JP2015084441A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 99
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 38
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 1
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】1017cm−3以下の不純物濃度の柱状半導体と、前記柱状半導体を囲む第1の絶縁物と、前記柱状半導体の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第1の金属と、前記柱状半導体の他方の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第2の金属と、前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物を取り囲む第3の金属と、前記第1の金属と前記第3の金属との間に形成された第2の絶縁物と、前記第2の金属と前記第3の金属との間に形成された第3の絶縁物と、前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とを接続する第4の金属と、前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とを接続する第5の金属を有し、前記第3の金属の仕事関数は4.2eVから5.0eVの間である。
【選択図】図1
Description
102.第1の絶縁物
103.第3の金属
104.第1の金属
105.第2の金属
106.第3の絶縁物
107.第2の絶縁物
108.第4の金属
109.第5の金属
110.基板
Claims (4)
- 1017cm-3以下の不純物濃度である柱状半導体と、
前記柱状半導体を取り囲む第1の絶縁物と、
前記柱状半導体の一端の前記第1絶縁物を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属との間に形成された第2の絶縁物と、
前記第2の金属と前記第3の金属との間に形成された第3の絶縁物と、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続されるのであって、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続されるのであって、
前記第3の金属の仕事関数は4.2eVから5.0eVの間であることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体は、シリコンであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の金属と前記第2の金属の仕事関数は4.0eVから4.2eVの間であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1の金属と前記第2の金属の仕事関数は5.0eVから5.2eVの間であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014255450A JP5917672B2 (ja) | 2014-12-17 | 2014-12-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014255450A JP5917672B2 (ja) | 2014-12-17 | 2014-12-17 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014527412A Division JP5670605B2 (ja) | 2013-01-25 | 2013-01-25 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016076469A Division JP6527835B2 (ja) | 2016-04-06 | 2016-04-06 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015084441A true JP2015084441A (ja) | 2015-04-30 |
JP5917672B2 JP5917672B2 (ja) | 2016-05-18 |
Family
ID=53047878
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014255450A Expired - Fee Related JP5917672B2 (ja) | 2014-12-17 | 2014-12-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5917672B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09252125A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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-
2014
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP5917672B2 (ja) | 2016-05-18 |
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