JP2015022018A - 波長選択スイッチ - Google Patents

Abstract

【課題】耐振動性を向上可能な波長選択スイッチを提供する。
【解決手段】波長選択スイッチ１は、筐体２と、筐体２内の底面２ａ上に設けられた第１〜第４の支柱Ｃ１〜Ｃ４と、第１〜第４の支柱Ｃ１〜Ｃ４上に配置された光学基板３と、光学基板３上に配置され、反射面の反射角度を制御可能なＭＥＭＳミラー１９を有する分光光学系４と、を備える。第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３は、光学基板３の互いに異なる縁部３ａ〜３ｃの近傍をそれぞれ支持する。第４の支柱Ｃ４は、第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３により支持された光学基板３が有する振動モードのうち、ＭＥＭＳミラー１９の共振周波数に最も近い周波数の所定振動モードにおける腹となる部分を支持する。
【選択図】図４

Description

本発明は、波長選択スイッチに関する。

特許文献１には、温度補償機能を有する波長選択スイッチが開示されている。この波長選択スイッチは、基板上に配置された分散空間光学系と二軸ＭＥＭＳミラー装置と温度センサとを備えている。この基板は熱伝導率の低いゴムなどの断熱固定具を介して筐体に取り付けられている。

特開２０１２−８５６２号公報

ところで、ＭＥＭＳミラーは、微小な反射面を複数備え、これら反射面の反射角度は入力信号の電圧値によりそれぞれ制御される。このように反射角度を制御可能なＭＥＭＳミラーは反射面を回動させるための可動部を備えている。このためＭＥＭＳミラーに振動が印加されると、それぞれの反射面が振動して反射角度がばらつくため、ＭＥＭＳミラーによる光の偏向方向が変動する。従って、出力ポートに結合される光のパワーがばらつくおそれがあった。

そこで、本発明は、耐振動性を向上可能な波長選択スイッチを提供することを目的とする。

本発明の波長選択スイッチは、筐体と、筐体内の底面上に設けられた第１〜第４の支柱と、第１〜第４の支柱上に配置された光学基板と、光学基板上に配置され、反射面の反射角度を制御可能なＭＥＭＳミラーを有する分光光学系と、を備え、第１〜第３の支柱は、光学基板の互いに異なる縁部の近傍をそれぞれ支持し、第４の支柱は、第１〜第３の支柱により支持された光学基板が有する振動モードのうち、ＭＥＭＳミラーの共振周波数に最も近い周波数の所定振動モードにおける腹となる部分を支持する。

この波長選択スイッチでは、ＭＥＭＳミラーを有する分光光学系が第１〜第３の支柱に支持された光学基板上に配置されている。ＭＥＭＳミラーは反射角度を変更するための可動部を有しているため、ＭＥＭＳミラーは振動の影響を受けやすい。また、この光学基板は、複数の振動モードを有している。そして、第４の支柱は、第１〜第３の支柱により支持された光学基板が有する振動モードのうち、ＭＥＭＳミラーの共振周波数に最も近い周波数の所定振動モードにおける腹となる部分を支持している。従って、光学基板において所定振動モードにおける腹となる部分が拘束されるため、波長選択スイッチの外部から印加される振動の影響が抑制される。従って、波長選択スイッチの耐振動性が向上される。

また、第４の支柱は、第１の支柱と第２の支柱とを結ぶ第１の仮想線と、第２の支柱と第３の支柱とを結ぶ第２の仮想線と、第１の支柱と第３の支柱とを結ぶ第３の仮想線と、により囲まれた仮想領域内に配置されている。この第４の支柱の配置によれば、所定振動モードにおける腹の振幅を抑制することができる。

また、ＭＥＭＳミラーは仮想領域内に配置されている。この配置によれば、光学基板において、仮想領域内は第４の支柱により剛性が高められる。そして、この剛性が高められた仮想領域内にＭＥＭＳミラーを配置することにより、波長選択スイッチの外部から印加される振動の影響が抑制される。従って、波長選択スイッチの耐振動性が向上される。

また、分光光学系は透過型光学部品を更に有し、透過型光学部品には、フィラーを含有する接着剤で固定されているものが含まれ、接着剤で固定された透過型光学部品は、第１〜第３の支柱により支持された光学基板が有する第一次の振動モードにおける節となる部分に配置されている。この構成によれば、振幅変動が小さい節となる部分にフィラーを含有する接着剤で固定された透過型光学部品を配置しているので、透過型光学部品に与える振動の影響を抑制することができる。

また、波長選択スイッチは、入力ポートと出力ポートとが並設されたポートアレイを更に備え、ポートアレイは、第１〜第３の支柱により支持された光学基板が有する第一次の振動モードにおける節となる部分にそれぞれ配置されている。分光光学系を構成する光学部品において、ポートアレイは振動の影響を受けやすい。この構成によれば、振幅変動が小さい節となる部分にポートアレイを配置しているので、ポートアレイに与える振動の影響を抑制することができる。

また、波長選択スイッチは、第１〜第４の支柱と光学基板との間に挟まれた防振部材を更に備える。この構成によれば、ＭＥＭＳミラーの共振周波数近傍の振動伝達率を低減することができる。

また、光学基板の板厚は、光学基板の所定振動モードの周波数がＭＥＭＳミラーの共振周波数よりも高くなるように設定されていてもよい。また、光学基板の板厚は、光学基板の一次振動モードの周波数がＭＥＭＳミラーの共振周波数よりも高くなるように設定されていてもよい。この構成によれば、外部振動に対するＭＥＭＳミラーの共振の発生を抑制することができる。

本発明によれば、耐振動性を向上可能な波長選択スイッチが提供される。

本発明の一実施形態に係る波長選択スイッチの構成を示す平面図である。 光学基板と支柱との連結構造を示す図である。 第１〜第３の支柱に支持された光学基板の振動応答曲線と、第１〜第４の支柱に支持された光学基板の振動応答曲線とを示す図である。 図１に示す光学基板の第二次の振動モードを示す図である。 図１に示す光学基板の第一次の振動モードを示す図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る波長選択スイッチを実施するための形態を詳細に説明する。

図１に示されるように、波長選択スイッチ１は、入力光Ｌを波長成分ごとに分光し、所望の波長成分を有する光ＬＤを出射する。波長選択スイッチ１は、筐体２と、筐体２内に配置された光学基板３と、筐体２内に配置され光学基板３を支持する第１〜第４の支柱Ｃ１〜Ｃ４と、を有する。さらに、波長選択スイッチ１は、光学基板３上に配置された分光光学系４を有する。

筐体２は、光学基板３と第１〜第４の支柱Ｃ１〜Ｃ４と分光光学系４とを収容し、これら光学基板３と第１〜第４の支柱Ｃ１〜Ｃ４と分光光学系４とを振動や熱などから保護する。筐体２は、例えば金属により構成されている。

光学基板３は、筐体２の底面２ａから上方に離間して配置されている（図２参照）。光学基板３には、分光光学系４を構成する光学部品が取り付けられ、これら光学部品に対する機械的及び熱的なベースとして機能する。光学基板３は、例えば金属製であり、所定の剛性を確保するための板厚を有している。光学基板３の剛性は、光学基板３の板厚ｈ（図２参照）が大きくなると剛性も高くなる。光学基板３の剛性と板厚ｈとの関係は、光学基板３の拘束条件により変化するが、一例として、下記式（１）のような関係を有する。式（１）において、ｆｍｎは共振周波数である。
ｆｍｎ∝ｈ＾（３／２）…（１）

光学基板３は、平面視して略矩形状の形状を有している。そして、光学基板３の互いに異なる縁部３ａ〜３ｃにおいて、縁部３ａの近傍には第１の支柱Ｃ１をネジＳ１で固定するためのネジ穴Ｔ１が設けられ、縁部３ｂの近傍には第２の支柱Ｃ２をネジＳ２で固定するためのネジ穴Ｔ２が設けられ、縁部３ｃの近傍には第３の支柱Ｃ３をネジＳ３で固定するためのネジ穴Ｔ３が設けられている。

第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３は、光学基板３を筐体２の底面２ａ上に支持するものであり、下端部が筐体２の底面２ａにネジ固定され、上端部が光学基板３の裏面にネジ固定されている。第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３は、円柱状の形状を有し、両端面には長手方向に延びためねじが形成されている。また、第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３は、筐体２の底面２ａ上において、光学基板３のネジ穴Ｔ１〜Ｔ３に対応する位置に配置されている。

第４の支柱Ｃ４は、第１の支柱Ｃ１と第２の支柱Ｃ２とを結ぶ第１の仮想線Ｖ１と、第２の支柱Ｃ２と第３の支柱Ｃ３とを結ぶ第２の仮想線Ｖ２と、第１の支柱Ｃ１と第３の支柱Ｃ３とを結ぶ第３の仮想線Ｖ３と、により囲まれた仮想領域ＶＡ内に配置されている。第４の支柱Ｃ４は、第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３と同様に、下端部が筐体２の底面２ａにネジＳ４により固定され、上端部が光学基板３の裏面にネジ固定されている。そして、光学基板３において、第４の支柱Ｃ４に対応する位置には、第４の支柱Ｃ４をネジＳ４で固定するためのネジ穴Ｔ４が設けられている。

図２に示されるように、第１の支柱Ｃ１の上端面Ｃ１ａと光学基板３の裏面３ｅとの間には、座金６と輪状の防振ゴム７が挟み込まれている。光学基板３に設けられたネジ穴Ｔ１のざぐり８とネジＳ１の座面Ｓ１ａとの間には、座金９と輪状の防振ゴム１１が挟み込まれている。この防振ゴム７，１１は、第１の支柱Ｃ１と、光学基板３との間において振動を緩衝する構成を形成し、第１の支柱Ｃ１から光学基板３に伝達される振動を減衰する。より詳細には、防振ゴム７，１１を含んで構成される振動系は、ＭＥＭＳミラー１９の共振周波数よりも低いカットオフ周波数を有している。カットオフ周波数は、例えば、５０Ｈｚ〜２００Ｈｚである。従って、カットオフ周波数よりも高い周波数領域の振動伝達率が減衰されるため、ＭＥＭＳミラー１９の共振周波数を含む帯域の振動伝達率が低減する。なお、第２〜第４の支柱Ｃ２〜Ｃ４は、上記第１の支柱Ｃ１と同様の構成を有するため、詳細な説明は省略する。

図１に示されるように、分光光学系４は、光を入出力するポートアレイ１２と、ポートアレイ１２から入力された光Ｌを拡幅するアナモルフィック光学系１３と、光Ｌを波長成分毎に異なる光路へ分光する分光素子１４と、光路を折り返して光学系を小型化する折り返しミラー１６，１７と、分光された光ＬＤを集光する集光レンズ１８と、光ＬＤを波長成分毎に所定のポートに導くように偏向するＭＥＭＳミラー１９と、を備えている。

ポートアレイ１２は、光ファイバを通じて複数の波長成分を含む光Ｌ（例えば波長多重光通信における信号光）を入力する。また、ポートアレイ１２は、光Ｌが波長成分ごとに分光された光ＬＤを、波長選択スイッチ１の外部へ出力する。ポートアレイ１２は、光Ｌを入力する入力ポートと、分光された光ＬＤを出力する複数の出力ポートとを有している。入力ポートと出力ポートとは、光Ｌの光路方向と直交するポート配列方向に沿って並設されるようにポート支持部（不図示）に固定されている。このポート支持部は、入力ポート及び出力ポートの光軸を調整する機能を有している。

アナモルフィック光学系１３は、光Ｌの縦横比を変換する。本実施形態においてアナモルフィック光学系１３は、ポートアレイ１２から出射される光Ｌの進行方向（Ｚ軸）と筐体２の底面２ａに対する法線方向（Ｘ軸）とに交差（例えば直交）する方向（Ｙ軸）に光Ｌを拡大する拡大光学系である。これにより、光Ｌは、Ｙ軸方向に延びる扁平な楕円形状となる。アナモルフィック光学系１３は、分光素子１４でのＹ軸方向への分光角度を大きくすると共に、ＭＥＭＳミラー１９で反射された光ＬＤのＹ軸方向でのビーム径の縮小も行う。アナモルフィック光学系１３は、例えば、複数のプリズムを組み合わせて構成され得る。また、アナモルフィック光学系１３は、シリンドリカルレンズ、シリンドリカルミラーといったＸ軸方向またはＹ軸方向にのみ屈折力を有する光学部品を単独または組み合わせることによって構成され得る。なお、アナモルフィック光学系１３は、光ＬをＸ軸方向に縮小して、光ＬをＹ軸方向に延びる扁平な楕円形状とするものであってもよい。

アナモルフィック光学系１３および集光レンズ１８は、光路方向に対する傾斜角を精度よく制御する必要がある。また、アナモルフィック光学系１３および集光レンズ１８は、透過型光学部品であり、高い透過率を確保するために脆い硝材を用いる必要がある。従って、アナモルフィック光学系１３および集光レンズ１８は、光学基板３に対してフィラーを含有する接着剤を介して接着固定されている。接着剤は、光学基板３の載置面３ｄ（図２参照）とアナモルフィック光学系１３および集光レンズ１８の接着面との間に介在し、光学基板３とアナモルフィック光学系１３および集光レンズ１８とを互いに固着させる層である。接着剤は、熱や紫外線等により硬化する樹脂と樹脂中に多数混入されたフィラーとを含有する。樹脂は、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、或いはシリコーン樹脂といった有機材料を含んでいる。フィラーは、樹脂とは異なる微小な固形粒状物であり、例えば二酸化ケイ素、金属或いは酸化アルミニウムといった無機材料からなる。

分光素子１４は、ポートアレイ１２から入力された光Ｌを、光Ｌの光路方向と交差する分光方向（Ｙ軸方向）に波長成分ごとに分光する。分光素子１４には、例えば、一対の反射型回折格子やバルク型回折格子、導波路型回折格子或いは透過型回折格子等が用いられる。

この分光素子１４は、素子取付部１４ａに接着固定されている。そして素子取付部１４ａは光学基板３に対して、ネジを用いて機械的に固定されている。この光学基板に対する素子取付部１４ａの固定構造は高い剛性を有し振動に強い。より詳細には、素子取付部１４ａの固定構造は、光学基板３の第一次の共振周波数よりも高い共振周波数を有している。

折り返しミラー１６，１７は、分光素子１４で分光された光ＬＤの光路を折り返して、光ＬＤをＭＥＭＳミラー１９に導くと共に、ＭＥＭＳミラー１９において反射された光ＬＤをポートアレイ１２に導く。折り返しミラー１６，１７は、光路上において集光レンズ１８を挟むように配置されている。なお、この折り返しミラー１６，１７は、アナモルフィック光学系１３ほど傾斜角を高精度に制御する必要がないため、フィラーを含まない接着剤により光学基板３に対して固定されている。

ＭＥＭＳミラー１９は、光ＬＤをポートアレイ１２の出力ポートに結合させるように、光ＬＤを偏向する光偏向素子である。ＭＥＭＳミラー１９は、反射面の反射角度を制御可能な複数の可動ミラー部を有する。可動ミラー部は、反射面を形成するミラー部を有し、このミラー部は、ＭＥＭＳミラー１９の基部に対して梁によって連結されている。そして、電磁力、静電力等の駆動力によりミラー部が梁の長手方向を回動軸線として回動する。ＭＥＭＳミラー１９の共振周波数は、例えば、この梁の長手方向を回動軸線とした回動運動の共振周波数であり、梁の剛性とミラーの形状及び質量等に基づく値である。例えば、ＭＥＭＳミラー１９の共振周波数が存在する帯域は、例えば５００Ｈｚ〜１０００Ｈｚである。ＭＥＭＳミラー１９は、アナモルフィック光学系１３と同様に、光路方向に対する姿勢を高精度に制御する必要があるため、フィラーを含む接着剤を介して光学基板３に接着固定されていてもよい。

続いて、波長選択スイッチ１の作用効果について説明する。この波長選択スイッチ１では、ＭＥＭＳミラー１９を有する分光光学系４が第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３に支持された光学基板３上に配置されている。ＭＥＭＳミラー１９は反射角度を変更するための可動部を有しているため、外部振動の影響を受けやすい。また、この光学基板３は、複数の振動モードを有している。そして、第４の支柱Ｃ４は、第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３で支持された光学基板３が有する振動モードのうち、ＭＥＭＳミラー１９の共振周波数に最も近い周波数の所定振動モードにおける腹となる部分を支持している。従って、光学基板３において所定振動モードにおける腹となる部分が拘束されるため、波長選択スイッチ１の外部から印加される振動の影響が抑制される。従って、波長選択スイッチ１の耐振動性が向上する。

また、第４の支柱Ｃ４は、仮想領域ＶＡ内に配置されている。この第４の支柱Ｃ４の配置によれば、所定振動モードにおける腹の振幅を抑制することができる。

また、ＭＥＭＳミラー１９は仮想領域ＶＡ内に配置されている。この配置によれば、光学基板３において、仮想領域ＶＡ内は第４の支柱Ｃ４により剛性が高められる。そして、この剛性が高められた仮想領域ＶＡ内にＭＥＭＳミラー１９を配置することにより、波長選択スイッチ１の外部から印加される振動の影響が抑制される。従って、波長選択スイッチ１の耐振動性が向上する。

また、波長選択スイッチ１は、ポートアレイ１２とアナモルフィック光学系１３と集光レンズ１８が、第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３により支持された光学基板３が有する第一次振動モードにおける節となる部分にそれぞれ配置されている。分光光学系４を構成する光学部品において、ポートアレイ１２とアナモルフィック光学系１３と集光レンズ１８は振動の影響を受けやすい。この構成によれば、振幅変動が小さい節となる部分にポートアレイ１２とアナモルフィック光学系１３と集光レンズ１８を配置しているので、ポートアレイ１２とアナモルフィック光学系１３と集光レンズ１８に与える振動の影響を抑制することができる。

また、波長選択スイッチ１は、第１〜第４の支柱Ｃ１〜Ｃ４と光学基板３との間に挟まれた防振ゴム７を更に備える。この構成によれば、ＭＥＭＳミラー１９の共振周波数近傍の振動伝達率を低減することができる。

＜実施例１＞
光学基板３の共振周波数を解析により求めた。図３において、グラフＧ１は、第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３で支持された光学基板３の振動応答曲線である。縦軸は振動伝達率を示し、横軸は周波数を示す。また、解析モデルにおける光学基板３の拘束点Ｒ１〜Ｒ３（図４参照）は、第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３の位置と同様とした。グラフＧ１に示されるように、光学基板３は、第一次の共振周波数が６００Ｈｚ〜７００Ｈｚの帯域Ｆ１に存在し、第二次の共振周波数が１１００Ｈｚ〜１１５０Ｈｚの帯域Ｆ２に存在していた。ＭＥＭＳミラー１９の共振周波数が、例えば１０００Ｈｚであるとすると、上記光学基板３の構成では、第二次の共振周波数がＭＥＭＳミラー１９の共振周波数に近い。従って、第二次の共振周波数に対応する第二次の振動モードがＭＥＭＳミラー１９に最も影響を及ぼす振動モードであることがわかった。

次に、光学基板３の振動モードをモード解析により求めた。図４は、第二次の振動モードにおける振幅の分布を示すコンター図である。範囲Ａ１は振幅が最も大きい領域であり、範囲Ａ２は振幅が最も小さい領域である。図４に示されるように、第二次の振動モードでは、第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３により規定される仮想領域ＶＡを含む領域に、振幅が大きい範囲Ａ１、すなわち振動の腹があることがわかった。従って、第４の支柱Ｃ４は、範囲Ａ１内に配置すればよいことがわかった。

続いて、第１〜第４の支柱Ｃ１〜Ｃ４により支持された光学基板３の共振周波数を解析により求めた。図４に示されるように、この解析モデルでは、第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３の位置に対応する拘束点Ｒ１〜Ｒ３に加え、更に第４の支柱Ｃ４の位置に対応する拘束点Ｒ４を追加した。

図３において、グラフＧ２は、第１〜第４の支柱Ｃ１〜Ｃ４で支持された光学基板３の振動応答曲線である。グラフＧ２に示されるように、第４の支柱Ｃ４を追加することにより光学基板３の剛性が高まった。より詳細には、第一次の共振周波数を含む帯域Ｆ１が、９５０Ｈｚ〜１０００Ｈｚの帯域Ｆ１ａに高まった。また、第二次の共振周波数を含む帯域Ｆ２が、１８５０Ｈｚ〜１９５０Ｈｚの帯域Ｆ２ａに高まった。この結果によれば、光学基板３の剛性がＭＥＭＳミラー１９の共振周波数よりも高くなっていることがわかった。従って、第４の支柱Ｃ４を設けた波長選択スイッチ１によれば、仮想領域ＶＡを含む領域に配置されたＭＥＭＳミラー１９の共振の発生を抑制し得ることがわかった。

＜実施例２＞
実施例２では、振動の影響を抑制することが望まれるポートアレイ１２とアナモルフィック光学系１３と集光レンズ１８の配置について確認した。ポートアレイ１２は、光軸を調整するための機構を有し、振動が印加されると光軸ずれが生じるおそれがある。また、アナモルフィック光学系１３と集光レンズ１８は、フィラーを含む接着剤により固定されているため、フィラーを含まない接着剤と比べると接着面積が小さくなる傾向にある。従って、ポートアレイ１２とアナモルフィック光学系１３と集光レンズ１８に及ぼす振動の影響を抑制する必要がある。

ここで、解析の条件は実施例１と同様である。ポートアレイ１２とアナモルフィック光学系１３と集光レンズ１８に振動が印加された場合には、低い周波数帯域の振動がポートアレイ１２とアナモルフィック光学系１３と集光レンズ１８に及ぼす影響が大きいと考えられる。そこで、第一次の振動モードをモード解析により求めた。

図５は、第一次の振動モードにおける振幅の分布を示すコンター図である。範囲Ａ３は振幅が最も大きい領域であり、範囲Ａ４は振幅が最も小さい領域である。図５に示されるように、第一次の振動モードでは、第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３に囲まれた仮想領域ＶＡの外側に最大振幅領域（振動の腹）Ａ３と最小振幅領域（振動の節）Ａ４が存在していた。従って、第一次振動モードにおける振動の節となる範囲Ａ４にポートアレイ１２とアナモルフィック光学系１３と集光レンズ１８を配置することにより、ポートアレイ１２とアナモルフィック光学系１３と集光レンズ１８に及ぼす振動の影響を抑制できることがわかった。

＜変形例＞
本発明はこうした実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施することができる。

上記第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３の配置は一例であり、この配置に限定されるものではない。また、光学基板３を支持するための第１〜第３の支柱Ｃ１〜Ｃ３は、３本以上であってもよい。光学基板３の振動モードの腹に配置される第４の支柱Ｃ４は、１本以上であってもよい。

また、光学基板３の形状は矩形に限定されない。光学基板３の上に構成される分光光学系は、例えばコリメータといった光学部材を更に有していてもよい。また、ＭＥＭＳミラー１９の共振周波数は、上記数値に限定されるものではない。

１…波長選択スイッチ、２…筐体、２ａ…底面、３…光学基板、３ａ〜３ｃ…縁部、３ｄ…載置面、３ｅ…裏面、４…分光光学系、６，９…座金、７，１１…防振ゴム、１２…ポートアレイ、１３…アナモルフィック光学系、１４…分光素子、１６，１７…折り返しミラー、１８…集光レンズ、１９…ＭＥＭＳミラー、Ｃ１…第１の支柱、Ｃ２…第２の支柱、Ｃ３…第３の支柱、Ｃ４…第４の支柱、Ｒ１〜Ｒ４…拘束点、Ｓ１〜Ｓ４…ネジ、Ｔ１〜Ｔ４…ネジ穴、Ｖ１〜Ｖ３…仮想線、ＶＡ…仮想領域。

Claims (8)

1. 筐体と、
   前記筐体内の底面上に設けられた第１〜第４の支柱と、
   前記第１〜第４の支柱上に配置された光学基板と、
   前記光学基板上に配置され、反射面の反射角度を制御可能なＭＥＭＳミラーを有する分光光学系と、
   を備え、
   前記第１〜第３の支柱は、前記光学基板の互いに異なる縁部の近傍をそれぞれ支持し、
   前記第４の支柱は、前記第１〜第３の支柱により支持された前記光学基板が有する振動モードのうち、前記ＭＥＭＳミラーの共振周波数に最も近い周波数の所定振動モードにおける腹となる部分を支持する、波長選択スイッチ。
2. 前記第４の支柱は、前記第１の支柱と前記第２の支柱とを結ぶ第１の仮想線と、前記第２の支柱と前記第３の支柱とを結ぶ第２の仮想線と、前記第１の支柱と前記第３の支柱とを結ぶ第３の仮想線と、により囲まれた仮想領域内に配置されている、請求項１に記載の波長選択スイッチ。
3. 前記ＭＥＭＳミラーは前記仮想領域内に配置されている、請求項２に記載の波長選択スイッチ。
4. 前記分光光学系は透過型光学部品を更に有し、
   前記透過型光学部品には、フィラーを含有する接着剤で固定されているものが含まれ、
   前記接着剤で固定された前記透過型光学部品は、前記第１〜第３の支柱により支持された前記光学基板が有する第一次の振動モードにおける節となる部分に配置されている、請求項１〜３の何れか一項に記載の波長選択スイッチ。
5. 入力ポートと出力ポートとが並設されたポートアレイを更に備え、
   前記ポートアレイは、前記第１〜第３の支柱により支持された前記光学基板が有する第一次の振動モードにおける節となる部分にそれぞれ配置されている、請求項１〜４の何れか一項に記載の波長選択スイッチ。
6. 前記第１〜第４の支柱と前記光学基板との間に挟まれた防振部材を更に備える、請求項１〜５の何れか一項に記載の波長選択スイッチ。
7. 前記光学基板の板厚は、前記光学基板の前記所定振動モードの周波数が前記ＭＥＭＳミラーの共振周波数よりも高くなるように設定されている、請求項１〜６の何れか一項に記載の波長選択スイッチ。
8. 前記光学基板の板厚は、前記光学基板の第一次の振動モードの周波数が前記ＭＥＭＳミラーの共振周波数よりも高くなるように設定されている、請求項１〜７の何れか一項に記載の波長選択スイッチ。