JP6527839B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
102.第1の絶縁物
103.第3の金属
104.第1の金属
105.第2の金属
106.第3の絶縁物
107.第2の絶縁物
108.第4の金属
109.第5の金属
110.基板
Claims (3)
- 柱状半導体と、
前記柱状半導体の側面を囲む第1の絶縁物と、
前記柱状半導体の一端の前記第1の絶縁物の周囲を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の前記第1の絶縁物の周囲を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属との間に形成された第2の絶縁物と、
前記第2の金属と前記第3の金属との間に形成された第3の絶縁物と、
を備え、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
前記柱状半導体と前記第1の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の一端においてキャリアが誘起されることにより前記柱状半導体の一端がソースドレインとして用いられ、前記柱状半導体と前記第2の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の他方の一端においてキャリアが誘起されることにより前記柱状半導体の他方の一端がソースドレインとして用いられることを特徴とする半導体装置。 - 柱状半導体と、
前記柱状半導体の一端の側面を、第1の絶縁物を介して取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の側面を、前記第1の絶縁物を介して取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記柱状半導体を取り囲む前記第1の絶縁物と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属の間に形成された第2の絶縁物と、
前記第2の金属と前記第3の金属の間に形成された第3の絶縁物と、
を有し、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
前記柱状半導体と前記第1の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の一端においてキャリアが誘起されることにより前記柱状半導体の一端がソースドレインとして用いられ、前記柱状半導体と前記第2の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の他方の一端においてキャリアが誘起されることにより前記柱状半導体の他方の一端がソースドレインとして用いられることを特徴とする半導体装置。 - 柱状半導体と、
前記柱状半導体の一端の側面の少なくとも一部を、第1の絶縁物を介して取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の側面の少なくとも一部を、前記第1の絶縁物を介して取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記柱状半導体の少なくとも一部を取り囲む前記第1の絶縁物と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第3の金属と、
前記第1の金属と前記第3の金属の間に形成された第2の絶縁物と、
前記第2の金属と前記第3の金属の間に形成された第3の絶縁物と、
を有し、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
前記柱状半導体と前記第1の金属の仕事関数差によって前記柱状半導体の一端においてキャリアが誘起されることにより前記柱状半導体の一端がソースドレインとして用いられ、前記柱状半導体と前記第2の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の他方の一端においてキャリアが誘起されることにより前記柱状半導体の他方の一端がソースドレインとして用いられることを特徴とする半導体装置。
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