JP2014508264A - 物質をテーラリングするためのデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2010年11月22日に出願された米国特許出願第61/416,141号の利益を主張する。上記出願(1つまたは複数)の全教示は、参照により本明細書に援用される。
種々の物質をテーラリング(tailoring)することは、それぞれChristopher Nagelによる米国特許第6,572,792号および同第7,238,297号、発明の名称「COMPOSITION OF MATTER TAILORING: SYSTEM I」および2005年2月23日に出願されたUSSN 11/063,694号、発明の名称「COMPOSITION OF MATTER TAILORING: SYSTEM II」に記載されており、その内容は参照により本明細書に援用される。先行特許に記載される方法において、反復加熱サイクルにおいて、材料に炭素が添加され、該方法により作製された生成物は改変された電子構造を有する。プロセス調節の改善が望まれる。
本発明は、バックグラウンドエネルギー(真空エネルギー、暗黒エネルギーおよび/または暗黒物質、グリッド(grid)エネルギーまたはブレーン(brane)エネルギーなど)の選択、反転、強化、均一化(uniformization)およびマッピングにより、ならびにテーラリングプロセスの間および物質をテーラリングするプロセスまでに、種々の集合(aggregation)形態および状態の電磁エネルギーを含むことにより、調節を向上させるデバイスに関する。それぞれの電磁場の間に調和写像を確立することにより、電気力学的相互作用を改変するという明示された目的のために、バックグラウンドエネルギーは分けられ(disaggregate)、次いで物質(matter)(例えば物質(material))の共通の形態に組み込まれ得る。
本発明は、本明細書に記載される1つ以上の装置を使用する場合、物質をテーラリングするための方法が改善されるという発見に関する。
a. それぞれの表面31は、遠位端35、近位端36、該遠位端と近位端を結ぶ経路に沿って方向付けられる縦軸37、および該縦軸に対して垂直な緯線(latitudinal)軸を有し;
b. 表面は互いに空間的に対面し;
c. 緯線軸は好ましくは平行であり;
d. 縦軸は好ましくは平行でなく;
e. 縦軸は好ましくは直線であり、および/または表面は好ましくは平面であり;
f. 表面の近位端の間の距離は、好ましくは表面の遠位端の間の距離より短く;
g. それぞれの変調器32(例えばニードルまたはトロイド)は、表面の近位端の近位に配置され、導電性プレート(1つまたは複数)は、表面の遠位端の近位に配置され;
h. DC電源およびAC電源の正の端子38は表面に連結され、DC電源およびAC電源の負の端子(示さず)は変調器または偏光子(例えば電極またはトロイド)に連結される。好ましくは、AC供給を有さないDC電源は遠位端に連結され、DC供給を有さないAC電源はトロイドに連結され、AC電力オーバーレイを有するDC電源は遠位端に連結される。この配置のバリエーション(variation)が可能であることが理解される。
テーラリングプロトコルは、3つの概念的な工程:1)状態の標準化とみなされる波長特異的な電磁放射線の適用;2)幾何学的な対称性のメタ配置(meta-arrangement)とみなされる電気力学的な相互作用の改変;および3)ダイナミックイグジッティング(dynamic exiting)と称されるエネルギー/放射線の体系的な除去による構造安定化に分けられ得る。これらの工程は、物質およびエネルギーの操作のための新しい低エネルギー経路を可能にする。さらに、これらの経路は、共相同(cohomologous)構造および関連のある関係性が適切に維持される場合に操作可能である(engineerable)と思われる。
分析概要
光子テーラリングによるさらなる物質改変のために、ホットメタル(hot metal)テーラリングによりあらかじめ処理された物質が選択される(代替的には、天然の物質が選択され得る)。テーラリングされた物質としては、限定されないが、銅、マグネシウム、アルミニウムまたはケイ素が挙げられ得る。光子テーラリングにより影響を受ける物質に対する変化は、波形分散型X線蛍光分光法(XRF)を使用してモニタリングされる。2つの別々のWD-XRF装置:ARL 8410連続波長分散型分光計およびBruker Pioneer WD-XRFが使用される。ARLは、種々の元素の存在を検出および定量するために使用される標準なし(standardless)のUNIQUANT(登録商標)アルゴリズムを備える。この装置は、1角ステップ(angular step)あたり、20ppmの典型的な低い検出限界および約1eVのエネルギー分解能を伴い、NaからUまでの元素を検出する。結晶および角レンジ(angular range)は、エネルギーステップサイズを最小にするように選択される。S4 PIONEER(登録商標)では、29種類の異なるスキャン組み合わせを可能にする多数の一次ビームフィルター、コリメーターおよび結晶と組み合わせた非常に薄いベリリウムチューブウィンドウが使用される。結晶および角レンジは、エネルギーステップサイズを最小にするように選択される。Pioneer装置は、BeからUまでの元素を検出する。典型的には、29mmの長円形マスクも使用される。テーラリングされた物質のXRFモニタリングに加えて、XRFは、装置の安定性および正確性を確認するための既知の「対照」標準に反復して適用される。標準を以下の表に列挙する:
任意の光子テーラリングを実施する前に、ホットメタルテーラリングされた物質または天然の物質を、ARL UNIQUANT(登録商標)で10回分析して、統計的な解析のための充分なデータの分布を得る。全ての場合において、サンプルおよび対照標準は、WD-XRFで検証された工業的に受け入れられているプロトコルを使用して、処理され、きれいにされる(cleaned)(例えばフライカット(flycut)サンプル、研磨、グローブ(glove)等)。これらのARLサンプル分析の直後に、10個の対照標準をARL上で実行する(run)。次いで、サンプルおよび標準の両方に、ARLもしくはPioneerまたは両方のいずれかを使用してラインスキャン(line scan)を実施する。典型的に、UNIQUANT(登録商標)分析に加えて、ARLを使用してラインスキャンを実施する。ARLを使用してサンプルに対してラインスキャンを行う場合、対照サンプルに対して同じラインスキャンが実施される。次いで、サンプルに光子テーラリングルーチンを適用する。光子テーラリングの完了時に、これらの同じ分析プロトコルを使用する。
以下の分析プロトコルを行った。ARL WD-XRFは、テーラリングされたサンプルおよび同様の高純度の組成を有するNIST標準の両方について、10回のUNIQUANT(登録商標)元素分析スキャンを実施するようにプログラムされる。例えば、Cuの場合には、C1122を使用する。C1122は、ベリリウム銅標準である。このCu標準の主な組成は、Be 1.75、Fe 0.16、Si 0.17、Al 0.17、Co 0.22重量%であり、組成は、最後の有効数字において±1より大きく逸脱するとは予想されない。それぞれのスペクトルの目的の領域(region of interest)(ROI)のスキャン(例えばAl-Si、Ga-Se、P-TiおよびV-Zn)は、元素の放出が検出され得るエネルギー範囲として任意に選択され、NIST標準およびテーラリングされたサンプルの両方について、完全なXRFスペクトルを提供するように実施される。例えば、スキャンは、Al-Si:1.45〜2.05KeV、P-Ti:2.00〜5.5KeV、V-Zn:4.8〜9.1KeVおよびGa-Se:8.9〜11KeVを含み得る。光子テーラリング実験を行う。室温光刺激(triggering)の直後に、全サンプルプロトコル:テーラリングされたサンプルおよび標準の両方の10回のUNIQUANT(登録商標)分析、ならびにテーラリングされたサンプルおよびNIST標準の両方の完全スペクトル分析を繰り返す。次いで、このプロトコルを24時間間隔で、96時間まで繰り返すが、さらに長い間隔(例えば30、60、90および/または120日)で繰り返してもよい。それぞれの実験のシリーズについてのプロトコルおよび時間を以下の表に示す。
CPTケージは図1に示すように組み立てる。用語は以下に定義されるとおりである:
放射中心:用語、放射中心は、全ての他の位置決定測定(positioning measurement)がなされる基底レベルの物理的中心スポットのことを言う。
原動(motive)ランプ:原動ランプは、通常倉庫などの大きな空間を照らすための工業適用に使用される反射板を有する250ワット水銀蒸気ランプの記述子(descriptor)である。
ペンシルランプ:使用される気体(例えばHg、Ne等)に基づいて特別の(specialty)光スペクトルを生成するために使用される円柱形の気体充填ランプ。ペンシルランプは一般に、光学装置の較正に使用される。
ダイオードランプ:特定の波長を出力するために発光ダイオード(LED)を使用するランプ。
SUV:短波紫外線照射は、254nmの主たるエネルギー放射を有するペンシルランプを使用して生成される。
LUV:長波紫外線照射は、365nmの主たる放射を有するペンシルランプを使用して生成される。
タイミング配列:それぞれの工程(すなわちリング作動、工程1、工程2および工程3)のためのタイミングは、選択した基数をかけたフィボナッチ級数に従う。例えば、選択した基数が1分である場合、タイミング配列は、1分、1分、2分、3分、5分、8分等である。
リングアセンブリ(図2参照)
アルゴン「2x4」アセンブリ
キセノン「2x4」アセンブリ
実行前の分析プロトコルを完了した後(例えば以前の表に示されるWD-XRF)、光子的にテーラリングされるサンプルを、白色の裏当て/タオル上の放射中心で、図2のCPTケージの内側に配置する。全ての外部光源をオフにする。暗所で10分後(すなわちt=10m:00s)、CPTケージ上のリングを順次作動させる。
工程1.1:リングアセンブリエネルギー付与(energizing)の順序。365nmリングLED1をオンにする。すぐに1番目のコイル(一番下のコイル)にエネルギー付与し、カウンターをt=0(時間0)にする。1分後(t=1分)、2番目のコイルにエネルギー付与する。さらに1分後(t=2分)、740nmリングLED1をオンにし、3番目のコイルにエネルギー付与する。さらに2分後(t=4分)、3番目のコイルをオフにする。さらに3分後(t=7分)、4番目のコイルにエネルギー付与する。さらに5分後(t=12分)、3番目のコイルを再度オンにする。さらに8分後(t=20分)、530nmリングLED1をオンにし、直後に5番目のコイルにエネルギー付与する。さらに13分後(t=33分)、あらかじめ加熱したオーバーヘッド(overhead)水銀蒸気原動を、リングアセンブリに対して軸的に中心を合わされた放射中心の上方に配置する。カウンターを0にリセットする(t=0分)。
DEレンズ(図3、特に図3F参照)
テーラリングされたプレート:強制機能として明示(difine)された薄い正方形のサンプルを有するマクロレンズを、テーラリングされたインゴットから軸方向に抜き取る。1つのサンプル(強制機能)を、基部と平行な(even)DEレンズの上部プレートに、中心線に沿って取り付ける。他のサンプル(強制機能)を、基部と平行な底部プレートに、中心線に沿って取り付ける。銀の導電性ペーストおよび取り外し可能なテフロン留め具を用いて、サンプルを取り付ける。サンプルをプレートの外側に取り付ける。
アルゴン「2x4」アセンブリ
キセノン「2x4」アセンブリ
テーラリングされた金属の選択
位置決定:2X4アセンブリに向かって方向付けられた狭い側面を有する放射中心に、中心を合わせる。サンプルは、(表面上に狭いへりを有する)直立した位置に置くべきである。
DEレンズ位置決定
位置1:DEレンズは水平で、開口/ノーズはサンプル表面から1.5インチである。DEレンズをサンプルに対して中心を合わせる(注:サンプルをDI水中に入れた場合、レンズの先端はサンプルから2.5インチであり、ビーカーの側面の近位にある)。
位置2:DEレンズは水平で、かつネオンペンシルランプに直交しており、開口/ノーズはバルブ(bulb)から1.5インチである。DEレンズをバルブに対して中心に置く。
位置3:DEレンズは、(水平面中で(in plane with))水平で、かつ2X4に直交している。DEレンズを2X4アセンブリの間に中心を合わせ、開口/ノーズは、開口/ノーズとバルブの先端を結ぶ仮想の鉛直線から測定した場合、バルブの先端から1.5インチである(すなわち位置2から垂直方向に約10インチ)。
上面:Kr DEペンシルランプを強制機能(ウェーハー様のテーラリングされたサンプル)の上方に配置し、バルブは強制機能と平行であり、先端はレンズの先端に向く。バルブアークは、強制機能の前面と同一平面上(even)にあるべきである。ガラスバルブの底部に向かって測定した場合(as measured to)、バルブは、強制機能の約1/2インチ上方にある。
最初の操作:DC電圧を1000Vにする。10秒かけてパターンS、JまたはUの電圧1(V-1)(S、J、U電圧パターンについては添付物1参照)に近づける。DE-クリプトンおよびDE-アルゴンペンシルランプをオンにする。上記の概要が示される表も参照。
上げる(Step Up)(V-1):DEクリプトンオン、DEアルゴンオン、2X維持、DEクリプトンオフ。
上げる(V-2):DEクリプトンオフ、DEアルゴンオン、維持。
上げる(V-3):DEクリプトンオフ、DEアルゴンオン、維持、DEクリプトンオン。
上げる(V-4):DEクリプトンオン、DEアルゴンオン、2X維持、DEアルゴンオフ。
下げる(Step Down)(V-3):DEクリプトンオン、DEアルゴンオフ、維持。
下げる(V-2):DEクリプトンオン、DEアルゴンオフ、維持。
下げる(V-1):DEクリプトンオン、DEアルゴンオン、2X維持、DEクリプトンオフ。
上げる(V-2):DEクリプトンオフ、DEアルゴンオン、維持。
注意:他のペンシルランプパターンを使用してもよい。
電圧シリーズS、JおよびU(上述のとおり)。
スイープ上昇(Sweep Up):V-1→V-2→V-3→V-4。
スイープ下降(Sweep Down):V-4→V-3→V-2→V-1。
典型的なスイープ速度上昇(維持時間を除く):5秒。
典型的なスイープ速度下降(維持時間を除く):8秒。
維持時間:5秒またはその倍数。
Sシリーズ:35Vdc-1、95Vdc-2、79Vdc-3、99Vdc-4。最大:100Vdc。
Jシリーズ:352Vdc-1、153Vdc-2、481Vdc-3、878Vdc-4。最大:1000Vdc。
Uシリーズ:476Vdc-1、176Vdc-2、229Vdc-3、410Vdc-4。最大:500Vdc。
図8A〜8Cはこのパターンを図示する。
サンプルを暗所に維持(蛍光実験室灯なし)
開始操作:
カウンター=1m:00sで、DEレンズに最大_Vdcまでエネルギーを付与し(パターンS、JまたはU)、次いでDEクリプトンペンシルランプをオンにする(DEレンズ位置1、2、3または0)
カウンター=4m:50sで、DE-アルゴンペンシルランプをオンにし、次いで10秒かけてV-1まで下降傾斜を開始する
カウンター=5m:00sで、パターン化された操作を開始する(S、JまたはU)
段階的な(staged)電圧(Vdc-n)、維持時間5秒
段階的な上昇速度(維持時間を除く):5秒
段階的な下降速度(維持時間を除く):8秒
ACテーラリングが望ましい場合
1回のDCサイクルの終了後に、プレート上でDC操作を維持しながらエネルギーを付与し、AC周波数設定(例えば1〜6)を開始する(サイクル反復)。
カウンター=10m:00sで、カウンターをT0にリセットする。
T=13m:00sで、あらかじめ温めたオーバーヘッド水銀蒸気原動を放射中心の上方に配置する(中心を合わせる)。
カウンター=T0にセット
カウンター=1m:00sで、キセノン2x4アセンブリをオンにする(例えばキセノンおよび530nm LEDを同時);カウンター=T0にセット
カウンター=1m:00sで、アルゴン2x4アセンブリをオンにする(例えばアルゴンおよび365nm LEDを同時);カウンター=T0
カウンター=2m:00sで、サンプルの上に中心を合わせ、サンプルと「2x4」アセンブリの間に配置されたネオンペンシルランプをオンにする;カウンター=T0
カウンター=3m:00sで、サンプルの上に中心を合わせ、サンプルとネオンペンシルランプの間に配置された長波紫外線ペンシルをオンにする;カウンター=T0にセット
カウンター=5m:00sで、放射中心からサンプルを回収し、放射中心の近位にある液体窒素槽に入れる。DEレンズアセンブリをオンのままにする。
サンプルが77Kに達した後、カウンター=T0にセット
1700kHzで少なくとも1ミリアンペアを2分間、液体窒素に通し(正弦波形)、その後≧3ミリアンペアDCの電流を≧10秒間、サンプルに通す;カウンター=T0にセット
3500kHzで少なくとも1ミリアンペアを3分間、液体窒素に通し(三角形波形)、その後≧3ミリアンペアDCの電流を≧10秒間、サンプルに通す;カウンター=T0にセット
200Hzで少なくとも1ミリアンペアを5分間、溶液に通し(正方形波形)、その後≧3ミリアンペアDCの電流を≧10秒間、サンプルに通す;カウンター=T0にセット
実験室灯(例えば蛍光灯)をオンにする
200Hzで≧1ミリアンペアを8分間、溶液に通す(正方形波形)
冷却サンプルを回収し、DI水を含むガラスジャーに入れ、次いでガラスジャーを放射中心に置く。[標準位置に達するまで上昇させる]
サンプルが周囲条件に達した後、ランプの除去を開始する
キセノン2X4 LEDシステムをオフにする
同時にネオンをオフにする
アルゴン2X4 LEDシステムをオフにする
蛍光(実験室)灯をオフにする
LUVをオフにする
熱い水銀蒸気原動を取り除く
カウンター=T0にセット
カウンター=5m:00sで、かつDCサイクルの完了時に(すなわちVdc-1に戻った)、DEレンズに対するDC電源をオフにし、DEクリプトンおよびDEアルゴンペンシルランプをオンのままにする。
さらに10回のAC完了サイクルの後(ACテーラリングが望ましい場合)、AC周波数設定をオフにする。
すぐにDEクリプトンおよびDEアルゴンペンシルランプを同時にオフにする。
約10分間暗所に維持する
蛍光灯をオフにする
約10分間蛍光灯下で維持し、次いで分析のためにWD-XRFに移す。
DEレンズを使用して、テーラリングプロトコルの性能を向上させ、精密にし得る。DEレンズアセンブリの概略図および写真を図3に示す。本質的に、レンズの使用以外は、プロトコルは前述と同じに維持される。
工程1.1:リングアセンブリエネルギー付与の順序。365nmリングLED1をオンにする。すぐに1番目のコイル(一番下のコイル)にエネルギー付与し、カウンターをt=0にする(時間0)。1分後(t=1分)、2番目のコイルにエネルギー付与する。さらに1分後(t=2分)、740nmリングLED1をオンにし、3番目のコイルにエネルギー付与する。さらに2分後(t=4分)、3番目のコイルをオフにする。さらに3分後(t=7分)、4番目のコイルにエネルギー付与する。さらに5分後(t=12分)、3番目のコイルを再度オンにする。さらに8分後(t=20分)、530nmリングLED1をオンにし、直後に5番目のコイルにエネルギー付与する。さらに13分後(t=33分)、あらかじめ加熱したオーバーヘッド水銀蒸気原動を、リングアセンブリに対して、軸的に中心を合わせた放射中心の上方に配置する。カウンターを0にリセットする(t=0分)。
実行前分析プロトコルが完了した後(例えば前述の表に示されるWD-XRF)、光子的にテーラリングされるサンプルを、白色の裏当て/タオル上の放射中心で、CPTケージの内側に置く。全ての外部光源をオフにする。暗所で10分後(すなわちt=10m:00s)、CPTケージ上のリングを順次作動させる。
Claims (53)
- 導電性金属の複数のワイヤーリングおよびそれぞれのワイヤーリングに操作可能に連結された少なくとも1つの電力源を含む装置であって、少なくとも1つ、好ましくは2つのワイヤーリングに電力を供給する(power)ためにAC電力が使用され、少なくとも1つのワイヤーリングに電力を供給するためにDC電力が使用される、装置。
- 少なくとも1つのワイヤーリングが、AC周波数供給が重ねられたDC電流電源により電力を供給される、請求項1記載の装置。
- AC周波数供給が、5Hz〜5MHzの範囲であり、任意に、周波数が、正方形(Sq)パターン、三角形(Tri)パターンまたは正弦(Si)パターンなどの波形で供給される、請求項2記載の装置。
- 少なくとも1つのワイヤーリングが、テーラリングされた物質で作製される、請求項1記載の装置。
- 周波数が100〜1700kHzの範囲である、請求項4記載の装置。
- リングの数がフィボナッチ級数、好ましくは3以上、例えば5つのリングから選択される、請求項1記載の装置。
- リングが、14〜30ゲージの銅ワイヤーで作製されたワイヤーリングなどの銅ワイヤーリングである、請求項1記載の装置。
- それぞれのリングが、直径2インチ以上のワイヤー巻き線である、請求項7記載の装置。
- 少なくとも1つのワイヤーリングの中心に配置される物質をさらに含む、請求項1記載の装置。
- リングと物質の間の距離が、リングに電力が供給される場合にアーキングが回避されるようなものである、請求項9記載の装置。
- リングが、物質から少なくとも2インチ離れている、請求項9記載の装置。
- それぞれのリングが、ワイヤーを約8回以上、好ましくは10回以上、例えば10〜12回巻くことにより形成される、請求項7記載の装置。
- 円柱形に画定された空間において、リングが均等に間隔をあけられる、請求項4記載の装置。
- AC電力が、1mAmp以上、例えば2ampで提供される、請求項1記載の装置。
- DC電源が、5kvまで、例えば12〜24ボルトを供給して、2ampを提供する、請求項1記載の装置。
- リングに供給される電流が、同じ方向または様々な方向に流れる、請求項1記載の装置。
- リングにより画定される空間の外側に配置され、かつリングにより画定される空間に向かって放射状に方向付けられる少なくとも1つのLED、レーザーダイオードをさらに含む、請求項1記載の装置。
- リングにより画定される空間に向かって放射状に方向付けられる少なくとも3つのLEDをさらに含む、請求項1記載の装置。
- それぞれのLEDがレンズを含み、該レンズがワイヤーリングの外径に接触している、請求項18記載の装置。
- 導電性金属の3つ以上のリングおよびそれぞれのワイヤーリングに操作可能に連結される少なくとも1つの電力源を含む装置であって、それぞれのリングの間隔がフィボナッチ級数に従う、装置。
- 少なくとも5つのリングを含む、請求項20記載の装置。
- ワイヤーリングが、DC電流電源により電力を供給される、請求項21記載の装置。
- 少なくとも1つのワイヤーリングの中心に配置された物質をさらに含む、請求項22記載の装置。
- リングにより画定される空間の外側に配置され、かつリングにより画定される空間に向かって放射状に方向付けられる少なくとも1つのLED、レーザーダイオードをさらに含む、請求項1記載の装置。
- リングにより画定される空間に向かって放射状に方向付けられる少なくとも3つのLEDをさらに含む、請求項1記載の装置であって、少なくとも3つのLEDが、好ましくは異なる周波数領域を有する、装置。
- それぞれのLEDがレンズを含み、該レンズがワイヤーリングの外径に接触している、請求項18記載の装置。
- DC電源およびAC電源に操作可能に連結される、2つの電極または1つのトロイドなどの2つの導電性の交差しない表面および1つの位相変調器を含む装置であって、
a. それぞれの表面が、遠位端、近位端、該遠位端と近位端を結ぶ経路に沿って方向付けられる縦軸、および該縦軸に対して垂直な緯線軸を有し;
b. 表面が、互いに空間的に向かい合い;
c. 緯線軸が好ましくは平行であり;
d. 縦軸が好ましくは平行でなく;
e. 縦軸が好ましくは直線であり、かつ表面が好ましくは平面であり;
f. 表面の近位端の間の距離が、好ましくは表面の遠位端の間の距離よりも狭く;
g. それぞれの電極が、表面の近位端の近位に配置され;
h. DC電源およびAC電源の正端子が、表面に連結され、かつDC電源およびAC電源の負端子が、位相変調器に連結される、装置。 - 導電性表面が、銅またはテーラリングされた物質である、請求項27記載の装置。
- テーラリングされた物質が、少なくとも1つの表面上に重ねられる、請求項27記載の装置。
- AC周波数がAC電源により適用される、請求項27記載の装置。
- 近位表面の間の距離が、約20cm未満、好ましくは約10cm未満、例えば5cm未満である、請求項27記載の装置。
- 遠位表面の間の距離が、約25cm未満、好ましくは約15cm未満、例えば10cm未満である、請求項27記載の装置。
- 請求項1〜19いずれか記載の装置をさらに含む、請求項27記載の装置。
- a. 交流源もしくは直流源、または直流が重ねられた交流に操作可能に連結されたトロイド形状の導電性(cinducing)コイル;
b. トロイド軸にまたはトロイド軸の近位に配置された細長い導電性物質で構成される励磁機、ここで該励磁機は交流、直流または直流が重ねられた交流に操作可能に連結さる
を含み、
c. 導電性物質で作製されたプレートである集電器
を任意に含む、装置。 - 該導電性(conducing)コイルが銅で作製される、請求項34記載の装置。
- 該導電性コイルがテーラリングされた物質で作製される、請求項34記載の装置。
- 該励磁機が銅で作製される、請求項34記載の装置。
- 該励磁機がテーラリングされた物質で作製される、請求項34記載の装置。
- 励磁機の近位端がトロイドの近くに配置される、請求項38記載の装置。
- 銅で作製される、請求項38記載の装置。
- 該集電器が、該励磁機の近位側面の反対に配置される、前記請求項いずれか記載の装置。
- 該集電器が凹側面を有する、請求項41記載の装置。
- 該凹側面が励磁機の近位側面に向かい合う、請求項41記載の装置。
- 請求項1〜33いずれか記載の装置をさらに含む、請求項34記載の装置。
- 前記請求項いずれか記載の少なくとも1つの装置を含み、1つ以上の放射線源をさらに含むテーラリング装置であって、それぞれの放射線源が、ショートアークランプ、高強度放電ランプ、ペンシルランプ、レーザー、発光ダイオード、白熱灯、蛍光灯、赤外線ランプ、紫外線ランプ、長波紫外線ランプおよび短波紫外線ランプおよび/またはハロゲンランプからなる群より選択される、テーラリング装置。
- 少なくとも1つの放射線源がペンシルランプである、請求項45記載の装置。
- 少なくとも1つの放射線源が、高強度放電ランプである、請求項45記載の装置。
- 少なくとも1つの放射線源が、ショートアークランプである、請求項45記載の装置。
- 複数の異なるペンシルランプが使用される、請求項45記載の装置。
- 円柱形に画定された空間の中心軸に沿って配置される半透明の気体導管をさらに含む、請求項45記載の装置。
- 気体供給源、好ましくは水素供給源、不活性ガス供給源または希ガス供給源およびそれらの混合物をさらに含む、請求項45記載の装置。
- 複数のペンシルランプが、円柱形に画定された空間の外側に配置され、導管に向かって方向付けられる、請求項45記載の装置。
- (1)1つ以上のリングおよび/または請求項45〜52いずれか記載の装置の表面にある順序で電力および/または周波数発生器を適用する工程、ならびに(2)放射線源の1つ以上にある順序で電力を適用する工程を含む、請求項45〜52いずれか記載の装置内で物質の電子構造を改変する方法。
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