JP2015021170A - Vacuum vapor deposition device - Google Patents
Vacuum vapor deposition device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015021170A JP2015021170A JP2013150574A JP2013150574A JP2015021170A JP 2015021170 A JP2015021170 A JP 2015021170A JP 2013150574 A JP2013150574 A JP 2013150574A JP 2013150574 A JP2013150574 A JP 2013150574A JP 2015021170 A JP2015021170 A JP 2015021170A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- deposition
- evaporation source
- vapor deposition
- evaporation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 66
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 64
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 71
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 70
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 18
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910019923 CrOx Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 claims description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 74
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 210000001217 buttock Anatomy 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレイや有機EL照明など生産する際に、基板等に対して蒸着材料を成膜する真空蒸着装置に関する。 The present invention relates to a vacuum deposition apparatus for forming a deposition material on a substrate or the like when producing an organic electroluminescence (EL) display or organic EL lighting.
近年、有機EL素子が新たな産業分野として注目されている。有機ELディスプレイは液晶ディスプレイやプラズマディスプレイに代わる次世代ディスプレイとして、また有機EL照明はLED照明と並ぶ次世代照明として期待されている。 In recent years, organic EL elements have attracted attention as a new industrial field. Organic EL displays are expected as next-generation displays that replace liquid crystal displays and plasma displays, and organic EL lighting is expected as next-generation lighting along with LED lighting.
有機EL素子は、有機化合物からなる発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを積層した多層構造を、陽極と陰極からなる電極対で挟み込んだ構造になっている。電極に電圧を印加することにより陽極側から正孔が、陰極側から電子が発光層に注入され、それらが再結合して生じる励起子(エキシトン)の失活により発光する。 An organic EL device has a structure in which a multilayer structure in which a light emitting layer made of an organic compound, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer and the like are stacked is sandwiched between electrode pairs composed of an anode and a cathode. ing. By applying a voltage to the electrode, holes are injected from the anode side and electrons are injected from the cathode side into the light emitting layer, and light is emitted by deactivation of excitons (excitons) generated by recombination.
発光層を形成する有機材料には高分子材料と低分子材料がある。このうち現在主流である低分子材料は、真空蒸着によって成膜される。その他の層を形成する際にも真空蒸着が用いられる。性能向上のために共蒸着によるドーピングや合金化も行われている。 The organic material forming the light emitting layer includes a high molecular material and a low molecular material. Among these, low molecular weight materials, which are currently mainstream, are formed by vacuum deposition. Vacuum deposition is also used when forming other layers. In order to improve performance, doping or alloying by co-evaporation is also performed.
真空蒸着に用いられる蒸発源は、蒸着材料を封入する坩堝、蒸着材料を噴出(放射)する開口部、坩堝を加熱するヒーター、坩堝およびヒーターなどを格納するハウジングを有する。ヒーターにより加熱された坩堝から蒸着材料を蒸発あるいは昇華させて、真空容器内に設置した基板上にノズルから気化した蒸着材料を噴射して各層を形成する。カラー表示の有機EL素子を作成するには、基板と蒸着マスクをアライメントした状態で、異なる色を発光する有機EL材料を画素ごとに塗り分けて成膜する。 An evaporation source used for vacuum deposition includes a crucible that encloses a deposition material, an opening that ejects (radiates) the deposition material, a heater that heats the crucible, a crucible, and a housing that stores the heater. Each layer is formed by evaporating or sublimating the vapor deposition material from a crucible heated by a heater and spraying the vapor deposition material vaporized from a nozzle onto a substrate placed in a vacuum vessel. In order to create an organic EL element for color display, an organic EL material that emits light of different colors is formed separately for each pixel while the substrate and the evaporation mask are aligned.
本技術分野の背景技術の一つとして、例えば特許文献1や特許文献2がある。
特許文献1には、蒸着源の開口の温度が低下する部分で、蒸発した蒸着材料が堆積することを防止するために、「内部に蒸着材料Mが収納されているセル11と、側壁部材13との間に、加熱手段13Aを設ける。セル11の上部に、蒸着材料の蒸気排出用開口12Aが形成されたセルキャップ12と、該セルキャップに形成された蒸気排出用開口と対応する開口が形成された蓋15との間に、SUSあるいはタンタルからなり、蒸気排出用開口と対応する開口が形成された熱遮断板16を設ける。熱伝導率の低い材料からなる熱遮断板により、開口周辺の温度を適切に保持し、温度低下により開口周辺に凝固する現象を防止できる」と記載されている。
As one of background arts in this technical field, there are, for example,
In
特許文献2には、材料源からの粒子を対象物に付着させることによって対象物に成膜する成膜装置において、対象物の被成膜面以外に形成された膜の剥離を十分に抑制するために、「チャンバー1内に設置されるとともに、粒子の飛来方向に対して垂直状態より小さな角度方向に設置される複数のフィン52が配列されてなる防着板5を備える」と記載されている。
In
最近、有機ELディスプレイの大型化、高精細化に伴い、真空蒸着装置において蒸発源からの輻射熱による蒸着マスクの熱膨張と、熱膨張した蒸着マスクと基板との位置合わせずれがより問題になっている。とくに、金属膜蒸着の際には、前プロセスで基板に成膜された有機層の昇温ダメージ防止のため、蒸発源の基板への輻射熱による昇温低減が必要とされ、特に蒸気圧が低く高温加熱が必要な金属蒸着において重要な課題となっている。また、蒸発源、基板等を格納する真空容器内の汚染による有機層への不純物混入により素子特性が劣化することを防止することも重要である。真空容器内の汚染低減は、蒸着装置のメンテナンスを容易にするためにも重要である。 Recently, with the increase in size and definition of organic EL displays, thermal expansion of the evaporation mask due to radiant heat from the evaporation source in the vacuum evaporation apparatus and misalignment between the thermally expanded evaporation mask and the substrate become more problematic. Yes. In particular, when depositing a metal film, it is necessary to reduce the temperature rise by radiant heat to the substrate of the evaporation source in order to prevent the temperature rise damage of the organic layer deposited on the substrate in the previous process, especially the vapor pressure is low. This is an important issue in metal deposition that requires high-temperature heating. It is also important to prevent device characteristics from deteriorating due to contamination of the organic layer due to contamination in the vacuum container storing the evaporation source, the substrate, and the like. Reduction of contamination in the vacuum vessel is also important for facilitating maintenance of the vapor deposition apparatus.
特許文献1には、蒸着材料の開口周辺における凝固を防止する熱遮断板を備えた蒸着源が記載されている。前記特許文献2には、対象物の被成膜面以外に飛来する粒子(蒸着材料)を複数のフィンに積極的に蒸着させ、蒸着面積を拡大し、対象物の被成膜面以外で形成される膜厚を低減し、膜剥離を抑制する技術が記載されている。
しかし、特許文献1および特許文献2には、真空容器内環境からの輻射熱による基板昇温については考慮されていない。
However,
そこで、本発明は、真空容器内環境からの輻射熱による基板昇温、蒸着マスクの熱膨張の少なくとも一方を、長時間にわたり安定して低減できる真空蒸着装置を提供する。 Therefore, the present invention provides a vacuum vapor deposition apparatus that can stably reduce at least one of substrate temperature rise due to radiant heat from the environment inside the vacuum vessel and thermal expansion of the vapor deposition mask over a long period of time.
上記課題を解決するために、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その第1の例を挙げるならば、前記蒸発源から放射される前記蒸着材料が前記真空容器の内壁に付着するのを防ぐ防着部と、フレーム部と前記フレーム部に設けられ前記蒸発源から放射される前記蒸着材料を前記防着部に導く開口部と前記開口部の外周の1部に設けられた羽板部と前記防着部からの輻射熱を吸収し、前記蒸発源から放射される前記蒸着材料が前記羽板部に付着するのを防止する付着防止手段とを有し、前記防着部と離間して設けられた遮熱部と、を有することを特徴とする。 In order to solve the above problems, for example, the configuration described in the claims is adopted. The present application includes a plurality of means for solving the above-described problems. If a first example is given, an adhesion preventing portion that prevents the vapor deposition material radiated from the evaporation source from adhering to the inner wall of the vacuum vessel. An opening for guiding the vapor deposition material provided on the frame, the frame, and radiated from the evaporation source, to the anti-adhesion, and a vane provided on an outer periphery of the opening and the anti-adhesion An adhesion preventing means that absorbs radiant heat from the portion and prevents the vapor deposition material radiated from the evaporation source from adhering to the wing plate portion, and is provided with a shield provided apart from the adhesion preventing portion. And a heat part.
また、第2の例としては、前記蒸発源から放射される蒸着材料が前記真空容器の内壁に付着するのを防ぐ防着部と、前記蒸発源から放射される輻射熱を前記防着部に導く複数の開口部と、前記防着部からの輻射熱を吸収する羽板部と、複数の前記開口部と複数の前記羽板部を備えるフレーム部とを有し、前記開口部を通して前記蒸発源から前記防着部を望むことができ、且つ前記防着部から前記被蒸着対象を望むことができないように前記羽板部を配置し、前記防着部と離間して設けられた遮熱部と、を有することを特徴とする。 Further, as a second example, an adhesion preventing portion that prevents the vapor deposition material radiated from the evaporation source from adhering to the inner wall of the vacuum vessel, and radiant heat radiated from the evaporation source are guided to the adhesion preventing portion. A plurality of openings, a slat that absorbs radiant heat from the adhesion-preventing part, and a frame that includes the plurality of openings and the slats, and from the evaporation source through the openings. The wing plate is disposed so that the deposition part can be desired and the deposition target cannot be desired from the deposition part, and a heat shield part provided apart from the deposition part; It is characterized by having.
さらに、第3の例としては、前記蒸発源から放射される前記蒸着材料が前記真空容器の内壁に付着するのを防ぐ防着部と、前記防着部からの輻射熱を吸収し、前記防着部に固定された羽板部と、前記蒸発源を放射される前記蒸着材料が前記羽板部に付着するのを防止する付着防止手段を備える遮熱部と、を有することを特徴とする。 Furthermore, as a third example, the deposition material for preventing the vapor deposition material radiated from the evaporation source from adhering to the inner wall of the vacuum vessel, and absorbing the radiation heat from the deposition portion, And a heat shield part provided with an adhesion preventing means for preventing the vapor deposition material radiated from the evaporation source from adhering to the blade part.
本発明によれば、真空容器内環境からの輻射熱による基板昇温を低減できる真空蒸着装置を提供することができる。その結果、特に金属膜蒸着の際には、前プロセスで基板に成膜された有機層の昇温ダメージが防止でき、信頼性の高い真空蒸着装置を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the vacuum evaporation system which can reduce the board | substrate temperature rising by the radiant heat from the environment in a vacuum vessel can be provided. As a result, particularly in the case of metal film vapor deposition, it is possible to prevent the organic layer formed on the substrate in the previous process from being damaged by heating, and to provide a highly reliable vacuum vapor deposition apparatus.
また、本発明によれば、真空容器内環境からの輻射熱による蒸着マスクの熱膨張を低減できる。その結果、蒸着マスクと基板との位置合わせのずれを低減でき、高精細な有機ELディスプレイを製造できる真空蒸着装置を提供できる。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
Moreover, according to this invention, the thermal expansion of the vapor deposition mask by the radiant heat from the environment in a vacuum vessel can be reduced. As a result, it is possible to provide a vacuum deposition apparatus that can reduce misalignment between the deposition mask and the substrate and can manufacture a high-definition organic EL display.
Problems, configurations, and effects other than those described above will be clarified by the following description of embodiments.
以下、図面を用いて実施例を説明する。
以下では、本発明の真空蒸着装置の一例として、有機ELデバイスの製造に適用した例を説明する。以下の説明は本発明の内容の具体例を示すものであり、本発明がこれらの説明だけに限定されるものではなく、本明細書に開示される技術的思想の範囲内において当業者による様々な変更および修正が可能である。
Embodiments will be described below with reference to the drawings.
Below, the example applied to manufacture of an organic EL device is demonstrated as an example of the vacuum evaporation system of this invention. The following description shows specific examples of the contents of the present invention, and the present invention is not limited only to these descriptions. Various modifications by those skilled in the art within the scope of the technical idea disclosed in this specification will be described. Changes and modifications are possible.
(実施例1)
本実施例では、真空容器内環境からの輻射熱による被蒸着対象である基板の昇温を低減できる真空蒸着装置の例を説明する。
図1は、本実施例の真空蒸着装置の概略構成を示す模式図である。本実施例に示す真空蒸着装置は、真空容器1、基板2、蒸発源3、防着部4、遮熱部5を少なくとも有する。本実施例では、蒸着材料9(図3参照)として金属材料(Ag、Al、Mgなど)を用い、略垂直を向き静止した蒸発源3から、略水平に設置された基板2対して成膜する構成について説明する。
Example 1
In this embodiment, an example of a vacuum deposition apparatus capable of reducing the temperature rise of a substrate to be deposited due to radiant heat from the environment inside the vacuum vessel will be described.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the vacuum vapor deposition apparatus of the present embodiment. The vacuum deposition apparatus shown in the present embodiment includes at least a
真空容器1は、蒸発源3に格納された蒸着材料9を基板2に成膜するための成膜室である。被成膜対象である基板2以外に飛散した蒸着材料9が真空容器1内面に付着するのを防ぐため、真空容器1は防着部4を有している。真空容器1には図示しない排気系が接続されており、成膜中、真空容器1内は真空に維持されている。真空容器1には図示しない基板搬送系が接続されており、基板搬送系を介して真空容器1の中に基板2が搬送される。
The
基板2は、図示しない蒸着マスクに対して位置決めされ、図示しない基板固定台に固定される。蒸着マスクは、一般に基板2の所定の画素又は領域に蒸着、成膜できるように孔加工が施され、基板2に密着して配置されるメタルマスクと、メタルマスクに弛みが生じないようにテンションをかけるフレームからなる。
The
蒸発源3は、蒸着材料9を封入する容器である坩堝と、前記坩堝の周辺に加熱手段であるヒーターと、前記ヒーターの少なくとも外周に前記坩堝の保温性を向上するための複数枚のリフレクタを有し、ヒーターから出る輻射熱10を蒸発源3外部に漏らさないよう冷却した容器で格納したものである。坩堝は、基板2と対向する面に蒸着材料9を放射するノズルを有する。蒸発源3は、ノズルを開閉するための蒸着シャッター、蒸着レートを電力制御するための膜厚モニタを有する。
The evaporation source 3 includes a crucible that is a container that encloses the
加熱手段で坩堝を加熱することにより、坩堝に収納された蒸着材料9が溶融あるいは昇華して、坩堝内は蒸着材料9の蒸気で満たされ、ノズルから基板2側に蒸気が噴出する。蒸着マスク4によってパターニングされた基板2の領域に蒸着材料9が蒸着される。
By heating the crucible with the heating means, the
基板2に均一な薄膜を成膜するには、基板2よりも広範囲に亘ってノズルから蒸着材料9を放射する必要がある。そのため、基板2以外に向かって放射された蒸着材料9は、真空容器1内に飛散する。
In order to form a uniform thin film on the
長時間、例えば168時間に亘って成膜を続けると、蒸着材料9の真空容器1内への付着量が増加し、膜応力によって膜剥がれ13が生じやすくなる。膜剥がれ13は、ゴミや微粒子の発生源となり、基板2へ付着するとデバイスの特性に悪影響を及ぼす。膜剥がれ13を防止するため、真空容器1内に防着部4を設置し、防着部4を定期的に交換あるいはメンテナンスする方法が一般的に知られている。また、膜剥がれ13防止のため、防着部4にブラストや溶射で凹凸をつける方法が一般的に知られている。
If the film formation is continued for a long time, for example, 168 hours, the deposition amount of the
ところで、蒸発源3からは蒸着材料9と共に輻射熱10を有する光(電磁波)が放出される。特に蒸気圧が低く高温加熱が必要な金属蒸着においては、蒸発源3の基板2への輻射熱10による昇温低減が重要な課題となっている。
Incidentally, light (electromagnetic wave) having radiant heat 10 is emitted from the evaporation source 3 together with the
なお、熱平衡状態では、ある物体からある割合(輻射率)で輻射熱を輻射すれば、その物体は、同じ割合(吸収率)で輻射熱を吸収する。即ち、輻射率=吸収率である。また、輻射熱は、ある物体に入射したときに、所定の割合で、吸収率で吸収されるもの、反射するもの又は透過するものがある。後者2つを反射率、透過率とすれば、それら3つの率の和は1となる。防着板4及び遮熱部5は、透過がないので、輻射率+反射率=1となる。
In a thermal equilibrium state, if radiant heat is radiated from a certain object at a certain rate (radiation rate), the object absorbs radiant heat at the same rate (absorption rate). That is, radiation rate = absorption rate. In addition, when radiant heat is incident on a certain object, it is absorbed at a predetermined rate, reflected, or transmitted at a predetermined rate. If the latter two are assumed to be reflectance and transmittance, the sum of these three rates is 1. Since the deposition preventing plate 4 and the
蒸発源3から放射された輻射熱10は、基板2に直接吸収される成分のほか、基板2を透過あるいは反射する成分、基板2以外に放射される成分が存在する。基板2に吸収されず反射や透過あるいは基板2以外に放射される成分は、真空容器1内で反射を繰り返しながら、次第に真空容器1や防着部4や基板2などに吸収されていく。その結果、基板2が正味で吸収した輻射熱10が基板2の昇温に寄与する。同様に輻射熱10は、蒸着マスクを熱膨張させ、基板2と蒸着マスクとの位置ずれをもたらす。
The radiant heat 10 radiated from the evaporation source 3 includes components that are directly absorbed by the
さらに、真空容器1内環境からの輻射熱10を考える際に、真空容器1内環境への蒸着材料9の付着による経時変化を考慮する必要がある。真空容器1内において、蒸発源3から放射する蒸着材料9が真空容器1内の防着部4に付着するため、防着部4の反射率は増加する傾向にある。成膜を長時間続けるうちに、次第に真空容器1の内壁や防着板に蒸着材料9が付着し反射率が上昇する。真空容器1内環境の反射率が大きくなると、それに伴い真空容器1の輻射吸収率が減少し、真空容器1内を反射する輻射熱10の割合が増加する。その結果、基板2の吸収率が相対的に増加し、基板2の昇温に繋がる課題がある。さらに、防着部4の反射率が大きくなると、輻射率が低下し、即ち吸収率が低下しそもそも吸熱しにくくなるため、防着部4を冷却しても、防着部の徐熱効果が弱められてしまう。
Furthermore, when considering the radiant heat 10 from the environment inside the
遮熱部5は、蒸発源3と防着部4の間の少なくとも一部の領域、本実施例では、図1に示すように蒸発源3の左右に設けられた防着部4に対して設けられている。
The
図2は図1に示す遮熱部5を示す模式図である。遮熱部5はフレーム部6と、所定の傾斜角を持ってフレーム6に固定された複数の羽板部7と、それぞれの隣接する羽板部7の間に設けられた複数の開口部8とを有する。
FIG. 2 is a schematic diagram showing the
図3は、図1に示す遮熱部5及び防着部4に対する蒸発源3から輻射熱10aの挙動を示す図である。ドット線で示す輻射熱10aは、破線で示す蒸発材料9と共に、蒸発源3から放射状に放射される。以下の、説明において、輻射熱全般のことを示すときは、符号として単に10を用いる。特定の輻射熱を示すときは、添え字a、b等を付す。
FIG. 3 is a diagram illustrating the behavior of the
羽板部7の傾斜角は、蒸発源3から放射される輻射熱10aの飛行方向に対して略平行となるように設置されており、蒸発源3から遮熱部5を眺めた際に、羽板部7間にある開口部8から防着部4あるいは真空容器1内壁を望むことが可能な構成となっている。同時に、防着部4から基板2を眺めた際に、羽板部7間にある開口部8から基板2を望むことが出来ない構成となっている。羽板部7の傾斜角が輻射熱10aの飛行方向に対して略平行となるように設けることが、羽板部7への蒸着材料9の付着防止手段となっている。
The inclination angle of the
即ち、本実施例の構成においては、遮熱部5の羽板部7の傾斜角が、輻射熱10aの飛行方向とほぼ平行であるため、蒸発源3から遮熱部5に向かって放出された蒸着材料9および輻射熱10aは、その大部分が遮熱部5の開口部8を通り抜けて、真空容器1内の防着部4に到達する。このとき防着部4に到達した蒸着材料9はその壁面に付着する。一方、防着部4に到達した輻射熱10aは、その一部は壁面の吸収率に応じて吸収されるが、残りは反射される。とくに、長時間の成膜によって蒸着材料9が厚く付着した防着部4では、反射率が増加しているため、輻射熱10aが反射される割合が増加する。
That is, in the configuration of the present embodiment, since the inclination angle of the
従来の真空蒸着装置では、真空容器1内環境から輻射熱10bが基板2の昇温に寄与していた。
しかし、本実施例の構成においては、このように防着部4で反射された輻射熱10bは、遮熱部5の羽板部7で吸収もしくは反射される。このように遮熱部5で防着部4からの輻射熱10bを羽板部7で吸収することで、基板2の昇温を低減することができる。羽板部7の防着部4側は、吸収率の高いことが望まれる。羽板部7からの輻射熱10cについても、その大部分は、防着部4の間に押し戻され、羽板部7に再び反射され、羽板部7に吸収されていく。
In the conventional vacuum vapor deposition apparatus, the
However, in the configuration of the present embodiment, the
このように防着機能と遮熱機能を防着部4と遮熱部5に分離することで、長時間の成膜によって真空容器1内の防着部4に蒸着材料9が付着して防着部4の反射率が大きくなっても、羽板部7で輻射熱10を吸収することで基板2の昇温を安定して抑制することができる。
As described above, the
更に、基板2の昇温の抑制効果を高めるために、図4に示すように、本実施例の羽板部7の表面のうち、基板2側を向いた面は輻射率の低い(反射率が高い)表面を有する。これは、羽板部7の防着部側を向いた面で吸収した熱を、基板2側を向いた面からの熱の流出を防ぐためのものである。反射率を高くするために、例えば、基板2側を向いた面を磨いたり、反射率の高い材料をコーティングしたり、あるいは面に反射率の高いシートが張ったりすることなどが挙げられる。一方、羽板部7の基板側と反対側の面、即ち防着部4に向いた面では、前述したように吸収率の高い(反射率の低い)表面を有することが望まれる。反射率を低くするために、例えば、防着部4に向いた面を溶射やサンブラなどで荒らしたり、酸化処理され黒色化したりすることなどが挙げられる。
Further, in order to enhance the effect of suppressing the temperature rise of the
その結果、図5に示すように、上述した羽板部7の表面改質よって、羽板部7から基板2への輻射熱10dを抑制することができる。また、防着部4からの輻射熱10bを効率よく吸収することができる。これらはどちらか片側の面のみ表面改質がされている場合にも、対応する効果を得ることができ、真空容器1内環境からの輻射熱10による基板2の昇温を低減することができる。
As a result, as shown in FIG. 5, the
本実施例の遮熱部5は、図1に示す冷却部12を有している。遮熱部5を冷却することで、羽板部7から基板2への輻射熱10dを低減するとともに、防着部4から吸収した輻射熱10bの排熱を促進できる。また、本実施例では、異なる構成要素である防着部4と遮熱部5は独立して冷却することが可能である。さらに、遮熱部5のみを冷却するのであれば、両者を冷却するより熱容量が小さくできるため、冷却効率が向上できる。
The
また、本実施例の遮熱部5は、防着部4から一定の距離を離して配置することが可能である。防着部4と遮熱部5が密着している場合には、防着部4で発生した膜剥がれ13が、遮熱部5開口部8を通り抜け蒸発源3や基板2側に落下する可能性がある。しかし、図6に示すように、遮熱部5と防着部4との間に一定の距離を保つことで、防着部4の膜剥がれ13により発生したゴミや微粒子が蒸発源3や基板2側に飛散するのを遮ることができる。遮熱部5と防着部4の間隔の目安として、羽板部7の間隔以上の距離があれば効果が得られる。
Moreover, the
本実施例の遮熱部5、とくに羽板部7の材質には、例えば、SUS、Mo、Ti、Taなどの金属板を用いることができる。羽板部7は、フレーム部6と一体化した構造でも、分離可能な構造であってもよい。
For example, a metal plate such as SUS, Mo, Ti, or Ta can be used as the material of the
後述する図8に示すような羽板部7とフレーム部6が一体化した構造としては、例えば一体ものの金属板を用いることができる。金属板の片面を研磨や鏡面処理をし、裏面を溶射やブラストで荒らす。このようにして表面処理された金属板にコの字型に切れ目を入れて折り曲げる。このように羽板部7を作成することで、片面は高反射率、その裏面は低反射率を有する面として機能する。この場合には、遮熱部5の作成が容易となる利点がある。
As a structure in which the
一方、図1に示すような羽板部7とフレーム部6が分離可能な構造としては、例えば、遮熱部5として、金属やセラミック製のフレーム部6を用意し、羽板部7を固定するための固定部を設ける。羽板部7には例えば金属板を用い、前述したフレーム部6に固定する。この場合には、一体ものの金属板に切れ目を入れて作成する場合のような、羽板部7の寸法に関する制限がないことが利点として挙げられる。
勿論、本実施例の羽板部7は、ここに記載した作成方法に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、羽板部7の傾斜角は、蒸発源3から放射される輻射熱10の飛光方向に対して略平行であるのが好ましい状態を述べたが、所定の角度以内であれば、羽板部7への付着が発生するが、以下に述べる輻射熱10による基板2の昇温を低減等の効果を得ることができる。
On the other hand, as a structure in which the
Of course, the
以上のように、本実施例によれば、真空容器内1環境からの輻射熱10による基板2の昇温を低減することができる。その結果、特に金属膜蒸着の際には、例え長時間の成膜に対しても、
前プロセスで基板に成膜された有機層の昇温ダメージが防止でき、信頼性の高い真空蒸着装置を提供できる。
As described above, according to this embodiment, the temperature rise of the
The organic layer deposited on the substrate in the previous process can be prevented from being damaged by heating, and a highly reliable vacuum deposition apparatus can be provided.
また、本発明によれば、基板の昇温と同様に、真空容器内環境からの輻射熱による蒸着マスクの熱膨張を低減できる。その結果、蒸着マスクと基板との位置合わせのずれを低減でき、高精細な有機ELディスプレイを製造できる真空蒸着装置を提供できる。 Moreover, according to this invention, the thermal expansion of the vapor deposition mask by the radiant heat from the environment in a vacuum vessel can be reduced similarly to temperature rising of a board | substrate. As a result, it is possible to provide a vacuum deposition apparatus that can reduce misalignment between the deposition mask and the substrate and can manufacture a high-definition organic EL display.
(実施例2)
本実施例では、羽板部7の酸化防止機能を有した真空蒸着装置の例を説明する。
図1は、実施例3における真空蒸着装置を示す図である。真空蒸着装置は、真空容器1、基板2、蒸発源3、防着部4、遮熱部5を少なくとも有する。図1の真空蒸着装置のうち、図4の羽板部7を有する遮熱部5を、図7の羽板部7を有する遮熱部5に変更したものである。その他の構成は、既に説明した図1に示された同一の符号を付された構成と、同一の機能を有するので、それらの説明は省略する。
(Example 2)
In this embodiment, an example of a vacuum vapor deposition apparatus having an oxidation preventing function for the
FIG. 1 is a diagram illustrating a vacuum vapor deposition apparatus according to the third embodiment. The vacuum deposition apparatus includes at least a
メンテナンスの際には、真空容器1内は大気に開放される。羽板部7の基板側の面が酸化されると輻射率が増加(反射率が減少)する可能性がある。その結果、基板2へ放射する輻射熱10dが増加する。
During maintenance, the inside of the
そこで、本実施例の遮熱部5は、羽板部7の低反射化された面側に、赤外領域で透明かつ耐酸化性を有する材料(TiN、SiN、ZrN、TaN、CrOx、SiO2)、あるいは酸化しても変化の小さな貴金属の材料(Ag、Au、Pt、白金族など)の保護膜14が薄くコートされている。これによって表面の酸化を抑制することができる。また、貴金属をコートする場合には、膜厚をおよそ50 nm 〜100 nm 程度に薄くすることでコストを低減できる。
Therefore, the
(実施例3)
図8は、実施例3における真空蒸着装置の一部を示す模式図である。真空蒸着装置は、真空容器1、基板2、蒸発源3、防着部4、遮熱部15を少なくとも有する。実施例3は図3で説明した真空蒸着装置の一部のうち、遮熱部5の羽板部7を遮熱部15の羽板部17に変更したものである。その他の構成は、既に説明した図1に示された同一の符号を付された構成と、同一の機能を有するので、それらの説明は省略する。
Example 3
FIG. 8 is a schematic view showing a part of the vacuum vapor deposition apparatus in Example 3. The vacuum vapor deposition apparatus includes at least a
本実施例では、図1に示すように蒸発源3の両側に遮熱部15を設け、それぞれの羽板部17の蒸発源3側端部に、羽板部17への蒸着材料9の付着防止手段として鍔部16を設ける。
In this embodiment, as shown in FIG. 1, the
また、鍔部16は、基板2を向いた面側、あるいは防着部4を向いた面側の、どちらか一方のみに取り付けられていてもよい。さらに、鍔部16は、両側の遮熱部15に設けず、どちらか一方のみ取り付けられていてもよい。さらにまた、両側に遮熱部15とは関係なく、遮熱部15は一部に鍔部16を有しない図3に示す羽板部7を備えていてもよい。
Further, the
羽板部17の鍔部16に隠れることなく、蒸発源3から開口部8を通して真空容器1あるいは防着部4を望むことが可能となるように、鍔部16の羽板部17間方向の長さは、制限されている。羽板部17の蒸発源3側端部に鍔部16が設けることで、蒸発源3から遮熱部15に向かって放射された蒸着材料9が開口部8を通り抜ける前に、羽板部17に蒸着材料9が付着することが低減される。その結果、羽板部17に蒸着材料9が付着して輻射熱の吸収率を低下させる可能性を大きく低減させることができる。
The
また、鍔部16の羽板部17間方向の長さを長くすれば、羽板部17の傾斜角の設定の自由度を、例えば同じ角度にする等、高くすることができる。しかし、長くすると、鍔部16に蒸着材料9が付着する。これらの点を考慮して鍔部16の羽板部17間方向の長さを決定する必要がある。
In addition, if the length of the
実施例3によれば、蒸着材料9の羽板部17への付着を抑制し、より長時間に渡って羽板部17の表面状態を防着部4からの輻射熱の吸収率を高い状態で維持できる。
According to Example 3, the adhesion of the
上記の実施例1乃至3においては、防着部4と遮熱部5は離間して設けられたが、防着部4と遮熱部5とを接触させて設けても、極端なことを言えば、羽板部を直接防着部3に設けても、付着物からの輻射熱による基板2の昇温抑制効果を得ることができる。この場合は、羽板部を蒸発源3から放射される輻射熱10の飛行方向に対して略平行に設けるなどの付着防止手段を設ける必要がある。本実施例によれば、より簡単構造で、付着物からの輻射熱による基板2の昇温抑制効果を得ることができる。
In Examples 1 to 3, the deposition preventing part 4 and the
また、上記の実施例1乃至3においては、基板や蒸着マスクを水平に配置し、それらの下側に設けた蒸発源によって蒸着する所謂水平タイプの真空蒸着装置に対し説明した。これに限定せず、本発明は、基板や蒸着マスクを垂直に配置し、それらの横側に設けた蒸発源によって蒸着する所謂垂直タイプの真空蒸着装置に対しも適用できる。 Further, in the above-described Examples 1 to 3, a so-called horizontal type vacuum vapor deposition apparatus in which a substrate and a vapor deposition mask are arranged horizontally and vapor deposition is performed by an evaporation source provided below them has been described. The present invention is not limited to this, and the present invention can also be applied to a so-called vertical type vacuum vapor deposition apparatus in which a substrate and a vapor deposition mask are arranged vertically and vapor deposition is performed by an evaporation source provided on the lateral side thereof.
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。 In addition, this invention is not limited to an above-described Example, Various modifications are included. For example, the above-described embodiments have been described in detail for easy understanding of the present invention, and are not necessarily limited to those having all the configurations described.
また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、さらに、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。さらにまた、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。 Further, a part of the configuration of one embodiment can be replaced with the configuration of another embodiment, and the configuration of another embodiment can be added to the configuration of one embodiment. Furthermore, it is possible to add, delete, and replace other configurations for a part of the configuration of each embodiment.
1:真空容器 2:基板
3:蒸発源 4:防着部
5:遮熱部 6:フレーム部
7:羽板部 8:開口部
9:蒸発材料 10:輻射熱
12:冷却部 13:膜剥がれ
14:保護膜(実施例2) 15:遮熱部(実施例3)
16:鍔部(実施例3) 17:羽板部(実施例3)
1: Vacuum container 2: Substrate 3: Evaporation source 4: Protection part 5: Heat shield part 6: Frame part 7: Blade part 8: Opening part 9: Evaporating material 10: Radiant heat 12: Cooling part 13: Film peeling 14 : Protective film (Example 2) 15: Heat shield (Example 3)
16: buttock (Example 3) 17: slat (Example 3)
Claims (10)
前記蒸発源から放射される前記蒸着材料が前記真空容器の内壁に付着するのを防ぐ防着部と、
フレーム部と、前記フレーム部に設けられ前記蒸発源から放射される前記蒸着材料を前記防着部に導く開口部と、前記開口部の外周の1部に設けられた羽板部と、前記防着部からの輻射熱を吸収し、前記蒸発源から放射される前記蒸着材料が前記羽板部に付着するのを防止する付着防止手段とを有し、前記防着部と離間して設けられた遮熱部と、
を有することを特徴とする真空蒸着装置。 A vacuum deposition apparatus for forming a deposition material on a deposition target by an evaporation source in a vacuum container,
An adhesion preventing portion that prevents the vapor deposition material radiated from the evaporation source from adhering to the inner wall of the vacuum vessel;
A frame portion, an opening portion provided in the frame portion for guiding the vapor deposition material radiated from the evaporation source to the adhesion preventing portion, a slat portion provided in a part of an outer periphery of the opening portion, and the prevention portion An adhesion preventing means that absorbs radiant heat from the attachment portion and prevents the vapor deposition material radiated from the evaporation source from adhering to the wing plate portion, and is provided apart from the adhesion prevention portion. A heat shield,
A vacuum evaporation apparatus characterized by comprising:
前記蒸発源から放射される前記蒸着材料が前記真空容器の内壁に付着するのを防ぐ防着部と、
前記蒸発源から放射される輻射熱を前記防着部に導く複数の開口部と、前記防着部からの輻射熱を吸収する羽板部と、複数の前記開口部と複数の前記羽板部を備えるフレーム部とを有し、前記開口部を通して前記蒸発源から前記防着部を望むことができ、且つ前記防着部から前記被蒸着対象を望むことができないように前記羽板部を配置し、前記防着部と離間して設けられた遮熱部と、
を有することを特徴とする真空蒸着装置。 A vacuum deposition apparatus for forming a deposition material on a deposition target by an evaporation source in a vacuum container,
An adhesion preventing portion that prevents the vapor deposition material radiated from the evaporation source from adhering to the inner wall of the vacuum vessel;
A plurality of openings for guiding radiant heat radiated from the evaporation source to the deposition preventing part, a slat for absorbing radiant heat from the deposition preventing part, a plurality of the openings and a plurality of the slats A frame portion, and the vane plate portion is arranged so that the deposition source can be desired from the evaporation source through the opening, and the deposition target cannot be desired from the deposition portion, A heat shield provided apart from the adhesion preventing part,
A vacuum evaporation apparatus characterized by comprising:
前記蒸発源から放射される前記蒸着材料が前記真空容器の内壁に付着するのを防ぐ防着部と、
前記防着部からの輻射熱を吸収し、前記防着部に固定された羽板部と、前記蒸発源を放射される前記蒸着材料が前記羽板部に付着するのを防止する付着防止手段を備える遮熱部と、
を有することを特徴とする真空蒸着装置。 A vacuum deposition apparatus for forming a deposition material on a deposition target by an evaporation source in a vacuum container,
An adhesion preventing portion that prevents the vapor deposition material radiated from the evaporation source from adhering to the inner wall of the vacuum vessel;
Absorbing means that absorbs radiant heat from the deposition preventing portion and is fixed to the deposition preventing portion, and prevents the vapor deposition material emitted from the evaporation source from adhering to the vane portion. A heat shield part to be provided;
A vacuum evaporation apparatus characterized by comprising:
前記付着防止手段は、前記羽板部の傾斜角を前記蒸発源から放射される前記蒸着材料の飛行方向と略平行になるように設定したことであることを特徴とする真空蒸着装置。 In the vacuum evaporation system according to claim 1 or 3,
The vacuum deposition apparatus, wherein the adhesion preventing means is set so that an inclination angle of the wing plate portion is substantially parallel to a flight direction of the deposition material radiated from the evaporation source.
前記付着防止手段は、前記羽板部の前記蒸発源側の端部に設けられた鍔であることを特徴とする真空蒸着装置。 In the vacuum evaporation system according to claim 1 or 3,
The vacuum deposition apparatus according to claim 1, wherein the adhesion preventing means is a gutter provided at an end of the slat portion on the evaporation source side.
前記羽板部は前記被蒸着対象側を望む第1の面と前記防着部を望む第2の面を有し、前記第1の面が前記第2の面と比べて高い反射率を有することを特徴とする真空蒸着装置。 In the vacuum evaporation system in any one of Claims 1 thru | or 5,
The wing plate portion has a first surface that desires the deposition target side and a second surface that desires the deposition preventing portion, and the first surface has a higher reflectance than the second surface. A vacuum evaporation apparatus characterized by that.
前記遮熱部は冷却機構を備えていることを特徴とする真空蒸着装置。 In the vacuum evaporation system according to claim 1 or 2,
The said heat-shielding part is equipped with the cooling mechanism, The vacuum evaporation system characterized by the above-mentioned.
前記羽板部は、SUS、Mo、Ti、Taのうち少なくとも一つの金属で構成されたことを特徴とする真空蒸着装置。 In the vacuum evaporation system in any one of Claims 1 thru | or 7,
The vacuum deposition apparatus characterized in that the slat part is made of at least one metal of SUS, Mo, Ti, and Ta.
前記羽板部の前記第1の面上に、耐酸化性を有する保護層を備えていることを特徴とする真空蒸着装置。 In the vacuum evaporation system according to claim 6,
A vacuum deposition apparatus comprising a protective layer having oxidation resistance on the first surface of the slat portion.
前記保護膜は、赤外領域で透明かつ耐酸化性を有する材料(TiN、SiN、ZrN、TaN、CrOx、SiO2)、あるいは酸化しても変化の小さな貴金属の材料(Ag、Au、Pt、白金族)のうち少なくとも一つの材料で構成されたことを特徴とする真空蒸着装置。 In the vacuum evaporation system according to claim 9,
The protective film is a transparent and oxidation-resistant material (TiN, SiN, ZrN, TaN, CrOx, SiO2) in the infrared region, or a noble metal material (Ag, Au, Pt, platinum) that changes little when oxidized. A vacuum deposition apparatus comprising at least one material.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013150574A JP2015021170A (en) | 2013-07-19 | 2013-07-19 | Vacuum vapor deposition device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013150574A JP2015021170A (en) | 2013-07-19 | 2013-07-19 | Vacuum vapor deposition device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015021170A true JP2015021170A (en) | 2015-02-02 |
Family
ID=52485886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013150574A Pending JP2015021170A (en) | 2013-07-19 | 2013-07-19 | Vacuum vapor deposition device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015021170A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190134367A (en) * | 2018-05-25 | 2019-12-04 | 주식회사 선익시스템 | Angle controlling plate for deposition and deposition apparatus including the same |
CN112824558A (en) * | 2019-11-20 | 2021-05-21 | 佳能特机株式会社 | Film forming apparatus, film forming method using film forming apparatus, and method for manufacturing electronic device |
CN113227445A (en) * | 2018-12-27 | 2021-08-06 | 株式会社爱发科 | Vacuum processing apparatus |
JP2021138992A (en) * | 2020-03-04 | 2021-09-16 | 株式会社アルバック | Member for vacuum film deposition apparatus |
-
2013
- 2013-07-19 JP JP2013150574A patent/JP2015021170A/en active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190134367A (en) * | 2018-05-25 | 2019-12-04 | 주식회사 선익시스템 | Angle controlling plate for deposition and deposition apparatus including the same |
KR102641720B1 (en) | 2018-05-25 | 2024-02-28 | 주식회사 선익시스템 | Angle controlling plate for deposition and deposition apparatus including the same |
CN113227445A (en) * | 2018-12-27 | 2021-08-06 | 株式会社爱发科 | Vacuum processing apparatus |
CN112824558A (en) * | 2019-11-20 | 2021-05-21 | 佳能特机株式会社 | Film forming apparatus, film forming method using film forming apparatus, and method for manufacturing electronic device |
JP2021080560A (en) * | 2019-11-20 | 2021-05-27 | キヤノントッキ株式会社 | Film deposition device, film deposition method using the same and method for manufacturing electronic device |
JP7170017B2 (en) | 2019-11-20 | 2022-11-11 | キヤノントッキ株式会社 | Film forming apparatus, film forming method using the same, and electronic device manufacturing method |
JP2021138992A (en) * | 2020-03-04 | 2021-09-16 | 株式会社アルバック | Member for vacuum film deposition apparatus |
JP7503398B2 (en) | 2020-03-04 | 2024-06-20 | 株式会社アルバック | Vacuum deposition equipment parts |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101373782B1 (en) | Evaporation source and deposition apparatus | |
KR101363147B1 (en) | Deposition method and deposition apparatus | |
JP4988650B2 (en) | Deposition source for organic electroluminescent layers | |
JP2015021170A (en) | Vacuum vapor deposition device | |
JP4380319B2 (en) | Vapor deposition apparatus and organic electroluminescence element manufacturing method | |
JP2005044592A (en) | Depositing mask, film formation method using it, and film formation device using it | |
TWI420721B (en) | Vapor deposition sources and methods | |
TWI609605B (en) | Harsh environment optical element protection | |
JP2015067847A (en) | Vacuum vapor deposition device | |
JP2015010257A (en) | Evaporation source for vacuum deposition apparatus, and vacuum vapor deposition apparatus and vacuum deposition method using the evaporation source | |
JP2014109050A (en) | Evaporation source for vapor deposition apparatus | |
CN107761056A (en) | A kind of evaporation source, evaporated device and the control method for putting evaporation source | |
JP2011168805A (en) | Evaporation source and vacuum deposition device using the same | |
JP2012216373A (en) | Vacuum vapor-deposition device and method for manufacturing organic el display device | |
KR102222876B1 (en) | Evaporation source for deposition apparatus | |
TW201319282A (en) | Evaporation source and film forming device | |
US20160214133A1 (en) | Deposition source including plurality of modules | |
KR101553619B1 (en) | Inline deposition apparatus for manufacturing oled | |
JP2004158337A (en) | Vapor deposition device | |
JP2014181387A (en) | Evaporation source, and vacuum vapor deposition apparatus using the evaporation source | |
JP5976344B2 (en) | Electrode film forming method for organic EL element, electrode film forming apparatus for organic EL element | |
KR20190081586A (en) | Glass deposition apparatus | |
JP5557700B2 (en) | Vapor deposition apparatus and organic EL device manufacturing method | |
KR102231603B1 (en) | Apparatus for depositing thin film | |
KR102190640B1 (en) | Linear evaporation source |