JP2014514727A - 光学計測及びセンサ装置を用いるエッチングプロセス制御 - Google Patents
光学計測及びセンサ装置を用いるエッチングプロセス制御 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014514727A JP2014514727A JP2013554662A JP2013554662A JP2014514727A JP 2014514727 A JP2014514727 A JP 2014514727A JP 2013554662 A JP2013554662 A JP 2013554662A JP 2013554662 A JP2013554662 A JP 2013554662A JP 2014514727 A JP2014514727 A JP 2014514727A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etch
- measurement
- etching
- stage
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 169
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 166
- 238000004886 process control Methods 0.000 title description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 371
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 193
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 98
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000009795 derivation Methods 0.000 claims description 37
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 9
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 15
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 12
- 238000000513 principal component analysis Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 10
- 238000000491 multivariate analysis Methods 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- 238000011157 data evaluation Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000001636 atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010219 correlation analysis Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012880 independent component analysis Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001314 profilometry Methods 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 238000012417 linear regression Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009931 pascalization Methods 0.000 description 1
- 238000013102 re-test Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
これらの波長は、導入される反応性ガスから生成される特定の化学種に関連付けられ、前記ウェハ上及びチャンバ表面上での反応と同様に気相反応からの結果でもある。前記光学的発光スペクトルの波長はまた、前記ウェハの表面組成が定常状態からエッチング材料の完全除去へ移行する場合に変動し得る。この変動の検出は、エッチング終点検出を可能にし、これは必要なエッチングが完了したことを指示し、及びまた、過剰エッチングが起こる前にエッチングプロセスを停止することを可能にする。しかし、エッチング終点を決定するために利用可能なOES周波数又は波長の数は、複雑な、かつ時間のかかるOES波長の選択という問題を生じる。
実際のエッチング段階データは、SEM、AFM又は東京エレクトロン株式会社及びケーエルケー・テンコール株式会社からのAcuShape(商標)などの光学デジタル形状測定装置などの標準測定システムを用いて得ることができる。前記のように、前記エッチング段階データは、基板の1又は複数の層のエッチングプロセスの完了パーセントで表される。ひとつの実施態様では、エッチング段階測定値と実際のエッチング段階データとの関連付けは、線形方程式の形であり得る。他の実施態様では、前記関連付けは、より一般的に表され、例えば二次多項式であり、これにより、異なる光学計測装置を用いて測定されたいくつかのエッチング段階測定値を、異なるエッチングセンサー装置を用いて測定されたセンサー測定値にフィッティングされ得る。
前記のように、非線形関数関係は、任意の関数、複合関数などを含み得る。
多項式への最小自乗フィッティング解は、行列式、行列、独立パラメータ解などを含み得る。任意関数への最小自乗フィッティングは、非線形フィッティング方法、探索パラメータ空間方法、グリッド探索方法、勾配探索方法、拡張方法、マルクアルト(Marquardt)方法などを含む。
さらに他の実施態様では、前記2以上のエッチング段階測定目標値は、精度、測定−導出時間及び繰り返し係数で表された繰り返し性を含み、ここで2以上の繰り返し試験結果が同じになる確率が95%以上となる。
例えば、図13Bで、9の光学計測装置を持つ例示的エッチングシステム1350が、示される配置に設けられる。光学計測装置の具体的な数及び構成は、前記エッチング段階測定システムにより測定される予定の半導体応用の範囲での知識及び経験にもとづいて決定される。
Claims (19)
- 製造クラスタを制御するシステムであり、前記システムは:
基板を処理するための第1製造クラスタを含み、前記第1製造クラスタは:
前記基板の1又は複数の層をエッチングするように構成されるエッチングプロセスツールを含み、前記エッチングプロセスツールが、エッチングチャンバ、計測ビューポート、制御装置、及び1又は複数のエッチングプロセスパラメータを持ち;
エッチング段階を測定し、2以上のエッチング段階測定目標値を合致させるように構成されるエッチング段階測定システムを含み、前記エッチング段階測定システムが:
前記エッチングプロセスツールに接続された第1光学計測装置を含み、前記第1光学計測装置が前記エッチングチャンバからの電磁波エネルギーを測定するように構成され;
前記エッチングプロセスツールに接続される第2光学計測装置を含み、前記第2光学計測装置が、前記基板を1又は複数の位置で照射し、前記照射された1又は複数の位置からの回折信号を測定し;
前記エッチングプロセスツールに接続されたエッチングセンサ装置を含み、前記エッチングセンサ装置が、前記1又は複数のエッチングプロセスパラメータの1つのプロセスパラメータを測定するように構成され、前記プロセスパラメータが前記エッチング段階と高い関連性を持ち;及び
前記エッチングプロセスツール、前記第1光学計測装置及び前記第2光学計測装置に接続されたプロセッサーを含み、
前記プロセッサーは、前記第1及び第2光学計測装置からの測定された電磁波エネルギー及び前記エッチングセンサ装置から測定されたプロセスパラメータと、実際のエッチング段階データとの関連付けアルゴリズムを確立するように構成され、前記第1及び第2光学計測装置からのエッチング段階測定値及び前記エッチング段階測定値の実際のエッチング段階データとの前回の関連付けを用いて、エッチング測定値を導出するように構成され、2以上のエッチング段階測定目標値の組みと比較された、計算された2以上のエッチング段階測定目標値が合致しない場合には、第1及び第2光学計測装置を変更し、前記関連付けアルゴリズムを調節し、及び/又は前記測定された電磁波エネルギーのノイズについて調節することで前記エッチング段階測定を強化するように構成され、及び前記2以上のエッチング段階測定目標値が合致するまで、前記関連付けアルゴリズムを確立し、前記エッチング測定値を導出し、前記計算された2以上のエッチング段階測定目標値を前記2以上のエッチング段階測定値の組みと比較し、前記関連付けアルゴリズムを調節し、及び/又は前記測定された電磁波エネルギー目標値のノイズについて調節することで前記エッチング段階測定値を強化するように構成され;及び
前記第1製造クラスタ及び前記エッチング段階測定システムに接続された第2製造クラスタを含み、前記第2製造クラスタは1又は複数の装置設定と1又は複数のプロセスパラメータを持ち、及び前記1又は複数の装置設定及び/又は前記1又は複数のエッチングプロセスパラメータを、少なくとも1つの導出されたエッチング測定値に基づいて調節する、システム。 - 請求項1に記載のシステムであり、前記2以上のエッチング段階測定目標値が、0.95以上の精度と、6ミリ秒未満の測定及び導出時間(MAET)を含む、システム。
- 請求項1に記載のシステムであり、前記第1の光学計測装置が、前記エッチングチャンバからの前記光の強度を測定するために設けられる分光装置を含む、システム。
- 請求項1に記載のシステムであり、前記第2光学計測装置が、前記エッチングチャンバ上に設けられる少なくとも1つの干渉計又は反射計を含み、照明ビームの伝達及び回折ビームの検出をビューポートを用いて可能にする、システム。
- 請求項1に記載のシステムであり、前記第2光学計測装置が、複数の干渉計又は反射計を含み、前記干渉計又は反射計がビューポートを用いて前記エッチングチャンバの上に設けられ、複数の照射ビームの伝達と複数の回折ビームの検出を可能にする、システム。
- 請求項5に記載のシステムであり、前記第2光学計測装置が、5から9の干渉計又は反射計を含む、システム。
- 請求項5に記載のシステムであり、前記複数の照射ビームが、120から190ナノメートルの範囲の波長を持つ分光ビームを含む、システム。
- 請求項5に記載のシステムであり、前記複数の照射ビームが、170から190ナノメートルの範囲の波長、又は、120から1000ナノメールの範囲の波長を持つ分光ビームを含む、システム。
- 請求項5に記載のシステムであり、前記、前記複数の照射ビームが、120から190ナノメートル又は120から1000ナノメールの範囲の波長を持つ単色ビームを含む、システム。
- 請求項5に記載のシステムであり、前記複数の照射ビームの前記基板に対する入射角度が、1から10度又は実質的に0度である、システム。
- 請求項1に記載のシステムであり、前記導出されたエッチング測定値が前記エッチングプロセスのパーセント完了である、システム。
- 請求項1に記載のシステムであり、前記2以上のエッチング段階測定目標値が、0.95以上の精度、6ミリ秒未満の測定及び導出時間、及び0.95以上の2以上の測定値の繰り返し性係数を含む、システム。
- 請求項1に記載のシステムであり、前記関連付けアルゴリズムの調節が、前記電磁波エネルギー測定値と前記実際のエッチング段階測定データとの非線形関数関係を用いることを含む、システム。
- エッチングプロセスで基板を処理するための製造クラスタを制御する方法であり、前記方法は:
2以上のエッチング段階測定目標値を選択し;
前記2以上のエッチング段階測定目標値を設定し;
選択された2以上の光学計測装置と選択されたエッチングプロセスセンサ装置を用いてエッチング段階測定値を得ることを含み、前記エッチングセンサ装置が、前記エッチングプロセス段階と高い関連性を持つプロセスパラメータを測定するように構成され;
1又は複数の標準測定技術を用いてそれぞれの前記エッチング段階測定値について実際の段階データを得て;
エッチング段階測定値と実際のエッチング段階データとの関連付けを確立し;
前記確立された関連付けアルゴリズムを用いてエッチング段階測定値を導出し、及びエッチング段階測定値は前記選択された2以上の計測装置及び前記選択されたエッチングプロセスセンサ装置を用いて得られ;
前記エッチング測定値を前記製造クラスタに伝達し;及び
前記伝達されたエッチング段階データにもとづいて、装置設定及び/又はプロセスパラメータを変更する、方法。 - 請求項14に記載の方法であり、前記エッチング測定値の導出が、複数の選択されたエッチングプロセスセンサ装置からのエッチング段階測定値を含む、方法。
- 請求項14に記載の方法であり、前記2以上のエッチング段階測定目標値が、精度目標及び測定及び導出時間(MAET)目標を含む、方法。
- 請求項14に記載の方法であり、前記2以上の選択された光学計測装置の第2光学計測装置が、ビューポートを用いて前記エッチングチャンバの上に配置された複数の干渉計又は反射計を含み、複数の照射ビームの伝達及び複数の回折ビームの検出を可能にする、方法。
- 請求項14に記載の方法であり、前記複数の照射ビームが、120から190ナノメートル又は120から1000ナノメートルの範囲の波長を持つ分光ビームを含む、方法。
- 請求項14に記載の方法であり、前記複数の照射ビームが、120から190ナノメートル又は120から1000ナノメートルの範囲の波長を持つ単色ビームを含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/029,349 US8193007B1 (en) | 2011-02-17 | 2011-02-17 | Etch process control using optical metrology and sensor devices |
US13/029,349 | 2011-02-17 | ||
PCT/US2012/025746 WO2012112959A1 (en) | 2011-02-17 | 2012-02-17 | Etch process control using optical metrology and sensor devices |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014514727A true JP2014514727A (ja) | 2014-06-19 |
JP2014514727A5 JP2014514727A5 (ja) | 2015-04-09 |
JP6019043B2 JP6019043B2 (ja) | 2016-11-02 |
Family
ID=46148020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013554662A Active JP6019043B2 (ja) | 2011-02-17 | 2012-02-17 | 光学計測及びセンサ装置を用いるエッチングプロセス制御 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8193007B1 (ja) |
JP (1) | JP6019043B2 (ja) |
KR (2) | KR20170107094A (ja) |
TW (1) | TWI464818B (ja) |
WO (1) | WO2012112959A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200125491A (ko) | 2019-04-26 | 2020-11-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 학습 방법, 관리 장치 및 관리 프로그램 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8445296B2 (en) * | 2011-07-22 | 2013-05-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and methods for end point determination in reactive ion etching |
US9287097B2 (en) * | 2011-11-30 | 2016-03-15 | Sony Corporation | Predicting ultraviolet ray damage with visible wavelength spectroscopy during a semiconductor manufacturing process |
US9875946B2 (en) * | 2013-04-19 | 2018-01-23 | Kla-Tencor Corporation | On-device metrology |
NL2013417A (en) | 2013-10-02 | 2015-04-07 | Asml Netherlands Bv | Methods & apparatus for obtaining diagnostic information relating to an industrial process. |
US10217681B1 (en) * | 2014-08-06 | 2019-02-26 | American Air Liquide, Inc. | Gases for low damage selective silicon nitride etching |
US20160240366A1 (en) * | 2015-02-17 | 2016-08-18 | Infineon Technologies Ag | Processing of Semiconductor Devices |
US10386829B2 (en) * | 2015-09-18 | 2019-08-20 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for controlling an etch process |
US10192763B2 (en) * | 2015-10-05 | 2019-01-29 | Applied Materials, Inc. | Methodology for chamber performance matching for semiconductor equipment |
US10372114B2 (en) * | 2016-10-21 | 2019-08-06 | Kla-Tencor Corporation | Quantifying and reducing total measurement uncertainty |
US10763145B2 (en) * | 2017-03-10 | 2020-09-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor manufacturing method |
US10784174B2 (en) * | 2017-10-13 | 2020-09-22 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for determining etch process parameters |
US11164768B2 (en) * | 2018-04-27 | 2021-11-02 | Kla Corporation | Process-induced displacement characterization during semiconductor production |
JP7413081B2 (ja) * | 2020-02-28 | 2024-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
US20230163001A1 (en) * | 2021-11-23 | 2023-05-25 | Applied Materials, Inc. | Method to eliminate first wafer effects on semiconductor process chambers |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070225851A1 (en) * | 2004-07-08 | 2007-09-27 | Timbre Technologies, Inc. | Optical metrology model optimization for process control |
JP2010518597A (ja) * | 2007-02-02 | 2010-05-27 | レクサス リサーチ リミテッド | プラズマエッチングプロセスのプロセスパラメータ決定のための方法および装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5288367A (en) | 1993-02-01 | 1994-02-22 | International Business Machines Corporation | End-point detection |
US5658423A (en) | 1995-11-27 | 1997-08-19 | International Business Machines Corporation | Monitoring and controlling plasma processes via optical emission using principal component analysis |
US5862060A (en) | 1996-11-22 | 1999-01-19 | Uop Llc | Maintenance of process control by statistical analysis of product optical spectrum |
US6943900B2 (en) | 2000-09-15 | 2005-09-13 | Timbre Technologies, Inc. | Generation of a library of periodic grating diffraction signals |
US6785638B2 (en) | 2001-08-06 | 2004-08-31 | Timbre Technologies, Inc. | Method and system of dynamic learning through a regression-based library generation process |
US7216045B2 (en) | 2002-06-03 | 2007-05-08 | Timbre Technologies, Inc. | Selection of wavelengths for integrated circuit optical metrology |
US6979578B2 (en) | 2002-08-13 | 2005-12-27 | Lam Research Corporation | Process endpoint detection method using broadband reflectometry |
US7352478B2 (en) | 2002-12-20 | 2008-04-01 | International Business Machines Corporation | Assessment and optimization for metrology instrument |
US20040267397A1 (en) | 2003-06-27 | 2004-12-30 | Srinivas Doddi | Optical metrology of structures formed on semiconductor wafer using machine learning systems |
US7158221B2 (en) * | 2003-12-23 | 2007-01-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for performing limited area spectral analysis |
KR20060005830A (ko) | 2004-07-14 | 2006-01-18 | 삼성전자주식회사 | 통합 슬롯이 탑재된 인쇄 회로 기판 |
US20060112796A1 (en) | 2004-11-30 | 2006-06-01 | Chang-Ying Chen | Screwdriver with teethed head |
US7467064B2 (en) | 2006-02-07 | 2008-12-16 | Timbre Technologies, Inc. | Transforming metrology data from a semiconductor treatment system using multivariate analysis |
US7596422B2 (en) * | 2007-01-12 | 2009-09-29 | Tokyo Electron Limited | Determining one or more profile parameters of a structure using optical metrology and a correlation between profile models and key profile shape variables |
US7591600B2 (en) * | 2007-02-23 | 2009-09-22 | Tokyo Electron Limited | Method and system for monitoring photolithography processing based on a batch change in light sensitive material |
US7742177B2 (en) | 2008-01-22 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Noise-reduction metrology models |
US7589845B1 (en) * | 2008-03-27 | 2009-09-15 | Tokyo Electron Limited | Process control using an optical metrology system optimized with signal criteria |
US7761250B2 (en) | 2008-06-18 | 2010-07-20 | Tokyo Electron Limited | Optical metrology system optimized with design goals |
US8173451B1 (en) * | 2011-02-16 | 2012-05-08 | Tokyo Electron Limited | Etch stage measurement system |
-
2011
- 2011-02-17 US US13/029,349 patent/US8193007B1/en active Active
-
2012
- 2012-02-17 KR KR1020177025199A patent/KR20170107094A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-02-17 JP JP2013554662A patent/JP6019043B2/ja active Active
- 2012-02-17 WO PCT/US2012/025746 patent/WO2012112959A1/en active Application Filing
- 2012-02-17 KR KR1020137024624A patent/KR20140006039A/ko active Application Filing
- 2012-02-17 TW TW101105282A patent/TWI464818B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070225851A1 (en) * | 2004-07-08 | 2007-09-27 | Timbre Technologies, Inc. | Optical metrology model optimization for process control |
JP2010518597A (ja) * | 2007-02-02 | 2010-05-27 | レクサス リサーチ リミテッド | プラズマエッチングプロセスのプロセスパラメータ決定のための方法および装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200125491A (ko) | 2019-04-26 | 2020-11-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 학습 방법, 관리 장치 및 관리 프로그램 |
US11556853B2 (en) | 2019-04-26 | 2023-01-17 | Tokyo Electron Limited | Learning method, management device, and management program |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170107094A (ko) | 2017-09-22 |
WO2012112959A1 (en) | 2012-08-23 |
TWI464818B (zh) | 2014-12-11 |
US8193007B1 (en) | 2012-06-05 |
TW201241949A (en) | 2012-10-16 |
KR20140006039A (ko) | 2014-01-15 |
JP6019043B2 (ja) | 2016-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6019043B2 (ja) | 光学計測及びセンサ装置を用いるエッチングプロセス制御 | |
US8173451B1 (en) | Etch stage measurement system | |
JP7269296B2 (ja) | 方法およびエッチングシステム | |
US10847430B2 (en) | Method of feature exaction from time-series of spectra to control endpoint of process | |
JP3708031B2 (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
US7967995B2 (en) | Multi-layer/multi-input/multi-output (MLMIMO) models and method for using | |
US7972483B2 (en) | Method of fault detection for material process system | |
JP2005012218A (ja) | エッチング処理をモニタリングする方法およびシステム | |
KR20100018478A (ko) | 금속 게이트 구조에 대한 다층/다중입력/다중출력(mlmimo) 모델의 이용 방법 | |
US20240096713A1 (en) | Machine-learning in multi-step semiconductor fabrication processes | |
JP2006074067A (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
US8173450B1 (en) | Method of designing an etch stage measurement system | |
JP4344674B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
Barna et al. | In Situ Metrology | |
KR20240016345A (ko) | 프로세스 제어를 위한 인 시츄 (in situ) 센서 및 로직 | |
CN116583938A (zh) | 多步骤半导体制造工艺中的机器学习 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20140430 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140430 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150216 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160607 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160804 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161003 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6019043 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |