JP2014525668A - Rfmemsのアイソレーション、直列及びシャントdvc、及び小型のmems - Google Patents
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Abstract
Description
基板と、
上記基板上に配置された1つ以上のセルと、
各セルに配置された1つ以上のMEMSデバイスと、
上記基板及び上記1つ以上のセルの間に配置された1つ以上の抵抗器を含む。
ビット0:1×35セル=35個のMEMSデバイス=1×LSB;
ビット1:1×69セル=69個のMEMSスイッチ=2×LSB;
ビット2:2×69セル=138個のMEMSデバイス=4×LSB;
ビット3:4×52セル+1x69セル=277個のMEMSデバイス=8xLSB。
これは、複数のセルに適切にグループ化された小さなサイズのMEMS容量性スイッチを使用することが、目標のサイズを有し、優れたRF性能を備えたディジタル可変キャパシタを生成する際の、どれほど重要かつ新規なステップであるかということを示す。
Claims (21)
- 基板と、
上記基板上に配置された1つ以上のセルと、
各セルに配置された1つ以上のMEMSデバイスと、
上記基板及び上記1つ以上のセルの間に配置された1つ以上の抵抗器とを備える半導体デバイス。 - 各セルはプルダウン電極及びプルアップ電極のうちの1つ以上をさらに備える請求項1記載の半導体デバイス。
- 上記プルダウン電極及び上記プルアップ電極のうちの1つ以上に、1つ以上の抵抗が電気的に接続される請求項2記載の半導体デバイス。
- 上記半導体デバイスは、各セル内に配置されたRF電極をさらに備え、
各MEMSデバイスは、上記RF電極から第1の距離にわたって離隔した第1の位置と、上記RF電極から上記第1の距離とは異なる第2の距離にわたって離隔した第2の位置とから移動可能なスイッチング素子を備える請求項3の半導体デバイス。 - 少なくとも1個のセルの上記RF電極は、セルの中心から上記セルのエッジに向かって次第に細くなる形状を有する請求項4記載の半導体デバイス。
- 各セルはプルダウン電極及びプルアップ電極を備え、
上記プルダウン電極に第1の抵抗が接続され、上記プルアップ電極に第2の抵抗が接続される請求項1記載の半導体デバイス。 - 各セルはRF電極を備える請求項6記載の半導体デバイス。
- 第1のセルは、第1のサイズを有する第1のRF電極を備え、
第2のセルは、上記第1のサイズとは異なる第2のサイズを有する第2のRF電極を備える請求項7記載の半導体デバイス。 - 上記第1のセルは、第1の個数のMEMSデバイスを有し、上記第2のセルは、上記第1の個数のMEMSデバイスとは異なる第2の個数のMEMSデバイスを有する請求項8の半導体デバイス。
- 各セルはRF電極を備える請求項1記載の半導体デバイス。
- 第1のセルは、第1のサイズを有する第1のRF電極を備え、
第2のセルは、上記第1のサイズとは異なる第2のサイズを有する第2のRF電極を備える請求項10記載の半導体デバイス。 - 上記第1のセルは、第1の個数のMEMSデバイスを有し、上記第2のセルは、上記第1の個数のMEMSデバイスとは異なる第2の個数のMEMSデバイスを有する請求項11の半導体デバイス。
- 上記半導体デバイスは、各セル内に配置されたRF電極をさらに備え、
各MEMSデバイスは、上記RF電極から第1の距離にわたって離隔した第1の位置と、上記RF電極から上記第1の距離とは異なる第2の距離にわたって離隔した第2の位置とから移動可能なスイッチング素子を備える請求項1の半導体デバイス。 - 少なくとも1個のセルの上記RF電極は、セルの中心から上記セルのエッジに向かって次第に細くなる形状を有する請求項13記載の半導体デバイス。
- 少なくとも1個のセルの上記RF電極は、2つ以上の異なるMEMSデバイスに対応する2つ以上の異なる幅を有する請求項13記載の半導体デバイス。
- 1つ以上の抵抗はポリ抵抗を備える請求項1記載の半導体デバイス。
- 上記基板及び上記1つ以上のセルの間に配置された1つ以上の金属化層をさらに備える請求項1記載の半導体デバイス。
- 半導体デバイスを動作させる方法において、上記方法は、
CMOS構造物上に配置された複数のセルを制御することを含み、
各セルは、複数のMEMSデバイスをそこに有し、RF電極を有し、
上記複数のセルのうちの第1のセルは、第1の幅及び第1の容量を有する第1のRF電極を有し、
上記複数のセルのうちの第2のセルは、上記第1の幅とは異なる第2の幅及び上位k第1の容量とは異なる第2の容量を有する第2のRF電極を有し、
制御することは、
上記半導体デバイスの合計容量を増加させるように上記第1のセル内に存在するスイッチを動かすことと、
上記半導体デバイスの合計容量を増加させるように上記第2のセル内に存在するスイッチを動かすことと、
上記半導体デバイスの合計容量を減少させるように上記第2のセル内に存在するスイッチを動かすことと、
上記半導体デバイスの合計容量を減少させるように上記第1のセル内に存在するスイッチを動かすこととを順次に行う方法。 - 半導体デバイスを較正する方法において、
上記半導体デバイスの複数の第1のセルに第1のビット値を割り当てることと、
各セルは、複数のMEMSデバイス及び1つのRF電極を有し、
上記半導体デバイスの1つ以上の第2のセルに第2のビット値を割り当てることとを含み、
上記第2のビット値は上記第1のビット値とは異なり、上記1つ以上の第2のセルのそれぞれは、上記複数の第1のセルより小さなサイズを有する方法。 - 上記複数の第1のセルのうちの少なくとも1つのセルにおけるMEMSデバイスを移動させることをさらに含む請求項19記載の方法。
- 上記方法は、
上記半導体デバイスの合計容量値を検出することと、
上記複数の第1のセルのうちの少なくとも1つのセルにおける上記MEMSデバイスを移動させることと、
上記移動は予め定義された周波数に基づいて行われる請求項19記載の方法。
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