JP2015089854A - シリコン単結晶製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
単結晶の外面と熱遮蔽体の下端開口縁部との間の空隙部の面積を単結晶の引き上げ軸に垂直な断面の面積で除した対結晶径空隙率に応じて、単結晶引き上げ装置内に導入する不活性ガスの前記空隙部における流速を調整することにより結晶中の酸素濃度を制御することを特徴とするシリコン単結晶製造方法である。
対結晶径空隙率=(989.8−754.8)/754.8=0.31
となる。
モデル1:不活性ガス流速を高めてSiOの揮発により持ち去られる酸素量を増加させ、シリコン融液自由表面近傍の酸素濃度を低下させる。その結果、シリコン単結晶に取り込まれる酸素量が減少する。
モデル2:本来シリコン融液中で最も酸素濃度の低いシリコン融液自由表面近傍の融液を単結晶内に取り込ませる。この場合、不活性ガス流速を高めると単結晶成長メニスカス直下の巻き込み対流が阻害されて酸素濃度が上昇し、逆に、不活性ガス流速が低下すると巻き込み対流が促進されて、酸素濃度が低下すると推察される。
前述の不活性ガス流速についての数値シミュレーションによる検討結果を踏まえ、対結晶径空隙率が小さい場合(0.37)および大きい場合(0.86)について、引き上げ単結晶の外面と熱遮蔽体の下端開口縁部との間の空隙部における不活性ガス流速(結晶−熱遮蔽体間におけるAr流速)を変化させてシリコン単結晶(結晶径は、いずれも、約300mm)の引き上げ試験を行い、単結晶に取り込まれた酸素濃度を測定した。表1に、引き上げ試験条件と、引き上げ単結晶の酸素濃度とを、併せて示す。
熱遮蔽体の対結晶径空隙率が小さい場合と大きい場合とのそれぞれについて、シリコン単結晶の径を異ならせることにより、対結晶径空隙率を異ならせて、対結晶径空隙率と引き上げ単結晶の酸素濃度との関係を調べた。装置に導入する不活性ガス(Arガス)の流量、および装置内の圧力は、一定とした。
4:石英るつぼ、 5:ヒーター、 6:断熱材、 7:シードチャック、
8:引き上げワイヤー、 9:シリコン単結晶、 10:シリコン融液、
11:強制冷却体、 12:熱遮蔽部体、 12a:熱遮蔽部体の側部、
12b:熱遮蔽部体の下端部、 13:磁場印加装置、 14:ガス導入口、
15:ガス排出口
Claims (5)
- 引き上げ中のシリコン単結晶の周囲に引き上げ軸と同軸に熱遮蔽体を配置した単結晶引き上げ装置を使用して、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する方法において、
単結晶の外面と熱遮蔽体の下端開口縁部との間の空隙部の面積を単結晶の引き上げ軸に垂直な断面の面積で除した対結晶径空隙率に応じて、単結晶引き上げ装置内に導入する不活性ガスの前記空隙部における流速を調整することにより結晶中の酸素濃度を制御することを特徴とするシリコン単結晶製造方法。 - 前記対結晶径空隙率が0.27〜0.45のときは、単結晶と熱遮蔽体との間の前記空隙部における不活性ガス流速と、結晶中の酸素濃度とが、負の相関を有し、
前記対結晶径空隙率が0.72〜0.92のときは、前記空隙部における不活性ガス流速と、結晶中の酸素濃度とが、正の相関を有する
として、前記不活性ガスの流速調整による結晶中の酸素濃度の制御を行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶製造方法。 - 前記単結晶の引き上げを行う際に、
前記対結晶径空隙率に応じてあらかじめ求めた前記空隙部における不活性ガス流速と結晶中の酸素濃度との関係に基づいて、
引き上げの各段階で不活性ガスの前記空隙部における流速を調整することにより結晶中の酸素濃度を制御することを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン単結晶製造方法。 - 結晶の直径変動に応じて、単結晶引き上げ装置内に導入する不活性ガスの流速を調整することにより、結晶中の酸素濃度を制御することを特徴とする請求項2または3に記載のシリコン単結晶製造方法。
- 前記育成するシリコン単結晶が、直径300mm以上のシリコンウェーハを切り出すことができる直径を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のシリコン単結晶製造方法。
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