JP2015015354A - ウェハ位置固定方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェハホルダに特別な加工を施すことなく、ウェハをウェハホルダに適切に固定すること。
【解決手段】ウェハ位置固定方法は、ウェハ2上に磁性膜21を成膜するステップと、磁性膜21が成膜されたウェハ2を搬送アーム4で吸着して搬送し、ウェハ2をウェハホルダ3上に配置するステップと、ウェハホルダ3に対して、磁力を発生する磁力ユニット5を接近させ、ウェハ2をウェハホルダ3に固定するステップと、搬送アーム4の吸着を停止し、ウェハ2から離脱するステップと、磁力ユニット5をウェハホルダ3から離脱するステップと、を含む。
【選択図】図1
【解決手段】ウェハ位置固定方法は、ウェハ2上に磁性膜21を成膜するステップと、磁性膜21が成膜されたウェハ2を搬送アーム4で吸着して搬送し、ウェハ2をウェハホルダ3上に配置するステップと、ウェハホルダ3に対して、磁力を発生する磁力ユニット5を接近させ、ウェハ2をウェハホルダ3に固定するステップと、搬送アーム4の吸着を停止し、ウェハ2から離脱するステップと、磁力ユニット5をウェハホルダ3から離脱するステップと、を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、ウェハをウェハホルダに配置しその位置に固定するウェハ位置固定方法に関するものである。
半導体装置を製造する過程において、薄板状のウェハをウェハホルダに位置決め固定した後、このウェハ及びウェハホルダに対して、例えば、スパッタリング処理を行われている。ここで、上記ウェハをウェハホルダ上に固定するときに、ウェハとウェハホルダとの間で空気を巻き込んでウェハが横滑りを起こし位置ずれが生じるという問題が発生している。この問題に対し、例えば、ウェハホルダに真空溝を形成し、ウェハをウェハホルダ上に真空吸着させ固定することで、ウェハの横滑りを防止するウェハ位置固定方法が知られている(特許文献1参照)。
しかしながら、上記ウェハ位置固定方法においては、上記真空溝を形成したことによって、ウェハとウェハホルダとの接触面積が減少している。このため、例えば、スパッタリング処理を行った際に、放熱経路が減少し加工不良を起こすことが懸念される。したがって、後工程による制約を受け易く、適切なウェハ位置固定方法が望まれている。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、ウェハホルダに特別な加工を施すことなく、ウェハをウェハホルダに適切に固定できるウェハ位置固定方法を提供することを主たる目的とする。
上記目的を達成するための本発明の一態様は、ウェハ上に磁性膜を成膜するステップと、前記磁性膜が成膜されたウェハを搬送アームで吸着して搬送し、該ウェハをウェハホルダ上に配置するステップと、前記ウェハホルダに対して、磁力を発生する磁力ユニットを接近させ、前記ウェハを前記ウェハホルダに固定するステップと、前記搬送アームの吸着を停止し、前記ウェハから離脱するステップと、前記磁力ユニットを前記ウェハホルダから離脱するステップと、を含む、ことを特徴とするウェハ位置固定方法である。
この一態様において、前記ウェハには電極が形成され、該電極が形成され面に前記磁性膜が成膜されてもよい。
この一態様において、 前記磁力ユニットと前記ウェハとの第1所定距離の位置で、第1マスクを前記ウェハ上に位置決めするステップと、前記磁力ユニットを前記第1所定距離の位置から前記ウェハ側に接近させた第2所定距離の位置に移動させ、前記第1マスクを前記磁力ユニットの磁力で前記ウェハ上に吸着させるステップと、前記第2所定距離の位置で、前記ウェハ上に位置決めされた前記第1マスク上において第2マスクを位置決めするステップと、前記磁力ユニットを前記第2所定距離から前記ウェハ側に接近させた第3所定距離の位置に移動させ、前記第1及び第2マスクを前記磁力ユニットの磁力で前記ウェハ上に吸着させるステップと、を更に含んでいてもよい。
上記目的を達成するための本発明の一態様は、磁性膜が成膜されたウェハを吸着して搬送し、該ウェハをウェハホルダ上に配置する搬送アームと、前記搬送アームで搬送された前記ウェハホルダに対して接近し、磁力により前記ウェハを前記ウェハホルダに固定する磁力ユニットと、を備えることを特徴とするウェハ位置固定装置であってもよい。
この一態様において、前記ウェハには電極が形成され、該電極が形成され面に前記磁性膜が成膜されてもよい。
この一態様において、 前記磁力ユニットと前記ウェハとの第1所定距離の位置で、第1マスクを前記ウェハ上に位置決めするステップと、前記磁力ユニットを前記第1所定距離の位置から前記ウェハ側に接近させた第2所定距離の位置に移動させ、前記第1マスクを前記磁力ユニットの磁力で前記ウェハ上に吸着させるステップと、前記第2所定距離の位置で、前記ウェハ上に位置決めされた前記第1マスク上において第2マスクを位置決めするステップと、前記磁力ユニットを前記第2所定距離から前記ウェハ側に接近させた第3所定距離の位置に移動させ、前記第1及び第2マスクを前記磁力ユニットの磁力で前記ウェハ上に吸着させるステップと、を更に含んでいてもよい。
上記目的を達成するための本発明の一態様は、磁性膜が成膜されたウェハを吸着して搬送し、該ウェハをウェハホルダ上に配置する搬送アームと、前記搬送アームで搬送された前記ウェハホルダに対して接近し、磁力により前記ウェハを前記ウェハホルダに固定する磁力ユニットと、を備えることを特徴とするウェハ位置固定装置であってもよい。
本発明によれば、ウェハホルダに特別な加工を施すことなく、ウェハをウェハホルダに適切に固定できるウェハ位置固定方法を提供できる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の一実施の形態に係るウェハ位置固定装置の概略的な構成を示す図である。本実施の形態に係るウェハ位置固定装置1は、ウェハ2をウェハホルダ3上に位置決めし固定するものである。ウェハ位置固定装置1は、ウェハ2を保持し固定するウェハホルダ3と、ウェハホルダ3を搬送する搬送アーム4と、磁力を発生する磁力ユニット5と、を備えている。
ウェハ2は薄板状のシリコン部材であり、その一方の面には、磁性膜21が形成されている。例えば、ウェハ表面に電極が生成され、ウェハ裏面に電極が生成され、最後に、ウェハ裏面の電極に対してスパッタリングを行い、磁性体(Ni)を含む磁性膜(Al−Si、Ti、Ni、Au)21を成膜する。
なお、ウェハ2上に形成された電極上には、薄膜が形成されることとなるが、本実施の形態においては、この薄膜に磁性体を含ませることでその形成された薄膜を磁性膜として形成している。したがって、特別な工程を必要とせず簡易な構成でコスト増加させることなく、後述の如く、磁力ユニット5により横滑りを抑制する有利な効果も生じさせる。
ウェハホルダ3の上面に、ウェハ2が位置決めされ固定される。その後、ウェハホルダ3に位置決め固定されたウェハ2に対してスパッタリング処理が行われる。
搬送アーム4は、ウェハ2を所望に位置に移動させるアーム41と、アーム41の先端に取り付けられウェハ2の表面を吸着する一対の吸着コレット42と、を有している。搬送アーム4は、ウェハ2をウェハホルダ3上に移動させる。
磁力ユニット5は、複数の磁石を内蔵しており、磁性膜21を有するウェハ2を磁力により引っ張る。磁力ユニット5には、昇降機構(不図示)が設けられている。昇降機構は、磁力ユニット5を上下方向へ移動させる。
ところで、従来、ウェハをウェハホルダ上に固定するときなどに、ウェハとウェハホルダとの間で空気を巻き込み、ウェハがウェハホルダに対して横滑りし位置ずれが生じるという問題が発生している。なお、ウェハホルダに真空溝を形成し、ウェハをウェハホルダに吸着させる方法が考えられるが、ウェハとウェハホルダとの接触面積が減少するため、後述のスパッタリング処理を行った際に、放熱経路が減少し加工不良を起こすことが懸念される。さらに、磁力ユニットの磁石間のスペースが狭いため上記真空溝に連通する穴の加工が困難となる。
これに対し、本実施の形態に係るウェハ位置固定方法においては、ウェハ2を搬送アーム4でウェハホルダ3上に配置し、ウェハホルダ3に磁力ユニット5を接近させ、ウェハ2をウェハホルダ3に固定し、最後に、搬送アーム4及び磁力ユニット5をウェハホルダ3から離脱する。これにより、ウェハホルダ3や磁力ユニット5に特別な加工を施すことなく、ウェハ2をウェハホルダ3に対し横滑りさせることなく、適切に固定できる。
次に、上述したウェハ位置固定方法を詳細に説明する。図2A乃至図2Cは、本実施の形態に係るウェハ位置固定方法における、搬送アーム4、ウェハホルダ3、及び磁力ユニット5の動作を示す図である。
まず、前処理として、ウェハ2の表面及び裏面に電極が形成され、その電極が形成された裏面上に磁性膜21が成膜される(ステップS101)。
次に、図2Aに示す如く、搬送アーム4は、磁性膜21が形成されたウェハ2を各吸着コレット42で吸着して、予め固定されたウェハホルダ3の位置まで搬送し、ウェハ2をウェハホルダ3上に配置する(ステップS102)。
その後、図2Bに示す如く、昇降機構は磁力ユニット5を上昇させ、ウェハホルダ3に接近させる(ステップS103)。これにより、磁力ユニット5の磁力により、ウェハホルダ3上のウェハ2は、ウェハホルダ3の上面に引き付けられ固定される。したがって、ウェハ2がウェハホルダ3に対して横滑りし位置ずれが生じるのを防止できる。
最後に、図2Cに示す如く、搬送アーム4は各吸着コレット42の吸着を停止させ、各吸着コレット42を上昇させて元の位置へ向けて離脱させる(ステップS104)。同時に、昇降機構は、磁力ユニット5を下降させ、元の位置へ向けて離脱させる(ステップS105)。
上述のようにウェハホルダ3に固定されたウェハ2に対して、後述の磁性体金属で形成されたメタルマスク(下側マスク6及び上側マスク7)のアライメント及び貼り付けが行われる。図3A乃至図3Fは、本実施の形態に係るマスクのアライメント方法を説明するための図である。
次に、上記磁力ユニット5とウェハ2との距離が第1所定距離L1の位置で、下側マスク(第1マスク)6をウェハ2上で位置決めを行い(図3A)、下側マスク6をウェハ2上に貼り付ける(図3B)。このとき、第1所定距離L1は、下側マスク6をウェハ2上に位置決めする際に、下側マスク6が磁力ユニット5からの磁力の影響を受けない距離となっている。このため、ユーザは磁力の影響でぶれることなく下側マスク6をウェハ2上に高精度に位置決めすることができる。なお、下側マスク6及び後述の上側マスク7が磁力ユニット5からの磁力の影響を受けないとは、磁力を受けた場合でもその影響が僅かであり、その影響をユーザが感知できない状態を含むものとする。
その後、磁力ユニット5を第1所定距離L1の位置からウェハ2側に接近させた第2所定距離L2(第2所定距離L2<第1所定距離L1)の位置に移動させる(図3C)。この磁力ユニット5が第2所定距離L2(例えば、下側マスク6から数ミリ程度の距離)の位置において、下側マスク6が磁力ユニット5の磁力でウェハ2上に吸着する。これにより、ウェハ2上に位置決めされた下側マスク6はウェハ2上に確実に固定される。
さらに、この磁力ユニット5が第2所定距離L2の位置において、ウェハ2上に位置決めされた下側マスク6上において上側マスク(第2マスク)7を位置決めし(図3D)、上側マスク7をウェハ2上に吸着された下側マスク6上に貼り付ける(図3E)。このとき、磁力ユニット5の磁力は下側マスク6のみをウェハ2上に吸着させるが、上側マスク7はその磁力の影響を受けない。これは、主に下側マスク6が磁力ユニット5から上側マスク7への磁力を遮断し弱めるためである。これにより、ユーザは磁力の影響でぶれることなく、上側マスク7をウェハ2及び下側マスク6上に高精度に位置決めすることができる。
最後に、磁力ユニット5を第2所定距離L2の位置からウェハ2側にさらに接近させた第3所定距離L3の位置(磁力ユニット5とウェハ2とが最接近した位置、第1所定距離L1>第2所定距離L2>第3所定距離L3)に移動させる(図3F)。これにより、下側マスク6及び上側マスク7を磁力ユニット5の磁力でウェハ2上に吸着させ、確実に固定することができる。上述のように、下側及び上側マスク6、7が貼り付けられたウェハ2に対してスパッタリング処理が行われる。
以上、本実施の形態に係るウェハ位置固定方法においては、ウェハ2を搬送アーム4でウェハホルダ3上に配置し、ウェハホルダ3に磁力ユニット5を接近させ、ウェハ2をウェハホルダ3に固定し、最後に、搬送アーム4及び磁力ユニット5をウェハホルダ3から離脱する。これにより、ウェハホルダ3や磁力ユニット5に特別な加工を施すことなく、ウェハ2をウェハホルダ3に対し横滑りさせることなく、適切に固定できる。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
1 ウェハ位置固定装置
2 ウェハ
3 ウェハホルダ
4 搬送アーム
5 磁力ユニット
6 下側マスク
7 上側マスク
2 ウェハ
3 ウェハホルダ
4 搬送アーム
5 磁力ユニット
6 下側マスク
7 上側マスク
Claims (2)
- ウェハ上に磁性膜を成膜するステップと、
前記磁性膜が成膜されたウェハを搬送アームで吸着して搬送し、該ウェハをウェハホルダ上に配置するステップと、
前記ウェハホルダに対して、磁力を発生する磁力ユニットを接近させ、前記ウェハを前記ウェハホルダに固定するステップと、
前記搬送アームの吸着を停止し、前記ウェハから離脱するステップと、
前記磁力ユニットを前記ウェハホルダから離脱するステップと、
を含む、ことを特徴とするウェハ位置固定方法。 - 請求項1記載のウェハ位置固定方法であって、
前記ウェハには電極が形成され、該電極が形成され面に前記磁性膜が成膜される、こと を特徴とするウェハ位置固定方法。
Priority Applications (1)
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JP2013140788A JP2015015354A (ja) | 2013-07-04 | 2013-07-04 | ウェハ位置固定方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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2013
- 2013-07-04 JP JP2013140788A patent/JP2015015354A/ja active Pending
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