JP2015005549A - マーキングを有する太陽電池セルおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体基板表面に形成した窪みからなるマーキングを有する半導体基板において、マーキング領域と他の領域とのコントラストを高めることで、マーキングの読み取り率を高めつつ、太陽電池セルとしての活性領域の面積を高めること。【解決手段】テクスチャ面を有する半導体基板と、前記テクスチャ面に製膜された透明電極膜と、前記テクスチャ面に形成された窪みからなるマーキングを有するマーキング領域と、を有する太陽電池セルであって：前記マーキング領域とその周辺部に前記透明電極膜は製膜されておらず、かつ前記マーキング領域とその周辺部の半導体基板表面の高さは、前記透明電極膜が製膜された領域の半導体基板の高さよりも低い太陽電池セルを提供する。【選択図】図３

Description

本発明は、マーキングを有する太陽電池セルおよびその製造方法に関する。

太陽電池の製造工程において、ウエハ１枚単位でトレーサビリティを保証することは、品質向上、高均質化、生産稼働率向上を実現する。さらには、各工程における品質保証、市場におけるリコール対応、その生産工程へのフィードバックなどを可能にする。

シリコン基板のマーキングを行う方法として、ウェットエッチングでシリコン基板にドット穴からなるマークを形成する方法が提案されている（特許文献１および２を参照）。さらには、シリコン基板にレーザを照射して形成した窪みをマーキングとして読み取ることが提案されている（特許文献３）。

特開２００４−９５８１４号公報 米国特許出願公開第２００６／０１３１４２４号明細書 特表２００９−５２８６８７号公報

レーザ照射によって半導体基板に形成した窪みからなるマーキングは、例えばイメージスキャナで読み込まれることで認識される。ところが、イメージスキャナによるマーキングの読み込み率が十分に高められてはいなかった。マーキングのイメージスキャナによる読み込み率を高めるためには、マーキング領域と、他の領域とのコントラストを高めなければならない。より具体的には、マーキングを暗部として認識し、他の領域を明部として認識する。

本発明者は、マーキングと他の部異とのコントラストが高まらない主な原因が、以下の３つにあることを見出した。一つ目の原因は、レーザ照射によって形成した窪みにバリが生じている場合があることである。バリとは、形成された窪みの周囲に生じる不要な突起である。バリは不規則な形状で暗部になりやすく、マークされていない部位までマークされたものと認識されやすくなり、マーキングと他の部位とのコントラストが高まりにくい。

二つ目の原因は、レーザ照射によって窪みを形成したときに、基板表面の窪みの周辺が変質して着色する場合があることである。窪みの周辺が着色すると、マーキングと、他の部位とのコントラストが高まりにくい。

三つ目の原因は、マーキング上に、他の機能層、例えば透明電極膜が積層される場合があることである。透明電極膜の製膜は、マーキングが配置された領域（マーキング領域）をマスクなどで覆った状態で、物理気相蒸着法や化学気相蒸着法などによって行われる。ところが、マスクで覆われているマーキング領域にも、マスクと半導体基板との隙間を介して透明電極膜が形成されてしまうことがあった。

仮に、マスクで覆う領域を、マーキング領域よりも過剰に拡大すれば、マーキング領域に他の機能層（透明電極膜など）は製膜されなくなる。しかしながら、マスクで覆う領域を拡大すると、太陽電池して機能する活性領域の面積が低減して、太陽電池セルとしての光電変換効率が低下する。

そこで本発明は、半導体基板表面に形成した窪みからなるマーキングを有する太陽電離セルにおいて、マーキングと他の部位とのコントラストを高めることで、マーキングの読み取り精度を高めつつ、太陽電池セルとしての活性領域の面積を高めて、光電変換効率を向上させることを目的とする。

本発明の第１は、テクスチャ面を有する半導体基板と、前記テクスチャ面に製膜された透明電極膜と、前記テクスチャ面に形成された窪みからなるマーキングを有するマーキング領域と、を有する太陽電池セルであって、前記マーキング領域とその周辺部に前記透明電極膜は製膜されておらず、かつ前記マーキング領域の周辺部の半導体基板表面の高さは、前記透明電極膜が製膜された領域の半導体基板の高さよりも低い太陽電池セルを提供する。

本発明の第２は、太陽電池セルの製造方法に関する。すなわち、半導体基板の表面のマーキング領域に、レーザを照射して窪みを形成する工程と、前記マーキング領域を含む前記半導体基板の表面に、テクスチャを形成する工程と、前記マーキング領域の少なくとも一部を含む前記半導体基板の表面に、透明電極膜を製膜する工程と、前記マーキング領域にレーザを照射して、前記マーキング領域に製膜された透明電極膜と、前記マーキング領域の前記半導体基板の表層と、を除去する工程とを含む、太陽電池セルの製造方法を提供する。

本発明の太陽電池セルは、テクスチャ面を有する半導体基板を具備し、テクスチャ面のマーキング領域に、読み取り精度が高い窪みからなるマーキング（典型的にはドットマーキング）が形成されている。そのため、太陽電池セルおよび太陽電池の製造工程における管理が容易になる。さらには、半導体基板のテクスチャ面の、マーキング領域以外の領域の多くに、透明電極膜が製膜されているので、太陽電池セルとしての光電変換効率が向上する。

図１ＡＢは、半導体基板のテクスチャ面の上面図であって、ドットマーキングを形成した状態を示す図である。 図２Ａ〜Ｃは、半導体基板のテクスチャ面の上面図であって、マーキング領域とその周辺を示す図である。 図３Ａ〜Ｃは、半導体基板の断面図であって、マーキング領域とその周辺を示す図である。 図４ＡＢは、半導体基板の表面にレーザ照射によって形成した窪みを示すＳＥＭ写真（図４Ａ）と、断面を示す模式図（図４Ｂ）である。 図５ＡＢＣは、レーザ照射によって透明導電膜と表層とを除去する前の太陽電池セルの上面図（図５Ａ）と、マーキング領域の拡大上面図（図５Ｂ）と、マーキング領域の断面図（図５Ｃ）である。 図６ＡＢＣは、レーザ照射によって透明導電膜と表層とを除去した太陽電池セルの上面図（図６Ａ）と、マーキング領域の拡大上面図（図６Ｂ）と、マーキング領域の断面図（図６Ｃ）である。

１．太陽電池セルについて
本発明の太陽電池セルは、テクスチャ面を有する半導体基板と、前記テクスチャ面に製膜された透明電極膜と、前記テクスチャ面に形成された窪みからなるマーキングを有するマーキング領域と、を有する。

本発明の太陽電池セルに含まれる半導体基板は、シリコンウエハを含むことが好ましく、シリコンウエハは結晶方位（１００）のシリコンウエハであることがより好ましい。また、本発明の太陽電池セルに含まれる半導体基板の厚みは、通常、１００μｍ〜２００μｍである。

半導体基板はＰＮ接合を有している。例えば、半導体基板は、一方の導電型（Ｐ型またばＮ型）にドープされたシリコンウエハと、他方の導電型（Ｎ型またはＰ型）にドープされたアモルファスシリコン層とを有しうる。ただし、ＰＮ接合を有する半導体基板の形態が特に限定されるわけではない。

本発明の太陽電池セルに含まれる半導体基板の少なくとも一方の面には、テクスチャが形成されていることが好ましい。テクスチャは、テクスチャ面に照射された太陽光がテクスチャ面で反射せずに、半導体基板に効率的に入射可能に構成されている。テクスチャが形成された面（テクスチャ面）は、太陽電池セルの受光面となる面である。よって、両面受光型の太陽電池セルである場合には、両面にテクスチャが形成されていることが好ましい。

テクスチャの構造は特に限定されないが、例えば、四角錐または四角錐台状の、複数の微細突起からなる。テクスチャは、少なくとも透明電極膜が製膜された領域の全てに形成されていることが好ましいが、通常は、マーキング領域とその周辺部（後述）には形成されていない。

本発明の太陽電池セルは、半導体基板のテクスチャ面に製膜された透明電極膜を有する。透明電極膜は、ＩＴＯ膜（スズ添加酸化インジウム薄膜）、ＺｎＯ膜（酸化亜鉛薄膜）、ＳｎＯ_２膜（酸化スズ薄膜）などのＴＣＯ膜（透明導電膜）でありうるが、特に限定されない。透明電極膜は、半導体基板のテクスチャ面のうち、後述のマーキング領域には製膜されておらず、マーキング領域以外の領域に製膜されている。

本発明の太陽電池セルに含まれる半導体基板は、窪みからなるマーキングを有する。マーキングを構成する窪みは、特に限定されないものの、逆錐状または逆錐台状の凹部でありうる。凹部の開口部は、四角形または八角形であることが多い。マーキングを構成する窪みの開口部の幅は、４５〜１００μｍであることが好ましく、例えば６５μｍである。

窪みからなるマーキングは、１次元バーコード、データマトリックス（DataMatrix）、ＱＲコード（登録商標）、ＰＤＦ４１７などの２次元バーコードなどを構成する。典型的にはドットマーキングを構成し、情報を表記することが好ましい。ドットマーキングは、ドットの有無のパターンにより情報を構成したコード、好ましくは２次元コード、特にデータマトリクスを表記する。表記されたコードを、光学式読み取り装置で読み取ることができる。

半導体基板に表記されたドットマーキングは、例えば、１６×１６ドット，１８×１８ドットまたは８×３２ドットのマーキングである。１つの半導体基板に、複数の１６×１６ドットまたは１８×１８ドットのマーキングが形成されていてもよい。

ドットマーキングを構成する各ドットの面積はより小さいことが好ましい。また、ドットマーキングを構成するドット同士の間隔は、できるだけ小さいことが好ましく、０であることがさらに好ましい。各ドットの面積を小さくして、かつドット同士の間隔を小さくすることによって、ドットマーキングが形成される領域（マーキング領域）を小さくする。ドットマーキングが形成される領域（マーキング領域）は、発電に寄与しないため、マーキング領域は小さい方が太陽電池セルとしての光電変換効率が高まるからである。

ドットマーキングが形成される領域（マーキング領域）は、半導体基板の表面の任意の位置であってよい。マーキングの読み取りが容易であり、マーキングによって半導体基板の品質が影響されず、かつマーキングが太陽電池セルの製造工程において消失したりしないように、マーキング領域を設定すればよい。これらの点から、マーキング領域は、半導体基板の表面の周縁部に配置され、好ましくはコーナー部に配置する。

図１ＡＢには、半導体基板の各コーナー部に、ドットマーキングを形成した状態を示す。図１Ａでは、半導体基板１０のテクスチャ面に、複数の窪みからなるデータマトリクスと呼ばれる２次元コード２０が印字されている。同様に、図１Ｂでは、半導体基板１０’の表面に、複数の窪みからなるデータマトリクスと呼ばれる２次元コート２０’が印字されている。マーキングとして、データマトリクス以外の２次元コード（ＱＲコード、ＰＤＦ４１７など）が表記されてもよく、１次元バーコードなどが表記されてもよい。

２次元コード２０および２０’は、それぞれ矩形の領域（マーキング領域）内に配置されている。マーキング領域の面積は、０．２５〜９ｍｍ^２であることが好ましく、例えば約１ｍｍ^２であることが好ましい。矩形のマーキング領域に、１６×１６ドット，１８×１８ドットまたは８×３２ドットのマーキングが形成されていることが好ましい。

２次元コード２０および２０’が配置されたマーキング領域の辺は、半導体基板１０および１０’の四辺に対して平行ではなく、４５°傾いている。また、半導体基板１０’のコーナー部の一部はカットされている。

マーキング領域は、半導体基板の表面のうち、発電に寄与しない、あるいは寄与する程度が低い位置に配置されていることが好ましい。また、マーキング領域の面積は、できるだけ小さいことが好ましい。

ドットマーキングを構成する窪みは、光学式読み取り装置による読み取り精度が高いことが求められる。そのため、本発明の太陽電池セルに含まれる半導体基板のテクスチャ面のうち、マーキング領域２０または２０’（図１ＡＢ参照）には透明電極膜が製膜されていない。透明電極膜が製膜されていると、窪みからなるマーキングとそれ以外の部位とのコントラストが低くなり、読み取り精度が低下する恐れがある。

一方、本発明の太陽電池セルに含まれる半導体基板のテクスチャ面のうち、マーキング領域２０または２０’とその周辺以外の領域のほぼ全面に、透明電極膜が製膜されていることが好ましい。太陽電池セルの光電変換効率が向上するからである。

図２ＡＢＣは、半導体基板のテクスチャ面の上面図であって、ドットマーキングが形成されたマーキング領域と、その周辺を示す模式図である。図２ＡＢＣに示されるように、半導体基板のテクスチャ面には、透明電極膜が製膜されている領域５０と、マーキング領域６０と、透明電極膜が製膜されている領域とマーキング領域とのギャップ（「マーキング領域の周辺部」ともいう）７０とが配置される。また、図２ＡＢに示されるように、透明電極膜の非製膜領域８０が配置されていてもよい。

半導体基板のテクスチャ面に配置されたギャップ７０の幅Ｗは小さい方が好ましいが；一方で、ドットマーキングの読み取り率を高めるためには、ギャップ７０の幅Ｗを一定以上とすることが好ましい。ギャップ７０の幅Ｗの好ましい値は、読み取り装置の性能によって異なるが、例えば、ギャップ７０の幅Ｗをドット径の３倍程度とすることが好ましく、例えば１５０μｍ〜３００μｍとすることが好ましい。このように、半導体基板のテクスチャ面におけるギャップ７０の幅を小さくすることで、透明電極膜が製膜されている領域５０の面積を大きくすることができ、太陽電池セルとしての光電変換効率を高めることができる。また、透明電極膜の非製膜領域８０（図２ＡＢ参照）も、できるだけ小さくすることが好ましい。透明電極膜が製膜されている領域５０の面積を大きくすることで、光電変換効率を高めるためである。つまり、図２Ａの態様よりも、図２Ｂの態様の方が、光電変換効率の向上という点から好ましい。

このように、本発明の太陽電池セルは、透明電極膜が製膜されていないマーキング領域を有しつつ、マーキング領域以外のテクスチャ面の多くに透明電極膜が製膜されている。そのため、本発明の太陽電池セルは、マーキング領域の少なくとも一部を含むテクスチャ面に透明電極膜を製膜したのち、マーキング領域に製膜された透明電極膜を除去することで製膜されることが好ましい。それにより、透明電極膜が製膜されていないマーキング領域を有しつつ、マーキング領域以外のテクスチャ面の多くに透明電極膜が製膜されている太陽電池セルが提供される。

マーキング領域とその周辺に製膜された透明電極膜は、レーザのスキャン照射によって除去されることが好ましい。レーザのスキャン照射によって、所望の位置の透明電極膜を精確に除去できる。また、マーキング領域とその周辺の半導体基板の表層をも除去されて平滑化される。

そのため、本発明の太陽電池セルに含まれる半導体基板において、マーキング領域とその周辺の半導体基板の表面は、前記透明電極膜が製膜された領域のテクスチャの頂点よりも低い。図３ＡＢＣは、半導体基板の断面であって、マーキング領域とその周辺を示す模式図である。図３ＡＢＣは、それぞれ、図２ＡＢＣに示される太陽電池セルの断面に相当する。

図３ＡＢＣに示されるように、半導体基板１０のテクスチャ面には、透明電極膜１００が製膜されている領域５０と、マーキング領域６０と、透明電極膜が製膜されている領域５０とマーキング領域６０とのギャップ（「マーキング領域６０の周辺部」ともいう）７０とが配置される。また、図３ＡＢに示されるように、透明電極膜の非製膜領域８０が配置されていてもよい。

図３ＡＢＣに示されるように、透明電極膜１００が製膜されている領域５０の半導体基板１０の表面には、テクスチャが形成されている。そして、マーキング領域６０とギャップ７０とには、透明電極膜１００が製膜されておらず、かつマーキング領域６０とギャップ７０の半導体基板の表面構造は、領域５０の半導体基板の表面のテクスチャと異なっている。具体的には、領域５０のテクスチャの頂点と比較して、マーキング領域６０とギャップ７０との半導体基板の表面の頂点は低くなっている。より典型的には、マーキング領域６０とギャップ７０の半導体基板の表面は、領域５０のテクスチャを構成する微細な突起構造を有していない。つまり、ギャップ７０の表面は平滑である。マーキング領域６０とギャップ７０に製膜された透明電極膜１００をレーザ照射によって除去するときに、それらの領域の半導体基板の表層も除去されるからであり；より典型的には、それらの領域に形成されていたテクスチャを構成する微細な突起を、レーザ照射によって消失させるからである。

２．太陽電池セルの製造方法について
本発明の太陽電池セルは、１）半導体基板の表面のマーキング領域に、レーザを照射して窪みを形成する工程と、２）前記マーキング領域を含む、前記半導体基板の表面に、テクスチャを形成する工程と、３）前記マーキング領域の少なくとも一部を含む、前記半導体基板の表面に、透明電極膜を製膜する工程と、４）前記マーキング領域にレーザを照射して、前記マーキング領域に製膜された透明電極膜と、前記マーキング領域の前記半導体基板の表層と、を除去する工程とを含む。製造しようとする太陽電池セルの構造に応じて、さらに他の工程が含まれていてもよい。

半導体基板は、太陽電池セルの半導体として用いられるものであればよいが、好ましくは単結晶シリコンウエハを含み、結晶方位（１００）の単結晶シリコンウエハを含むことが好ましい。単結晶シリコンウエハは、ｐ型またはｎ型にドーピングされていることが好ましい。

半導体基板の厚みは特に限定されず、最終的なデバイスに含まれる半導体基板の設定厚みにあわせて、所望厚みの半導体基板を用意すればよい。

半導体基板の表面に設けたマーキング領域にレーザを照射して窪みを形成する。窪みの形成のためのレーザは、特に限定されないが、Ｙｂ：ファイバーレーザ（波長１０６４ｎｍ，クラス４）や、グリーンレーザ（波長５３２ｎｍ）などでありうる。レーザの平均出力は、例えば５Ｗ〜１１Ｗでありうる。レーザ照射におけるスキャンスピードは、例えば１００ｍｍ/ｓ〜５００ｍｍ/ｓとすればよい。レーザ照射はパルス照射であってもよく、パルス周期は例えば５０μｓとすることができる。

レーザ照射により形成される窪みは、１または複数であることが好ましい。レーザ照射により形成される窪みの開口幅は約４５μｍとすることができ、窪み同士の間隔は約２０μｍとすることができる。

レーザ照射により形成される窪みは、ドットマーキングのドットを構成することが好ましい。半導体基板の表面のうち、レーザ照射により窪みが形成される領域を「マーキング領域」と称する。マーキング領域は、半導体基板の端部、好ましくはコーナー部に設定されることが好ましい。

図４ＡＢにはレーザ照射により形成された窪みが示される。図４Ａは、窪みが形成された半導体基板の表面の上面を示すＳＥＭ写真であり；図４Ｂは、窪みの断面（図４ＡのＡ−Ａ断面）を示す模式図である。

レーザ照射により形成される窪み３０の開口部の形状は、例えば図４Ａに示されるように円であるが、四角形などの矩形や他の形状であってもよい。また、レーザ照射によって形成された窪み３０は、図４Ｂに示されるようにバリ３５を有することがある。バリ３５を有する窪み３０からなるマーキングを、光学読み取り装置で読み取ろうとすると、マーキングと他の領域とのコントラストが低いために、読み取りが難しい。また、バリ３５を有する窪みが形成された半導体基版を積み重ねて保存または保管しようとすると、半導体基板にひびが入って割れてしまうことがある。

また、窪みを形成するためのレーザ照射によって、形成された窪みの周辺の半導体基板の表層が変質して着色することがある。窪みの周辺の着色も、光学読み取り装置でマーキングを読み取った場合に、マーキングと他の領域とのコントラストを低くし、読み取りを困難にすることがある。

そこで、レーザ照射により窪みが形成された領域（マーキング領域）に、再びレーザを照射（例えば、スキャン照射）してもよい。レーザのスキャン照射により、バリの除去および変質による着色した表層の除去を行うことができる。着色部位の除去とは、マーキング領域の半導体基板の表層（変質層）を昇華によって除去することであり得る。

バリの除去および着色した表層の除去のためのレーザ照射のレーザの種類は、窪みを形成するためのレーザ照射のレーザの種類と同様にすることができる。バリの除去などのためのレーザ照射のレーザの平均出力は、窪みを形成するためのレーザ照射のレーザの平均出力よりも小さくする。例えば、窪みを形成するためのレーザ照射のレーザの平均出力が８．５Ｗである場合に、バリの除去などのためのレーザ照射のレーザの平均出力は約３Ｗに設定することができる。

バリの除去などのためのレーザ照射はパルス照射であってもよく、パルス周期は例えば５μｓとすることができる。また、バリの除去などのためのレーザ照射はスキャン照射であってもよく、スキャンスピードは、例えば２０００ｍｍ/ｓとすることができる。また、スキャン照射におけるスキャンラインのラインピッチ幅は１５μｍとすることができる。

次に、窪みを形成された半導体基板の表面に、テクスチャを形成する。テクスチャは、半導体基板の表面（窪みが形成された面）の一部だけに形成されてもよいが、全面に形成されていることが好ましい。テクスチャは、例えばアルカリエッチャントによるウエットエッチングや、ガスによるドライエッチングなどにより形成される。半導体基板が結晶方位（１００）の単結晶シリコンウエハである場合には、水酸化カリウム水溶液で半導体基版の表面を処理することで、シリコンウエハ表面が異方的にエッチングされて、四角錐または四角錐台状の突起がシリコンウエハ表面に形成される。

次に、テクスチャ面に、アモルファスシリコン膜を製膜してもよい。アモルファスシリコン膜の導電型を、半導体基板の導電型と逆にすることで、半導体基板にＰＮ接合が形成される。

次に、透明電極膜を製膜する。透明電極膜は、ＩＴＯ膜（スズ添加酸化インジウム薄膜）、ＺｎＯ膜（酸化亜鉛薄膜）、ＳｎＯ_２膜（酸化スズ薄膜）などのＴＣＯ膜（透明導電膜）でありうるが、特に限定されない。ＴＣＯ膜は、一般的にスパッタ法などの物理気相成長法などで製膜されるが、特に限定されない。

ここで、透明電極膜は、半導体基板の表面（窪みが形成された面）の一部だけに形成されてもよく、全面に形成されてもよい。例えば、マーキング領域をマスクで被覆して、マーキング領域に透明電極膜が製膜されないようにしてもよい。マーキング領域に透明電極膜が製膜されると、光学読み取り装置によるマーキングの読み取りが困難になる場合があるからである。

一方で、マーキング領域をマスクで被覆して透明電極膜を製膜しても、マスクと半導体基板との隙間を介して、マーキング領域の一部に透明電極膜が製膜されてしまう。従って、マーキング領域への透明電極膜の製膜を確実に抑制するためには、マーキング領域よりも広い領域をマスクで被覆して、透明電極膜を製膜する必要があった。

ところが、マーキング領域よりも広い領域をマスクで被覆して透明電極膜を製膜すると、マーキング領域以外にも、透明電極膜が製膜されない領域が大きくなる。その結果、発電領域が減少し、太陽電池セルとしての光電変換効率が減少する。

そこで本発明は、マーキング領域の少なくとも一部と、マーキング領域以外の半導体基板表面とに、透明電極膜を製膜し；その後、マーキング領域に製膜された透明電極膜をレーザで除去する。レーザによる透明電極膜の除去は精密に行うことができ、除去すべき透明電極膜のみを選択的に除去することができる。それにより、マーキング領域に透明電極膜がなく、マーキング領域以外の領域には透明電極膜がある太陽電池セルを提供することができる。

また、マーキング領域に製膜された透明電極膜をレーザで除去するときに、マーキング領域の半導体基板の表層をも除去することが好ましい。前述の通り、半導体基板の表面に窪みを形成するときに、マーキング領域の半導体の表層が変質して着色することがある。この変質した表層を、透明電極膜とともに、レーザで除去することが好ましいからである。

また、マーキング領域に製膜された透明電極膜をレーザで除去するときに、マーキング領域の周辺に製膜された透明電極膜、およびマーキング領域の周辺の半導体基板の表層をも除去することが好ましい。

透明電極膜の除去および半導体基板の表層の除去などのためのレーザ照射の条件は、前述のバリの除去などのためのレーザ照射と同様の条件とすることができる。

図５ＡＢＣは、レーザ照射によって透明導電膜と表層とを除去する前の太陽電池セルの上面図（図５Ａ）と、マーキング領域の拡大上面図（図５Ｂ）と、マーキング領域の断面図（図５Ｃ）である。一方、図６ＡＢＣは、レーザ照射によって透明導電膜と表層とを除去した太陽電池セルの上面図（図６Ａ）と、マーキング領域の拡大上面図（図６Ｂ）と、マーキング領域の断面図（図６Ｃ）である。

図５ＡＢＣに示される太陽電池セルは、テクスチャ面を有する半導体基板１０と、テクスチャ面に形成された窪み３０と、透明導電膜１００と、を有する。透明導電膜１００は、窪み３０にも製膜されている。図５ＡＢＣでは、全ての窪み３０に透明導電膜１００が製膜されているが、一部の窪み３０に製膜されていてもよい。

図５ＡＢＣに示される太陽電池セルの透明電極膜の一部をレーザ照射によって除去して、図６ＡＢＣに示される太陽電池セルを得る。具体的には、窪み３０に製膜されている透明導電膜１００と、窪み３０の周辺に製膜されている透明導電膜１００とを除去する。窪み３０に製膜されている透明導電膜１００を除去することで、マーキング領域６０（図３Ｃ参照）が形成され、窪み３０の周辺に製膜されている透明導電膜１００を除去することで、平滑化された表面を有するギャップ７０が形成される。

本発明の太陽電池セルの半導体基板には、読み取り率が高い窪みからなるマーキングが形成されているので、太陽電池セルおよび太陽電池の製造工程における管理が容易である。さらには、半導体基板のテクスチャ面の、マーキング領域以外の領域の多くに、透明電極膜が製膜されているので、太陽電池セルとしての光電変換効率が高い。

１０，１０’ 半導体基板
２０，２０’ ２次元コード
３０ 窪み
３５ バリ
５０ 透明電極が製膜されている領域
６０ マーキング領域
７０ ギャップ
８０ 非製膜領域
１００ 透明電極膜

Claims (6)

1. テクスチャ面を有する半導体基板と、前記テクスチャ面に製膜された透明電極膜と、前記テクスチャ面に形成された窪みからなるマーキングを有するマーキング領域と、を有する太陽電池セルであって、
   前記マーキング領域とその周辺部に前記透明電極膜は製膜されておらず、かつ
   前記マーキング領域とその周辺部の半導体基板表面の高さは、前記透明電極膜が製膜された領域の半導体基板の高さよりも低い、太陽電池セル。
2. 前記マーキング領域の周辺部の半導体基板表面は平滑である、請求項１に記載の太陽電池セル。
3. 前記マーキング領域は、前記半導体基板のコーナー部に配置される、請求項１に記載の太陽電池セル。
4. 前記マーキング領域に、複数の前記マーキングを有し、かつ複数の前記マーキングは、ドットマーキングを構成する、請求項１に記載の太陽電池セル。
5. 半導体基板の表面のマーキング領域に、レーザを照射して窪みを形成する工程と、
   前記マーキング領域を含む前記半導体基板の表面に、テクスチャを形成する工程と、
   前記マーキング領域の少なくとも一部を含む前記半導体基板の表面に、透明電極膜を製膜する工程と、
   前記マーキング領域にレーザを照射して、前記マーキング領域に製膜された透明電極膜と、前記マーキング領域の前記半導体基板の表層と、を除去する工程と、
   を含む、太陽電池セルの製造方法。
6. 前記マーキング領域の周辺にレーザを照射して、前記マーキング領域の周辺に製膜された透明電極膜と、前記マーキング領域の周辺の前記半導体基板の表層と、を除去する工程を、さらに含む、請求項５に記載の太陽電池セルの製造方法。