JP2015002342A - 有機半導体及びその用途、並びに半導体層形成用インク - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 426
- -1 application thereof Substances 0.000 title description 46
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 131
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 97
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims abstract description 63
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract description 50
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 21
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 198
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 32
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 17
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 29
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 15
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 12
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 303
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 59
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 45
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 42
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 40
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 description 33
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- YWIGIVGUASXDPK-UHFFFAOYSA-N 2,7-dioctyl-[1]benzothiolo[3,2-b][1]benzothiole Chemical compound C12=CC=C(CCCCCCCC)C=C2SC2=C1SC1=CC(CCCCCCCC)=CC=C21 YWIGIVGUASXDPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 22
- 230000006870 function Effects 0.000 description 17
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 12
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 11
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 5
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 5
- HNFMOSLTQUENEH-UHFFFAOYSA-N 1-fluoropentacene Chemical compound C1=CC=C2C=C(C=C3C(C=C4C=CC=C(C4=C3)F)=C3)C3=CC2=C1 HNFMOSLTQUENEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- SZNYYWIUQFZLLT-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(2-methylpropoxy)propane Chemical compound CC(C)COCC(C)C SZNYYWIUQFZLLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KUJYDIFFRDAYDH-UHFFFAOYSA-N 2-thiophen-2-yl-5-[5-[5-(5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene Chemical compound C1=CSC(C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC=CC=2)=C1 KUJYDIFFRDAYDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000000475 acetylene derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 2
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002174 soft lithography Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KUGBQWBWWNPMIT-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluoropentan-1-ol Chemical compound CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(O)(F)F KUGBQWBWWNPMIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COWKRCCNQSQUGJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3-pentafluoropropan-1-ol Chemical compound OC(F)(F)C(F)(F)CF COWKRCCNQSQUGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000530 1-propynyl group Chemical group [H]C([H])([H])C#C* 0.000 description 1
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- UFQDRJSFCWDIGH-UHFFFAOYSA-N 2,7-didecyl-[1]benzothiolo[3,2-b][1]benzothiole Chemical compound C12=CC=C(CCCCCCCCCC)C=C2SC2=C1SC1=CC(CCCCCCCCCC)=CC=C21 UFQDRJSFCWDIGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTUMEQIMGZHVQW-UHFFFAOYSA-N 2,7-dihexyl-[1]benzothiolo[3,2-b][1]benzothiole Chemical compound C12=CC=C(CCCCCC)C=C2SC2=C1SC1=CC(CCCCCC)=CC=C21 GTUMEQIMGZHVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCMASTUHHXPVGT-UHFFFAOYSA-N 2-hexyl-5-[5-[5-[5-[5-(5-hexylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene Chemical compound S1C(CCCCCC)=CC=C1C1=CC=C(C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC(CCCCCC)=CC=2)S1 QCMASTUHHXPVGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical class C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical group [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- LLJZKKVYXXDWTB-UHFFFAOYSA-N acetic acid;sodium Chemical compound [Na].[Na].CC(O)=O LLJZKKVYXXDWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 125000005997 bromomethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 125000004030 farnesyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])=C(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])=C(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002350 geranyl group Chemical group [H]C([*])([H])/C([H])=C(C([H])([H])[H])/C([H])([H])C([H])([H])C([H])=C(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003696 structure analysis method Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical group [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000002061 vacuum sublimation Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
で表される化合物を、半導体材料として電界効果トランジスタに用いることが記載されている。
で表される2種類以上の異なる化合物を含有する固溶体であることを特徴としている。
で表される化合物が好ましい。
次に、上記一般式(1)で表される化合物について、以下に詳細に説明する。
上記一般式(1)で表される化合物は、例えば、K. Takimiya, et al., J. Am. Chem. Soc., 2006, 128, pp 3044-3050に記載の公知の方法により合成することができる。また、上記一般式(1)で表される化合物は、例えば国際公開第2006/077888号に記載の方法に準じて得ることもできる。
で表される化合物、例えば上記一般式(2)においてXがヨウ素原子である化合物を原料として、この化合物にアセチレン誘導体を作用させてカップリング反応を行うことにより、下記一般式(3)
で表される化合物を得ることができる。上記一般式(3)で表される化合物は、上記一般式(1)で表される化合物のうちで、R1又はR2がベンゼン環と共役する位置に炭素−炭素三重結合を有する炭素数3以上のアルキニル基(ただしハロゲン原子を有していてもよい)である場合に相当する。したがって、この場合の一般式(1)で表される化合物は、上記カップリング反応により得ることができる。
本発明の半導体層は、本発明の有機半導体からなる。
本発明の電界効果トランジスタ(Field effect transistor、以下「FET」と略することがある)は、本発明の有機半導体からなる半導体層を含むものである。本発明の電界効果トランジスタは、より詳細には、本発明の有機半導体からなる半導体層を含む少なくとも1つの半導体層と、該半導体層に接して互いに離間するように配設された2つの電極、すなわちソース電極及びドレイン電極と、上記半導体層におけるソース電極に接する表面とドレイン電極に接する表面との間の領域(チャネル領域)に対向するように配設されたゲート電極と呼ばれるもう1つの電極とを備え、ソース電極及びドレイン電極間に流れる電流を、ゲート電極に印加する電圧によって制御するものである。
次に、本発明の電界効果トランジスタの製造方法について、図1(a)に示す態様例のボトムコンタクト−ボトムコンタクト型の電界効果トランジスタ(FET)10Aを例として、図2に基づき以下に説明する。
電界効果トランジスタ10Aの製造方法では、まず基板6を用意し(図2(a)参照)、基板6上に必要な各種の層や電極を設けることで電界効果トランジスタ10Aを作製する。基板6としては、前述したものが使用できる。この基板6上に前述の表面処理などを行うことも可能である。基板6の厚みは、必要な機能を妨げない範囲で薄い方が好ましい。基板6の厚みは、基板6を構成する材料によっても異なるが、通常は1μm〜10mmであり、好ましくは5μm〜5mmである。また、必要により、基板6に電極の機能を持たせるようにしてもよい。
次に、基板6上にゲート電極5を形成する(図2(b)参照)。ゲート電極5を形成する方法としては、各種の方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、熱転写法、印刷法、ゾルゲル法等を採用できる。ゲート電極5を構成する材料(電極材料)の層を形成する時、又はその層を形成した後に、必要に応じて所望の形状になるよう層をパターニングするのが好ましい。層のパターニングの方法としても、各種の方法を用いうるが、例えば、フォトレジストのパターニングとエッチングとを組み合わせたフォトリソグラフィー法等が挙げられる。また、インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法;マイクロコンタクトプリンティング法等のソフトリソグラフィーの手法;又はこれら手法を複数組み合わせた手法を利用して、層をパターニングすることも可能である。ゲート電極5の厚みは、ゲート電極5を構成する材料によっても異なるが、通常は0.1nm〜10μmであり、好ましくは0.5nm〜5μmであり、より好ましくは1nm〜3μmである。また、単一の導電性基板がゲート電極5と基板6とを兼ねる場合には、その単一の導電性基板の厚みは、上述したゲート電極5の厚みの範囲より厚くてもよい。
次に、ゲート電極5上に絶縁体層4を形成する(図2(c)参照)。絶縁体層4の形成には、各種の方法を用いることができる。絶縁体層4の形成に用いることができる方法としては、例えば、スピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、キャスト、バーコート、ブレードコーティング等の塗布法;スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット等の印刷法;真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法、CVD(化学蒸着)法等のドライプロセス法等の各種の方法が挙げられる。、絶縁体層4の形成方法として、その他、ゾルゲル法や、アルミニウム上にアルマイトを形成する方法のように金属の表層を酸化して酸化物膜を形成する方法等も採用できる。
次に、絶縁体層4上にソース電極1及びドレイン電極3を形成する(図2(d)参照)。ソース電極1及びドレイン電極3の形成方法等は、ゲート電極5の形成方法等に準じたものとすることができる。
次に、絶縁体層4の上面における露出している部分、ソース電極1の上面の一部、及びドレイン電極3の上面の一部の上に、半導体層2を形成する(図2(e)参照)。半導体層2を形成するにあたっては、前述した半導体層の形成方法を用いることができる。この工程では、半導体層2が形成される物体(被着物)は、図2(d)に示す、ソース電極1、ドレイン電極3、絶縁体層4、ゲート電極5、及び基板6で構成されるものであり、半導体層2が形成される表面(被着面)は、絶縁体層4の上面における露出している部分、ソース電極1の上面の一部、及びドレイン電極3の上面の一部である。
このようにして形成された半導体層2は、後処理によりさらに特性を改良することが可能である。例えば、半導体層2の後処理として熱処理を行うことにより、半導体層2の半導体特性の向上や安定化を図ることができる。この理由は、半導体層2の形成時に生じた半導体層2中の歪みが緩和されること、半導体層2中のピンホール等が低減されること、半導体層2中の分子の配列・配向が制御できると考えられていること等による。
上述した半導体層2を形成する工程で電界効果トランジスタ10Aが完成する(図2(e)参照)が、必要に応じて、半導体層2の形成後に半導体層2上に保護層7を形成してもよい。半導体層2上に保護層7を形成すると、外気の影響を最小限にでき、また、有機電界効果トランジスタ10Aの電気的特性を安定化できるという利点がある。
本発明に係る、前記一般式(1)で表される2種類以上の異なる化合物を含有する固溶体である有機半導体は、電界効果トランジスタ以外の有機エレクトロニクスデバイスにも利用できる。本発明の有機エレクトロニクスデバイスは、本発明に係る、前記一般式(1)で表される2種類以上の異なる化合物を含有する固溶体である有機半導体からなる半導体層を含んでいる。電界効果トランジスタ以外の有機エレクトロニクスデバイスとしては、有機エレクトロニクスデバイスとしては、例えば、光電変換素子、有機太陽電池、有機EL素子、有機発光トランジスタ素子、有機半導体レーザー素子等が挙げられる。
(半導体層形成用インクの作製)
2,7−ジヘキシル[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(表1の化合物番号12の化合物;以下「C6−BTBT」と呼ぶ)0.75質量部と、2,7−ジオクチル[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(表1の化合物番号16の化合物;以下「C8−BTBT」と呼ぶ)0.25質量部とをトルエン99質量部に溶解させることにより、C6−BTBT75質量%及びC8−BTBT25質量%で構成される混合物(有機半導体)を1質量%の濃度で含むトルエン溶液を半導体層形成用インクとして作製した。
本実施例では、前述した図1(a)に示すボトムコンタクト−ボトムゲート型の電界効果トランジスタ10Aの一例に係る電界効果トランジスタを作製した。
(半導体層形成用インクの作製)
C8−BTBT0.50質量部と、2,7−ジデシル[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(表1の化合物番号18の化合物;以下「C10−BTBT」と呼ぶ)0.50質量部とをトルエン99質量部に溶解させることにより、C8−BTBT50質量%及びC10−BTBT50質量%で構成される混合物(有機半導体)を1質量%の濃度で含むトルエン溶液を半導体層形成用インクとして作製した。
ここで得られた半導体層形成用インクを用いること以外は、実施例1と同様にして、ボトムコンタクト−ボトムゲート型の電界効果トランジスタを作製した。この電界効果トランジスタの有機半導体薄膜は、後述するように面外X線回折スペクトルより固溶体であることが確認された。
(半導体層形成用インクの作製)
C6−BTBT1.0質量部をトルエン99質量部に溶解させることにより、C6−BTBTを1質量%の濃度で含むトルエン溶液を半導体層形成用インクとして作製した。
ここで得られた半導体層形成用インクを用いること以外は、実施例1と同様にして、ボトムコンタクト−ボトムゲート型の電界効果トランジスタを作製した。得られた電界効果トランジスタの特性を実施例1と同様にして測定したところ、本例の電界効果トランジスタは、キャリア移動度(正孔移動度)が0.11cm2/V・sであり、閾値電圧が−14Vであり、オン/オフ比が107であった。
C6−BTBTに代えてC8−BTBTを用いること以外は比較例1と同様にして、半導体層形成用インクを作製しボトムコンタクト−ボトムゲート型の電界効果トランジスタを作製した。得られた電界効果トランジスタの特性を実施例1と同様にして測定したところ、本例の電界効果トランジスタは、キャリア移動度(正孔移動度)が0.20cm2/V・sであり、閾値電圧が−9Vであり、オン/オフ比が105であった。
C6−BTBTに代えてC10−BTBTを用いること以外は比較例1と同様にして、半導体層形成用インクを作製しボトムコンタクト−ボトムゲート型の電界効果トランジスタを作製した。得られた電界効果トランジスタの特性を実施例1と同様にして測定したところ、本例の電界効果トランジスタは、キャリア移動度(正孔移動度)が0.21cm2/V・sであり、閾値電圧が−9Vであり、オン/オフ比が107であった。
(半導体層形成用インクの作製)
実施例1と同様にして、半導体層形成用インクを作製した。
本実施例では、前述した図1(b)に示すトップコンタクト−ボトムゲート型の電界効果トランジスタ10Bの一例に係る電界効果トランジスタを作製した。
(半導体層形成用インクの作製)
C8−BTBT及びC10−BTBTの使用量を変更する以外は実施例2と同様にして、C8−BTBT75質量%及びC10−BTBT25質量%で構成される有機半導体を含む半導体層形成用インクを作製した。
ここで得られた半導体層形成用インクを用いること以外は、実施例3と同様にして、トップコンタクト−ボトムゲート型の電界効果トランジスタを作製した。この電界効果トランジスタの有機半導体薄膜は、後述するように面外X線回折スペクトルより固溶体であることが確認された。
(半導体層形成用インクの作製)
比較例1と同様にして、半導体層形成用インクを作製した。
ここで得られた半導体層形成用インクを用いること以外は、実施例3と同様にして、トップコンタクト−ボトムゲート型の電界効果トランジスタを作製した。得られた電界効果トランジスタの特性を実施例1と同様にして測定したところ、本例の電界効果トランジスタは、キャリア移動度(正孔移動度)が1.1cm2/V・sであり、閾値電圧が−34Vであり、オン/オフ比が106であった。
C6−BTBTに代えてC8−BTBTを用いること以外は比較例4と同様にして、半導体層形成用インクを作製しトップコンタクト−ボトムゲート型の電界効果トランジスタを作製した。得られた電界効果トランジスタの特性を実施例1と同様にして測定したところ、本例の電界効果トランジスタは、キャリア移動度(正孔移動度)が0.28cm2/V・sであり、閾値電圧が−28Vであり、オン/オフ比が104であった。
C6−BTBTに代えてC10−BTBTを用いること以外は比較例4と同様にして、半導体層形成用インクを作製しトップコンタクト−ボトムゲート型の電界効果トランジスタを作製した。得られた電界効果トランジスタの特性を実施例1と同様にして測定したところ、本例の電界効果トランジスタは、キャリア移動度(正孔移動度)が0.30cm2/V・sであり、閾値電圧が−20Vであり、オン/オフ比が104であった。
(半導体層形成用インクの作製)
C6−BTBT及びC8−BTBTの使用量を変更する以外は実施例1と同様にして、C6−BTBT50質量%及びC8−BTBT50質量%で構成される有機半導体を含む半導体層形成用インクを作製した。
ここで得られた半導体層形成用インクを用いること以外は、実施例1と同様にして、ボトムコンタクト−ボトムゲート型の電界効果トランジスタを作製した。この電界効果トランジスタの有機半導体薄膜は、後述するように面外X線回折スペクトルより固溶体であることが確認された。
(半導体層形成用インクの作製)
C8−BTBT及びC10−BTBTの使用量を変更する以外は実施例4と同様にして、C8−BTBT50質量%及びC10−BTBT50質量%で構成される有機半導体を含む半導体層形成用インクを作製した。
ここで得られた半導体層形成用インクを用いること以外は、実施例4と同様にして、トップコンタクト−ボトムゲート型の電界効果トランジスタを作製した。この電界効果トランジスタの有機半導体薄膜は、後述するように面外X線回折スペクトルより固溶体であることが確認された。
(半導体層形成用インクの作製)
C8−BTBT及びC10−BTBTの使用量を変更する以外は実施例4と同様にして、C8−BTBT25質量%及びC10−BTBT75質量%で構成される有機半導体を含む半導体層形成用インクを作製した。
ここで得られた半導体層形成用インクを用いること以外は、実施例4と同様にして、トップコンタクト−ボトムゲート型の電界効果トランジスタを作製した。この電界効果トランジスタの有機半導体薄膜は、後述するように面外X線回折スペクトルより固溶体であることが確認された。
(半導体層形成用インクの作製)
C6−BTBT0.50質量部と、C10−BTBT0.50質量部とをトルエン99質量部に溶解させることにより、C6−BTBT50質量%及びC10−BTBT50質量%で構成される混合物(有機半導体)を1質量%の濃度で含むトルエン溶液を半導体層形成用インクとして作製した。
ここで得られた半導体層形成用インクを用いること以外は、実施例1と同様にして、ボトムコンタクト−ボトムゲート型の電界効果トランジスタを作製した。この電界効果トランジスタの有機半導体薄膜は、後述するように面外X線回折スペクトルより、固溶体でなく、相分離していることが確認された。
全ての実施例に係る有機半導体薄膜及び比較例7に係る有機半導体薄膜について、面外X線回折スペクトルを測定した。
2 半導体層
3 ドレイン電極
4 絶縁体層
5 ゲート電極
6 基板
7 保護層
10A〜10E 電界効果トランジスタ
Claims (12)
- トランジスタ用のp型の有機半導体であって、
固溶体であることを特徴とするトランジスタ用の有機半導体。 - 請求項1に記載のトランジスタ用の有機半導体であって、
正孔移動度が0.01cm2/V・s以上であることを特徴とするトランジスタ用の有機半導体。 - 請求項3に記載の有機半導体であって、
上記一般式(1)中のR1及びR2がそれぞれ独立に炭素数1〜36のアルキル基であることを特徴とする有機半導体。 - 請求項3又は4に記載の有機半導体であって、
上記ハロゲン原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基が、ハロゲン原子を有していてもよい直鎖又は分岐鎖の脂肪族炭化水素基であり、
上記一般式(1)で表される2種類以上の化合物に含まれる直鎖又は分岐鎖の脂肪族炭化水素基の鎖長は、最長の鎖長と最短の鎖長との差が4未満であることを特徴とする有機半導体。 - 請求項3〜5の何れか1項に記載の有機半導体であって、
上記一般式(1)で表される鎖長の異なる直鎖又は分岐鎖の脂肪族炭化水素基を有する2種類の異なる化合物を含有する固溶体であり、
鎖長がより短い直鎖又は分岐鎖の脂肪族炭化水素基を有する化合物を30〜85質量%含むことを特徴とする有機半導体。 - 請求項1〜6の何れか1項に記載の有機半導体からなることを特徴とする半導体層。
- 請求項7記載の半導体層の形成に使用する半導体層形成用インクであって、
上記固溶体を構成する2種類以上の異なる化合物と、
溶媒とを含むことを特徴とする半導体層形成用インク。 - 半導体層を形成しようとする表面上に、請求項8に記載の半導体層形成用インクを塗布し、乾燥させることを特徴とする半導体層の形成方法。
- 請求項3〜6の何れか1項に記載の有機半導体からなる半導体層を含むことを特徴とする有機エレクトロニクスデバイス。
- 請求項7に記載の半導体層を含むことを特徴とする電界効果トランジスタ。
- 請求項11記載の電界効果トランジスタの製造方法であって、
前記半導体層を形成する第1の工程と、
第1の工程の後に半導体層を熱処理する第2の工程とを含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013127927A JP6214938B2 (ja) | 2013-06-18 | 2013-06-18 | 有機半導体及びその用途、並びに半導体層形成用インク |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013127927A JP6214938B2 (ja) | 2013-06-18 | 2013-06-18 | 有機半導体及びその用途、並びに半導体層形成用インク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015002342A true JP2015002342A (ja) | 2015-01-05 |
JP6214938B2 JP6214938B2 (ja) | 2017-10-18 |
Family
ID=52296661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013127927A Active JP6214938B2 (ja) | 2013-06-18 | 2013-06-18 | 有機半導体及びその用途、並びに半導体層形成用インク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6214938B2 (ja) |
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CN108701768A (zh) * | 2016-02-29 | 2018-10-23 | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 | 有机半导体组合物及包含其的有机薄膜、与其用途 |
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---|---|
JP6214938B2 (ja) | 2017-10-18 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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