JP2015041627A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体レーザ装置は、半導体基板上に、第1反射鏡、発光部及び第2反射鏡が順に積層されてなり、第1反射鏡の、発光部の形成側と反対側の面の外縁に位置する第1領域に接触するように形成された第1コンタクト層と、第1反射鏡の、発光部の形成側と反対側の面において、第1領域よりも内側に位置する第2領域に接触するように形成された、第1コンタクト層よりも不純物濃度が低濃度の第1不純物拡散領域と、第1コンタクト層と第1不純物拡散領域の境界部分に形成された、絶縁層又は半導体層からなる不純物拡散防止層と、第1反射鏡の外側位置において、底面を第1コンタクト層の上面と接触して形成された第1電極と、第2反射鏡の上層に形成された第2コンタクト層と、第2コンタクト層の上層に形成された第2電極を備える。
【選択図】 図1
Description
前記第1反射鏡の、前記発光部の形成側と反対側の面の外縁に位置する第1領域に接触するように形成された第1コンタクト層と、
前記第1反射鏡の、前記発光部の形成側と反対側の面において、前記第1領域よりも内側に位置する第2領域に接触するように形成された、前記第1コンタクト層よりも不純物濃度が低濃度の第1不純物拡散領域と、
前記第1コンタクト層と前記第1不純物拡散領域の境界部分に形成された、絶縁層又は半導体層からなる不純物拡散防止層と
前記第1反射鏡の外側位置において、底面を前記第1コンタクト層の上面と接触して形成された第1電極と、
前記第2反射鏡の上層に形成された第2コンタクト層と、
前記第2コンタクト層の上層に形成された第2電極を備えることを特徴とする。
前記不純物拡散防止層を、前記第1コンタクト層と前記半導体基板の境界部分に形成することができる。
前記不純物拡散防止層を、前記第1コンタクト層と前記第1不純物拡散領域の境界部分及び前記第1コンタクト層と前記半導体基板の境界部分に形成することができる。
図1は、第1実施形態のレーザ装置の模式的断面図である。なお、図10と同一の要素に対しては、同一の符号を付している。
第1実施形態のレーザ装置1は、半導体基板10、n側多層膜反射鏡11(「第1反射鏡」に対応)、発光部13、p側多層膜反射鏡15(「第2反射鏡」に対応)、n型コンタクト層9(「第1コンタクト層」に対応)、p型コンタクト層17(「第2コンタクト層」に対応)、n側電極19(「第1電極」に対応)、p側電極21(「第2電極」に対応)を有する。
以下、図1に示すレーザ装置1の製造方法の一例につき、図4A〜図4Jの各工程断面図を参照して説明する。
図4Aに示すように、半導体基板10を準備する。半導体基板10としては、上述したように、不純物濃度が1×1018/cm3未満、より好ましくは5×1017/cm3以下のGaAs基板を採用することができる。
図4Bに示すように、半導体基板10の第1面側のうち、レーザ光が通過する経路となる箇所の外周部分に位置する箇所を、ウェットエッチング法又はドライエッチング法によりエッチングして、溝部31を形成する。
図4Cに示すように、溝部31が形成された箇所に、AlGaAs又はInGaPなどで形成される不純物拡散防止層7を、例えば1000nm〜10000nm程度の膜厚で結晶成長させる。
図4Dに示すように、ステップS3で形成した不純物拡散防止層7の一部を、ウェットエッチング法又はドライエッチング法によりエッチングして、溝部32を形成する。
図4Eに示すように、溝部32が形成された箇所に、GaAsなどで形成されるn型コンタクト層9を例えば10nm〜1000nm程度の膜厚で結晶成長させる。n型コンタクト層9は、例えば、Siなどのn型不純物が1×1018/cm3以上の高濃度でドープされる。
一部の上面に不純物拡散防止層7及びn型コンタクト層9が形成された半導体基板10の上層に、n側多層膜反射鏡11、発光部13、p側多層膜反射鏡15及びp型コンタクト層17を下からこの順に結晶成長させる。
ステップS6によって形成された、n側多層膜反射鏡11、発光部13、p側多層膜反射鏡15及びp型コンタクト層17からなる多層構造体のうち、例えば中央付近の領域をマスクしてイオン注入を行うことにより、電流狭窄層としての絶縁層25(高抵抗層)を形成する(図4G参照)。なお、当該箇所を酸化することで絶縁層25を形成してもよい。
ステップS7で形成された電流狭窄層としての絶縁層25を、ウェットエッチング法又はドライエッチング法によりメサ形状に加工する(図4H参照)。本ステップS8によって、n型コンタクト層9の一部上面が露出される。
図4Iに示すように、スパッタ法又はPVD(Physical Vapor Deposition:物理気相成長)法にて、例えばSiNやSiO2などの絶縁材料を膜厚10nm〜2000nm程度成膜し、パッシベーション層27を形成する。
次に、例えばp型コンタクト層17の上方に係る位置以外をマスクして、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により非マスク領域に形成されたパッシベーション層27を除去する。その後、当該領域にスパッタ法又は真空蒸着法によって例えばAu/Zn/AuやTi/Pt/Auなどの電極材料を膜厚100nm〜3000nm程度成膜して、p側電極21を形成する。更に、n側コンタクト層9の露出面に、発光部13が形成されている側と同じ方向から、スパッタ法又は真空蒸着法によって例えばNi/Ge/Au/Ni/AuやAu/Ge/Ni/Auなどの電極材料を膜厚100nm〜3000nm程度成膜して、n側電極19を形成する(図4J参照)。
半導体基板10の第2面(発光部2が形成されていない側の面)上に、SiO2、Ta2O5、又はSiNOなどで構成される光学薄膜を、第2面側から、スパッタ法又は真空蒸着法によって膜厚10nm〜1000nm程度成膜し、誘電体層29を形成する。その後、レーザ光路に係る位置以外をマスクして、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により非マスク領域に形成された誘電体層29を除去する。
スパッタ法又はPVD法にて、例えばSiNやSiO2などの絶縁材料を膜厚10nm〜2000nm程度成膜し、光束拡散防止部材16を形成する(図1参照)。なお、本ステップS12では、絶縁材料に代えて、Auなどの接合用金属を蒸着法にて膜厚100nm〜5000nm程度成膜することで光束拡散防止部材16を形成しても構わない。
レーザ装置の第2実施形態につき、第1実施形態と異なる箇所のみを説明する。
図5は、第2実施形態のレーザ装置の模式的断面図である。第2実施形態のレーザ装置1においては、レーザ光路上における半導体基板10の第1面側の上面に、n型コンタクト層9より不純物濃度の低い不純物拡散領域8が形成されている点が異なる。本実施形態では、この不純物拡散領域8が「第1不純物拡散領域」に対応する。
以下、図5に示すレーザ装置1の製造方法につき、第1実施形態と異なる箇所のみを説明する。
半導体基板10上のうち、レーザ光路となる位置には、不純物濃度の低い不純物拡散領域8を、その外周位置には不純物拡散防止層7を、それぞれ例えば1000nm〜10000nm程度の膜厚で結晶成長させる。なお、不純物拡散領域8は、不純物濃度が1×1018/cm3未満、より好ましくは5×1017/cm3以下のAlGaAs又はInGaPで形成し、不純物拡散防止層7は、アンドープのAlGaAs又はInGaPで形成することができる(図7A参照)。
半導体基板10上に不純物濃度の低い不純物拡散領域8を結晶成長させる。このとき、レーザ光路となる位置の成長膜厚をその外周の位置よりも厚膜とする(図7D参照)。
ステップS2Bにおいて薄膜で形成された不純物拡散領域8の上面に、不純物拡散防止層7を例えば1000nm〜10000nm程度の膜厚で結晶成長させる。
レーザ装置の第3実施形態につき、第1実施形態と異なる箇所のみを説明する。
図8は、第3実施形態のレーザ装置の模式的断面図である。第3実施形態のレーザ装置1においては、n側多層膜反射鏡11を、発光部13、p側多層膜反射鏡15及びp型コンタクト層17よりも形成面積を拡げている。そして、n側多層膜反射鏡11の上面は電流狭窄層としての絶縁層25(「高抵抗層」に対応)と接触し、底面の一部がn型コンタクト層9と接触している。すなわち、電流狭窄層としての絶縁層25は、発光部13及びp型多層膜反射鏡15の外側位置に形成されている。そして、絶縁層25の側面が発光部13及びp型多層膜反射鏡15の外側面と接触し、絶縁層25の底面がn側多層膜反射鏡11の上面と接触している。
以下、図8に示すレーザ装置1の製造方法につき、第1実施形態と異なる箇所のみを説明する。
ステップS7と同様に、ステップS6によって形成された、n側多層膜反射鏡11、発光部13、p側多層膜反射鏡15及びp型コンタクト層17からなる多層構造体のうち、例えば中央付近の領域をマスクしてイオン注入を行うことにより、電流狭窄層としての絶縁層25(高抵抗層)を形成する。このとき、イオン注入エネルギーを調整することで、n側多層膜反射鏡11の形成箇所にはイオン注入を行わず、発光部13、p側多層膜反射鏡15及びp型コンタクト層17の形成箇所にのみイオン注入を行う(図9参照)。なお、当該箇所を酸化することで絶縁層25を形成してもよい。
3 : 外部出力ミラー
5 : レーザ光
7 : 不純物拡散防止層
9 : n型コンタクト層(第1コンタクト層)
10 : 半導体基板
11 : n側多層膜反射鏡(第1反射鏡)
11a : n側多層膜反射鏡の外縁部分(第1領域)
11b : n側多層膜反射鏡の内側部分(第2領域)
13 : 発光部
15 : p側多層膜反射鏡(第2反射鏡)
16 : 光束拡散防止部材
17 : p型コンタクト層(第2コンタクト層)
19 : n側電極(第1電極)
21 : p側電極(第2電極)
25 : 電流狭窄層としての絶縁層
27 : パッシベーション層
29 : 誘電体層
31 : 溝部
32 : 溝部
40 : 半導体基板
90 : 従来のVECSEL構造のレーザ装置
d1 : レーザ光の取り出し方向
Claims (4)
- 半導体基板上に、第1反射鏡、発光部及び第2反射鏡が順に積層されてなる半導体レーザ装置であって、
前記第1反射鏡の、前記発光部の形成側と反対側の面の外縁に位置する第1領域に接触するように形成された第1コンタクト層と、
前記第1反射鏡の、前記発光部の形成側と反対側の面において、前記第1領域よりも内側に位置する第2領域に接触するように形成された、前記第1コンタクト層よりも不純物濃度が低濃度の第1不純物拡散領域と、
前記第1コンタクト層と前記第1不純物拡散領域の境界部分に形成された、絶縁層又は半導体層からなる不純物拡散防止層と
前記第1反射鏡の外側位置において、底面を前記第1コンタクト層の上面と接触して形成された第1電極と、
前記第2反射鏡の上層に形成された第2コンタクト層と、
前記第2コンタクト層の上層に形成された第2電極を備えることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記第1不純物拡散領域は、前記第1コンタクト層よりも不純物濃度が低濃度の前記半導体基板の一部で構成され、
前記不純物拡散防止層は、前記第1コンタクト層と前記半導体基板の境界部分に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - 前記半導体基板は、前記第1コンタクト層よりも不純物濃度が低濃度であり、
前記不純物拡散防止層は、前記第1コンタクト層と前記第1不純物拡散領域の境界部分及び前記第1コンタクト層と前記半導体基板の境界部分に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - 前記発光部及び前記第2反射鏡の外側面に側面を接触して形成された高抵抗層を有し、前記高抵抗層の底面が前記第1反射鏡の上面に接触する構成であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
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