JP2015050247A - 窒化物半導体発光素子の製造方法、窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子用下地基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法は、成長面を有する下地基板を準備する工程を備える。下地基板を準備する工程は、基板上に、第1n型窒化物半導体層を形成する工程と、第1n型窒化物半導体層上に、n型ドーパント濃度が当該第1n型窒化物半導体層よりも低いn-層を含む第2n型窒化物半導体層を形成する工程とを有する。
【選択図】図5
Description
図1および図2は、それぞれ、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体発光素子1の概略断面図および概略平面図である。図1は、図2に示すI−I線における断面図に相当する。図3は、図1に示す窒化物半導体発光素子1の第1n型窒化物半導体層8からp型窒化物半導体層16までにおけるバンドギャップエネルギーEgの大きさを模式的に示すエネルギー図である。図3の縦軸方向は図1に示す窒化物半導体発光素子1の上下方向を表わし、図3の横軸のEgは各層におけるバンドギャップエネルギーの大きさを模式的に表わす。図3にはn型ドーパントがドープされている層の右側にはドットを付して「n」と記している。図4は、図1に示す窒化物半導体発光素子1の基板3の拡大平面図である。
下地基板6は、本実施形態では基板3とバッファ層5と下地層7と第1n型窒化物半導体層8と第2n型窒化物半導体層9とを備えるが、第1n型窒化物半導体層8と第2n型窒化物半導体層9とを備えていれば良い。本実施形態に係る窒化物半導体発光素子1は基板3を備えていなくても良く、その場合には、下地基板6は下地層7と第1n型窒化物半導体層8と第2n型窒化物半導体層9とを備える。
基板3は、たとえば、サファイア基板などの絶縁性基板であっても良いし、GaN、SiCまたはZnOなどからなる導電性基板であっても良い。基板3の厚さは、窒化物半導体層の成長時には900μm以上1200μm以下であることが好ましく、製造された窒化物半導体発光素子1においては50μm以上300μm以下であることが好ましい。つまり、窒化物半導体発光素子1の製造方法は基板3を研磨する工程を備えても良い。また、窒化物半導体発光素子1の製造方法は基板3を除去する工程を備えても良い。
バッファ層5は、基板3の凸部3aとその凹部3b上とに設けられている。バッファ層5は、たとえば、AlsoGatoOuoN1-uo(0≦s0≦1、0≦t0≦1、0≦u0≦1、s0+t0≠0)層であることが好ましく、AlN層またはAlON層であることがより好ましい。バッファ層5がAlON層である場合には、AlON層中のNのごく一部(0.5〜2%)が酸素に置き換えられていることが好ましい。これにより、基板3の成長表面の法線方向に伸長するようにバッファ層5が形成されるので、結晶粒の揃った柱状結晶の集合体からなるバッファ層5が得られる。バッファ層5の厚さは特に限定されないが、3nm以上100nm以下であることが好ましく、より好ましくは5nm以上50nm以下である。バッファ層5がスパッタ法により形成されたAlON層であれば、X線スペクトルに現れるピークの半値幅(下地層7の結晶品質の指標)が狭くなる。よって、バッファ層5はスパッタ法により形成されたAlON層であることが好ましい。
下地層7は、第1下地層71と第2下地層75とを有することが好ましい。これにより、X線スペクトルに現れるピークの半値幅(下地層7の結晶品質の指標)が狭くなる、つまり下地層7の結晶品質が高くなる。第1下地層71は、バッファ層5を挟んで基板3の凹部3b上に設けられ、好ましくは斜めファセット面71aを含む側面視略三角形の形状を有し、上面71bを有しても良い。「斜めファセット面」とは、基板3の凹部3bに対して10度以上の角度で傾斜した方向に延びる面であり、窒化物半導体の結晶面であることが好ましい。第2下地層75は、第1下地層71を覆っているとともにバッファ層5を挟んで基板3の凸部3aを覆っており、バッファ層5と第1下地層71とに接している。第1n型窒化物半導体層8に接する下地層7の面(下地層7の上面75b)は平坦である。本明細書では、特に限定する場合を除いて、第1下地層71と第2下地層75とを総じて下地層7と表わすことがある。
第1n型窒化物半導体層8は、第2下地層75の上面75b上に設けられ、n型コンタクト層として機能する。第1n型窒化物半導体層8は、たとえば、Als2Gat2Inu2N(0≦s2≦1、0≦t2≦1、0≦u2≦1、s2+t2+u2≒1)層にn型ドーパントがドープされた層であることが好ましく、Als2Ga1-s2N(0≦s2≦1、好ましくは0≦s2≦0.5、より好ましくは0≦s2≦0.1)層にn型ドーパントがドープされた層であることがより好ましい。第1n型窒化物半導体層8は、アンドープ層または低キャリア濃度層などをさらに含んでも良い。
第2n型窒化物半導体層9は、第1n型窒化物半導体層8上に設けられている。第2n型窒化物半導体層9は、n-層9Aのみからなっても良いが、変調ドープ層であることが好ましい。第2n型窒化物半導体層9が変調ドープ層であれば、順方向電圧を十分に低下させることができ、逆バイアス印加時の漏洩電流の発生を十分に防止することができる。「変調ドープ層」は、ドーパントの種類またはドーパントの量が異なる2種以上の層が交互に積層されてなる層を意味する。たとえば、第2n型窒化物半導体層9は、第1n型窒化物半導体層8側からn-層9Aとn+層9Bとが交互に積層されてなることが好ましい。
第3n型窒化物半導体層11は、Vピット発生層10と多層構造体121と超格子層122とを備える。以下、第3n型窒化物半導体層11の構成要素をそれぞれ示す。
Vピット発生層10は、下地基板6の成長面61上に設けられ、Vピット15の始点の平均的な位置が発光層として実効的に機能する層(本実施形態では発光層14)よりも下地基板6側に位置する層(本実施形態では超格子層122)内に位置するようにVピット15を形成するための層である。「Vピット15の始点」とは、Vピット15の底部(図1におけるVピット15の最下端部)を意味する。「Vピット15の始点の平均的な位置」とは、発光層14に形成されたVピット15の始点の位置を窒化物半導体発光素子1の厚さ方向(図1における上下方向)で平均化して得られた位置を意味する。
本実施形態に係る窒化物半導体発光素子1では、Vピット15の始点は発光層14よりも下地基板6側に位置する。Vピット発生層10と超格子層122との間に多層構造体121が設けられていれば、Vピット発生層10で形成されたVピット15が多層構造体121に達する前に当該Vピット15を大きくすることができる。よって、高温駆動時または大電流駆動時における発光効率を高く維持でき、ESDに起因する不良率が低下する。
Vピット発生層10と発光層14との間であって多層構造体121上には、超格子層122が設けられている。超格子層122の主たる働きは、発光層14からVピット発生層10をさらに離間して設け、Vピット15の始点の位置を発光層14内の下側または超格子層122内とすることである。超格子層122は、単層からなっても良いし、2〜3層が積層されて構成されていても良い。
発光層14は、第3n型窒化物半導体層11上に設けられている。発光層14には、部分的にVピット15が形成されている。「部分的にVピット15が形成されている」とは、発光層14の上面をAFM(Atomic Force Microscope:原子間力顕微鏡)で観察したときにVピット15が発光層14の上面において点状に観察されることを意味する。発光層14の上面におけるVピット数の密度は1×108cm-2以上1×1010cm-2以下であることが好ましい。従来においても発光層にはVピットが形成されていたが、従来の発光層の上面におけるVピット数の密度は1×108cm-2未満であった。
第1p型窒化物半導体層19は、発光層14上に設けられている。第1p型窒化物半導体層19は、図1に示すように3層のp型窒化物半導体層16,17,18が積層されて構成されていても良いし、2層以下のp型窒化物半導体層を有していても良いし、4層以上のp型窒化物半導体層を有していても良い。p型窒化物半導体層16,17,18は、たとえば、Als6Gat6Inu6N(0≦s6≦1、0≦t6≦1、0≦u6≦1、s6+t6+u6≠0)層にp型ドーパントがドープされた層であることが好ましく、Als6Ga(1-s6)N(0<s6≦0.4、好ましくは0.1≦s6≦0.3)層にp型ドーパントがドープされた層であることがより好ましい。たとえば、p型窒化物半導体層16は、p型AlGaN層である。p型窒化物半導体層17は、p型GaN層である。p型窒化物半導体層18は、p型ドーパント濃度がp型窒化物半導体層17よりも高いp型GaN層である。
n側電極21およびp側電極25は、窒化物半導体発光素子1に駆動電力を供給するための電極である。図2には、n側電極21およびp側電極25がパッド電極部分のみで構成されていることを図示している。しかし、電流拡散を目的とする細長い突出部(枝電極)が、図2に示すn側電極21およびp側電極25に接続されていても良い。また、p側電極25よりも下には、電流がp側電極25へ注入されることを防止するための絶縁層が設けられていることが好ましい。これにより、発光層14が発した光がp側電極25に遮蔽される量を減少させることができる。
本実施形態に係る窒化物半導体発光素子1において、Vピット15の始点の大部分は発光層14内に存在しておらず、その過半数は超格子層122内に存在していると考えられる。Vピット15は貫通転位に起因して発生すると考えられるので、貫通転位の多くはVピット15の内側にあると考えられる。よって、発光層14に注入された電子およびホールがVピット15の内側の貫通転位に達することを抑制することができる。したがって、電子およびホールが貫通転位に捕獲されたために非発光再結合が発生することを抑制できると考えられる。これにより、発光効率の低下を防止できる。このことは、高温下または大電流駆動時において顕著となる。
キャリア濃度は電子またはホールの濃度を意味し、n型ドーパントの量またはp型ドーパントの量だけで決定されない。このようなキャリア濃度は、窒化物半導体発光素子1の電圧対容量特性の結果に基づいて算出され、電流が注入されていない状態のキャリア濃度のことを意味し、イオン化した不純物、ドナー化した結晶欠陥およびアクセプター化した結晶欠陥から発生したキャリアの合計である。
本実施形態に係る窒化物半導体発光素子1では、第1n型窒化物半導体層8と発光層14との間には、第1n型窒化物半導体層8側から順に、第2n型窒化物半導体層9(好ましくはn型変調ドープ層)、Vピット発生層10、多層構造体121および超格子層122が積層されている。これにより、ESD破壊の原因となる逆バイアス方向の高電圧がn側電極21とp側電極25との間に印加された場合には、空乏層が第2n型窒化物半導体層9および超格子層122側に伸長する。よって、発光層14に印加される逆バイアス電圧(電界)を低減することができる。したがって、ESD破壊が生じる閾値電圧(すなわちESD耐圧)が高くなる。
図5は、図1に示す窒化物半導体発光素子1の製造方法の一部を工程順に示すフロー図である。図6は、図5に示す下地基板の準備工程を工程順に示すフロー図である。図7は、図1に示す窒化物半導体発光素子1の別の製造方法の一部を工程順に示すフロー図である。なお、窒化物半導体発光素子1の各構成要素の組成または厚みなどについては上記<窒化物半導体発光素子の構成>で示したとおりである。
まず、100mm径のサファイア基板からなるウエハを準備した。ウエハの上面には、凸部3aと凹部3bとが交互に形成されてなる凹凸形状が形成されていた。
以下に示す第2n型窒化物半導体層9を結晶成長させたことを除いては上記実施例1に記載の方法にしたがって、本実施例の窒化物半導体発光素子を得た。第1n型窒化物半導体層8上に、厚さ87nmのアンドープGaN層(n-層9A)、厚さ50nmのSiドープn型GaN層(n+層9B(n型ドーパント濃度:1×1019cm-3))、および、厚さ87nmのアンドープGaN層(n-層9A)をこの順でMOCVD法により結晶成長させた。
以下に示す第2n型窒化物半導体層9を結晶成長させたことを除いては上記実施例1に記載の方法にしたがって、本実施例の窒化物半導体発光素子を得た。第1n型窒化物半導体層8上に、厚さ87nmのアンドープGaN層(n-層9A)、および、厚さ50nmのSiドープn型GaN層(n+層9B(n型ドーパント濃度:1×1019cm-3))をこの順でMOCVD法により結晶成長させた。
以下に示す第2n型窒化物半導体層9を結晶成長させたことを除いては上記実施例1に記載の方法にしたがって、本実施例の窒化物半導体発光素子を得た。第1n型窒化物半導体層8上に、厚さ87nmのアンドープGaN層(n-層9A)をMOCVD法により結晶成長させた。
比較例1では、第1n型窒化物半導体層8からなる下地基板上に、第2MOCVD装置内において第2n型窒化物半導体層9以降の窒化物半導体層を結晶成長させた。具体的には、凹凸形状が形成されたサファイア基板上に、バッファ層5、厚さ4.0μmの下地層、および、厚さ3.0μmのSiドープn型GaN層(第1n型窒化物半導体層8)をMOCVD法により結晶成長させた。これにより、下地基板を得た。
Claims (6)
- 成長面を有する下地基板を準備する工程を備え、
前記下地基板を準備する工程は、
基板上に、第1n型窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第1n型窒化物半導体層上に、n型ドーパント濃度が当該第1n型窒化物半導体層よりも低いn-層を含む第2n型窒化物半導体層を形成する工程とを有する窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記第2n型窒化物半導体層を形成する工程は、前記第1n型窒化物半導体層側から、前記n-層と、n型ドーパント濃度が前記n-層よりも高いn+層とを交互に積層する工程を含む請求項1に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記n+層の厚さは、前記n-層の厚さ以下である、請求項2に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記第1n型窒化物半導体層側から数えて2つ目のn+層の厚さは、50nm以上100nm以下であり、
前記第1n型窒化物半導体層側から数えて3つ目のn+層の厚さは、前記第1n型窒化物半導体層側から数えて2つ目のn+層の厚さ以下である請求項1〜3のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の方法にしたがって製造された窒化物半導体発光素子。
- 第1n型窒化物半導体層と、
前記第1n型窒化物半導体層上に、n型ドーパント濃度が当該第1n型窒化物半導体層よりも低いn-層を含む第2n型窒化物半導体層とを備えた窒化物半導体発光素子用下地基板。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2019040962A (ja) * | 2017-08-23 | 2019-03-14 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2020521312A (ja) * | 2017-05-19 | 2020-07-16 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 半導体素子及びそれを含む半導体素子パッケージ |
CN116314507A (zh) * | 2023-05-19 | 2023-06-23 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002305323A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-10-18 | Nichia Chem Ind Ltd | n型窒化物半導体積層体およびそれを用いる半導体素子 |
JP2003204078A (ja) * | 1998-12-08 | 2003-07-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2006114886A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-04-27 | Showa Denko Kk | n型III族窒化物半導体積層構造体 |
JP2007311371A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP2011187572A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子、ランプ、電子機器、機械装置 |
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2013
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003204078A (ja) * | 1998-12-08 | 2003-07-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2002305323A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-10-18 | Nichia Chem Ind Ltd | n型窒化物半導体積層体およびそれを用いる半導体素子 |
JP2006114886A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-04-27 | Showa Denko Kk | n型III族窒化物半導体積層構造体 |
JP2007311371A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP2011187572A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子、ランプ、電子機器、機械装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020521312A (ja) * | 2017-05-19 | 2020-07-16 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 半導体素子及びそれを含む半導体素子パッケージ |
JP7209338B2 (ja) | 2017-05-19 | 2023-01-20 | スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド | 半導体素子 |
JP2019040962A (ja) * | 2017-08-23 | 2019-03-14 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
CN116314507A (zh) * | 2023-05-19 | 2023-06-23 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
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