JP2014517425A - Slc/mlc混成メモリのブロック管理構成 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
あるメモリシステム、例えば、フラッシュベースのソリッドステートドライブ(SSD)では、あるメモリエリアが、メモリの他部分に比して低い記憶密度でデータを保持するように構成される。例えば、低密度エリアは、メモリセル当たり単一ビットを保持するように構成され(単一レベルセル−SLC−構成と称され)、そして高密度エリアは、メモリセル当たり多数のビットを保持するように構成される(多レベルセル−MLC−構成と称される)。記憶密度の差は種々の仕方で具現化されるが、低密度及び高密度エリアは、ここでは、一般的に、各々、SLC及びMLCエリアと称される。
図1は、本発明の一実施形態によるメモリシステム20を概略的に示すブロック図である。このシステム20は、種々のホストシステム及び装置、例えば、コンピューティング装置、セルラー電話又は他の通信ターミナル、除去可能なメモリモジュール(時々「USBフラッシュ装置」とも称される)、ソリッドステートディスク(SSD)、デジタルカメラ、音楽及び他のメディアプレーヤ、及び/又はデータが記憶され検索される他のシステム又は装置に使用される。
幾つかの実施形態において、メモリブロック30は、単一レベルセル(SLC)エリア34及びマルチレベルセル(MLC)エリア36へ区画化される。エリア34及び36は、互いに記憶密度が異なり、即ちデータを記憶するのに使用されるメモリセル当たりのビット数が異なり、MLCエリア36の記憶密度は、SLCエリア34より高い。幾つかの実施形態において、SLCエリア34のメモリセルは、メモリセル当たり単一ビットを保持し(例えば、2つの考えられるプログラミングレベルへプログラムすることにより)、一方、MLCエリア36のメモリセルは、セル当たり多数のビットを保持する(例えば、3つ以上の考えられるプログラミングレベルへプログラムすることにより)。或いは又、エリア34のメモリセルは、エリア36のメモリセルより低い、他の適当な記憶密度を有してもよい。
メモリコントローラ40は、望ましい数のブロック30を、SLCエリア34又はMLCエリア36のスペアブロックとして働くように割り当てる。更に、メモリコントローラは、あるエリアにおけるスペアブロックの数を、他のエリアを犠牲にして、増加するために、あるエリアから別のエリアへデータをコピーする。
幾つかの実施形態において、メモリコントローラ40のプロセッサ48は、SLCエリア34においてコンパクト化(ガーベージコレクション)プロセスを実行する。コンパクト化プロセスは、エリア34において有効データ及び無効データの両方を含む1つ以上のブロック30を選択し、有効データを他の記憶位置(SLCエリア34及び/又はMLCエリア36における)へコピーし、次いで、それらのブロックを消去する。
■コンパクト化のためにSLCブロックを選択する。
■選択されたSLCブロックからのデータの少なくとも幾つかを、MLCエリアにおけるそのデータのターゲット論理的アドレスへコピーする。この動作は、SLCエリアの他のブロックからの付加的なデータをMLCエリアへコピーすることを含む。というのは、選択されたMLCブロックのデータが、MLCエリアへ総括的にコピーされるべきマッピング単位(この例では論理的MLCブロック)に属するからである。
■選択されたブロックの残りのデータを、SLCエリアの別の位置(例えば、オープンブロック)へコピーする。
24:メモリ装置
28:メモリセルアレイ
30:メモリブロック
36:読み取り/書き込み(R/W)ユニット
40:メモリコントローラ
44:インターフェイス
48:プロセッサ
52:ホスト
Claims (30)
- データを記憶する方法において、
多数のアナログメモリセルがブロックに配列されたメモリにデータを記憶し、ブロックの第1サブセットは、第1の記憶密度で第1のデータを記憶するように定義され、そしてブロックの第2サブセットは、前記第1の記憶密度より高い第2の記憶密度で第2のデータを記憶するように定義され、
前記第1及び第2の各サブセットにおいて、1つ以上のブロックをスペアブロックとして働くように割り当て、欠陥となったブロックをスペアブロックと置き換え、
前記第2のサブセットにおけるスペアブロックの数が既定スレッシュホールドより少なくなったことを検出すると、前記第2のサブセットにおける少なくとも1つのブロックから前記第1のサブセットへデータをコピーし、前記少なくとも1つのブロックを前記第2のサブセットのスペアブロックに追加する、
ことを含む方法。 - 前記データを記憶することは、メモリセル当たり第1の数のプログラミングレベルを使用して第1のサブセットにおけるメモリセルをプログラミングし、そしてメモリセル当たり前記第1の数より大きな第2の数のプログラミングレベルを使用して前記第2のサブセットにおけるメモリセルをプログラミングすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の記憶密度は、メモリセル当たり1ビットを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記データをコピーしそして少なくとも1つのブロックを追加することは、前記第2のサブセットにおけるスペアブロックの数を既定上限以下に維持することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記上限は、単一のスペアブロックを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記データを記憶することは、前記第1のサブセットにおけるスペアブロックをオーバープロビジョニングオーバーヘッドとして使用するブロックコンパクト化プロセスを前記第1のサブセットにおいて実行することを含む、請求項1に記載の方法。
- 既定の選択基準に基づいて前記第2のサブセットにおいて少なくとも1つのブロックを選択することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記選択基準は、前記少なくとも1つのブロックの有効データの量に依存する、請求項7に記載の方法。
- 前記選択基準は、前記少なくとも1つのブロックの有効データが断片化された断片の数に依存する、請求項7に記載の方法。
- 前記選択基準は、前記少なくとも1つのブロックのデータが最も最近に無効化された時刻に依存する、請求項7に記載の方法。
- 多数のアナログメモリセルがブロックに配列されたメモリと通信するように構成されたインターフェイスであって、ブロックの第1サブセットは、第1の記憶密度で第1のデータを記憶するように定義され且つブロックの第2サブセットは、前記第1の記憶密度より高い第2の記憶密度で第2のデータを記憶するように定義されたインターフェイスと、
前記第1及び第2の各サブセットにおいて、1つ以上のブロックをスペアブロックとして働くように割り当て、欠陥となったブロックをスペアブロックと置き換え、且つ第2のサブセットにおけるスペアブロックの数が既定スレッシュホールドより少なくなったことを検出すると、第2のサブセットにおける少なくとも1つのブロックから第1のサブセットへデータをコピーし、少なくとも1つのブロックを第2のサブセットのスペアブロックに追加するように構成されたプロセッサと、
を備えたデータ記憶装置。 - 前記プロセッサは、メモリセル当たり第1の数のプログラミングレベルを使用して第1のサブセットにおけるメモリセルをプログラミングし、そしてメモリセル当たり前記第1の数より大きな第2の数のプログラミングレベルを使用して前記第2のサブセットにおけるメモリセルをプログラミングするように構成された、請求項11に記載の装置。
- 前記第1の記憶密度は、メモリセル当たり1ビットを含む、請求項11に記載の装置。
- 前記プロセッサは、前記第2のサブセットにおけるスペアブロックの数を既定上限以下に維持するように構成される、請求項11に記載の装置。
- 前記上限は、単一のスペアブロックを含む、請求項14に記載の装置。
- 前記プロセッサは、前記第1のサブセットにおけるスペアブロックをオーバープロビジョニングオーバーヘッドとして使用するブロックコンパクト化プロセスを前記第1のサブセットにおいて実行するように構成される、請求項11に記載の装置。
- 前記プロセッサは、既定の選択基準に基づいて前記第2のサブセットにおいて少なくとも1つのブロックを選択するように構成される、請求項11に記載の装置。
- 前記選択基準は、前記少なくとも1つのブロックの有効データの量に依存する、請求項11に記載の装置。
- 前記選択基準は、前記少なくとも1つのブロックの有効データが断片化された断片の数に依存する、請求項11に記載の装置。
- 前記選択基準は、前記少なくとも1つのブロックのデータが最も最近に無効化された時刻に依存する、請求項11に記載の装置。
- 複数のブロックを含むメモリにおいて、有効データ及び無効データの両方を含む1つ以上のブロックを選択し、その選択されたブロックから有効データを他の記憶位置へコピーし、次いで、その選択されたブロックを消去するコンパクト化プロセスを実行し、
メモリの所与のエリア内において、その所与のエリアに記憶された有効データ間で最も以前にプログラムされた有効データを含むブロックを識別し、
その識別されたブロックを、コンパクト化プロセスの候補として選択する、
ことを含むデータ記憶方法。 - 前記ブロックの識別及び選択は、ブロックにおける有効データの量に関わりなく遂行する、請求項21に記載の方法。
- 多数のブロックを含むメモリと通信するように構成されたインターフェイスと、
有効データ及び無効データの両方を含む1つ以上のブロックを選択し、その選択されたブロックから有効データを他の記憶位置へコピーし、次いで、その選択されたブロックを消去するコンパクト化方法を実行するように構成されると共に、更に、メモリの所与のエリア内において、その所与のエリアに記憶された有効データ間で最も以前にプログラムされた有効データを含むブロックを識別し、そしてその識別されたブロックをコンパクト化プロセスの候補として選択するように構成されたプロセッサと、
を備えたデータ記憶装置。 - 前記プロセッサは、ブロックにおける有効データの量に関わりなくブロックを識別し、選択するように構成された、請求項23に記載の装置。
- 多数のブロックを含むメモリであって、データキャッシングのための第1エリア及び長期データ記憶のための第2エリアに分割されたメモリにおいて、有効データ及び無効データの両方を含む1つ以上のブロックを第1エリアにおいて選択し、その選択されたブロックから有効データをメモリ内の他の記憶位置へコピーし、次いで、その選択されたブロックを消去するコンパクト化プロセスを実行し、及び
候補ブロックのコンパクト化によって被る第2エリアでの書き込み動作の数に基づいてコンパクト化プロセスの候補として第1エリアにおいてブロックを選択する、
ことを含むデータ記憶方法。 - 物理的記憶位置を、少なくとも1つのブロックを各々含む各論理的マッピング単位に指定する論理的/物理的アドレスマッピングに基づいて第2エリアにデータを記憶し、前記ブロックを選択することは、ブロックの有効データが属する論理的マッピング単位の数に基づいてブロックを選択することを含む、請求項25に記載の方法。
- 前記ブロックを選択することは、第1エリアにおける少なくとも幾つかのブロックに、ブロックのコンパクト化によって被る第2エリアでの書き込み動作の各数に逆に関係した各スコアを指定し、そしてコンパクト化プロセスのためのブロックを選択する上で高いスコアを有するブロックに高いプライオリティを与えることを含む、請求項25に記載の方法。
- 多数のブロックを含むメモリであって、データキャッシングのための第1エリア及び長期データ記憶のための第2エリアに分割されたメモリと通信するように構成されたインターフェイスと、
有効データ及び無効データの両方を含む1つ以上のブロックを第1エリアにおいて選択し、その選択されたブロックから有効データをメモリ内の他の記憶位置へコピーし、次いで、その選択されたブロックを消去するコンパクト化プロセスを実行するように構成されると共に、更に、候補ブロックのコンパクト化によって被る第2エリアでの書き込み動作の数に基づいてコンパクト化プロセスの候補として第1エリアにおいてブロックを選択するように構成されたプロセッサと、
を備えたデータ記憶装置。 - 前記プロセッサは、物理的記憶位置を、少なくとも1つのブロックを各々含む各論理的マッピング単位に指定する論理的/物理的アドレスマッピングに基づいて第2エリアにデータを記憶し、そしてブロックの有効データが属する論理的マッピング単位の数に基づいてブロックを選択するように構成された、請求項28に記載の装置。
- 前記プロセッサは、第1エリアにおけるブロックに、ブロックのコンパクト化によって被る第2エリアでの書き込み動作の各数に逆に関係した各スコアを指定し、そしてコンパクト化プロセスのためのブロックを選択する上で高いスコアを有するブロックに高いプライオリティを与えるように構成された、請求項28に記載の装置。
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