間さらに攪拌する。次に、本実施形態によるシリカナノワイヤ粉末をさらに投入して、低い攪拌速度(100RPM以下)で攪拌して、ワニス(Varnish)を製造してもよく、本製造例は前記配合範囲に限定されない。
製造例3:絶縁フィルムの製造
製造例2で製造したワニス(Varnish)を使用してドクターブレード方式(Doctor blade method)で銅箔のシャイニー面に100μmの厚さに塗布する。次に、オーブンで80℃の温度で30分、120℃の温度で10分間乾燥して半硬化状態のB‐stageを作る。これを真空(vacuum pressure)で30kgf/cm2の圧力で90分間維持して完全硬化させて絶縁フィルムを製造してもよく、本製造例は前記配合範囲に限定されない。
製造例2で製造したワニス(Varnish)を使用してドクターブレード方式(Doctor blade method)で銅箔のシャイニー面に100μmの厚さに塗布する。次に、オーブンで80℃の温度で30分、120℃の温度で10分間乾燥して半硬化状態のB‐stageを作る。これを真空(vacuum pressure)で30kgf/cm2の圧力で90分間維持して完全硬化させて絶縁フィルムを製造してもよく、本製造例は前記配合範囲に限定されない。
製造例4:プリプレグ(Prepreg)製造
製造例2で製造したワニスをガラス繊維(Nittobo社製、2116)に均一に含浸させる。前記ワニスが含浸されたガラス繊維を120℃の加熱帯(heating zone)に通過させて半硬化状態のB‐stageを作りプリプレグを製造してもよく、本製造例は前記配合範囲に限定されない。
製造例2で製造したワニスをガラス繊維(Nittobo社製、2116)に均一に含浸させる。前記ワニスが含浸されたガラス繊維を120℃の加熱帯(heating zone)に通過させて半硬化状態のB‐stageを作りプリプレグを製造してもよく、本製造例は前記配合範囲に限定されない。
100 シリカナノワイヤ複合体
110 シリカナノワイヤ
120 シラン基
121 アルコキシ基
122 有機官能基
123 シラン基の中心Si原子
110 シリカナノワイヤ
120 シラン基
121 アルコキシ基
122 有機官能基
123 シラン基の中心Si原子
Claims (13)
- シリカナノワイヤと、
前記シリカナノワイヤの表面に導入されたシラン基と、を含む、シリカナノワイヤ複合体。 - 前記シラン基は、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(GPTMS)、アミノプロピルトリメトキシシラン(APTMS)、ビニルトリエトキシシラン、トリエトキシシラン、卜リクロロシランからなる群から選択されるものである、請求項1に記載のシリカナノワイヤ複合体。
- 前記シリカナノワイヤの直径が10nm〜20nmである、請求項1に記載のシリカナノワイヤ複合体。
- 前記シリカナノワイヤは、VLS(Vapor‐Liquid‐Solid)工程により製造される、請求項1に記載のシリカナノワイヤ複合体。
- 前記シラン基は、1〜3個のシラノール基がシリカナノワイヤの表面に結合している、請求項1に記載のシリカナノワイヤ複合体。
- シリコン基板上の表面に触媒として用いられる金(Au)、白金(Pt)またはニッケル(Ni)を塗布する段階と、
反応器内で800℃〜1050℃の温度に加熱した後、シラン(SiH4)とヘリウム(He)の混合ガスを反応器の内部に導入してシリカナノワイヤを成長させる段階と、
前記シリカナノワイヤの表面に自己組織化単分子膜(Self-Assembled Monomers、SAMs)法でシラン基を導入する段階と、を含む、シリカナノワイヤ複合体の製造方法。 - シリコン基板上の表面に触媒として用いられる金(Au)、白金(Pt)またはニッケル(Ni)を塗布する段階と、
反応器内で800℃〜1050℃の温度に加熱した後、シラン(SiH4)とヘリウム(He)の混合ガスを反応器の内部に導入してシリカナノワイヤを成長させる段階と、
前記シリカナノワイヤをプラズマチャンバ(Plasma chamber)に導入した後、ガスプラズマ法で前記シリカナノワイヤの表面にシラン基を導入する段階と、を含む、シリカナノワイヤ複合体の製造方法。 - 前記ガスプラズマ法は、大気圧グロー放電プラズマ(Atmospheric pressure glow-discharge plasma)方式である、請求項7に記載のシリカナノワイヤ複合体の製造方法。
- 前記ガスプラズマ法に用いられる気体は、酸素(O2)、窒素(N2)、アルゴン(Ar)、ネオン(Ne)、二酸化炭素(CO2)からなる群から選択される一つ以上のものである、請求項7に記載のシリカナノワイヤ複合体の製造方法。
- 請求項6から9のいずれか一項に記載の製造方法により製造されたシリカナノワイヤ複合体と、
前記シリカナノワイヤ複合体と混合されたメチルエチルケトン(methyl ethyl ketone、MEK)と、を含む、無機フィラースラリー。 - 請求項10に記載の無機フィラースラリーと、
前記無機フィラースラリーと混合されるナフタレン系エポキシ、ノボラック型シアネートエステル、ビスマレイミドと、を含む、ワニス。 - 請求項11に記載のワニスと、
前記ワニスが塗布された銅箔と、を含む、絶縁フィルム。 - 請求項11に記載のワニスと、
前記ワニスが含浸されたガラス繊維と、を含む、プリプレグ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2013-0134957 | 2013-11-07 | ||
KR1020130134957A KR20150053140A (ko) | 2013-11-07 | 2013-11-07 | 표면 개질된 실리카 나노와이어 복합체 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015089866A true JP2015089866A (ja) | 2015-05-11 |
Family
ID=53193563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014043562A Pending JP2015089866A (ja) | 2013-11-07 | 2014-03-06 | 表面改質されたシリカナノワイヤ複合体およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015089866A (ja) |
KR (1) | KR20150053140A (ja) |
TW (1) | TW201518442A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105036071A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-11-11 | 中国科学技术大学 | 一种改性非绝缘体纳米线及其制备方法、组装膜和器件 |
CN115029129A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-09-09 | 渤海大学 | 一种发光离子掺杂二氧化硅荧光粉及其制备方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105001779B (zh) * | 2015-08-11 | 2017-08-25 | 国网山东省电力公司临沂供电公司 | 高性能绝缘漆 |
KR102040216B1 (ko) * | 2017-04-14 | 2019-11-06 | 한국기계연구원 | 나노구조물의 네트워크 구조를 갖는 가스센서 및 가스센서의 제조방법 |
-
2013
- 2013-11-07 KR KR1020130134957A patent/KR20150053140A/ko not_active Application Discontinuation
-
2014
- 2014-01-20 TW TW103101896A patent/TW201518442A/zh unknown
- 2014-03-06 JP JP2014043562A patent/JP2015089866A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105036071A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-11-11 | 中国科学技术大学 | 一种改性非绝缘体纳米线及其制备方法、组装膜和器件 |
CN105036071B (zh) * | 2015-07-07 | 2017-03-08 | 中国科学技术大学 | 一种改性非绝缘体纳米线及其制备方法、组装膜和器件 |
CN115029129A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-09-09 | 渤海大学 | 一种发光离子掺杂二氧化硅荧光粉及其制备方法 |
CN115029129B (zh) * | 2022-06-23 | 2024-01-19 | 渤海大学 | 一种发光离子掺杂二氧化硅荧光粉及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150053140A (ko) | 2015-05-15 |
TW201518442A (zh) | 2015-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10550292B2 (en) | Thermally conductive adhesive compositions comprising carbon-based particles and methods for their use and preparation | |
JP5757881B2 (ja) | その場cnt成長用繊維の表面処理及びバリア・コーティングのためのシステム及び方法 | |
JP2007051058A (ja) | 炭素ナノチューブの製造方法 | |
WO2017145869A1 (ja) | 六方晶窒化ホウ素粉末、その製造方法、樹脂組成物及び樹脂シート | |
JP2015089866A (ja) | 表面改質されたシリカナノワイヤ複合体およびその製造方法 | |
TWI553673B (zh) | Electromagnetic wave absorptive heat conducting sheet and electromagnetic wave absorptive heat conducting sheet | |
EP1976041A2 (en) | Surface modifying carbon nanotube material, manufacturing method therefor, electronic component and electronic device | |
JPH0773151B2 (ja) | フッ化粒状炭素を含む重合体複合材料及びかかる材料を被着した基板の製造方法 | |
JP7155137B2 (ja) | 不動態層で被覆されたコアを備えるナノ粒子、その製造のためのプロセスおよびその使用 | |
Park et al. | Enhanced thermal conductivity of epoxy/three-dimensional carbon hybrid filler composites for effective heat dissipation | |
WO2018124126A1 (ja) | 六方晶窒化ホウ素粉末、その製造方法、樹脂組成物及び樹脂シート | |
JP2012044084A (ja) | 電磁波吸収性熱伝導シート及び電磁波吸収性熱伝導シートの製造方法 | |
CN111328320B (zh) | 氢化非晶含硅胶体或氢化非晶含硅复合胶体及其制备方法,氢化非晶含硅复合胶体的用途及用其包封的物质 | |
TWI312380B (ja) | ||
WO2018230638A1 (ja) | カーボン修飾窒化ホウ素、その製造方法および高熱伝導性樹脂組成物 | |
KR102293074B1 (ko) | 웨어러블 디바이스 적용을 위한 고차폐성 조성물 및 이의 제조방법 | |
TWI240312B (en) | Method for rapidly fabricating aligned carbon nanotube under low temperature | |
Zhang et al. | Polyhedral oligosilsesquioxane-modified boron nitride enhances the mechanical properties of polyimide nanocomposites | |
KR100809694B1 (ko) | 탄소나노튜브 제조 방법 | |
JP2017057443A (ja) | 複合修飾金属ナノ粒子、その製造方法、複合修飾金属ナノインク及び配線層形成方法 | |
WO2010047398A1 (ja) | 熱伝導性に優れたプリプレグ、プリプレグの製造方法、および成形板 | |
KR20170123394A (ko) | 방열 특성이 향상된 코팅 조성물 및 이를 이용한 도막의 형성 방법 | |
TW201633479A (zh) | 塗覆焊料線及其製造方法 | |
TW201829573A (zh) | 複合材料及其製造方法,以及含複合材料之電氣組件 | |
KR20170083711A (ko) | 구리와 니켈과 cnt와 그래핀으로 이루어지는 반도체용 열전도성 전자파 차폐도료 제조방법 |