JP2015065321A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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viscosity
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章洋 福井
Akihiro Fukui
章洋 福井
尚英 高本
Hisahide Takamoto
尚英 高本
博行 花園
Hiroyuki Hanazono
博行 花園
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Nitto Denko Corp
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    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29301—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29311—Tin [Sn] as principal constituent
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    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29301—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29316—Lead [Pb] as principal constituent
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    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29317—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29318—Zinc [Zn] as principal constituent
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    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
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    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29317—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29324—Aluminium [Al] as principal constituent
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    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
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    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
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    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/731—Location prior to the connecting process
    • H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
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    • H01L2224/73104—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81009—Pre-treatment of the bump connector or the bonding area
    • H01L2224/8101—Cleaning the bump connector, e.g. oxide removal step, desmearing
    • H01L2224/81011—Chemical cleaning, e.g. etching, flux
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    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83885—Combinations of two or more hardening methods provided for in at least two different groups from H01L2224/83855 - H01L2224/8388, e.g. for hybrid thermoplastic-thermosetting adhesives
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    • H01L2224/83905—Combinations of bonding methods provided for in at least two different groups from H01L2224/838 - H01L2224/83904
    • H01L2224/83906—Specific sequence of method steps
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    • H01L2224/83905—Combinations of bonding methods provided for in at least two different groups from H01L2224/838 - H01L2224/83904
    • H01L2224/83907—Intermediate bonding, i.e. intermediate bonding step for temporarily bonding the semiconductor or solid-state body, followed by at least a further bonding step
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83909—Post-treatment of the layer connector or bonding area
    • H01L2224/83948—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
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    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
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    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
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Abstract

【課題】半導体チップと実装用基板とを電気的に接続するハンダが、半導体チップと実装用基板との空隙を封止するシート状樹脂組成物により流されることを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ２２のバンプ１８形成面にシート状樹脂組成物１０が貼り付けられたシート状樹脂組成物付きチップ４０を準備する工程Ａと、電極５２が形成された実装用基板５０を準備する工程Ｂと、実装用基板５０に、シート状樹脂組成物付きチップ４０を、シート状樹脂組成物１０を貼り合わせ面にして貼り付けて、半導体チップ２２に形成されたバンプ１８と実装用基板５０に形成された電極５２とを対向させる工程Ｃと、工程Ｃの後に、シート状樹脂組成物１０を加熱して半硬化させる工程Ｄと、工程Ｄの後に、工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、バンプ１８と電極５２とを接合するとともに、シート状樹脂組成物１０を硬化させる工程Ｅとを含む。
【選択図】図６

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
電子機器の小型・薄型化による高密度実装の要求が、近年、急激に増加している。このため、半導体パッケージは、従来のピン挿入型に代わり、高密度実装に適した表面実装型が主流になっている。この表面実装型は、リードをプリント基板等に直接はんだ付けする。加熱方法としては、赤外線リフローやベーパーフェーズリフロー、はんだディップなどにより、パッケージ全体を加熱して実装される。
表面実装後には、半導体素子表面の保護や半導体素子と基板との間の接続信頼性を確保するために、半導体素子と基板との間の空間に封止樹脂の充填が行われている。半導体素子と基板との間の空間への封止樹脂の充填は、アンダーフィルとも称されている。アンダーフィル用の封止樹脂としては、液状の封止樹脂が広く用いられているものの、液状の封止樹脂では注入位置や注入量の調節が困難である。そこで、シート状樹脂組成物を用いて半導体素子と基板との間の空間を充填する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１には、シート状樹脂組成物にウェハを付着させ、次いで、シート状樹脂組成物の付着したままのウェハをダイシングしてチップを形成し、その後、シート状樹脂組成物の面を基板に実装し、基板とチップとの電気接続を得るとともに、シート状樹脂組成物を熱硬化させて、チップと基板との界面を封止することが開示されている。
特許第４４３８９７３号
基板とチップとの電気接続には、ハンダが用いられる。本発明者らは、上記シート状樹脂組成物を使用した半導体装置の製造方法について鋭意検討した。その結果、上述した従来の半導体装置の製造方法では、一度の加熱で、基板とチップとの電気接続と、シート状樹脂組成物の硬化とを同時に行なっているため、加熱により溶融した未硬化状態にあるシート状樹脂組成物が流れ、このシート状樹脂組成物と共に溶融したハンダが流され、その後、ハンダが流された状態で、シート状樹脂組成物が硬化することとなることを突き止めた。そして、流れたハンダ同士が繋がって短絡が起こったり、接合部のハンダ不足によって接合しない場合があるといった問題があることを突き止めた。
本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体チップと実装用基板とを電気的に接続するハンダが、半導体チップと実装用基板との空隙を封止するシート状樹脂組成物により流されることを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明は、半導体装置の製造方法であって、
半導体チップのバンプ形成面にシート状樹脂組成物が貼り付けられたシート状樹脂組成物付きチップを準備する工程Ａと、
電極が形成された実装用基板を準備する工程Ｂと、
前記実装用基板に、前記シート状樹脂組成物付きチップを、前記シート状樹脂組成物を貼り合わせ面にして貼り付けて、前記半導体チップに形成された前記バンプと前記実装用基板に形成された電極とを対向させる工程Ｃと、
前記工程Ｃの後に、前記シート状樹脂組成物を加熱して半硬化させる工程Ｄと、
前記工程Ｄの後に、前記工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、前記バンプと前記電極とを接合するとともに、前記シート状組成物を硬化させる工程Ｅとを含むことを特徴とする。
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体チップに形成されたバンプと実装用基板に形成された電極とを対向させた状態で、シート状樹脂組成物を加熱して半硬化させる（工程Ｄ）。従って、シート状樹脂組成物はその後の加熱により流れ難い状態となる。その後、前記工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、前記バンプと前記電極とを接合するとともに、前記シート状組成物を硬化させる（工程Ｅ）。前記工程Ｅの段階では、すでにシート状樹脂組成物は半硬化しているため、シート状樹脂組成物を構成する樹脂が流れ難くなっている。従って、前記バンプと前記電極との接合のためにハンダを溶融させてもシート状樹脂組成物の流れに伴ってハンダが流れることは、抑制されている。その結果、ハンダ流れによる短絡や接触不良が発生することを抑制することができる。
前記構成において、前記シート状樹脂組成物は、２００℃未満における最低溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ〜５０００Ｐａ・ｓの範囲内にあり、２００℃で１０秒間加熱した後の熱硬化率が６％以上であり、２００℃で１０秒間加熱した後の状態における２００℃での粘度であって、アンドレードの式に基づいて得られた粘度曲線から得られる値が１００Ｐａ・ｓ〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にあることが好ましい。
前記シート状樹脂組成物の２００℃未満における最低溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ〜５０００Ｐａ・ｓの範囲内にあると、前記工程Ｃにおいて、前記バンプと前記電極とを容易に前記シート状樹脂組成物に埋め込みながら、対向させることができる。
また、前記シート状樹脂組成物の２００℃で１０秒間加熱した後の熱硬化率が６％以上であり、前記シート状樹脂組成物の２００℃で１０秒間加熱した後の状態における２００℃での粘度であって、アンドレードの式に基づいて得られた粘度曲線から得られる値が２００Ｐａ・ｓ〜２０００Ｐａ・ｓの範囲内にあると、前記工程Ｄの後は、シート状樹脂組成物は、半硬化しており、半硬化前よりも粘度は上昇している。その後、前記工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、前記シート状樹脂組成物を硬化させる（工程Ｅ）。前記工程Ｅの段階では、すでにシート状樹脂組成物は半硬化しており、粘度が上昇しているため、前記バンプと前記電極との接合のためのハンダを溶融させてもシート状樹脂組成物の流れに伴ってハンダが流れることは、抑制されている。その結果、ハンダ流れによる短絡や接触不良が発生することをより抑制することができる。
前記熱硬化率は、加熱前の状態を０％、完全に熱硬化した状態を１００％とし、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得られる反応熱から求めた値である。より詳しくは後に説明する。
前記構成において、前記工程Ｄは、１００〜２３０℃の範囲内で加熱する工程であり、前記工程Ｅは、融点が１８０〜２６０℃の範囲内にあるハンダにより前記電極と前記バンプとを接合する工程であり、前記工程Ｄにおける加熱温度は、前記ハンダの前記融点よりも低い温度であることが好ましい。
前記工程Ｄが、１００〜２３０℃の範囲内で加熱する工程であり、前記工程Ｅが、融点が１８０〜２６０℃の範囲内にあるハンダにより前記電極と前記バンプとを接合する工程であり、前記工程Ｄにおける加熱温度が、前記ハンダの前記融点よりも低い温度であると、前記工程Ｄにおける加熱では、ハンダは溶融しない。その一方で、前記シート状樹脂組成物は半硬化する。すなわち、工程Ｄでは、ハンダを溶融させない態様でシート状樹脂組成物を半硬化させる。工程Ｄでは、ハンダを溶融させないので、工程Ｄにおいてハンダが流れることは基本的にない。
その後、前記工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、前記バンプと前記電極とを前記ハンダを溶融させて接合するとともに、前記シート状組成物を硬化させる（工程Ｅ）。前記工程Ｅの段階では、すでにシート状樹脂組成物は半硬化しているため、シート状樹脂組成物を構成する樹脂が流れ難くなっている。従って、前記バンプと前記電極との接合のためにハンダを溶融させてもシート状樹脂組成物の流れに伴ってハンダが流れることは、抑制されている。その結果、ハンダ流れによる短絡や接触不良が発生することをさらに抑制することができる。
本発明によれば、半導体チップと実装用基板とを電気的に接続するハンダが、半導体チップと実装用基板との空隙を封止するシート状樹脂組成物により流されることを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することが可能となる。
本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 レオメーターによる粘度測定結果の一例を示すグラフである。 粘度曲線の一例を示すグラフである。 熱硬化率と２００℃における粘度との関係の一例を示すグラフである。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 シート状樹脂組成物付チップの準備方法の一例を説明するための断面模式図である。 シート状樹脂組成物付チップの準備方法の一例を説明するための断面模式図である。 シート状樹脂組成物付チップの準備方法の一例を説明するための断面模式図である。 シート状樹脂組成物付チップの準備方法の一例を説明するための断面模式図である。 シート状樹脂組成物付チップの準備方法の一例を説明するための断面模式図である。 シート状樹脂組成物付チップの準備方法の一例を説明するための断面模式図である。 シート状樹脂組成物付チップの準備方法の一例を説明するための断面模式図である。 シート状樹脂組成物Ａの粘度曲線である。 シート状樹脂組成物Ａに係る熱硬化率と２００℃における粘度との関係を示すグラフである。 実施例１に係るサンプルのＸ線透視画像である。 比較例１に係るサンプルのＸ線透視画像である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図１、及び、図５〜図７は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、
半導体チップのバンプ形成面にシート状樹脂組成物が貼り付けられたシート状樹脂組成物付きチップを準備する工程Ａと、
電極が形成された実装用基板を準備する工程Ｂと、
前記実装用基板に、前記シート状樹脂組成物付きチップを、前記シート状樹脂組成物を貼り合わせ面にして貼り付けて、前記半導体チップに形成された前記バンプと前記実装用基板に形成された電極とを対向させる工程Ｃと、
前記工程Ｃの後に、前記シート状樹脂組成物を加熱して半硬化させる工程Ｄと、
前記工程Ｄの後に、前記工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、前記バンプと前記電極とを接合するとともに、前記シート状組成物を硬化させる工程Ｅとを少なくとも含む。
［シート状樹脂組成物付きチップを準備する工程］
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、まず、図１に示すように、シート状樹脂組成物付きチップ４０を準備する（工程Ａ）。なお、シート状樹脂組成物付チップ４０の具体的な準備方法については、後に図８〜図１４を参照しながら説明することとする。
シート状樹脂組成物付きチップ４０は、バンプ１８が形成された半導体チップ２２と、半導体チップ２２のバンプ形成面２２ａに貼り付けられたシート状樹脂組成物１０とを有する。シート状樹脂組成物付きチップ４０では、バンプ１８がシート状樹脂組成物１０に埋め込まれるとともに、半導体チップ２２のバンプ形成面２２ａがシート状樹脂組成物１０に貼り付けられている。
（シート状樹脂組成物）
シート状樹脂組成物１０は、半導体チップ２２を実装用基板５０（図５参照）に実装する際に、半導体チップ２２と実装用基板５０との間隙を封止する機能を有する。
シート状樹脂組成物１０は２００℃未満における最低溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ〜５０００Ｐａ・ｓの範囲内にあることが好ましく、５０Ｐａ・ｓ〜３０００Ｐａ・ｓの範囲内にあることがより好ましく、１００Ｐａ・ｓ〜２０００Ｐａ・ｓの範囲内にあることがさらに好ましい。シート状樹脂組成物１０の２００℃未満における最低溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ〜５０００Ｐａ・ｓの範囲内にあると、前記工程Ｃにおいて、半導体チップ２２に形成されたバンプ１８と実装用基板５０に形成された電極５２とを容易にシート状樹脂組成物１０に埋め込みながら、対向させることができる。
シート状樹脂組成物１０の２００℃未満における最低溶融粘度とは、熱硬化前の２００℃未満における最低溶融粘度をいう。
シート状樹脂組成物１０の２００℃未満における最低溶融粘度は、シート状樹脂組成物１０の構成材料の選択によりコントロールすることができる。特に、熱可塑性樹脂の選択によりコントロールすることができる。具体的に、熱可塑性樹脂として、例えば、低分子量のものを使用すると、２００℃未満における最低溶融粘度を小さくすることができ、例えば、高分子量のものを使用すると、２００℃未満における最低溶融粘度を大きくすることができる。
また、シート状樹脂組成物１０は、２００℃で１０秒間加熱した後の熱硬化率が６％以上であることが好ましく、１０％以上であることがより好ましく、２０％以上であることがさらに好ましい。
また、シート状樹脂組成物１０は、２００℃で１０秒間加熱した後の状態における２００℃での粘度であって、アンドレード（Ａｎｄｒａｄｅ）の式に基づいて得られた粘度曲線から得られる値が１００Ｐａ・ｓ〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にあることが好ましく、１５０Ｐａ・ｓ〜５０００Ｐａ・ｓの範囲内にあることがより好ましく、２００Ｐａ・ｓ〜３０００Ｐａ・ｓの範囲内にあることがさらに好ましい。
シート状樹脂組成物１０の２００℃で１０秒間加熱した後の熱硬化率が６％以上であり、シート状樹脂組成物１０の２００℃で１０秒間加熱した後の状態における２００℃での粘度であって、アンドレードの式に基づいて得られた粘度曲線から得られる値が１００Ｐａ・ｓ〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にあると、前記工程Ｄの後は、シート状樹脂組成物１０は、半硬化しており、半硬化前よりも粘度は上昇している。その後、前記工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、シート状樹脂組成物１０を硬化させる（工程Ｅ）。前記工程Ｅの段階では、すでにシート状樹脂組成物１０は半硬化しており、粘度が上昇しているため、バンプ１８と電極５２との接合のためのハンダを溶融させてもシート状樹脂組成物１０の流れに伴ってハンダが流れることは、抑制されている。その結果、ハンダ流れによる短絡や接触不良が発生することをより抑制することができる。
なお、バンプ１８と電極５２との接合のためのハンダとしては、特に限定されない。前記ハンダとしては、バンプ１８自体がハンダで構成されていてもよい。また、バンプがピラー部と接続部とから構成され、接続部がハンダで構成されていてもよい。また、電極５２上に塗布等されたハンダ層であってもよい。
ここで、シート状樹脂組成物１０の２００℃での粘度に関して、アンドレードの式に基づいて得られる粘度曲線から得られる値（２００℃での粘度）を用いる理由について説明する。
レオメーター（精密回転粘度計）で温度を徐々に昇温しながらシート状樹脂組成物１０の粘度測定を行なうと、昇温に伴って熱硬化が進行してしまう。そのため、高温領域での粘度の測定においては、測定時の昇温に伴う熱硬化の影響を排除した測定を行なうことができない。そこで、アンドレードの式に基づいて得られる粘度曲線から２００℃での粘度を求めることにより、粘度測定時の昇温に伴う熱硬化の影響を排除した粘度の値を得ることができる。熱硬化時のハンダ流れは、粘度測定時の昇温に伴う熱硬化の影響を排除した、実際の熱硬化時の粘度（半硬化工程後の粘度）に影響されるからである。
具体的には、以下のようにして、２００℃で１０秒間加熱した後の状態におけるシート状樹脂組成物１０の２００℃での粘度（粘度測定時の昇温に伴う熱硬化の影響を排除した粘度）を得ることができる。
まず、レオメーターにて粘度測定が可能な範囲内において熱硬化の程度を異ならせた複数のシート状樹脂組成物１０（硬化率は不明）を準備する。
以下では、サンプルが５つの場合を説明する。また、これらのサンプルをサンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣ、サンプルＤ、サンプルＥと呼ぶこととする。
例えば、各サンプルの熱硬化の度合いは下記の通りとする。
サンプルＡ：熱硬化なし
サンプルＢ：１１０℃で１０分間加熱して熱硬化
サンプルＣ：１１０℃で２０分間加熱して熱硬化
サンプルＤ：１１０℃で２５分間加熱して熱硬化
サンプルＥ：１１０℃で３５分間加熱して熱硬化
次に、各サンプルについて、レオメーターにて静的粘度を測定する。なお、この測定においては、徐々に昇温しながら粘度測定を行なうため、昇温に伴って熱硬化が進行してしまう。そのため、高温領域での粘度の測定はできない。
図２は、レオメーターによる粘度測定結果の一例を示すグラフである。
図２に示すように、サンプルＡ〜サンプルＤでは、測定温度が１６０℃〜１８０℃付近で急激に粘度が上昇している。また、サンプルＥでは、測定温度が１５０℃〜１５５℃付近で急激に粘度が上昇している。これは、昇温に伴って熱硬化が進行していることを示している。
ここで、温度と粘度との関係として、アンドレードの式（下記数式（１））が知られている。各記号はそれぞれ以下を示している。
η：粘度
Ｂ：比例定数
Ｅ：流動活性化エネルギー
Ｒ：気体定数
Ｔ：絶対温度
Figure 2015065321
また、粘度と温度の関係において、横軸を１／Ｔ、縦軸をｌｎηとしてプロットすると、直線となることが知られている。そこで、レオメーターにて測定した結果を各サンプルについて横軸を１／Ｔ、縦軸をｌｎηとしてプロットすると直線が得られ、その傾きと切片が得られる。この際、プロットは、直線が得られる範囲内で行なう。直線が得られる範囲内は、粘度測定を行なっている際に熱硬化が進行していない範囲内であるからである。
一方、アンドレードの式の両辺について対数をとると下記数式（２）が得られる。
Figure 2015065321
数式（２）において、Ｅ／Ｒは、上記で得られた傾きに対応し、ｌｎＡは、上記で得られた切片に対応する。Ｅ／Ｒと、ｌｎＡが得られたことにより、温度と粘度の関係（粘度曲線）が得られる。図３は、粘度曲線の一例を示すグラフである。この粘度曲線は、粘度測定時の昇温に伴う熱硬化の影響が排除されたものとなる。図３には、サンプルＡ〜サンプルＥの粘度曲線の一例のグラフを示している。
次に、各サンプルの熱硬化率を測定する。熱硬化率は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を用い、発熱量を測定して求める。具体的には、まず、熱硬化させていないシート状樹脂組成物（上記例では、サンプルＡ）を作成し、−１０℃から昇温速度１０℃／分の条件で、３５０℃（熱硬化反応が完全に完了したと想定される温度）まで昇温した際の発熱量（未硬化サンプルの反応熱量）を測定する。また、熱硬化前のシート状樹脂組成物を、所定条件（所定温度、及び、所定時間）で加熱したサンプルを作成する。
次に、所定条件で加熱したサンプルについて、−１０℃から昇温速度１０℃／分の条件で、３５０℃（熱硬化反応が完全に完了したと想定される温度）まで昇温した際の発熱量（所定条件で熱硬化させたサンプルの反応熱量）を測定する。その後、以下の式（３）により熱硬化率を得る。なお、発熱量は、示差走査熱量計にて測定される発熱ピークの立ち上がり温度と反応終了温度の２点を結んだ直線とピークで囲まれる面積を用いて求める。
式（３）：
熱硬化率＝［｛（未硬化サンプルの反応熱量）−（所定条件で熱硬化させたサンプルの反応熱量）｝／（未硬化サンプルの反応熱量）］×１００（％）
上記例では、サンプルＡの熱硬化率は、０（％）である。
また、サンプルＢの熱硬化率は、［｛（未硬化サンプルの反応熱量）−（１１０℃で１０分間加熱し熱硬化させたサンプルの反応熱量）｝／（未硬化サンプルの反応熱量）］×１００（％）である。
また、サンプルＣの熱硬化率は、［｛（未硬化サンプルの反応熱量）−（１１０℃で２０分間加熱し熱硬化させたサンプルの反応熱量）｝／（未硬化サンプルの反応熱量）］×１００（％）である。
また、サンプルＤの熱硬化率は、［｛（未硬化サンプルの反応熱量）−（１１０℃で２５分間加熱し熱硬化させたサンプルの反応熱量）｝／（未硬化サンプルの反応熱量）］×１００（％）である。
また、サンプルＥの熱硬化率は、［｛（未硬化サンプルの反応熱量）−（１１０℃で３５分間加熱し熱硬化させたサンプルの反応熱量）｝／（未硬化サンプルの反応熱量）］×１００（％）である。
次に、熱硬化率を横軸、２００℃における粘度を縦軸としてプロットする。そして、プロットに対して最小自乗近似曲線を得る。図４は、熱硬化率と２００℃における粘度との関係の一例を示すグラフである。
その後、熱硬化前のシート状樹脂組成物１０を２００℃で１０秒間加熱したサンプルを作成し、その熱硬化率を、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を用いて上記と同様にして求める。そして、得られた熱硬化率から上記最小自乗近似曲線に基づいて粘度を得る。
以上により、２００℃で１０秒間加熱した後の状態におけるシート状樹脂組成物１０の２００℃での粘度（粘度測定時の昇温に伴う熱硬化の影響を排除した粘度）を得ることができる。
シート状樹脂組成物１０としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものが挙げられる。また、熱硬化性樹脂単独でも使用可能である。
前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体チップの信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
シート状樹脂組成物１０全体に対する熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは３重量％以上であり、より好ましくは４重量％以上である。４重量％以上であると、良好な可とう性が得られる。一方、樹脂成分中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは１５重量％以下であり、より好ましくは１２重量％以下であり、さらに好ましくは８重量％以下である。８重量％以下であると、良好な熱的信頼性が得られる。
前記熱可塑性樹脂の中でも、半硬化前のシート状樹脂組成物１０の粘度を低粘度とするために、アクリル樹脂が好ましい。
前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
さらに、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。封止信頼性を向上させることができるからである。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。すなわち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
シート状樹脂組成物１０全体に対する熱硬化性樹脂の含有量は、１０重量％以上であることが好ましく、１２重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましい。１０％以上であると、良好な可とう性が得られる。一方、樹脂成分中の熱硬化性樹脂の含有量は、３０重量％以下であることが好ましく、２５重量％以下であることがより好ましく、２０重量％以下であることがさらに好ましい。２０重量％以下であると、シートのタックが抑制され取扱い性が向上する。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。
前記熱硬化促進触媒の含有量は、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、０．７重量部以上であることが好ましく、２．４重量部以上であることがより好ましく、４．８重量部以上であることがさらに好ましい。４．８重量部以上であると、半硬化工程において容易にシート状樹脂組成物１０を半硬化させることができる。また、熱硬化促進触媒の含有量は、好ましくは２４重量部以下である。２４重量部以下であると、熱硬化性樹脂の保存性を向上させることができる。
また、シート状樹脂組成物１０には、無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、貯蔵弾性率の調節等を可能にする。
前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。
無機充填剤の平均粒径は、０．０１〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、０．０５〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。なお、本発明においては、平均粒径が相互に異なる無機充填剤同士を組み合わせて使用してもよい。また、平均粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。
前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対し１００〜１４００重量部に設定することが好ましい。特に好ましくは２３０〜９００重量部である。無機充填剤の配合量を１００重量部以上にすると、耐熱性や強度が向上する。また、１４００重量部以下とすることにより、流動性が確保できる。これにより、接着性や埋め込み性が低下することを防止できる。
なお、シート状樹脂組成物１０には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、カーボンブラック等の顔料等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。また、実装時に半田の酸化膜を除去することを目的として、有機酸を添加することもできる。
シート状樹脂組成物１０の厚さ（複層の場合は、総厚）は特に限定されないものの、硬化後の樹脂の強度や充填性を考慮すると５μｍ以上５００μｍ以下が好ましい。なお、シート状樹脂組成物１０の厚さは、チップ２２と実装用基板５０との間隙の幅を考慮して適宜設定することができる。
シート状樹脂組成物１０は、例えば、次の通りにして作製される。まず、シート状樹脂組成物１０の形成材料である樹脂組成物溶液を作製する。当該樹脂組成物溶液には、前述の通り、前記樹脂組成物やフィラー、その他各種の添加剤等が配合されている。
次に、樹脂組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、シート状樹脂組成物１０を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。
半導体チップ２２の厚さとしては、特に限定されないが、例えば、１０〜１０００μｍの範囲内で適宜設定することができる。
半導体チップ２２に形成されているバンプ１８の高さとしては、特に限定されないが、例えば、２〜３００μｍの範囲内で適宜設定できる。
バンプ１８の構成材料としては、特に限定されないが、ハンダが好ましく、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｂｉ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のハンダを挙げることができる。なかでも、融点が２１０〜２３０℃の範囲内にあるものを好ましく用いることができ、前記のハンダのなかでも、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系が好ましい。
［実装用基板を準備する工程］
また、図５に示すように、表面５０ａに電極５２が形成された実装用基板５０を準備する（工程Ｂ）。
実装用基板５０としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）等の各種基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。
また、実装用基板５０として半導体ウエハを用いることもできる。
［半導体チップに形成されたバンプと実装用基板に形成された電極とを対向させる工程］
前記工程Ａ及び前記工程Ｂの後、図６に示すように、実装用基板５０に、シート状樹脂組成物付きチップ４０を、シート状樹脂組成物１０を貼り合わせ面にして貼り付けて、半導体チップ２２に形成されたバンプ１８と実装用基板５０に形成された電極５２とを対向させる（工程Ｃ）。具体的には、まず、シート状樹脂組成物付きチップ４０のシート状樹脂組成物１０を実装用基板５０に対向させて配置し、次に、フリップチップボンダーを用い、シート状樹脂組成物付きチップ４０側から圧力を加える。これにより、バンプ１８と電極５２とは、シート状樹脂組成物１０に埋め込まれながら、対向される。貼り合わせ時の温度は、１００〜２００℃が好ましく、より好ましくは１５０〜１９０℃である。ただし、ハンダの融点よりも低い温度であることが好ましい。また、貼り合わせ時の圧力は０．０１〜１０ＭＰａが好ましく、より好ましくは０．１〜１ＭＰａである。
貼り合わせの温度が１５０℃以上であると、シート状樹脂組成物１０の粘度が低下し、凹凸を空隙なく充填できる。また、貼り合わせの温度が、２００℃以下であると、シート状樹脂組成物１０の硬化反応を抑制したまま貼り合わせが可能となる。
この際、シート状樹脂組成物１０の２００℃未満における最低溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ〜５０００Ｐａ・ｓの範囲内にあると、半導体チップ２２に形成されたバンプ１８と実装用基板５０に形成された電極５２とを容易にシート状樹脂組成物１０に埋め込みながら、対向させることができる。
［シート状樹脂組成物を半硬化させる工程］
前記工程Ｃの後、シート状樹脂組成物１０を加熱して半硬化させる（工程Ｄ）。前記工程Ｄにおける加熱温度は、１００〜２３０℃であることが好ましく、１５０〜２１０℃であることがより好ましい。前記工程Ｄにおける加熱温度は、ハンダの融点よりも低い温度であることが好ましい。また、加熱時間は、１〜３００秒の範囲内であることが好ましく、３〜１２０秒の範囲内であることがより好ましい。
この際、シート状樹脂組成物１０の２００℃で１０秒間加熱した後の熱硬化率が６％以上であり、２００℃で１０秒間加熱した後の状態における２００℃での粘度であって、アンドレードの式に基づいて得られた粘度曲線から得られる値が１００Ｐａ・ｓ〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にあると、工程Ｄの後は、シート状樹脂組成物１０は、半硬化しており、半硬化前よりも粘度は上昇していることになる。その後、後述するように、次の工程Ｅでは、工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、シート状樹脂組成物１０を硬化させる。前記工程Ｅの段階では、すでにシート状樹脂組成物１０は半硬化しており、粘度が上昇しているため、バンプ１８と電極５２との接合のためのハンダを溶融させてもシート状樹脂組成物１０の流れに伴ってハンダが流れることは、抑制されている。その結果、ハンダ流れによる短絡や接触不良が発生することをより抑制することができる。
［バンプと電極とを接合するとともに、シート状組成物を硬化させる工程］
前記工程Ｄの後、前記工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、図７に示すように、バンプ１８と電極５２とを接合するとともに、シート状組成物１０を硬化させる（工程Ｅ）。図７では、バンプ１８がハンダで構成され、バンプ１８が溶融することによりバンプ１８と電極５２とが接合（電気的に接続）されている様子を示している。
この際の加熱温度は、１８０〜４００℃であることが好ましく、２００〜３００℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、１〜３００秒の範囲内であることが好ましく、３〜１２０秒の範囲内であることがより好ましい。
上述の通り、本実施形態では、バンプ１８が融点１８０〜２６０℃の範囲内にあるハンダであり、前記工程Ｄは、１００〜２３０℃の範囲内で加熱する工程であり、前記工程Ｄにおける加熱温度は、前記ハンダの前記融点よりも低い温度であることが好ましい。融点が１８０〜２６０℃の範囲内にあるハンダを用いると、前記工程Ｄにおける加熱では、ハンダは溶融しない。その一方で、シート状樹脂組成物１０は半硬化する。すなわち、工程Ｄでは、ハンダを溶融させない態様でシート状樹脂組成物１０を半硬化させる。工程Ｄでは、ハンダを溶融させないので、工程Ｄにおいてハンダが流れることは基本的にない。
その後、この工程Ｅにおいて、前記工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、バンプ１８と電極５２とをハンダを溶融させて接合するとともに、シート状組成物１０を硬化させる。工程Ｅの段階では、すでにシート状樹脂組成物１０は半硬化しているため、シート状樹脂組成物１０を構成する樹脂が流れ難くなっている。従って、バンプ１８と電極５２との接合のためにハンダを溶融させてもシート状樹脂組成物１０の流れに伴ってハンダが流れることは、抑制されている。その結果、ハンダ流れによる短絡や接触不良が発生することをさらに抑制することができる。
以上により、半導体装置６０が得られる。
以上、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体チップ２２に形成されたバンプ１８と実装用基板５０に形成された電極５２とを対向させた状態で、シート状樹脂組成物１０を加熱して半硬化させる（工程Ｄ）。従って、シート状樹脂組成物１０はその後の加熱により流れ難い状態となる。その後、工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、バンプ１８と電極５２とを接合するとともに、シート状組成物１０を硬化させる（工程Ｅ）。工程Ｅの段階では、すでにシート状樹脂組成物１０は半硬化しているため、シート状樹脂組成物１０を構成する樹脂が流れ難くなっている。従って、バンプ１８と電極５２との接合のためにハンダを溶融させてもシート状樹脂組成物１０の流れに伴ってハンダが流れることは、抑制されている。その結果、ハンダ流れによる短絡や接触不良が発生することを抑制することができる。
次に、シート状樹脂組成物付チップの具体的な準備方法について、図８〜図１４を参照しながら説明する。
本実施形態のシート状樹脂組成物は、裏面研削用テープ又はダイシングテープと一体化して使用できる。これにより、半導体装置を効率よく製造できる。図８〜図１４は、シート状樹脂組成物付チップの準備方法の一例を説明するための断面模式図である。
［裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物］
本実施形態に係る裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物は、裏面研削用テープと、前述のシート状樹脂組成物とを備える。
図８は、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物１００の断面模式図である。図８に示すように、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物１００は、裏面研削用テープ１２と、シート状樹脂組成物１０とを備える。裏面研削用テープ１２は、基材１２ａ及び粘着剤層１２ｂを備え、粘着剤層１２ｂは基材１２ａ上に設けられている。シート状樹脂組成物１０は粘着剤層１２ｂ上に設けられている。
なお、シート状樹脂組成物１０は、図８に示したように裏面研削用テープ１２の全面に積層されていなくてもよく、半導体ウェハ１６（図９参照）との貼り合わせに十分なサイズで設けられていればよい。
（裏面研削用テープ）
裏面研削用テープ１２は、基材１２ａと、基材１２ａ上に積層された粘着剤層１２ｂとを備えている。
上記基材１２ａは裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物１００の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどのポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙などが挙げられる。粘着剤層１２ｂが紫外線硬化型である場合、基材１２ａは紫外線に対し透過性を有するものが好ましい。
上記基材１２ａは、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。基材１２ａの表面には、慣用の表面処理を施すことができる。基材１２ａには、帯電防止能を付与するため、上記の基材１２ａ上に金属、合金、これらの酸化物などからなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１２ａは単層又は２種以上の複層でもよい。
基材１２ａの厚さは適宜に決定でき、一般的には５μｍ以上２００μｍ以下程度であり、好ましくは３５μｍ以上１２０μｍ以下である。
なお、基材１２ａには、各種添加剤（例えば、着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤など）が含まれていてもよい。
粘着剤層１２ｂの形成に用いる粘着剤は、半導体ウェハの裏面研削時に半導体ウェハを保持でき、裏面研削後に半導体ウェハから剥離できるものであれば特に制限されない。例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤などの一般的な感圧性接着剤を用いることができる。上記感圧性接着剤としては、半導体ウェハやガラスなどの汚染をきらう電子部品の超純水やアルコールなどの有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
上記アクリル系ポリマーとしては、アクリル酸エステルを主モノマー成分として用いたものが挙げられる。上記アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなどが挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
上記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、上記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
さらに、上記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性などの点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
上記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合などの何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止などの点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、さらに好ましくは４０万〜３００万程度である。
また、上記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマーなどの数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、さらには０．１〜５重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、上記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。
粘着剤層１２ｂは放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線などの放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、ピックアップを容易に行うことができる。放射線としては、Ｘ線、紫外線、電子線、α線、β線、中性子線などが挙げられる。
放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合などの放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、上記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤などの一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤を例示できる。
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどがあげられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その重量平均分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、上記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
また、放射線硬化型粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分などを含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分などが粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。
上記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、上記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。
上記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげられる。
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと上記化合物のいずれの側にあってもよいが、上記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、上記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。また、アクリル系ポリマーとしては、上記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。
上記内在型の放射線硬化性粘着剤は、上記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に上記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分などは、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
上記放射線硬化型粘着剤には、紫外線などにより硬化させる場合には光重合開始剤を含有させることが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどがあげられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
なお、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層１２ｂの表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、上記粘着剤層１２ｂの表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線などの放射線の照射を行う方法などが挙げられる。
なお、粘着剤層１２ｂには、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていてもよい。
粘着剤層１２ｂの厚さは特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止、シート状樹脂組成物１０の固定保持の両立性などの観点から１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、さらには好ましくは５〜２５μｍである。
（裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物の製造方法）
裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物１００は、例えば裏面研削用テープ１２及びシート状樹脂組成物１０を別々に作製しておき、最後にこれらを貼り合わせることにより作成することができる。
（シート状樹脂組成物付チップの準備方法）
次に、シート状樹脂組成物付チップの準備方法について説明する。図９〜図１４は、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物１００を用いるシート状樹脂組成物付チップ４０準備方法の各工程を示す図である。
具体的には、当該シート状樹脂組成物付チップの準備方法は、半導体ウェハ１６のバンプ１８が形成されたバンプ形成面２２ａと裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物１００のシート状樹脂組成物１０とを貼り合わせる貼合せ工程、半導体ウェハ１６の裏面１６ｂを研削する研削工程、半導体ウェハ１６の裏面１６ｂにダイシングテープ１１を貼りつけるウェハ固定工程、裏面研削用テープ１２を剥離する剥離工程、半導体ウェハ１６をダイシングしてシート状樹脂組成物付き半導体チップ４０を形成するダイシング工程、及びシート状樹脂組成物付き半導体チップ４０をダイシングテープ１１から剥離するピックアップ工程を含む。
＜貼合せ工程＞
貼合せ工程では、半導体ウェハ１６のバンプ１８が形成されたバンプ形成面２２ａと裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物１００のシート状樹脂組成物１０とを貼り合わせる（図９参照）。
半導体ウェハ１６のバンプ形成面２２ａには、複数のバンプ１８が形成されている（図９参照）。バンプ１８の高さは用途に応じて定められ、一般的には５〜１００μｍ程度である。もちろん、半導体ウェハ１６における個々のバンプ１８の高さは同一でも異なっていてもよい。
半導体ウェハ１６表面に形成されたバンプ１８の高さＸ（μｍ）とシート状樹脂組成物１０の厚さＹ（μｍ）とが、０．５≦Ｙ／Ｘ≦２の関係を満たすことが好ましい。より好ましくは、０．５≦Ｙ／Ｘ≦１．５であり、さらに好ましくは、０．８≦Ｙ／Ｘ≦１．３である。
バンプ１８の高さＸ（μｍ）とシート状樹脂組成物１０の厚さＹ（μｍ）とが上記関係を満たすことにより、半導体チップ２２と実装用基板５０との間の空間を十分に充填することができると共に、当該空間からのシート状樹脂組成物１０の過剰のはみ出しを防止することができ、シート状樹脂組成物１０による半導体チップ２２の汚染などを防止することができる。なお、各バンプ１８の高さが異なる場合は、最も高いバンプ１８の高さを基準とする。
まず、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物１００のシート状樹脂組成物１０上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、図９に示すように、半導体ウェハ１６のバンプ１８が形成されたバンプ形成面２２ａとシート状樹脂組成物１０とを対向させ、シート状樹脂組成物１０と半導体ウェハ１６とを貼り合わせる（マウント）。
貼り合わせの方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着の圧力は、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．２ＭＰａ以上である。０．１ＭＰａ以上であると、半導体ウェハ１６のバンプ形成面２２ａの凹凸を良好に埋め込むことができる。また、圧着の圧力の上限は特に限定されないが、好ましくは１ＭＰａ以下、より好ましくは０．５ＭＰａ以下である。
貼り合わせの温度は、好ましくは４０℃以上であり、より好ましくは６０℃以上である。４０℃以上であると、シート状樹脂組成物１０の粘度が低下し、半導体ウェハ１６の凹凸を空隙なく充填できる。また、貼り合わせの温度は、好ましくは１００℃以下であり、より好ましくは８０℃以下である。１００℃以下であると、シート状樹脂組成物１０の硬化反応を抑制したまま貼り合わせが可能となる。
貼り合わせは、減圧下で行うことが好ましく、例えば、１０００Ｐａ以下、好ましくは５００Ｐａ以下である。下限は特に限定されず、例えば、１Ｐａ以上である。
＜研削工程＞
研削工程では、半導体ウェハ１６のバンプ形成面２２ａとは反対側の面（すなわち、裏面）１６ｂを研削する（図１０参照）。半導体ウェハ１６の裏面研削に用いる薄型加工機としては特に限定されず、例えば研削機（バックグラインダー）、研磨パッドなどを例示できる。また、エッチングなどの化学的方法にて裏面研削を行ってもよい。裏面研削は、半導体ウェハ１６が所望の厚さ（例えば、２０〜７００μｍ）になるまで行われる。
＜ウェハ固定工程＞
研削工程後、半導体ウェハ１６の裏面１６ｂにダイシングテープ１１を貼りつける（図１１参照）。なお、ダイシングテープ１１は、基材１１ａ上に粘着剤層１１ｂが積層された構造を有する。基材１１ａ及び粘着剤層１１ｂとしては、裏面研削用テープ１２の基材１２ａ及び粘着剤層１２ｂの項で示した成分及び製法を用いて好適に作製することができる。
＜剥離工程＞
次いで、裏面研削用テープ１２を剥離する（図１２参照）。これにより、シート状樹脂組成物１０が露出した状態となる。
裏面研削用テープ１２を剥離する際、粘着剤層１２ｂが放射線硬化性を有する場合には、粘着剤層１２ｂに放射線を照射して粘着剤層１２ｂを硬化させることで、剥離を容易に行うことができる。放射線の照射量は、用いる放射線の種類や粘着剤層の硬化度などを考慮して適宜設定すればよい。
＜ダイシング工程＞
ダイシング工程では、図１３に示すように半導体ウェハ１６及びシート状樹脂組成物１０をダイシングしてダイシングされたシート状樹脂組成物付き半導体チップ４０を形成する。ダイシングは、半導体ウェハ１６のシート状樹脂組成物１０を貼り合わせたバンプ形成面２２ａから常法に従い行われる。例えば、ダイシングテープ１１まで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式などを採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。
なお、ダイシング工程に続いてダイシングテープ１１のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。
＜ピックアップ工程＞
図１４に示すように、シート状樹脂組成物付き半導体チップ４０をダイシングテープ１１から剥離する（シート状樹脂組成物付き半導体チップ４０をピックアップする）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。
ここでピックアップは、ダイシングテープ１１の粘着剤層１１ｂが紫外線硬化型の場合、粘着剤層１１ｂに紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層１１ｂの半導体チップ２２に対する粘着力が低下し、半導体チップ２２の剥離が容易になる。
以上により、シート状樹脂組成物付き半導体チップ４０の準備が完了する。
また、本発明に係るシート状樹脂組成物付き半導体チップの準備方法は、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物を用いる方法に限定されない。
例えば、ダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物を用いて準備してもよい。ダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物は、ダイシングテープと、シート状樹脂組成物とを備える。ダイシングテープは、基材及び粘着剤層を備え、粘着剤層は基材上に設けられている。シート状樹脂組成物は粘着剤層上に設けられている。ダイシングテープは、上述した裏面研削用テープと同様の構成を採用することができる。
具体的に、当該シート状樹脂組成物付チップの準備方法は、半導体ウェハのバンプが形成されたバンプ形成面とダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物のシート状樹脂組成物とを貼り合わせる貼合せ工程、半導体ウェハをダイシングしてシート状樹脂組成物付き半導体チップを形成するダイシング工程、及びシート状樹脂組成物付き半導体チップをダイシングテープから剥離するピックアップ工程を含む。
また、本発明に係るシート状樹脂組成物付き半導体チップの準備方法は、単体のシート状樹脂組成物を用いて準備してもよい。
具体的に、単体のシート状樹脂組成物を用いたシート状樹脂組成物付チップの準備方法は、例えば、半導体ウェハのバンプが形成されたバンプ形成面とシート状樹脂組成物とを貼り合わせる貼合せ工程、シート状樹脂組成物の半導体ウエハ貼り合わせ面とは反対側の面に裏面研削用テープを貼り合わせる工程、半導体ウェハの裏面を研削する研削工程、半導体ウェハの裏面にダイシングテープを貼りつけるウェハ固定工程、裏面研削用テープを剥離する剥離工程、半導体ウェハをダイシングしてシート状樹脂組成物付き半導体チップを形成するダイシング工程、及びシート状樹脂組成物付き半導体チップをダイシングテープから剥離するピックアップ工程を含む。
また、単体のシート状樹脂組成物を用いたシート状樹脂組成物付チップの準備方法の他の例としては、当該シート状樹脂組成物付チップの準備方法は、半導体ウェハのバンプが形成されたバンプ形成面とシート状樹脂組成物とを貼り合わせる貼合せ工程、シート状樹脂組成物の半導体ウエハ貼り合わせ面とは反対側の面にダイシングテープを貼り合わせる工程、半導体ウェハをダイシングしてシート状樹脂組成物付き半導体チップを形成するダイシング工程、及びシート状樹脂組成物付き半導体チップをダイシングテープから剥離するピックアップ工程を含む。
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
＜シート状樹脂組成物の作製＞
以下の成分を表１に示す割合でメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２５．４〜６０．６重量％となる接着剤組成物の溶液を調製した。
アクリルポリマー：アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ−１９７ＣＭ」、根上工業株式会社製）
エポキシ樹脂１：商品名「エピコート１００４」、ＪＥＲ株式会社製
エポキシ樹脂２：商品名「エピコート８２８」、ＪＥＲ株式会社製
フェノール樹脂：商品名「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」、三井化学株式会社製
フラックス：２−フェノキシ安息香酸
無機充填剤：球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」、株式会社アドマテックス製）
熱硬化促進触媒：イミダゾール触媒（商品名「２ＰＨＺ−ＰＷ」、四国化成株式会社製）
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ３５μｍのシート状樹脂組成物Ａを作製した。
［２００℃未満における最低溶融粘度の測定］
回転式粘度計ＨＡＡＫＥ Ｒｏｔｏ Ｖｉｓｃｏ １（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製）を用いてシート状樹脂組成物Ａを測定したときの８０℃〜２００℃における溶融粘度の最低値を最低溶融粘度とした。測定条件は、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、せん断速度５（１／ｓ）とした。結果を表１に示す。
（２００℃で１０秒間加熱した後の熱硬化率の測定）
ティー・エイ・インスツルメント社製の示差走査熱量計、製品名「Ｑ２０００」を用いて、以下のようにして、熱硬化率を測定した。
まず、熱硬化処理をしていないシート状樹脂組成物Ａを−１０℃から昇温速度１０℃／分の条件で、３５０℃（熱硬化反応が完全に完了したと想定される温度）まで昇温した際の発熱量（未硬化サンプルの反応熱量）を測定した。
また、シート状樹脂組成物Ａを２００℃で１０秒間加熱したサンプルを準備し、−１０℃から昇温速度１０℃／分の条件で、３５０℃（熱硬化反応が完全に完了したと想定される温度）まで昇温した際の発熱量（２００℃で１０秒間加熱したサンプルの反応熱量）を測定した。その後、以下の式（３）により熱硬化率を得た。
式（３）：
熱硬化率＝［｛（未硬化サンプルの反応熱量）−（２００℃で１０秒間加熱したサンプルの反応熱量）｝／（未硬化サンプルの反応熱量）］×１００（％）
なお、発熱量は、示差走査熱量計にて測定される発熱ピークの立ち上がり温度と反応終了温度の２点を結んだ直線とピークで囲まれる面積を用いて求める。
結果を表１に示す。
［２００℃で１０秒間加熱した後の状態における、アンドレードの式に基づく２００℃での粘度］
まず、シート状樹脂組成物Ａに関して、以下のサンプルを準備した。
サンプルＡ−１：熱硬化なし
サンプルＢ−１：１１０℃で１０分間加熱して熱硬化
サンプルＣ−１：１１０℃で２０分間加熱して熱硬化
サンプルＤ−１：１１０℃で２５分間加熱して熱硬化
サンプルＥ−１：１１０℃で３５分間加熱して熱硬化
次に、各サンプルについて、回転式粘度計（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製、製品名「ＨＡＡＫＥ Ｒｏｔｏ Ｖｉｓｃｏ １」）にて静的粘度を測定した。測定条件は、ギャップ１００μｍ、回転プレート直径２０ｍｍ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、せん断速度５（１／ｓ）とした。
回転式粘度計にて測定した結果を各サンプルについて横軸を１／Ｔ、縦軸をｌｎηとしてプロットし、その傾きと切片を得た。この際、プロットは、直線が得られる範囲内で行なった。
ここで、アンドレードの式の両辺について対数をとったものは、下記数式（２）の通りである。
Figure 2015065321
数式（２）において、Ｅ／Ｒは、上記で得られた傾きに対応し、ｌｎＡは、上記で得られた切片に対応する。すなわち、Ｅ／Ｒと、ｌｎＡが得られたことにより、温度と粘度の関係（粘度曲線）が得られた。図１５は、シート状樹脂組成物Ａの粘度曲線である。この粘度曲線は、粘度測定時の昇温に伴う熱硬化の影響が排除されたものとなっている。
次に、各サンプル（サンプルＢ−１、サンプルＣ−１、及び、サンプルＤ−１）の熱硬化率を測定した。熱硬化率の測定方法は、上述の２００℃で１０秒間加熱した後の熱硬化率の測定と同様とした。
その結果、以下の通りとなった。
サンプルＢ−１の熱硬化率：
［｛（未硬化サンプルの反応熱量）−（１１０℃で１０分間加熱し熱硬化させたサンプルの反応熱量）｝／（未硬化サンプルの反応熱量）］×１００（％）＝２．９（％）
サンプルＣ−１の熱硬化率：
［｛（未硬化サンプルの反応熱量）−（１１０℃で２０分間加熱し熱硬化させたサンプルの反応熱量）｝／（未硬化サンプルの反応熱量）］×１００（％）＝９．１（％）
サンプルＤ−１の熱硬化率：
［｛（未硬化サンプルの反応熱量）−（１１０℃で２５分間加熱し熱硬化させたサンプルの反応熱量）｝／（未硬化サンプルの反応熱量）］×１００（％）＝１３．６（％）
サンプルＥ−１の熱硬化率：
［｛（未硬化サンプルの反応熱量）−（１１０℃で３５分間加熱し熱硬化させたサンプルの反応熱量）｝／（未硬化サンプルの反応熱量）］×１００（％）＝２０．１（％）
なお、サンプルＡ−１の熱硬化率は０％である。
次に、熱硬化率を横軸、２００℃における粘度を縦軸としてプロットした。そして、プロットに対して最小自乗近似曲線を得た。図１６は、シート状樹脂組成物Ａに係る熱硬化率と２００℃における粘度との関係を示すグラフである。
その後、上記２００℃で１０秒間加熱した後の熱硬化率の測定において得られた熱硬化率と、上記最小自乗近似曲線とに基づいて粘度を算出したところ、２３４Ｐａ・ｓとなった。
以上により、シート状樹脂組成物Ａに係る２００℃で１０秒間加熱した後の状態におけるシート状樹脂組成物の２００℃での粘度（粘度測定時の昇温に伴う熱硬化の影響を排除した粘度）を得た。
Figure 2015065321
［ハンダ流れ評価］
（株）ウォルツ社のテストビークル（厚さ７２５μｍのウエハに、高さ４０μｍのバンプが形成されたもの）に、厚さ４０μｍのシート状樹脂組成物Ａを貼り付けた。貼付条件は、真空度：１００Ｐａの条件下において、温度：６０℃、貼り付け圧力：０．５Ｍｐａとした。これにより図１に示すような形態のサンプルＡを得た。
（実施例１）
次に、このサンプルＡに電極を有する実装用基板（電極の高さ：１５μｍ）を貼り付けた。貼り付けには、東レエンジニアリング社のフリップチップボンダー（ＦＣ３０００Ｗ）を用い、貼付条件は、荷重：０．５Ｍｐａの条件で、２００℃で１０秒間保持した後、２６０℃で１０秒保持した。その後、Ｘ線透視装置（島津製作所製 「ＳＭＸ−１００」）を用い、実装後の半田接合部を観察した。半田が移動していない場合を○、半田が移動している場合を×として評価した。結果を表１に示す。図１７は、実施例１に係るサンプルのＸ線透視画像である。図１７に示すように、実施例１においては、ハンダはほとんど移動していない。
（比較例１）
実施例１と同様に、サンプルＡに電極を有する実装用基板（電極の高さ：１５μｍ）を貼り付けた。貼り付けには、東レエンジニアリング社のフリップチップボンダー（ＦＣ３０００Ｗ）を用い、貼付条件は、荷重：０．５Ｍｐａの条件で、２６０℃で１０秒保持した。その後、Ｘ線透視装置（島津製作所製 「ＳＭＸ−１００」）を用い、実装後の半田接合部を観察した。結果を表１に示す。図１８は、比較例１に係るサンプルのＸ線透視画像である。図１８に示すように、比較例１においては、ハンダは移動している。
Figure 2015065321
１０ シート状樹脂組成物
１８ バンプ
２２ 半導体チップ
２２ａ バンプ形成面
４０ シート状樹脂組成物付きチップ
５０ 実装用基板
５２ 電極
６０ 半導体装置

Claims (3)

  1. 半導体チップのバンプ形成面にシート状樹脂組成物が貼り付けられたシート状樹脂組成物付きチップを準備する工程Ａと、
    電極が形成された実装用基板を準備する工程Ｂと、
    前記実装用基板に、前記シート状樹脂組成物付きチップを、前記シート状樹脂組成物を貼り合わせ面にして貼り付けて、前記半導体チップに形成された前記バンプと前記実装用基板に形成された電極とを対向させる工程Ｃと、
    前記工程Ｃの後に、前記シート状樹脂組成物を加熱して半硬化させる工程Ｄと、
    前記工程Ｄの後に、前記工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、前記バンプと前記電極とを接合するとともに、前記シート状組成物を硬化させる工程Ｅとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記シート状樹脂組成物は、
    ２００℃未満における最低溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ〜５０００Ｐａ・ｓの範囲内にあり、
    ２００℃で１０秒間加熱した後の熱硬化率が６％以上であり、
    ２００℃で１０秒間加熱した後の状態における２００℃での粘度であって、アンドレードの式に基づいて得られた粘度曲線から得られる値が１００Ｐａ・ｓ〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記工程Ｄは、１００〜２３０℃の範囲内で加熱する工程であり、
    前記工程Ｅは、融点が１８０〜２６０℃の範囲内にあるハンダにより前記電極と前記バンプとを接合する工程であり、
    前記工程Ｄにおける加熱温度は、前記ハンダの前記融点よりも低い温度であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
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