JP2015020434A5 - - Google Patents

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  1. マイクロスケールのパターン状構造を生産するシステムであって、
    第1経路に沿って移動するように制約された第1表面を有する第1コンベアと、
    第2経路に沿って移動するように制約された第2表面を有するコンベアであって、前記第1経路および前記第2経路は、前記第1表面と前記第2表面の間で画定された最小間隔がギャップ領域内に生ずるように配列される、第2コンベアと、
    前記第1表面の第1表面領域が、前記第2表面の対応する第2表面領域に同時に前記ギャップ領域の中を通過するように、整合速度で前記第1コンベアおよび前記第2コンベアを移動させる手段と、
    前記第1表面領域に硬化性液体薄膜を配置する手段であって、前記第1表面領域が前記ギャップ領域から上流に位置決めされるとき、前記硬化性液体薄膜の第1部分が前記第1表面領域に配置されるようにする手段と、
    前記第1表面領域に配置された前記硬化性液体薄膜の前記第1部分が、前記ギャップ領域の中を前記第1表面領域が通過中に電気流体力学(EHD)パターン形成型変形を受けるように、前記第1コンベアと前記第2コンベアの間に電界を発生させる手段であって、それによって前記第1部分が、マイクロスケールのパターン形状を有するパターン状液体機能を形成する、手段と、
    前記パターン状液体機能を凝固させて、前記マイクロスケールのパターン形状を有する固体のマイクロスケールのパターン状構造を形成する手段と、
    を備え、
    前記硬化性液体薄膜を配置する手段は、液体高分子薄膜を形成する手段を備え、前記液体高分子薄膜の内部では、ナノ構造が最初の方向付けで分散し、
    前記電界を発生させる手段は、前記ナノ構造を前記マイクロスケールのパターン状構造において前記第1表面に対して垂直な方向付けに整列させる手段を備える、システム。
  2. 前記第1表面領域に硬化性液体薄膜を配置する手段は、スロット・コーティング・システム、スロット・ダイ・コーティング・システム、スライド・コーティング・システム、およびカーテン・コーティング・システムのうちの1つを備える、請求項1に記載のシステム。
  3. 前記第1コンベアおよび前記第2コンベアの少なくとも一方は、導電性材料および誘電性材料の一方を備える、請求項1に記載のシステム。
  4. 前記電界を発生させる手段は、前記第1コンベアに配置された前記導電性材料および誘電性材料の一方に第1電圧を印加する手段と、前記第2コンベアに配置された前記導電性材料および誘電性材料の一方に第2電圧を印加する手段とを備え、前記第1電圧は、前記第1電圧および前記第2電圧によって前記電界が発生するように前記第2電圧から相違する、請求項3に記載のシステム。
  5. 前記パターン状液体機能は、硬化性高分子を含み、
    前記パターン状液体機能を凝固させる手段は、紫外線(UV)硬化システム、可視光硬化システム、および集束型熱硬化システムのうちの1つを備える、請求項1に記載のシステム。
  6. マイクロスケールのパターン状構造を生産するシステムであって、
    第1経路に沿って移動するように制約された第1表面を有する第1コンベアと、
    第2経路に沿って移動するように制約された第2表面を有するコンベアであって、前記第1経路および前記第2経路は、前記第1表面と前記第2表面の間で画定された最小間隔がギャップ領域内に生ずるように配列される、第2コンベアと、
    前記第1表面の第1表面領域が、前記第2表面の対応する第2表面領域と同時に前記ギャップ領域の中を通過するように、整合速度で前記第1コンベアおよび前記第2コンベアを移動させる手段と、
    前記第1表面領域に硬化性液体薄膜を配置する手段であって、前記第1表面領域が前記ギャップ領域から上流に位置決めされるとき、前記硬化性液体薄膜の第1部分が前記第1表面領域に配置されるようにする手段と、
    前記第1表面領域に配置された前記硬化性液体薄膜の前記第1部分が、前記ギャップ領域の中を前記第1表面領域が通過中に電気流体力学(EHD)パターン形成型変形を受けるように、前記第1コンベアと前記第2コンベアの間に電界を発生させる手段であって、それによって前記第1部分が、マイクロスケールのパターン形状を有するパターン状液体機能を形成する、手段と、
    前記パターン状液体機能を凝固させて、前記マイクロスケールのパターン形状を有する固体のマイクロスケールのパターン状構造を形成する手段と、
    を備え、
    前記電界を発生させる手段は、複数の前記パターン状液体機能を前記第1表面で互いに分離させる手段を備え、
    前記パターン状液体機能を凝固させる手段は、前記複数の前記パターン状液体機能を凝固させ、前記第1表面に離隔された配列で配置された複数の前記固体のマイクロスケールのパターン状構造を形成する手段を備え、
    当該システムは、前記複数の固体のマイクロスケールのパターン状構造を前記第1表面から分離させる手段をさらに備える、システム。
  7. 前記第1コンベアおよび前記第2コンベアは、第1ローラおよび第2ローラを備え、前記ギャップ領域を前記第1ローラと前記第2ローラとの間に画定する、請求項1に記載のシステム。
  8. 前記パターン状液体機能を凝固させる手段は、紫外線(UV)硬化システム、可視光硬化システム、および集束型熱硬化システムのうちの1つからのエネルギを前記ギャップ領域に隣接する位置において前記パターン状液体機能へ向ける手段を備える、請求項7に記載のシステム。
  9. 前記第1コンベアおよび前記第2コンベアは、前記ギャップ領域を間に画定する第1ベルトコンベア構造および第2ベルトコンベア構造を備える、請求項1に記載のシステム。
  10. 前記パターン状液体機能を凝固させる手段は、紫外線(UV)光源、可視光源、ならびに前記第1ベルトコンベア構造および前記第2ベルトコンベア構造の一方の内部に配置された熱源のうちの1つを備える、請求項9に記載のシステム。
  11. 前記第1ベルトコンベア構造および前記第2ベルトコンベア構造の各々は、1つ以上のT字形の溝を画定する支持構造をさらに備え、前記第1ベルトコンベア構造および前記第2ベルトコンベア構造の各々は、前記1つ以上のT字形の溝にスライド可能に収容されるT字形リブをさらに備える、請求項9に記載のシステム。
  12. 前記電界を発生させる手段は、前記第1表面および前記第2表面の少なくとも一方に可変の電荷パターンを生成する動的電荷発生メカニズムを備える、請求項1に記載のシステム。
  13. 前記動的電荷発生メカニズムは、前記第2コンベアに配置された複数の分割電極と、前記複数の分割電極の各々に個別にアクセスして前記複数の分割電極の各々に関連付けられた電圧を伝える手段とを備える、請求項12に記載のシステム。
  14. 前記第2コンベアは、絶縁性材料層および半導電性材料層の一方を備え、前記動的電荷発生メカニズムは、前記絶縁性材料層および前記半導電性材料層の一方に前記可変の電荷パターンを印加するように配置された電荷発生装置を備える、請求項12に記載のシステム。
  15. 複数のマイクロスケールのパターン状構造を生産するシステムであって、
    第1経路に沿って移動するように制約された第1表面を有する第1コンベアと、
    第2経路に沿って移動するように制約された第2表面を有する第2コンベアであって、前記第1経路および前記第2経路は、前記第1表面と前記第2表面の間で画定された最小間隔が細長いギャップ領域内に生ずるように配列される、第2コンベアと、
    前記細長いギャップ領域から上流に位置決めされたある場所で、前記第1表面に溶融された高分子薄膜を配置する手段であって、続いて起こる前記第1表面の移動が前記細長いギャップ領域を通して前記高分子薄膜を運搬するようにする、手段と、
    前記溶融された高分子膜が前記ギャップ領域の中を通過中に電気流体力学(EHD)パターン形成型変形を受けるように、前記ギャップ領域内で前記第1コンベアと前記第2コンベアとの間に電界を発生させる手段であって、それによって前記電気流体力学(EHD)パターン形成型変形がマイクロスケールのパターン形状を有する複数のパターン状液体高分子機能を形成する、手段と、
    を備え、
    前記細長いギャップ領域から下流に位置決めされたある場所で、続いて起こる前記パターン状液体高分子機能の冷却は、前記複数のパターン状液体高分子機能を凝固させ、それによって前記マイクロスケールのパターン形状を有する前記複数の固体のマイクロスケールのパターン状構造を形成し、
    前記第1コンベアおよび前記第2コンベアの各々は、1つ以上のT字形の溝を画定する支持構造をさらに備え、前記第1コンベアおよび前記第2コンベアの各々は、前記1つ以上のT字形の溝にスライド可能に収容されるT字形リブをさらに備える、システム。
  16. 前記第1コンベアおよび前記第2コンベアは、前記細長いギャップ領域を画定する第1ベルトコンベア構造および第2ベルトコンベア構造を備える、請求項15に記載のシステム。
  17. 複数のマイクロスケールのパターン状構造を生産するシステムであって、
    第1経路に沿って移動するように制約された第1表面を有する第1コンベアと、
    第2経路に沿って移動するように制約された第2表面を有する第2コンベアであって、前記第1経路および第2経路は、前記第1表面と前記第2表面の間で画定された最小間隔がギャップ領域内に生ずるように配列される、第2コンベアと、
    前記ギャップ領域から上流に位置決めされたある場所で、前記第1表面に高分子薄膜を配置する手段であって、続いて起こる前記第1表面の移動が前記ギャップ領域を通して前記高分子薄膜を運搬するようにする、手段と、
    前記第1表面および前記第2表面のうちの少なくとも1つに可変電荷パターンを発生させる動的電荷発生メカニズムであって、前記可変電荷パターンは、前記ギャップ領域内の前記第1コンベアと前記第2コンベアとの間に電界を発生させて、前記電界は、マイクロスケールのパターン形状を有する複数のパターン状液体高分子機能を形成する電気流体力学(EHD)パターン形成型変形を、前記高分子薄膜に受けさせるようにする、動的電荷発生メカニズムと、
    前記高分子薄膜が電気流体力学(EHD)パターン形成型変形を受けた後で、前記高分子薄膜を凝固させて、前記マイクロスケールのパターン形状を有する前記複数のマイクロスケールのパターン状構造を形成する手段と、
    を備え、
    前記動的電荷発生メカニズムは、前記第2コンベアに配置された複数の分割電極と、前記複数の分割電極の各々に個別にアクセスして前記複数の分割電極の各々に関連付けられた電圧を伝える手段とを備える、システム。
  18. 複数のマイクロスケールのパターン状構造を生産するシステムであって、
    第1経路に沿って移動するように制約された第1表面を有する第1コンベアと、
    第2経路に沿って移動するように制約された第2表面を有する第2コンベアであって、前記第1経路および第2経路は、前記第1表面と前記第2表面の間で画定された最小間隔がギャップ領域内に生ずるように配列される、第2コンベアと、
    前記ギャップ領域から上流に位置決めされたある場所で、前記第1表面に高分子薄膜を配置する手段であって、続いて起こる前記第1表面の移動が前記ギャップ領域を通して前記高分子薄膜を運搬するようにする、手段と、
    前記第1表面および前記第2表面のうちの少なくとも1つに可変電荷パターンを発生させる動的電荷発生メカニズムであって、前記可変電荷パターンは、前記ギャップ領域内の前記第1コンベアと前記第2コンベアの間に電界を発生させて、前記電界は、マイクロスケールのパターン形状を有する複数のパターン状液体高分子機能を形成する電気流体力学(EHD)パターン形成型変形を、前記高分子薄膜に受けさせるようにする、動的電荷発生メカニズムと、
    前記高分子薄膜が電気流体力学(EHD)パターン形成型変形を受けた後で、前記高分子薄膜を凝固させて、前記マイクロスケールのパターン形状を有する前記複数のマイクロスケールのパターン状構造を形成する手段と、
    を備え、
    前記第2コンベアは、絶縁性材料層および半導電性材料層の一方を備え、前記動的電荷発生メカニズムは、前記絶縁性材料層および前記半導電性材料層の一方に所定のパターンで第1電荷を印加するように配置された第1電荷発生装置を備える、システム。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6037914B2 (ja) * 2013-03-29 2016-12-07 富士フイルム株式会社 保護膜のエッチング方法およびテンプレートの製造方法
US9884437B2 (en) 2014-06-20 2018-02-06 Palo Alto Research Center Incorporated Integral vasculature
EP2974813A1 (de) * 2014-07-17 2016-01-20 MTU Aero Engines GmbH Anlage und verfahren zur generativen herstellung und/oder reparatur von bauteilen
US10384432B2 (en) 2016-02-19 2019-08-20 Palo Alto Research Center Incorporated Hierarchical laminates fabricated from micro-scale, digitally patterned films
EP3512986B1 (en) * 2016-09-16 2021-05-26 3M Innovative Properties Company Method of making a nanostructured cylindrical roll
US10710283B2 (en) 2016-12-22 2020-07-14 Palo Alto Research Center Incorporated Membrane surface hydrophobicity through electro-hydrodynamic film patterning
GB201701182D0 (en) * 2017-01-24 2017-03-08 Univ Birmingham Surface enhanced raman scattering apparatus and method
EP3671342B1 (en) * 2018-12-20 2021-03-17 IMEC vzw Induced stress for euv pellicle tensioning
US11732378B2 (en) * 2019-10-02 2023-08-22 Palo Alto Research Center Incorporated Three dielectric electrohydrodynamic patterning
CN112644158B (zh) * 2020-06-28 2023-02-28 正扬科技有限公司 连续式紫外光固化装置
CN112895408B (zh) * 2020-12-28 2022-05-20 杭州电子科技大学 基于相场模型的聚合物表面微结构可控成形机理研究方法
WO2022178426A1 (en) * 2021-02-21 2022-08-25 The Regents Of The University Of California Roll-to-roll based 3d printing through computed axial lithography

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2476282A (en) * 1945-01-09 1949-07-19 American Viscose Corp Textile products and production thereof
US4166089A (en) * 1969-11-13 1979-08-28 Agfa-Gevaert N.V. Corona free pinning of extruded polymer film
ATE294648T1 (de) * 1999-12-23 2005-05-15 Univ Massachusetts Verfahren zur herstellung von submikron mustern auf filmen
US6964793B2 (en) * 2002-05-16 2005-11-15 Board Of Regents, The University Of Texas System Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field
KR20050025545A (ko) * 2001-05-16 2005-03-14 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 전기장을 사용하여 광 중합 화합물내에 나노스케일의패턴을 생성하기 위한 방법 및 시스템
JP2003343964A (ja) * 2002-05-29 2003-12-03 Glocal:Kk 冷凍装置
US6908861B2 (en) * 2002-07-11 2005-06-21 Molecular Imprints, Inc. Method for imprint lithography using an electric field
MY144124A (en) * 2002-07-11 2011-08-15 Molecular Imprints Inc Step and repeat imprint lithography systems
ITTO20020772A1 (it) * 2002-09-06 2004-03-07 Fiat Ricerche Metodo per la realizzazione di strutture tridimensionali
EP1549481A2 (en) * 2002-10-11 2005-07-06 E. I. du Pont de Nemours and Company Film having a patterned fibrillar surface, and method and apparatus for making the film
US7163611B2 (en) 2003-12-03 2007-01-16 Palo Alto Research Center Incorporated Concentration and focusing of bio-agents and micron-sized particles using traveling wave grids
KR100789581B1 (ko) * 2005-08-17 2007-12-28 주식회사 엘지화학 이온 성분을 함유하는 코팅액을 이용한 패턴 형성 방법
US20070048448A1 (en) * 2005-08-17 2007-03-01 Kim Dae H Patterning method using coatings containing ionic components
JP2007062095A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Ricoh Co Ltd プラスチック成形品の製造方法、及びその製造装置
KR101265321B1 (ko) * 2005-11-14 2013-05-20 엘지디스플레이 주식회사 스탬프 제조 방법, 그를 이용한 박막트랜지스터 및액정표시장치의 제조 방법
KR20090108853A (ko) * 2008-04-14 2009-10-19 삼성전자주식회사 무기물 패턴 형성용 조성물 및 그를 이용한 무기물패턴형성 방법
JP5542313B2 (ja) * 2008-06-18 2014-07-09 協立化学産業株式会社 パターン形成方法
JP5129665B2 (ja) * 2008-06-25 2013-01-30 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
CN101620348B (zh) * 2008-07-04 2011-07-27 清华大学 触摸式液晶显示屏的制备方法

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