JP2015011493A - 入力装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、導体層の断線を防止するとともに、導体層と引出配線との間の静電容量の変動を抑制することが可能な入力装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の入力装置は、基材３０と、基材３０に設けられた電極３１と、基材３０に設けられ電極３１に接続された引出配線３６と、引出配線３６を覆う絶縁層５６と、絶縁層５６の上に設けられた導体層５０とを有し、導体層５０は、第１の導体領域５２と第２の導体領域５３とを有し、第１の導体領域５２は、引出配線３６に対向する位置に設けられており、第２の導体領域５３に対向する位置において、基材３０には補助導体層３８が設けられており、導体層５０と補助導体層３８とは、絶縁層５６を介して離間して設けられていることを特徴とする。【選択図】図５

Description

本発明は、入力位置情報を検出する入力装置に関し、特に、導体層が設けられた入力装置に関する。

スマートフォン、携帯電話機、パーソナルコンピュータ等の電子機器では、表示装置（液晶ディスプレイ等）の表面に、透光型の入力装置が配置されている。特許文献１には、このような入力装置として、導体層を設けて外部から侵入する電磁ノイズの影響を受けにくくした入力装置が開示されている。

図１１は、特許文献１に記載されている従来例の入力装置について部分拡大断面図を示す。図１１に示すように、従来例の入力装置１１０は、透光性の基材１３０と、基材１３０に形成された複数の第１の電極１３１及び複数の第２の電極（図１１では複数の第２の電極同士を接続する連結部１３４のみを示す）を有して構成される。また、第１の電極１３１及び複数の第２の電極に配線１３６が接続されており、配線１３６は基材１３０の非入力領域１１６に形成されている。

図１１に示すように、間隔を設けて隣り合う第１の電極１３１同士は、ブリッジ部１３３によって接続される。ブリッジ部１３３は、連結部１３４を跨がって配置されており、ブリッジ部１３３と連結部１３４とは、層間絶縁層１３５により電気的に絶縁されているすなわち、第１の電極１３１と第２の電極とは電気的に絶縁されており、第１の電極１３１と第２の電極との間に静電容量が形成される。

操作者の指などの被検出体を入力装置１１０の入力領域１１５に接触させ、または、接触させずに近づけたときに、第１の電極１３１と第２の電極の間の静電容量が変化して、これに基づいて入力位置情報を検出することができる。

検出された入力位置情報は、引出配線１３６を通して外部回路（図示しない）へと伝達されるため、外部から電磁波ノイズが侵入して引出配線１３６に重畳すると、入力位置情報と混同して誤検出や誤動作が発生する。従来例の入力装置１１０において、図１１に示すように、導体層１５０が層間絶縁層１３５を介して引出配線１３６と重なって配置されている。これにより、入力操作側の外部から侵入する電磁波ノイズを遮蔽することができる。

特開２０１１−２８５３５号公報

図１１に示すように導体層１５０は、層間絶縁層１３５を介して引出配線１３６と重なって形成されるとともに、層間絶縁層１３５の上面１３５ａから側面１３５ｂ及び基材１３０の表面にわたって連続して形成されている。導体層１５０は、基材１３０の表面を引き回されて外部回路（図示しない）に接続される。これにより、導体層１５０をグラウンド層に接地し、又は所定の電圧を印加することで、導体層１５０の電位を所定の値に制御して導体層１５０と引出配線１３６との間に形成される静電容量を安定させるためである。

しかしながら、層間絶縁層１３５の上面１３５ａ及び基材１３０の表面における導体層１５０の厚さに比べて、層間絶縁層１３５の側面１３５ｂにおける導体層１５０の厚さは薄く形成されてしまう。そのため、層間絶縁層１３５と基材１３０との段差により導体層１５０の断線が発生する場合がある。断線が生じると導体層１５０の電位を制御することができず、外部からの電磁ノイズの侵入や指などの被検出体が近づいたときの影響により、導体層１５０と引出配線１３６との間の静電容量が変動し易くなるという課題が生じる。導体層１５０と引出配線１３６との間の静電容量変動は、入力位置情報の信号とともに外部に伝達されるため、検出感度の低下や誤検出の発生が懸念される。

また、導体層１５０を層間絶縁層１３５の上面１３５ａのみに形成した場合には、導体層１５０の断線は生じないが、導体層１５０がグラウンド層や電源等に接続されていないフローティングされた状態であり、外部からの電磁ノイズや指などの被検出体の影響を受けやすくなり導体層１５０と引出配線１３６との間に生じる静電容量の値を制御できない。

本発明は、上記課題を解決して、導体層の断線を防止するとともに、導体層と引出配線との間の静電容量の変動を抑制することが可能な入力装置を提供することを目的とする。

本発明の入力装置は、基材と、前記基材に設けられた電極と、前記基材に設けられ前記電極に接続された引出配線と、前記引出配線を覆う絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられた導体層とを有し、前記導体層は、第１の導体領域と第２の導体領域とを有し、前記第１の導体領域は、前記引出配線に対向する位置に設けられており、前記第２の導体領域に対向する位置において、前記基材には補助導体層が設けられており、前記導体層と前記補助導体層とは、前記絶縁層を介して離間して設けられていることを特徴とする。

これによれば、導体層の第１の導体領域が引出配線と対向する位置に設けられており、外部からの電磁ノイズの侵入が抑制される。更に、導体層の第２の導体領域と補助導体層とが絶縁層を介して離間して設けられているため、導体層と補助導体層とが静電容量結合される。よって、補助導体層の電位を所定の値に制御する、または補助導体層をグラウンドに接地することで、補助導体層と静電容量結合された導体層の電位を制御することが可能となる。したがって、対向する導体層と引出配線との間の静電容量の変動を抑制することができる。また、絶縁層と基材との段差部に導体層を形成して外部に接続する必要が無く、絶縁層と基材との段差部に導体層が形成されないため、導体層の断線が防止される。

よって、本発明の入力装置によれば、導体層の断線を防止するとともに、導体層と引出配線との間の静電容量の変動を抑制することが可能である。

本発明の入力装置は、前記導体層において、前記第２の導体領域の面積が、前記第１の導体領域の面積よりも大きいことが好適である。これによれば、第１の導体領域と引出配線との間の静電容量結合に対して、第２の導体領域と補助導体層との静電容量結合を大きくすることができる。よって、補助導体層の電位を制御する、または補助導体層をグラウンドに接地することで、導体層の電位を確実に制御することができる。

本発明の入力装置において、前記導体層の前記第１の導体領域には、前記引出配線に重なる複数の開口部が設けられていることが好適である。これによれば、第１の導体領域と引出配線との対向面積が小さくなるため、第１の導体領域と引出配線との間の静電容量結合を小さくさせて、第２の導体領域と補助導体層とを確実に静電容量結合させることができる。

前記導体層の前記第１の導体領域は、メッシュ状に形成されていることが好ましい。これによれば、第１の導体領域と引出配線と対向面積がより小さくできるため、第１の導体領域と引出配線との静電容量結合を確実に低減させて、第２の導体領域と補助導体層とを静電容量結合させることができる。また、メッシュ状に形成することで、外部から侵入する電磁ノイズも遮蔽することができる。

前記電極は前記基材の入力領域に設けられており、前記引出配線は前記入力領域の外側の非入力領域に設けられており、前記補助導体層は前記引出配線よりも外側の非入力領域に配置されていることが好ましい。これによれば、第２の導体領域と補助導体層とを静電容量結合させて、導体層と引出配線との間の静電容量の変動を抑制することができる。さらに、補助導体層を引出配線よりも外側の非入力領域に設けることで、導体層及び補助導体層によって外部から侵入する電磁ノイズが遮蔽されるため、シールド効果を向上させることができる。

前記引出配線は複数設けられるとともに互いに間隔を有して隣り合って配置されており、前記補助導体層は隣り合う前記引出配線の間に設けられていることが好ましい。隣り合う引出配線の間に補助導体層を設けることにより、外部からの電磁ノイズを効果的に遮蔽するとともに、引出配線同士の間に形成される静電容量が変動することを抑制することができる。

前記基材には、前記電極が設けられた入力領域と、前記入力領域の外側の非入力領域とが設けられており、前記引出配線は前記入力領域から前記非入力領域に延在して設けられており、前記導体層は前記入力領域及び前記非入力領域に重なって設けられており、前記補助導体層は前記引出配線よりも外側の前記非入力領域に配置されていることが好ましい。このような態様であっても、第２導体領域と補助導体層とを静電容量結合させて、導体層と引出配線との間の静電容量の変動を抑制することができる。また、補助導体層を引出配線よりも外側に設けることで、外部からの電磁ノイズの侵入を導体層及び補助導体層によって遮蔽できる。

本発明の入力装置において、前記電極は透明導電材料からなり、前記補助導体層及び前記引出配線は、前記電極と同じ透明導電材料で形成された下地層と、前記下地層の上に形成された金属層との積層構造を有することが好適である。これによれば、前記補助導体層及び前記引出配線が同じ構成を有することから、前記補助導体層及び前記引出配線を同一の工程で形成することができ、製造コストが抑制される。

前記導体層及び前記補助導体層が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＣｕＮｉ、ＡｇＰｄのいずれかを有して形成されることが好適である。これによれば、外部からの電磁ノイズを確実に遮蔽するとともに、前記導体層と前記補助導体層とを確実に静電容量結合させることができる。

本発明の入力装置によれば、導体層の断線を防止するとともに、導体層と引出配線との間の静電容量の変動を抑制することが可能である。

本発明の第１の実施形態における入力装置の分解斜視図である。 第１の実施形態の入力装置の平面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断して矢印方向から見たときの断面図である。 本実施形態の入力装置の導体層、補助導体層、引出配線を拡大して示す部分拡大平面図である。 図４のＶ−Ｖ線で切断して矢印方向から見たときの部分拡大断面図である。 第１の実施形態の変形例を示す、入力装置の部分拡大断面図である。 第２の実施形態の入力装置の導体層、補助導体層、引出配線を拡大して示す部分拡大平面図である。 図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線で切断して矢印方向から見たときの部分拡大断面図である。 第３の実施形態の入力装置の平面図である。 図９のＸ−Ｘ線で切断して矢印方向から見たときの部分拡大断面図である。 従来例の入力装置の部分拡大断面図である。

以下、本発明の入力装置の具体的な実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、各図面の寸法は適宜変更して示している。

＜第１の実施形態＞
図１は、第１の実施形態の入力装置を示す分解斜視図である。図１に示すように、本実施形態の入力装置１０は、基材３０と表面パネル２１とを有して構成され、基材３０と表面パネル２１とは粘着層２４を介して貼り合わされている。基材３０は入力位置を検出可能なフィルムセンサであり、表面パネル２１は基材３０の入力操作側（図１のＺ１方向）に配置される。操作者は、表面パネル２１の入力面２１ａに指などの被検出体を接触させて、または、接触させずに近づけた状態で入力操作を行うことができる。

表面パネル２１は、透光性のガラス材料又は樹脂材料を用いて平板状に形成されている。図１に示すように、表面パネル２１の裏面（図１のＺ２方向の面）には着色された加飾層２２が設けられており、加飾層２２は、表面パネル２１の外周部において枠状に設けられている。加飾層２２によって区分けされて加飾層２２に囲まれた領域が、入力操作を行う入力領域１５である。また、入力領域１５の外側の加飾層２２と重なる領域が非入力領域１６である。

なお、表面パネル２１は図１に示すような平板状に限定されず、曲面を有する立体的な表面形状を有するものでもよく、または、電子機器の筐体の一部を表面パネル２１としても良い。加飾層２２は、表面パネル２１に直接形成される構成のほか、加飾層２２が設けられた加飾フィルムを別に用意して、これを表面パネル２１に貼り合わせても良い。

図２は本実施形態の入力装置の平面図であり、基材及び基材に形成された各電極、引出配線、及び導体層を示す平面図である。また、図３は、図１に示す入力装置を組み立てたときに、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断して矢印方向から見たときの入力装置の断面図を示す。

図１及び図２に示すように、本実施形態の入力装置１０は、基材３０と、基材３０に設けられた第１の電極３１及び第２の電極３２と、第１の電極３１及び第２の電極３２に接続された引出配線３６とを有している。また、図３に示すように、引出配線３６を覆う絶縁層５７が設けられており、絶縁層５７の上には引出配線３６と重なる位置に導体層５０が設けられている。なお、図２及び図３では、図面を見やすくするために導体層５０の詳細な構成は省略して示しており、開口部５４は図示しない。

図２に示すように、第１の電極３１及び第２の電極３２は菱形形状のパッド電極であり、基材３０の入力領域１５に形成されている。第１の電極３１は、Ｘ１−Ｘ２方向に間隔を設けて配置されており、Ｘ１−Ｘ２方向に隣り合う第１の電極３１同士はブリッジ部３３によって接続される。接続された複数の第１の電極３１は、Ｘ１−Ｘ２方向において延在するとともに、Ｙ１−Ｙ２方向において間隔を設けて複数本配列されている。また、第２の電極３２はＹ１−Ｙ２方向において間隔を設けて配列されており、Ｙ１−Ｙ２方向に隣り合う第２の電極３２同士は幅細の連結部３４によって接続されている。接続された複数の第２の電極３２は、Ｙ１−Ｙ２方向において延在するとともに、Ｘ１−Ｘ２方向において間隔を設けて複数本配列されている。

図２に示すように、接続された複数の第１の電極３１と、接続された複数の第２の電極３２とは、互いに交差して形成されている。図３に示すように、連結部３４とブリッジ部３３とが交差する部分において、連結部３４を覆うようにブリッジ部絶縁層３５が設けられており、連結部３４及びブリッジ部絶縁層３５を跨がってブリッジ部３３が形成されている。図３に示すように、連結部３４をＸ１−Ｘ２方向に挟むように配置された第１の電極３１同士はブリッジ部３３によって接続されている。

図２及び図３に示すように、第１の電極３１と第２の電極３２とは、互いに絶縁された状態で形成され、第１の電極３１と第２の電極３２との間で静電容量を形成する。操作者が入力操作を行う際に、表面パネル２１表面の入力領域１５に指などの被検出体を接触させて、または接触させずに近づけた場合に、第１の電極３１と第２の電極３２との間の静電容量と、各電極３１、３２と被検出体との間に形成される静電容量とが結合する。この静電容量変化に基づいて入力位置情報が検出される。

また、図２に示すように第１の電極３１及び第２の電極３２に接続された複数の引出配線３６は、基材３０の非入力領域１６に形成されている。複数の引出配線３６は、基材３０の非入力領域１６を引き回されて、外部回路（図示しない）と接続するための接続端子３７に接続される。入力操作の際に検出された入力位置情報の信号は、引出配線３６を介して外部回路に伝達される。

本実施形態において、基材３０は、フィルム状の樹脂材料を用いて形成されており、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート樹脂（ＰＥＮ）、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ）、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）等の透光性樹脂材料が用いられる。第１の電極３１、第２の電極３２、及び連結部３４は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の透明導電材料を用いて形成されており、スパッタや蒸着等の薄膜法により形成される。また、ブリッジ部３３は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の金属材料やＣｕＮｉ、ＡｇＰｄ等の合金、ＩＴＯ等の導電性酸化物材料を用いることができる。引出配線３６及び接続端子３７には、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の金属材料やＩＴＯ等の導電性酸化物材料を用いることができる。

図３に示すように、引出配線３６を覆う絶縁層５７が設けられており、絶縁層５７の上に導体層５０が設けられている。図２に示すように、導体層５０は、入力領域１５を囲んで非入力領域１６に形成され、複数の引出配線３６と重なって設けられている。導体層５０を設けることにより、入力面２１ａ側から侵入する電磁ノイズが導体層５０によって遮蔽される。よって、入力装置１０の誤検出、誤動作の発生が防止される。次に、導体層５０の詳細な構成を説明する。

図４は、本実施形態の入力装置の導体層、補助導体層、引出配線を拡大して示す部分拡大平面図である。図４では、導体層５０を透過させて補助導体層３８及び引出配線３６を示している。また、図５は、図４のＶ−Ｖ線で切断して矢印方向から見たときの部分拡大断面図である。

図４及び図５に示すように、基材３０には、複数の引出配線３６よりも外側に補助導体層３８が設けられている。なお、図４の補助導体層３８は、見やすくするために斜線を付して示している。また、導体層５０は、複数の引出配線３６及び補助導体層３８に重なって絶縁層５７の上に設けられている。図５に示すように、導体層５０は、第１の導体領域５２と第２の導体領域５３とを有しており、第１の導体領域５２は引出配線３６に対向する領域であり、補助導体層３８と重なる領域が第２の導体領域５３である。つまり、導体層５０において、第２の導体領域５３は第１の導体領域５２の外側に連続して形成されており、第２の導体領域５３に対向する位置において、基材３０には補助導体層３８が設けられている。そして、導体層５０と補助導体層３８とは、絶縁層５７を介して離間して設けられている。

なお、図２に示すように、補助導体層３８は複数の引出配線３６よりも外側の非入力領域１６において、入力領域１５を囲んで設けられており、また、補助導体層３８に重なる第２の導体領域５３が、入力領域１５を囲んで非入力領域１６に設けられている。そして、補助導体層３８は接続端子３７に接続されており、外部回路（図示しない）に接続される。

図４及び図５に示すように、導体層５０の第１の導体領域５２が引出配線３６と対向する位置に設けられているため、外部からの電磁ノイズが第１の導体領域５２で遮蔽されて、電磁ノイズが引出配線３６に侵入することが抑制される。

更に、導体層５０の第２の導体領域５３と補助導体層３８とが絶縁層５７を介して離間して設けられているため、導体層５０と補助導体層３８とが静電容量結合される。そして、図２に示すように、補助導体層３８は接続端子３７を介して外部回路（図示しない）に接続される。よって、補助導体層３８の電位を制御する、または補助導体層３８をグラウンドに接地することで、補助導体層３８と静電容量結合された導体層５０の電位を所定の値に制御することが可能となり、導体層５０と引出配線３６との間の静電容量の変動を抑制することができる。

導体層５０の電位を所定の値に制御することにより、操作者が指などの被検出体を引出配線３６に近づけた場合や電磁ノイズが侵入した場合においても、導体層５０と引出配線３６との間の静電容量の変動を抑制することができる。よって、導体層５０と引出配線３６との間の静電容量の変化による誤検出を防止することができ、また、入力領域１５における検出感度の低下を防止できる。

また、絶縁層５７と基材３０との段差部に導体層５０を形成して外部回路に接続する必要が無く、図５に示すように導体層５０は絶縁層５７の上に形成されており、絶縁層５７と基材３０との段差部に形成されないため、導体層５０の断線が防止される。

よって、本実施形態の入力装置１０によれば、導体層５０が断線することを防止するとともに、導体層５０と引出配線３６との間の静電容量の変動を抑制することが可能である。

また、図２及び図４に示すように、補助導体層３８と重なる第２の導体領域５３は第１の導体領域５２よりも外周側に設けられており、第２の導体領域５３の面積が第１の導体領域５２の面積よりも大きく形成される。こうすることで、第１の導体領域５２と引出配線３６との間の静電容量結合に対して、第２の導体領域５３と補助導体層３８との静電容量結合を大きくすることができる。よって、補助導体層３８の電位を制御する、または補助導体層３８をグラウンドに接地することで、補助導体層３８と静電容量結合された導体層５０の電位を確実に所定の値に制御することができる。

さらに、図４に示すように、導体層５０の第１の導体領域５２には、引出配線３６に重なる複数の開口部５４が設けられている。複数の開口部５４は、それぞれ矩形状に形成されており、引出配線３６に沿って間隔を設けて配列されている。複数の引出配線３６は互いに間隔を有して並行に配列されており、複数の引出配線３６のそれぞれに重なって開口部５４が設けられている。すなわち、導体層５０の第１の導体領域５２は、メッシュ状に形成されている。なお、図１及び図２には、図面を見やすくするために開口部５４を省略して示している。また、開口部５４の、形状、大きさ、配列、数などは図４に示すものに限定されず、円形や多角形に形成したり、より小さい面積を有する開口部５４を多数配列させることも可能である。

このように、第１の導体領域５２に複数の開口部５４を設けてメッシュ状に形成することにより、第１の導体領域５２と引出配線３６との対向面積を小さくして静電容量結合を小さくできる。したがって、第２の導体領域５３と補助導体層３８とを確実に静電容量結合させて、導体層５０の電位を制御することができる。もしくは、複数の開口部５４を設けて第１の導体領域５２と引出配線３６との対向面積を減少させることにより、第２の導体領域５３及び補助導体層３８の面積を小さくした場合であっても、第２の導体領域５３と補助導体層３８との静電容量結合を、第１の導体領域５２と引出配線３６との静電容量結合よりも大きくすることができる。つまり、開口部５４を設けることにより、入力装置１０の狭額縁化を図ることができる。

なお、それぞれの開口部５４の開口面積を小さく形成してメッシュ状に配列することで、外部からの電磁ノイズに対する遮蔽効果を維持しつつ、第１の導体領域５２と引出配線３６との対向面積を小さくすることができる。

図４及び図５に示すように、補助導体層３８及び第２の導体領域５３は複数の引出配線３６よりも外側の非入力領域１６に設けられている。よって、第１の導体領域５２が入力面２１ａ側からの電磁ノイズを遮蔽するとともに、第２の導体領域５３及び補助導体層３８によって、入力装置１０の側方から侵入する電磁ノイズについて遮蔽することができる。

図５に示すように、引出配線３６は、下地層３６ａと金属層３６ｂとの積層構造を有している。下地層３６ａは、第１の電極３１、第２の電極３２と同じ透明導電材料（例えばＩＴＯ）を用いて、第１の電極３１または第２の電極３２から連続して形成される。金属層３６ｂは、下地層３６ａの上に形成されている。また、補助導体層３８は、引出配線３６と同じ材料で形成された下地層３８ａ及び金属層３８ｂからなる積層構造を有する。これにより、補助導体層３８を、引出配線３６と同一の工程で同時に形成することができるため、製造コストの増大を抑制することができる。

導体層５０及び金属層３６ｂ、３８ｂには、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の金属材料や、ＣｕＮｉ、ＡｇＰｄ等の合金材料のいずれかを用いることができ、または、これらの材料からなる金属層を複数積層することもできる。導体層５０及び補助導体層３８は、スパッタや蒸着等の薄膜法や、インクジェット印刷やスクリーン印刷等の印刷法で形成することができる。

また、絶縁層５７は、図２に示すブリッジ部絶縁層３５と同じ材料を用いて形成することができる。これにより、絶縁層５７をブリッジ部絶縁層３５と同一工程で形成できるため、入力装置１０の製造コストが抑制される。絶縁層５７及びブリッジ部絶縁層３５として、例えばアクリル樹脂やノボラック樹脂などの透光性樹脂を用いることができる。

図６は、第１の実施形態の変形例を示す入力装置の部分拡大断面図である。図６に示すように、本変形例の入力装置１１は、第１の導体領域５２に開口部が設けられていない点が異なる。本変形例の入力装置１１は、第１の導体領域５２に開口部が設けられていないため、入力装置１１の上方から侵入する電磁ノイズを確実に遮蔽することができる。また、第１の導体領域５２に開口部を設けなくとも、引出配線３６と第１の導体領域５２との対向面積よりも第２の導体領域５３と補助導体層３８との対向面積を大きくすることで、第２の導体領域５３と補助導体層３８との静電容量結合が支配的となる。よって、補助導体層３８を介して導体層５０の電位を所定の値に制御することができる。

＜第２の実施形態＞
図７は、第２の実施形態の入力装置の導体層、補助導体層、引出配線を拡大して示す部分拡大平面図である。なお、図７では、見やすくするために補助導体層３８に斜線を付して示している。また、図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線で切断して矢印方向から見たときの部分拡大断面図である。

図７及び図８に示すように、本実施形態の入力装置１２において、複数の引出配線３６は互いに間隔を設けて隣り合って配置されており、補助導体層３８は、隣り合う引出配線３６の間にそれぞれ設けられている。第１の実施形態の入力装置１０では、補助導体層３８が連続して形成されているが、図７及び図８に示すように、補助導体層３８を複数分割して設けることも可能である。図８に示すように、引出配線３６及び補助導体層３８の上に絶縁層５７を介して導体層５０が設けられており、導体層５０の、引出配線３６に重なる領域がそれぞれ第１の導体領域５２であり、補助導体層３８に重なる領域がそれぞれ第２の導体領域５３である。

図７に示すように、第１の導体領域５２において、複数の開口部５４が引出配線３６に重なって設けられている。また、図８に示すように、補助導体層３８と引出配線３６とは、下地層３６ａ、３８ａと金属層３６ｂ、３８ｂとの積層構造を有しており、同一の材料を用いて形成される。

本実施形態において、複数の補助導体層３８が、それぞれ図２に示す接続端子３７に接続されて、補助導体層３８に所定の電位が印加され、または、グラウンド層に接地される。そして、補助導体層３８と第２の導体領域５３とを静電容量結合させることで、導体層５０を所定の電位に制御することができる。よって、導体層５０により、外部からの電磁ノイズを遮蔽すると共に、第１の導体領域５２と引出配線３６との間の電位を制御して静電容量の変動を抑制することができる。

また、隣り合う引出配線３６の間に補助導体層３８を設けることにより、外部からの電磁ノイズを効果的に遮蔽すると共に、補助導体層３８と引出配線３６との間の電位を所定の値に制御して、補助導体層３８と引出配線３６との間の静電容量を制御できる。よって、引出配線３６同士の間に形成される静電容量が変動することを抑制することができる。

＜第３の実施形態＞
図９は、第３の実施形態の入力装置の平面図である。また、図１０は、図９のＸ−Ｘ線で切断して矢印方向から見たときの部分拡大断面図である。

図９に示すように、本実施形態の入力装置１３において、基材３０には電極４１が設けられた入力領域１５と、入力領域１５の外側の非入力領域１６とが設けられている。複数の電極４１は入力領域１５に配列されており、複数の電極４１のそれぞれから引出配線４６が引き出されている。引出配線４６は入力領域１５から非入力領域１６に延在して設けられている。第１の実施形態及び第２の実施形態では、引出配線３６及び導体層５０は非入力領域１６に設けられているが、これに限定されず、図９に示す入力装置１３においても、本発明を適用することが可能である。

図９に示すように、補助導体層３８は、電極４１及び引出配線４６を囲むように基材３０の非入力領域１６に枠状に設けられており、接続端子３７を介して外部回路（図示しない）に接続される。そして、導体層５１は、入力領域１５から非入力領域１６にわたって補助導体層３８及び引出配線４６に重なって設けられている。また、導体層５１には、引出配線４６と重なる第１の開口部５５が設けられ、また、電極４１と重なる第２の開口部５６が設けられている。

図１０に示すように、引出配線４６及び補助導体層３８を覆って絶縁層５７が設けられており、絶縁層５７の上に導体層５１が設けられている。引出配線４６と重なる導体層５１の領域が第１の導体領域５２であり、補助導体層３８と重なる導体層５１の領域が第２の導体領域５３である。また、導体層５１には電極４１と重なる位置に第２の開口部５６が形成されており、これにより、入力操作の際に指などの被検出体と電極４１との間に導体層５１が無いため、検出感度の低下を防止できる。

入力領域１５における導体層５１は透明導電層５１ａであり、電極４１と同じ透明導電材料から形成される。これにより、液晶ディスプレイなどの表示装置（図示しない）からの画像を良好に視認可能であるとともに、外部からの電磁ノイズを遮蔽することができる。

また、図１０に示すように、非入力領域１６における導体層５１は、透明導電層５１ａと金属層５１ｂとの積層構造を有する。そして、第２の導体領域５３と補助導体層３８とは、絶縁層５７を介して離間して設けられている。また、図９に示すように、第１の導体領域５２には第１の開口部５５が複数設けられている。これにより、第１の導体領域５２と引出配線４６との静電容量結合を小さくすると共に、第２の導体領域５３と補助導体層３８とを静電容量結合させることができる。よって、補助導体層３８の電位を所定の値に制御する、または補助導体層３８をグラウンドに接地することで、補助導体層３８と静電容量結合された導体層５１の電位を所定の値に制御することが可能となる。したがって、導体層５１の第１の導体領域５２と引出配線４６との間の静電容量の変動を抑制することができる。

また、絶縁層５７と基材３０との段差部に導体層５１を形成して外部回路（図示しない）に接続する必要が無く、図１０に示すように、導体層５１が絶縁層５７と基材３０との段差部に形成されないため、導体層５１の断線が防止される。

したがって、本実施形態の入力装置１３においても、導体層５１が断線することを防止するとともに、導体層５１と引出配線４６との間の静電容量の変動を抑制することが可能である。

１０、１１、１２、１３ 入力装置
１５ 入力領域
１６ 非入力領域
２１ 表面パネル
２２ 加飾層
３０ 基材
３１ 第１の電極
３２ 第２の電極
３３ ブリッジ部
３４ 連結部
３５ ブリッジ部絶縁層
３６、４６ 引出配線
３６ａ、３８ａ 下地層
３６ｂ、３８ｂ 金属層
３８ 補助導体層
４１ 電極
５０、５１ 導体層
５１ａ 透明導電層
５１ｂ 金属層
５２ 第１の導体領域
５３ 第２の導体領域
５４ 開口部
５７ 絶縁層

Claims (9)

1. 基材と、前記基材に設けられた電極と、前記基材に設けられ前記電極に接続された引出配線と、前記引出配線を覆う絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられた導体層とを有し、
   前記導体層は、第１の導体領域と第２の導体領域とを有し、
   前記第１の導体領域は、前記引出配線に対向する位置に設けられており、
   前記第２の導体領域に対向する位置において、前記基材には補助導体層が設けられており、
   前記導体層と前記補助導体層とは、前記絶縁層を介して離間して設けられていることを特徴とする入力装置。
2. 前記導体層において、前記第２の導体領域の面積が前記第１の導体領域の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の入力装置。
3. 前記導体層の前記第１の導体領域には、前記引出配線に重なる複数の開口部が設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の入力装置。
4. 前記導体層の前記第１の導体領域は、メッシュ状に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の入力装置。
5. 前記電極は前記基材の入力領域に設けられており、前記引出配線は前記入力領域の外側の非入力領域に設けられており、
   前記補助導体層は前記引出配線よりも外側の非入力領域に配置されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の入力装置。
6. 前記引出配線は複数設けられるとともに互いに間隔を有して隣り合って配置されており、前記補助導体層は隣り合う前記引出配線の間に設けられていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の入力装置。
7. 前記基材には、前記電極が設けられた入力領域と、前記入力領域の外側の非入力領域とが設けられており、前記引出配線は前記入力領域から前記非入力領域に延在して設けられており、前記導体層は前記入力領域及び前記非入力領域に重なって設けられており、前記補助導体層は前記引出配線よりも外側の前記非入力領域に配置されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の入力装置。
8. 前記電極は透明導電材料からなり、前記補助導体層及び前記引出配線は、前記電極と同じ透明導電材料で形成された下地層と、前記下地層の上に形成された金属層との積層構造を有することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の入力装置。
9. 前記導体層及び前記補助導体層が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＣｕＮｉ、ＡｇＰｄのいずれかを有して形成されることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の入力装置。
   

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