JP2014235126A - Substrate inspection device, substrate inspection method, and substrate inspection jig - Google Patents

Substrate inspection device, substrate inspection method, and substrate inspection jig Download PDF

Info

Publication number
JP2014235126A
JP2014235126A JP2013118081A JP2013118081A JP2014235126A JP 2014235126 A JP2014235126 A JP 2014235126A JP 2013118081 A JP2013118081 A JP 2013118081A JP 2013118081 A JP2013118081 A JP 2013118081A JP 2014235126 A JP2014235126 A JP 2014235126A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
contact
contacts
substrate
wiring
terminals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013118081A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
山下 宗寛
Munehiro Yamashita
宗寛 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nidec Read Corp
Original Assignee
Nidec Read Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nidec Read Corp filed Critical Nidec Read Corp
Priority to JP2013118081A priority Critical patent/JP2014235126A/en
Publication of JP2014235126A publication Critical patent/JP2014235126A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide technology capable of preventing the destruction of an electronic component when an oxide film pertaining to terminals of a substrate having a built-in component is removed.SOLUTION: A substrate inspection device 1 has a plurality of contact pieces 12a-12h to be contacted with a plurality of terminals 93 connected to an electronic component 95. The substrate inspection device 1 detects, from among two contact pieces 12e, 12f to be contacted with one terminal 93e, a poorly contacted contact piece 12f (a contact piece not contacted in good condition with the terminal 93e) and a well-contacted contact piece 12e (a contact piece contacted in good condition with the terminal 93e). A switch 22f between the poorly contacted contact piece 12f and an equi-potential wiring 21 is placed in an off state, and a switch 22e between the well-contacted contact piece 12e and the equi-potential wiring 21 and other switches 22a-22d, 22g, 22h are placed in an on state. A voltage for removing an oxide film is applied between the contact pieces 12e and 12f while the contact pieces 12a-12d, 12g, 12h and the well-contacted contact piece 12e are being connected at equal potential.

Description

本発明は、電子部品(IC等)を内蔵する基板に形成される配線パターンの電気的な検査を行う基板検査装置およびそれに関連する技術に関する。   The present invention relates to a substrate inspection apparatus for performing an electrical inspection of a wiring pattern formed on a substrate containing an electronic component (IC or the like), and a related technology.

現在、ダイオードおよびコンデンサ等を含む電子部品を内蔵した電子部品内蔵基板(エンベデッド基板とも称される)の普及が始まりつつある。   Currently, an electronic component built-in substrate (also referred to as an embedded substrate) in which electronic components including a diode and a capacitor are incorporated is beginning to spread.

このような電子部品内蔵基板の検査手法は未だ確立されてはいないが、1つの手法として特許文献1に示すものが存在する。   Although such an inspection method for an electronic component built-in substrate has not yet been established, there is one disclosed in Patent Document 1 as one method.

また、基板上の端子の表面(ひょうめん)に形成された酸化膜を高電圧印加により除去する技術(酸化膜除去技術(電気クリーニング技術))が存在する。具体的には、基板上の特定の端子に2つの接触子を接触させ、当該2つの接触子の相互間に酸化膜除去用の高電圧を印加することによって、当該特定の端子の表面に形成された酸化膜を除去することが可能である。当該技術を用いることによれば、空気中の酸素等によって端子表面に酸化膜(絶縁膜)が生じてしまった場合であっても、検査用の接触子(プローブ)と基板上の端子との良好な接触が当該酸化膜によって阻害されることを防止できる。   There is also a technique (oxide film removal technique (electric cleaning technique)) for removing an oxide film formed on the surface of a terminal on a substrate by applying a high voltage. Specifically, two contacts are brought into contact with a specific terminal on the substrate, and a high voltage for removing an oxide film is applied between the two contacts to form on the surface of the specific terminal. It is possible to remove the oxidized film. According to this technique, even if an oxide film (insulating film) is generated on the surface of the terminal due to oxygen in the air, the contact between the inspection contact (probe) and the terminal on the substrate It can prevent that a favorable contact is inhibited by the said oxide film.

特開2007−309814号公報JP 2007-309814 A

しかしながら、上述の酸化膜除去技術(電気クリーニング技術)を電子部品内蔵基板に適用しようとすると、次のような問題が生じる。   However, when the above-described oxide film removal technique (electric cleaning technique) is applied to an electronic component built-in substrate, the following problems occur.

たとえば、電子部品に接続された特定の端子に2つの接触子を接触させ、当該2つの接触子の相互間に酸化膜除去用の高電圧を印加する際に、当該電子部品に接続された他の端子にも他の接触子が接触していることがある。この場合に2つの接触子を用いて特定の端子に対して高電圧を印加すると、当該2つの接触子間に高電圧が生じるのみならず、当該2つの接触子と当該他の接触子との間にも高電圧が生じ、当該2つの接触子の接触先の特定の端子と当該他の接触子の接続先の他の端子との間に設けられた電子部品にも高電圧が生じることがある。そして、このような高電圧(酸化膜除去用の電圧)が電子部品に印加されると、当該電子部品が破壊されてしまう、という問題が存在する。   For example, when two contacts are brought into contact with a specific terminal connected to an electronic component and a high voltage for removing an oxide film is applied between the two contacts, other contacts connected to the electronic component Other contacts may also be in contact with the terminal. In this case, when a high voltage is applied to a specific terminal using two contacts, not only a high voltage is generated between the two contacts, but also between the two contacts and the other contacts. A high voltage is also generated between the two contacts, and a high voltage is also generated in an electronic component provided between the specific terminal at the contact destination of the two contacts and the other terminal at the connection destination of the other contact. is there. And when such a high voltage (voltage for oxide film removal) is applied to an electronic component, there exists a problem that the said electronic component will be destroyed.

そこで、この発明は、電子部品内蔵基板の端子に関する酸化膜除去を行う際に、電子部品の破壊を防止することが可能な技術を提供することを課題とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a technique capable of preventing destruction of an electronic component when removing an oxide film related to a terminal of the electronic component built-in substrate.

上記課題を解決すべく、請求項1の発明は、電子部品を内蔵した基板に形成される配線パターンの電気的な検査を行う基板検査装置であって、前記基板上の複数の端子であって前記電子部品に電気的に接続されている複数の端子に接触する複数の接触子と、前記複数の接触子のうちの2つの接触子であって前記複数の端子のうちの一の端子に接触すべき2つの接触子のうち前記一の端子に良好には接触していない接触子である接触不良接触子を検出するとともに、前記2つの接触子のうち前記一の端子に良好に接触している接触子である接触良好接触子を検出する検出制御手段と、前記基板の外部において前記複数の接触子のそれぞれと同電位配線との間に設けられる複数のスイッチと、前記複数のスイッチのうち、前記接触不良接触子と前記同電位配線との間の第1のスイッチがオフ状態にされ、且つ、前記接触良好接触子と前記同電位配線との間の第2のスイッチがオン状態にされ、且つ、前記複数の接触子のうち前記2つの接触子以外の1又は2以上の接触子と前記同電位配線との間の各スイッチがオン状態にされて、前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とが互いに同電位に接続された状態で、前記接触良好接触子と前記接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧を印加する酸化膜除去制御手段と、を備えることを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problems, the invention of claim 1 is a board inspection apparatus that performs an electrical inspection of a wiring pattern formed on a board containing an electronic component, and includes a plurality of terminals on the board. A plurality of contacts that contact a plurality of terminals that are electrically connected to the electronic component, and two contacts of the plurality of contacts that contact one terminal of the plurality of terminals The contact failure contact which is a contact which is not in good contact with the one terminal among the two contacts to be detected is detected, and the one terminal of the two contacts is in good contact A detection control means for detecting a contact good contact that is a contact, a plurality of switches provided between each of the plurality of contacts and the same potential wiring outside the substrate, and among the plurality of switches The previous contact with the poor contact The first switch between the same potential wiring is turned off, the second switch between the contact good contact and the same potential wiring is turned on, and the plurality of contacts Each switch between the one or two or more contacts other than the two contacts and the equipotential wiring is turned on, and the one or more contacts and the contact good contact are And oxide film removal control means for applying a voltage for removing an oxide film between the contact good contact and the poor contact contact while being connected to the same potential.

請求項2の発明は、電子部品を内蔵した基板に形成される配線パターンの電気的な検査を行う基板検査装置であって、前記基板上の複数の端子であって前記電子部品に電気的に接続されている複数の端子に接触する複数の接触子と、前記複数の接触子のうちの2つの接触子であって、前記複数の端子のうち前記基板内の同一の配線パターンに接続された異なる2つの端子にそれぞれ接触すべき2つの接触子のうち、接触すべき端子に良好には接触していない接触子である接触不良接触子を検出するとともに、接触すべき端子に良好に接触している接触子である接触良好接触子を検出する検出制御手段と、前記基板の外部において前記複数の接触子のそれぞれと同電位配線との間に設けられる複数のスイッチと、前記複数のスイッチのうち、前記接触不良接触子と前記同電位配線との間の第1のスイッチがオフ状態にされ、且つ、前記接触良好接触子と前記同電位配線との間の第2のスイッチがオン状態にされ、且つ、前記複数の接触子のうち前記2つの接触子以外の1又は2以上の接触子と前記同電位配線との間の各スイッチがオン状態にされて、前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とが互いに同電位に接続された状態で、前記接触良好接触子と前記接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧を印加する酸化膜除去制御手段と、を備えることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate inspection apparatus for performing an electrical inspection of a wiring pattern formed on a substrate in which an electronic component is incorporated, wherein a plurality of terminals on the substrate are electrically connected to the electronic component. A plurality of contacts that contact a plurality of connected terminals, and two of the plurality of contacts, wherein the plurality of terminals are connected to the same wiring pattern in the substrate. Among the two contacts that should be in contact with two different terminals, a contact failure contact that is not in good contact with the terminal to be contacted is detected, and the contact with the terminal to be contacted with is good. Detection control means for detecting a contact good contact that is a contact, a plurality of switches provided between each of the plurality of contacts and the same potential wiring outside the substrate, and a plurality of switches Before A first switch between the poor contact and the equipotential line is turned off, and a second switch between the good contact and the equipotential line is turned on; and Each switch between the one or more contacts other than the two contacts and the equipotential wiring among the plurality of contacts is turned on, and the one or more contacts and the Oxide film removal control means for applying a voltage for removing an oxide film between the contact good contact and the poor contact contact in a state where the contact good contact is connected to the same potential. It is characterized by.

請求項3の発明は、請求項1または請求項2の発明に係る基板検査装置において、前記検出制御手段は、前記1又は2以上の接触子のいずれかと前記2つの接触子のうちの一方の接触子との間の導通状態が確認される場合に、前記一方の接触子を前記接触良好接触子として検出し、前記1又は2以上の接触子のうちの任意の接触子と前記2つの接触子のうちの他方の接触子との間の導通状態が確認されない場合に、前記他方の接触子を前記接触不良接触子として検出することを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the substrate inspection apparatus according to the first or second aspect of the present invention, the detection control means includes either one of the one or more contacts or one of the two contacts. When one of the contacts is detected as a good contact when the conduction state between the contacts is confirmed, any one of the one or more contacts and the two contacts are detected. When the conduction state with the other contact of the children is not confirmed, the other contact is detected as the poor contact contact.

請求項4の発明は、電子部品を内蔵した基板に形成される配線パターンの電気的な検査に用いられる基板検査用治具であって、前記基板上の複数の端子であって前記電子部品に電気的に接続されている複数の端子に接触する複数の接触子であって、前記複数の端子のうちの一の端子に接触すべき2つの接触子を含む複数の接触子と、前記基板の外部において前記複数の接触子のそれぞれと同電位配線との間に設けられる複数のスイッチと、前記2つの接触子のうち前記一の端子に良好に接触している接触子である接触良好接触子と前記2つの接触子のうち前記一の端子に良好には接触していない接触子である接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧を印加するための配線部と、を備え、前記接触良好接触子と前記接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧が印加される際には、前記複数のスイッチのうち、前記接触不良接触子と前記同電位配線との間の第1のスイッチがオフ状態にされ、且つ、前記接触良好接触子と前記同電位配線との間の第2のスイッチがオン状態にされ、且つ、前記複数の接触子のうち前記2つの接触子以外の1又は2以上の接触子と前記同電位配線との間の各スイッチがオン状態にされて、前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とが互いに同電位に接続されることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate inspection jig used for electrical inspection of a wiring pattern formed on a substrate incorporating an electronic component, the plurality of terminals on the substrate, wherein the electronic component is attached to the electronic component. A plurality of contacts that are in contact with a plurality of terminals that are electrically connected, the contacts including two contacts that are to contact one terminal of the plurality of terminals; A plurality of switches provided between each of the plurality of contacts and the same potential wiring on the outside, and a contact good contact that is a contact that is in good contact with the one terminal of the two contacts And a wiring part for applying a voltage for removing an oxide film between the two contacts and a poor contact that is not in good contact with the one terminal. Between the contact good contact and the poor contact contact When a voltage for removing a chemical film is applied, a first switch between the contact failure contact and the equipotential wiring among the plurality of switches is turned off and the contact is good. A second switch between the contact and the equipotential wiring is turned on, and one or more contacts other than the two contacts among the plurality of contacts and the equipotential wiring; Each of the switches is turned on, and the one or more contacts and the good contact are connected to each other at the same potential.

請求項5の発明は、電子部品を内蔵した基板に形成される配線パターンの電気的な検査に用いられる基板検査用治具であって、前記基板上の複数の端子であって前記電子部品に電気的に接続されている複数の端子に接触する複数の接触子であって、前記複数の端子のうち前記基板内の同一の配線パターンに接続された異なる2つの端子にそれぞれ接触すべき2つの接触子を含む複数の接触子と、前記基板の外部において前記複数の接触子のそれぞれと同電位配線との間に設けられる複数のスイッチと、前記2つの接触子のうち接触対象端子に良好に接触している接触子である接触良好接触子と前記2つの接触子のうち接触対象端子に良好には接触していない接触子である接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧を印加するための配線部と、を備え、前記接触良好接触子と前記接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧が印加される際には、前記複数のスイッチのうち、前記接触不良接触子と前記同電位配線との間の第1のスイッチがオフ状態にされ、且つ、前記接触良好接触子と前記同電位配線との間の第2のスイッチがオン状態にされ、且つ、前記複数の接触子のうち前記2つの接触子以外の1又は2以上の接触子と前記同電位配線との間の各スイッチがオン状態にされて、前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とが互いに同電位に接続されることを特徴とする。   The invention according to claim 5 is a substrate inspection jig used for electrical inspection of a wiring pattern formed on a substrate incorporating an electronic component, wherein the jig is a plurality of terminals on the substrate and is attached to the electronic component. A plurality of contacts that contact a plurality of terminals that are electrically connected, and two of the plurality of terminals that should contact each of two different terminals connected to the same wiring pattern in the substrate. A plurality of contacts including a contact, a plurality of switches provided between each of the plurality of contacts and the same potential wiring outside the substrate, and a contact target terminal of the two contacts. A voltage for removing an oxide film is provided between a contact good contact that is a contact that is in contact and a contact poor contact that is a contact that is not in good contact with a contact target terminal among the two contacts. Wiring part for applying and When a voltage for removing an oxide film is applied between the good contact and the poor contact, the poor contact and the equipotential wiring among the plurality of switches. And the second switch between the contact good contact and the equipotential wiring is turned on, and the second of the plurality of contacts is turned on. Each switch between one or two or more contacts other than one contact and the equipotential wiring is turned on so that the one or more contacts and the good contact contact are at the same potential. It is connected.

請求項6の発明は、電子部品を内蔵した基板に形成される配線パターンの電気的な検査を行う基板検査方法であって、a)前記基板上の複数の端子であって前記電子部品に電気的に接続されている複数の端子に接触する複数の接触子のうちの2つの接触子であって、前記複数の端子のうちの一の端子に接触すべき2つの接触子の中から、前記一の端子に良好には接触していない接触子である接触不良接触子を検出するとともに、前記2つの接触子のうち前記一の端子に良好に接触している接触子である接触良好接触子を検出するステップと、b)前記基板の外部において前記複数の接触子のそれぞれと同電位配線との間に設けられる複数のスイッチのうち、前記接触不良接触子と前記同電位配線との間の第1のスイッチをオフ状態にし、且つ、前記接触良好接触子と前記同電位配線との間の第2のスイッチをオン状態にし、且つ、前記複数の接触子のうち前記2つの接触子以外の1又は2以上の接触子と前記同電位配線との間の各スイッチをオン状態にして、前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とを互いに同電位に接続するステップと、c)前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とが互いに同電位に接続された状態で、前記接触良好接触子と前記接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧を印加するステップと、を備えることを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a substrate inspection method for performing an electrical inspection of a wiring pattern formed on a substrate incorporating an electronic component, wherein a) a plurality of terminals on the substrate are electrically connected to the electronic component. Two contacts among a plurality of contacts that contact a plurality of terminals connected to each other, and from among two contacts that should contact one terminal of the plurality of terminals, A contact poor contact which is a contact which is not in good contact with one terminal and which is in good contact with the one terminal among the two contacts. And b) among a plurality of switches provided between each of the plurality of contacts and the same potential wiring outside the substrate, between the poor contact contact and the same potential wiring. Turn off the first switch, and A second switch between the contact good contact and the equipotential wiring is turned on, and one or more contacts other than the two contacts out of the plurality of contacts and the same potential A step of turning on each switch between the wiring and connecting the one or more contacts and the contact good contact with each other at the same potential; c) the one or more contacts and the contact Applying a voltage for removing an oxide film between the good contact and the poor contact in a state where the good contact is connected to the same potential. .

請求項7の発明は、電子部品を内蔵した基板に形成される配線パターンの電気的な検査を行う基板検査方法であって、a)前記基板上の複数の端子であって前記電子部品に電気的に接続されている複数の端子に接触する複数の接触子のうちの2つの接触子であって、前記複数の端子のうち前記基板内の同一の配線パターンに接続された異なる2つの端子にそれぞれ接触すべき2つの接触子の中から、接触すべき端子に良好には接触していない接触子である接触不良接触子を検出するとともに、接触すべき端子に良好に接触している接触子である接触良好接触子を検出するステップと、b)前記基板の外部において前記複数の接触子のそれぞれと同電位配線との間に設けられる複数のスイッチのうち、前記接触不良接触子と前記同電位配線との間の第1のスイッチをオフ状態にし、且つ、前記接触良好接触子と前記同電位配線との間の第2のスイッチをオン状態にし、且つ、前記複数の接触子のうち前記2つの接触子以外の1又は2以上の接触子と前記同電位配線との間の各スイッチをオン状態にして、前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とを互いに同電位に接続するステップと、c)前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とが互いに同電位に接続された状態で、前記接触良好接触子と前記接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧を印加するステップと、を備えることを特徴とする。   A seventh aspect of the present invention is a substrate inspection method for performing an electrical inspection of a wiring pattern formed on a substrate incorporating an electronic component, wherein a) a plurality of terminals on the substrate are electrically connected to the electronic component. Two of the plurality of contacts that contact a plurality of terminals connected to each other, and two different terminals connected to the same wiring pattern in the substrate among the plurality of terminals. A contact that is in good contact with the terminal to be contacted is detected while detecting a poor contact contact that is not in good contact with the terminal to be contacted from the two contacts to be contacted. B) detecting a contact good contact, and b) out of a plurality of switches provided between each of the plurality of contacts and the same potential wiring outside the substrate. With potential wiring And the second switch between the contact good contact and the equipotential wiring is turned on, and the plurality of contacts other than the two contacts Each switch between the one or two or more contacts and the equipotential wiring is turned on to connect the one or two or more contacts and the good contact to each other at the same potential; c) With the one or more contacts and the contact good contact connected to each other at the same potential, a voltage for removing an oxide film is applied between the contact good contact and the poor contact contact. And applying.

請求項8の発明は、請求項6または請求項7の発明に係る基板検査方法において、前記ステップa)は、a−1)前記1又は2以上の接触子のいずれかと前記2つの接触子のうちの一方の接触子との間の導通状態が確認される場合に、前記一方の接触子を前記接触良好接触子として検出するステップと、a−2)前記1又は2以上の接触子のうちの任意の接触子と前記2つの接触子のうちの他方の接触子との間の導通状態が確認されない場合に、前記他方の接触子を前記接触不良接触子として検出するステップと、を有することを特徴とする。   According to an eighth aspect of the present invention, in the substrate inspection method according to the sixth or seventh aspect of the invention, the step a) includes: a-1) one of the one or two or more contacts and the two contacts. A step of detecting the one contact as the good contact when a conduction state with one of the contacts is confirmed; a-2) Among the one or more contacts Detecting the other contact as the poor contact when the conduction state between any contact of the contact and the other contact of the two contacts is not confirmed. It is characterized by.

請求項1ないし請求項8に記載の発明によれば、電子部品内蔵基板の端子に関する酸化膜除去を行う際に、電子部品の破壊を防止することが可能である。  According to the first to eighth aspects of the invention, it is possible to prevent the electronic component from being destroyed when the oxide film on the terminal of the electronic component built-in substrate is removed.

基板検査装置の内部構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the internal structure of a board | substrate inspection apparatus. 基板検査用治具の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the jig | tool for board | substrate inspection. 基板を検査する電子回路(検査回路)を示す図である。It is a figure which shows the electronic circuit (inspection circuit) which test | inspects a board | substrate. 一の端子に対して酸化膜除去用電圧が印加される状態を示す図である。It is a figure which shows the state in which the voltage for oxide film removal is applied with respect to one terminal. 2つの接触子が一の端子に良好に接触している状態を示す図である。It is a figure which shows the state which two contacts are contacting the one terminal favorably. 2つの接触子の一方が一の端子に不良接触している状態を示す図である。It is a figure which shows the state in which one of two contacts is in poor contact with one terminal. 2つの接触子の一方が一の端子に接触していない状態を示す図である。It is a figure which shows the state in which one of two contacts is not contacting the one terminal. 一の端子に対する電気クリーニング手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the electrical cleaning procedure with respect to one terminal. 2つの端子の相互間に酸化膜除去用電圧が印加される状態を示す図である。It is a figure which shows the state in which the voltage for oxide film removal is applied between two terminals. 2つの端子に対する電気クリーニング手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the electrical cleaning procedure with respect to two terminals. 2つの接触子がそれぞれ対応する端子に良好に接触している状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the two contactors are each contacting the terminal corresponding well. 2つの接触子の一方が対応端子に不良接触している状態を示す図である。It is a figure which shows the state in which one of two contacts has poor contact with the corresponding terminal. 2つの接触子の一方が対応端子に接触していない状態を示す図である。It is a figure which shows the state which one of two contactors is not contacting the corresponding | compatible terminal.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<1.装置構成概要>
図1は、基板検査装置1の内部構成を示す概略図である。基板検査装置1は、検査対象の基板(回路基板)90に設けられた複数の配線パターンの相互間の導通検査および絶縁検査を行う検査装置である。基板検査装置1は、電子部品を内蔵した基板(電子部品内蔵基板)をも検査対象とすることが可能である。また、後述するように、基板検査装置1は、基板90上の端子の表面(ひょうめん)に形成された酸化膜を高電圧印加により除去する機能(電気クリーニング機能)を有している。
<1. Overview of device configuration>
FIG. 1 is a schematic diagram showing an internal configuration of the substrate inspection apparatus 1. The board inspection apparatus 1 is an inspection apparatus that performs continuity inspection and insulation inspection between a plurality of wiring patterns provided on a substrate (circuit board) 90 to be inspected. The board inspection apparatus 1 can also test a board (an electronic part built-in board) in which an electronic component is built. Further, as will be described later, the substrate inspection apparatus 1 has a function (electric cleaning function) of removing an oxide film formed on the surface of the terminal on the substrate 90 by applying a high voltage.

図1に示すように、基板検査装置1は、略直方体形状の筐体8の内部において、検査対象の基板90を載置する搬送テーブル3を備えている。搬送テーブル3は、不図示の支持機構によって支持されるとともに、不図示の駆動機構によって水平方向(図の左右方向等)に駆動される。   As shown in FIG. 1, the substrate inspection apparatus 1 includes a transfer table 3 on which a substrate 90 to be inspected is placed inside a substantially rectangular parallelepiped housing 8. The transport table 3 is supported by a support mechanism (not shown) and is driven in the horizontal direction (the left-right direction in the figure) by a drive mechanism (not shown).

搬送テーブル3の上下には、治具駆動機構2(詳細には2a,2b)が設けられている。詳細には、搬送テーブル3の鉛直方向上側には治具駆動機構2aが配置されており、搬送テーブル3の鉛直方向下側には治具駆動機構2bが配置されている。各治具駆動機構2a,2bは、鉛直方向(図1の上下方向)に移動可能である。   A jig driving mechanism 2 (specifically 2a, 2b) is provided above and below the transfer table 3. Specifically, a jig driving mechanism 2 a is disposed on the upper side in the vertical direction of the transport table 3, and a jig driving mechanism 2 b is disposed on the lower side in the vertical direction of the transport table 3. Each jig drive mechanism 2a, 2b is movable in the vertical direction (vertical direction in FIG. 1).

治具駆動機構2には基板検査用治具10(詳細には、10a,10b)が設けられている。詳細には、治具駆動機構2aの下面側には基板検査用治具10aが固定されており、治具駆動機構2bの上面側には基板検査用治具10bが固定されている。   The jig driving mechanism 2 is provided with a board inspection jig 10 (specifically, 10a and 10b). Specifically, the substrate inspection jig 10a is fixed to the lower surface side of the jig driving mechanism 2a, and the substrate inspection jig 10b is fixed to the upper surface side of the jig driving mechanism 2b.

基板検査用治具10a,10bには、それぞれ、基板90の配線パターンの端子(検査点)に当接される複数(例えば、100本)の基板検査用の接触子(プローブ)12が設けられている。   Each of the substrate inspection jigs 10a and 10b is provided with a plurality (for example, 100) of contactors (probes) 12 for inspecting the substrate 90, which are in contact with the terminals (inspection points) of the wiring pattern of the substrate 90. ing.

治具駆動機構2aの下降動作に応じて、基板検査用治具10aが下降すると、基板検査用治具10aの下端側の複数の接触子12が、基板90の上面側に設けられた複数の端子(ランドないしパッド電極等とも称する)にそれぞれ接触する。このとき適宜の圧力が付与されることにより、物理的および電気的接触が適切に確保される。   When the substrate inspection jig 10a is lowered in accordance with the lowering operation of the jig driving mechanism 2a, a plurality of contacts 12 on the lower end side of the substrate inspection jig 10a are provided on the upper surface side of the substrate 90. The terminals (also referred to as lands or pad electrodes) are in contact with each other. At this time, appropriate physical pressure and electrical contact are ensured by applying an appropriate pressure.

同様に、治具駆動機構2bの上昇動作に応じて、基板検査用治具10bが上昇すると、基板検査用治具10bの上端側の複数の接触子12が、基板90の下面側に設けられた複数の端子にそれぞれ接触する。このとき適宜の圧力が付与されることにより、物理的および電気的接触が適切に確保される。なお、搬送テーブル3の中央部には、基板90の下面(裏面)の配線パターンの端子に基板検査用治具10bの接触子12を接触させるための貫通開口が形成されている。   Similarly, when the substrate inspection jig 10b is raised according to the raising operation of the jig driving mechanism 2b, a plurality of contacts 12 on the upper end side of the substrate inspection jig 10b are provided on the lower surface side of the substrate 90. Contact each of the multiple terminals. At this time, appropriate physical pressure and electrical contact are ensured by applying an appropriate pressure. Note that a through-opening is formed in the central portion of the transport table 3 for bringing the contact 12 of the substrate inspection jig 10b into contact with the terminal of the wiring pattern on the lower surface (back surface) of the substrate 90.

このようにして基板検査用治具10a,10bの接触子12が基板90の上下両面(表裏両面)にそれぞれ接触した状態において、基板に形成される配線パターンの電気的な検査が行われる。   In this way, the electrical inspection of the wiring pattern formed on the substrate is performed in the state where the contacts 12 of the substrate inspection jigs 10a and 10b are in contact with the upper and lower surfaces (front and back surfaces) of the substrate 90, respectively.

<2.治具>
図2は、基板検査用治具10(10a)の構成を示す概略図である。ここでは、基板検査用治具10aについて説明するが、基板検査用治具10bも同様の構成を有している。
<2. Jig>
FIG. 2 is a schematic view showing the configuration of the substrate inspection jig 10 (10a). Here, the substrate inspection jig 10a will be described, but the substrate inspection jig 10b has the same configuration.

基板検査用治具10は、複数の接触子12と、当該複数の接触子12を保持する保持体13と、複数の電極部14aを有する電極体14と、電極体14を支持する支柱部15と、配線部16と、土台部17と、スイッチ回路20とを備えて構成される。   The substrate inspection jig 10 includes a plurality of contacts 12, a holding body 13 that holds the plurality of contacts 12, an electrode body 14 that has a plurality of electrode portions 14 a, and a column portion 15 that supports the electrode body 14. And a wiring unit 16, a base unit 17, and a switch circuit 20.

接触子12の一端(図2では下端)は、検査対象物(基板)上に設定される所定の検査点と当接して導通接続され、接触子12の他端(図2では上端)は、電極部14aに当接して導通接続される。接触子12は、導電性材料で形成される。   One end (the lower end in FIG. 2) of the contact 12 is in conduction connection with a predetermined inspection point set on the inspection object (substrate), and the other end (the upper end in FIG. 2) of the contact 12 is Abutting on the electrode portion 14a to be conductively connected. The contact 12 is made of a conductive material.

接触子12は、細長い棒状の形状を有している。接触子12は、両端部を除く全周に亘って絶縁被覆されている。また、接触子12は可撓性を有しており、保持体13に装着される際には、僅かに一定方向に湾曲して装着される。このように接触子12が湾曲して装着されることによって復元力が発生し、当該復元力に応じて接触子12から検査点への押圧力等が生じる。   The contact 12 has an elongated bar shape. The contact 12 is covered with insulation over the entire circumference except for both ends. Further, the contact 12 has flexibility, and when attached to the holding body 13, the contact 12 is attached while being slightly bent in a certain direction. Thus, when the contact 12 is bent and mounted, a restoring force is generated, and a pressing force or the like from the contact 12 to the inspection point is generated according to the restoring force.

保持体13は、複数の接触子12の一端(下端)をそれぞれの所定の検査点に案内し、他方端(上端)をそれぞれの所定の電極部14aへ案内する。保持体13は、電極側板部13aと検査側板部13bと支柱13cとを有する。電極側板部13aと検査側板部13bとは、互いに離間した状態で、所定数の支柱13cを用いて固定される。なお、電極側板部13aと検査側板部13bとの間の空間において、接触子12が湾曲する。   The holding body 13 guides one end (lower end) of the plurality of contacts 12 to each predetermined inspection point, and guides the other end (upper end) to each predetermined electrode portion 14a. The holding body 13 includes an electrode side plate portion 13a, an inspection side plate portion 13b, and a support column 13c. The electrode side plate portion 13a and the inspection side plate portion 13b are fixed using a predetermined number of support columns 13c while being separated from each other. The contact 12 is curved in the space between the electrode side plate portion 13a and the inspection side plate portion 13b.

電極側板部13aは、絶縁材料で形成されており、接触子12の他端(上端)を電極部14aへ案内するための貫通孔(案内孔)を有している。   The electrode side plate portion 13a is made of an insulating material and has a through hole (guide hole) for guiding the other end (upper end) of the contact 12 to the electrode portion 14a.

検査側板部13bは、絶縁材料で形成されており、接触子12の一端(下端)を検査点へ案内するための貫通孔(案内孔)を有している。検査側板部13bの貫通孔からは、接触子12が突出している。検査時においては、接触子12の先端が基板90の検査点に当接する。   The inspection side plate portion 13b is made of an insulating material and has a through hole (guide hole) for guiding one end (lower end) of the contact 12 to the inspection point. The contact 12 protrudes from the through hole of the inspection side plate portion 13b. At the time of inspection, the tip of the contact 12 comes into contact with the inspection point of the substrate 90.

電極体14は、複数の接触子12の他端(上端)とそれぞれ導通接触する複数の電極部14aと、当該複数の電極部14aを保持する電極保持部14bとを有している。電極部14aは、電極体14の表面(おもてめん)(ここでは下面)側において所定の位置に配置されるように形成され、電極体14の裏面(上面)側から配線部16に接続(詳細には、電気的に接続(以下同様))される。電極保持部14bは、絶縁材料で板形状に形成されており、複数の電極部14aをそれぞれ保持するための複数の貫通孔(図示せず)を有している。   The electrode body 14 includes a plurality of electrode portions 14a that are in conductive contact with the other ends (upper ends) of the plurality of contacts 12, respectively, and an electrode holding portion 14b that holds the plurality of electrode portions 14a. The electrode portion 14a is formed so as to be disposed at a predetermined position on the front surface (here, the lower surface) side of the electrode body 14, and is connected to the wiring portion 16 from the back surface (upper surface) side of the electrode body 14. (Details are electrically connected (the same applies hereinafter)). The electrode holding portion 14b is formed in a plate shape with an insulating material, and has a plurality of through holes (not shown) for holding the plurality of electrode portions 14a, respectively.

支柱部15は、電極体14を支持し、ひいては保持体13および接触子12をも支持する。具体的には、支柱部15は、電極体14の四隅にそれぞれ支柱を有し、電極体14を支える構造を有している。   The support column 15 supports the electrode body 14 and thus also supports the holding body 13 and the contact 12. Specifically, the column part 15 has a structure for supporting the electrode body 14 by having columns at the four corners of the electrode body 14.

配線部16は、電極部14aから延設される配線で構成され、電極部14aと基板検査装置1のコントローラ30(図3参照)とを電気的に接続する。配線部16は、絶縁被覆された銅(Cu)の線材(いわゆる導線)等で構成される。   The wiring part 16 is comprised by the wiring extended from the electrode part 14a, and electrically connects the electrode part 14a and the controller 30 (refer FIG. 3) of the board | substrate inspection apparatus 1. FIG. The wiring portion 16 is made of an insulating-coated copper (Cu) wire (so-called conducting wire) or the like.

配線部16は、複数の接触子12のそれぞれに接続される複数の配線を有している。複数の接触子12のうちの2つの接触子(たとえば接触良好接触子12eおよび接触不良接触子12f)にそれぞれ接続される2つの配線の相互間に電圧が印加されることによって、当該2つの接触子の相互間に電圧(酸化膜除去用の電圧等)が印加される。   The wiring part 16 has a plurality of wirings connected to each of the plurality of contacts 12. By applying a voltage between two wirings respectively connected to two contacts (for example, the contact good contact 12e and the contact poor contact 12f) of the plurality of contacts 12, the two contacts A voltage (such as a voltage for removing an oxide film) is applied between the children.

土台部17は、複数の接触子12と保持体13と電極体14と支柱部15とに対する土台として構成される。土台部17は、基板検査用治具10を治具駆動機構2に固定する機能等を有する。   The base portion 17 is configured as a base for the plurality of contacts 12, the holding body 13, the electrode body 14, and the column portion 15. The base portion 17 has a function of fixing the substrate inspection jig 10 to the jig driving mechanism 2.

スイッチ回路20については後述する。   The switch circuit 20 will be described later.

<3.基板>
この実施形態では、検査対象の基板90として電子部品内蔵基板が例示される。基板90は、電子部品(ここでは集積回路(IC:Integrated Circuit))95を内蔵した基板(電子部品内蔵基板)である(図3参照)。
<3. Substrate>
In this embodiment, an electronic component built-in substrate is exemplified as the substrate 90 to be inspected. The substrate 90 is a substrate (an electronic component-embedded substrate) in which an electronic component (here, an integrated circuit (IC)) 95 is embedded (see FIG. 3).

電子部品95内には、様々な電子部品要素(ダイオード、コンデンサ、抵抗等)が設けられる。ただし、図3では、図示の都合上、ダイオードのみが示されている。図3では、4つのダイオード96a〜96dが電子部品95内に設けられている。電子部品95の内部のダイオード96a〜96dは、内部ダイオードとも称される。また、この電子部品95には、4つのIC端子(電子部品端子とも称する)97a〜97dが設けられている。   In the electronic component 95, various electronic component elements (diodes, capacitors, resistors, etc.) are provided. However, in FIG. 3, only a diode is shown for convenience of illustration. In FIG. 3, four diodes 96 a to 96 d are provided in the electronic component 95. The diodes 96a to 96d inside the electronic component 95 are also referred to as internal diodes. The electronic component 95 is provided with four IC terminals (also referred to as electronic component terminals) 97a to 97d.

また、基板90の表面(ひょうめん)(具体的には、上面および下面等)には、複数の端子93,94が設けられている。当該複数の端子93,94は、基板内部の配線パターンに電気的に接続されている。複数の端子93,94の一部は、基板内部の配線パターン等を介して相互に電気的に接続され、複数の端子93,94の他の一部は、基板内部において互いに電気的に接続されていない。また、複数の端子93は、それぞれ、基板に内蔵された電子部品95の(基板内部の)複数のIC端子97a〜97dのいずれかに対して電気的に接続されている。一方、複数の端子94は、それぞれ、基板に内蔵された電子部品95とは電気的に接続されていない。   In addition, a plurality of terminals 93 and 94 are provided on the surface of the substrate 90 (specifically, an upper surface and a lower surface). The plurality of terminals 93 and 94 are electrically connected to a wiring pattern inside the substrate. Some of the plurality of terminals 93 and 94 are electrically connected to each other via a wiring pattern or the like inside the substrate, and other parts of the plurality of terminals 93 and 94 are electrically connected to each other inside the substrate. Not. Each of the plurality of terminals 93 is electrically connected to one of the plurality of IC terminals 97a to 97d (inside the board) of the electronic component 95 built in the board. On the other hand, each of the plurality of terminals 94 is not electrically connected to the electronic component 95 built in the substrate.

たとえば、基板内部のIC端子97bには、2つの端子93(93a,93b)が配線パターンPT1を介して電気的に接続されている。同様に、基板内部のIC端子97aには、2つの端子93(93g,93h)が配線パターンPT2を介して電気的に接続されており、基板内部のIC端子97cには、2つの端子93(93c,93d)が配線パターンPT3を介して電気的に接続されている。また、基板内部のIC端子97dには、1つの端子93(93e)が配線パターンPT4を介して電気的に接続されている。さらに、端子93a,93bは相互に電気的に接続されており、端子93c,93dも相互に電気的に接続されている。同様に、端子93g,93hも相互に電気的に接続されている。一方、複数の端子94は、それぞれ、基板に内蔵された電子部品95の基板内部の複数のIC端子97a〜97dのいずれとも電気的に接続されていない。   For example, two terminals 93 (93a, 93b) are electrically connected to the IC terminal 97b inside the substrate via the wiring pattern PT1. Similarly, two terminals 93 (93g, 93h) are electrically connected to the IC terminal 97a inside the substrate via the wiring pattern PT2, and the two terminals 93 ( 93c, 93d) are electrically connected via the wiring pattern PT3. Further, one terminal 93 (93e) is electrically connected to the IC terminal 97d inside the substrate via the wiring pattern PT4. Further, the terminals 93a and 93b are electrically connected to each other, and the terminals 93c and 93d are also electrically connected to each other. Similarly, the terminals 93g and 93h are also electrically connected to each other. On the other hand, the plurality of terminals 94 are not electrically connected to any of the plurality of IC terminals 97a to 97d inside the substrate of the electronic component 95 built in the substrate.

ここにおいて、基板90上の各端子93,94は、絶縁検査および導通検査における検査点として用いられる。   Here, the terminals 93 and 94 on the substrate 90 are used as inspection points in the insulation inspection and the continuity inspection.

たとえば、端子93同士の導通検査において、端子(電極)93cと端子(電極)93dとが検査点として用いられて、2つの端子93c,93dの相互間の導通状態(良好な導電状態)が確認される。また、端子93eと端子93hとが検査点として用いられて、2つの端子93e,93hの相互間の導通状態(良好な導電状態)が確認される。他の端子93に関する導通検査についても同様であり、各端子93は導通検査における検査点として用いられる。   For example, in the continuity test between the terminals 93, the terminal (electrode) 93c and the terminal (electrode) 93d are used as inspection points, and the continuity state (good conductive state) between the two terminals 93c and 93d is confirmed. Is done. Further, the terminal 93e and the terminal 93h are used as inspection points, and the conduction state (good conduction state) between the two terminals 93e and 93h is confirmed. The same applies to the continuity test for other terminals 93, and each terminal 93 is used as an inspection point in the continuity test.

また、絶縁検査においては、複数の端子93の少なくとも一部が検査点として利用される。たとえば、基板90内の配線パターンPT3に対して設けられた2つの端子93c,93dのうちの任意の端子(たとえば93c)と、基板90内の配線パターンPT2に設けられた2つの端子93g,93hのうちの任意の端子(たとえば93h)とが検査点として用いられて、2つの配線パターンPT3,PT2の相互間の絶縁検査が行われる。あるいは、基板90内の配線パターンPT4に対して設けられた端子93eと、基板90内の配線パターンPT2に設けられた2つの端子93g,93hのうちの任意の端子(たとえば93h)とが検査点として用いられて、2つの配線パターンPT4,PT2の相互間の絶縁検査が行われる。なお、端子93に関する絶縁検査は、ダイオード96の順方向電圧Vfよりも小さな電圧(たとえば、0.2V(ボルト))が印加されることによって、ダイオード96には電流が流れない状態で行われる。   In the insulation inspection, at least some of the plurality of terminals 93 are used as inspection points. For example, an arbitrary terminal (for example, 93c) of the two terminals 93c and 93d provided for the wiring pattern PT3 in the substrate 90 and two terminals 93g and 93h provided in the wiring pattern PT2 in the substrate 90. Any of these terminals (eg, 93h) is used as an inspection point, and an insulation inspection between the two wiring patterns PT3 and PT2 is performed. Alternatively, a terminal 93e provided for the wiring pattern PT4 in the substrate 90 and an arbitrary terminal (for example, 93h) of the two terminals 93g and 93h provided in the wiring pattern PT2 in the substrate 90 are inspection points. As a result, an insulation inspection between the two wiring patterns PT4 and PT2 is performed. The insulation test for the terminal 93 is performed in a state where no current flows through the diode 96 by applying a voltage (for example, 0.2 V (volt)) smaller than the forward voltage Vf of the diode 96.

端子94も同様に、導通検査および絶縁検査における検査点として用いられる。   Similarly, the terminal 94 is used as an inspection point in the continuity inspection and the insulation inspection.

このように、各端子93,94は、各種検査(導通検査および絶縁検査を含む)における検査点として用いられる。   Thus, the terminals 93 and 94 are used as inspection points in various inspections (including continuity inspection and insulation inspection).

<4.検査回路>
図3は、基板90を検査する電子回路(検査回路)を示す図である。
<4. Inspection circuit>
FIG. 3 is a diagram showing an electronic circuit (inspection circuit) for inspecting the substrate 90.

図3に示すように、基板検査装置1は、コントローラ30をも備えている。なお、図3においては、基板検査用治具10の図示を省略している。   As shown in FIG. 3, the board inspection apparatus 1 also includes a controller 30. In FIG. 3, the substrate inspection jig 10 is not shown.

コントローラ30は、各種検査を制御する制御部である。コントローラ30は、電源31の出力(出力電流および/または出力電圧)等を制御し、配線パターン相互間の導通検査および絶縁検査を行う。   The controller 30 is a control unit that controls various inspections. The controller 30 controls the output (output current and / or output voltage) and the like of the power supply 31, and performs a continuity test and an insulation test between the wiring patterns.

コントローラ30は、検査制御部34と記憶部35と検出制御部36と酸化膜除去制御部37とを有している。   The controller 30 includes an inspection control unit 34, a storage unit 35, a detection control unit 36, and an oxide film removal control unit 37.

コントローラ30の記憶部35には、各検査における検査パターンデータ(たとえば絶縁検査における印加電圧等)が検査対象端子の組み合わせ毎に記憶される。検査制御部34は、記憶部35に記憶された検査パターンデータ等に基づいて、導通検査および絶縁検査を制御する。検出制御部36は、後述する接触良好接触子および接触不良接触子を検出する処理部である。酸化膜除去制御部37は、酸化膜除去動作を制御する処理部である。   In the storage unit 35 of the controller 30, inspection pattern data (for example, applied voltage in insulation inspection) in each inspection is stored for each combination of inspection target terminals. The inspection control unit 34 controls the continuity inspection and the insulation inspection based on the inspection pattern data stored in the storage unit 35. The detection control unit 36 is a processing unit that detects a good contact and a poor contact that will be described later. The oxide film removal control unit 37 is a processing unit that controls the oxide film removal operation.

電源31は、定電流源として構成される。電源31は、電圧印加時における供給電流を一定値に調整することが可能である。   The power supply 31 is configured as a constant current source. The power supply 31 can adjust the supply current at the time of voltage application to a constant value.

電源31は、導通検査においては、複数の配線パターンの中から順次選択される絶縁検査の対象配線パターン(絶縁検査対象配線パターン)の相互間において、印加電圧を調整しつつ一定値の電流が流れるように電力を供給する。   In the continuity test, the power supply 31 allows a constant current to flow while adjusting the applied voltage between the wiring patterns subject to insulation inspection (insulation inspection target wiring patterns) sequentially selected from a plurality of wiring patterns. To supply power.

また、電源31は、絶縁検査においては、複数の配線パターンの中から順次選択される絶縁検査の対象配線パターン(絶縁検査対象配線パターン)の相互間に対して、様々な大きさの電圧(たとえば、0.2V、200V等)を印加する。   Further, in the insulation test, the power supply 31 has various magnitudes of voltages (for example, for the insulation test target wiring patterns) sequentially selected from a plurality of wiring patterns (for example, the insulation test target wiring patterns). , 0.2V, 200V, etc.).

電源31は、後述するように酸化膜除去用の電圧印加等にも用いられる。   The power source 31 is also used for applying a voltage for removing an oxide film, as will be described later.

<5.スイッチ回路>
図3に示すように、スイッチ回路20は、基板90の外部において各接触子12とコントローラ30(電源31等)との間に設けられる。スイッチ回路20は、配線21と複数のスイッチ22,23とを備えて構成される。各スイッチ22,23は、コントローラ30からの指令信号等に応じて、互いに独立して開閉可能である(オフ状態とオン状態とが切り換えられ得る)。
<5. Switch circuit>
As shown in FIG. 3, the switch circuit 20 is provided between each contact 12 and the controller 30 (power source 31 or the like) outside the substrate 90. The switch circuit 20 includes a wiring 21 and a plurality of switches 22 and 23. Each of the switches 22 and 23 can be opened and closed independently of each other in accordance with a command signal from the controller 30 (can be switched between an off state and an on state).

配線21は、接触良好接続子(後述)と複数の接触子のうち接触不良接触子(後述)以外の1又は2以上の接触子とを同電位に接続する配線であることから同電位配線とも称される。   Since the wiring 21 is a wiring that connects a good contact connector (described later) and one or more contacts other than the poor contact contact (described later) among the plurality of contacts to the same potential. Called.

スイッチ23は、同電位配線21とグランド電位との両者の接続状態と、当該両者の解除状態とを切り換えるスイッチである。同電位配線21は、スイッチ23をオン状態にすることによってグランド(Ground)に接続される(接地される)。   The switch 23 is a switch for switching between a connection state between the equipotential wiring 21 and the ground potential and a release state of the both. The equipotential wiring 21 is connected (grounded) to the ground by turning on the switch 23.

複数のスイッチ22(詳細には、22a〜22h)は、基板90の外部において、複数の接触子12のそれぞれと同電位配線21との間に設けられる。詳細には、各スイッチ22の一端は、各接触子12に接続される配線部16の途中に設けられる分岐部分(配線接続部とも称する)Q等に接続されており、各スイッチ22の他端は、同電位配線21に接続されている。   The plurality of switches 22 (specifically, 22a to 22h) are provided between each of the plurality of contacts 12 and the same potential wiring 21 outside the substrate 90. Specifically, one end of each switch 22 is connected to a branch portion (also referred to as a wiring connection portion) Q provided in the middle of the wiring portion 16 connected to each contact 12, and the other end of each switch 22. Are connected to the same potential wiring 21.

より具体的には、スイッチ22eの一端は、接触子12eに接続される配線部16の途中に設けられる分岐部分(配線接続部とも称する)Q5に接続されており、当該スイッチ22eの他端は、同電位配線21に接続されている。また、スイッチ22fの一端は、接触子12fに接続される配線部16の途中に設けられる分岐部分(配線接続部)Q6に接続されており、当該スイッチ22fの他端は、同電位配線21に接続されている。さらに、スイッチ22cの一端は、接触子12cに接続される配線部16の途中に設けられる分岐部分(配線接続部)Q3に接続されており、当該スイッチ22cの他端は、同電位配線21に接続されている。また、スイッチ22dの一端は、接触子12dに接続される配線部16の途中に設けられる分岐部分(配線接続部)Q4に接続されており、当該スイッチ22dの他端は、同電位配線21に接続されている。その他のスイッチ22a,22b,22g,22hについても同様である。各スイッチ22a,22b,22g,22hの一端は配線接続部Q1,Q2,Q7,Q8にそれぞれ接続されており、各スイッチ22a,22b,22g,22hの他端は同電位配線21に接続されている。   More specifically, one end of the switch 22e is connected to a branch portion (also referred to as a wiring connection portion) Q5 provided in the middle of the wiring portion 16 connected to the contact 12e, and the other end of the switch 22e is Are connected to the same potential wiring 21. One end of the switch 22f is connected to a branch portion (wiring connection portion) Q6 provided in the middle of the wiring portion 16 connected to the contact 12f, and the other end of the switch 22f is connected to the same potential wiring 21. It is connected. Furthermore, one end of the switch 22c is connected to a branch portion (wiring connecting portion) Q3 provided in the middle of the wiring portion 16 connected to the contact 12c, and the other end of the switch 22c is connected to the same potential wiring 21. It is connected. One end of the switch 22d is connected to a branch portion (wiring connecting portion) Q4 provided in the middle of the wiring portion 16 connected to the contact 12d. The other end of the switch 22d is connected to the same potential wiring 21. It is connected. The same applies to the other switches 22a, 22b, 22g, and 22h. One end of each switch 22a, 22b, 22g, 22h is connected to the wiring connection part Q1, Q2, Q7, Q8, respectively, and the other end of each switch 22a, 22b, 22g, 22h is connected to the same potential wiring 21. Yes.

各スイッチ22は、そのオン状態とオフ状態とを切り換えることによって、各接触子12と同電位配線21との両者が電気的に接続されて当該両者12,21が同電位にされる状態と、当該両者の接続が解除された状態とを、接触子12ごとに個別に切り換えることができる。   Each switch 22 is switched between its on state and off state, whereby each contactor 12 and the same potential wiring 21 are electrically connected to each other, and the both potentials 12 and 21 are set to the same potential. The state in which the connection between the two is released can be individually switched for each contact 12.

<6.酸化膜除去動作(電気クリーニング動作)>
この実施形態においては、導通検査および絶縁検査に先立って、基板90上の各端子の表面(ひょうめん)に形成された酸化膜(絶縁膜)を高電圧印加により除去する動作(酸化膜除去動作)が行われる。このような酸化膜除去動作によれば、端子表面に生じた酸化膜(絶縁膜)を除去し、検査用の接触子(プローブ)と基板上の端子との接触を確実化することができる。ひいては、その後の導通検査および絶縁検査の精度を向上させることが可能である。以下では、このような酸化膜除去動作(電気クリーニング動作とも称される)について詳細に説明する。
<6. Oxide film removal operation (electric cleaning operation)>
In this embodiment, prior to the continuity test and the insulation test, an operation (oxide film removal operation) for removing the oxide film (insulating film) formed on the surface of each terminal on the substrate 90 by applying a high voltage. ) Is performed. According to such an oxide film removing operation, the oxide film (insulating film) generated on the terminal surface can be removed, and the contact between the inspection contact (probe) and the terminal on the substrate can be ensured. As a result, it is possible to improve the accuracy of subsequent continuity inspection and insulation inspection. Hereinafter, such an oxide film removing operation (also referred to as an electric cleaning operation) will be described in detail.

<6−1.一の端子93eに関する酸化膜除去動作>
まず、複数の端子93のうちの一の端子93eに関する酸化膜除去動作について、図8のフローチャートを参照しながら説明する。この酸化膜除去動作は、複数の接触子12のうち、複数の端子93のうちの一の端子93eに接触する2つの接触子12e,12fを主に用いて行われる。
<6-1. Oxide Film Removal Operation for One Terminal 93e>
First, an oxide film removal operation related to one terminal 93e of the plurality of terminals 93 will be described with reference to the flowchart of FIG. This oxide film removing operation is performed mainly using the two contacts 12e and 12f that contact one terminal 93e of the plurality of terminals 93 among the plurality of contacts 12.

具体的には、ステップS11において、コントローラ30は、基板90上の端子93eに接触する2つの接触子12e,12fの相互間の導通検査を行う。なお、ステップS11〜S16の各処理の実行時には、各スイッチ22,23はいずれもオフ状態に設定される(図3参照)。   Specifically, in step S <b> 11, the controller 30 performs a continuity test between the two contacts 12 e and 12 f that are in contact with the terminal 93 e on the substrate 90. In addition, at the time of execution of each process of steps S11-S16, each switch 22 and 23 is set to an OFF state (refer FIG. 3).

ステップS12では、この導通検査の結果に基づく分岐処理が行われる。   In step S12, a branch process based on the result of the continuity test is performed.

2つの接触子12e,12fの相互間における良好な導通状態が検出される場合(図5参照)には、酸化膜除去動作は行われずに、本ルーチンは終了する。たとえば、図5に示すように、両接触子12e,12fがいずれも端子93eに良好に接触している場合には、良好な導通状態が検出される。この場合には、酸化膜除去動作は行われない。   When a good conduction state is detected between the two contacts 12e and 12f (see FIG. 5), the routine is terminated without performing the oxide film removal operation. For example, as shown in FIG. 5, when both the contacts 12e and 12f are in good contact with the terminal 93e, a good conduction state is detected. In this case, the oxide film removing operation is not performed.

一方、2つの接触子12e,12fの相互間における導通状態が不良である場合(図6および図7参照)には、ステップS13に進む。たとえば、図6に示すように、端子93eの表面(ひょうめん)における接触子12fの当接部分に酸化膜99が形成されている場合には、導通不良が検出される。また、図7に示すように、図の左右方向の位置ずれに起因して接触子12fと端子93eとが接触していない場合にも、導通不良が検出される。これらの場合には、酸化膜除去動作を行うべく、ステップS13以降に進む。   On the other hand, when the conduction state between the two contacts 12e and 12f is poor (see FIGS. 6 and 7), the process proceeds to step S13. For example, as shown in FIG. 6, when the oxide film 99 is formed on the contact portion of the contact 12f on the surface of the terminal 93e, a conduction failure is detected. Further, as shown in FIG. 7, a conduction failure is also detected when the contact 12f and the terminal 93e are not in contact due to a positional shift in the left-right direction in the figure. In these cases, the process proceeds to step S13 and subsequent steps in order to perform the oxide film removing operation.

検出制御部36は、ステップS13〜S16において、端子93eに接触すべき2つの接触子12e,12fの中から、「接触不良接触子」と「接触良好接触子」とを検出する。ここで、接触すべき端子(接触対象端子とも称する)93に良好には接触していない接触子を「接触不良接触子」(ないし「接触不良プローブ」)などとも称する。また、接触すべき端子(接触対象端子)93に良好に接触している接触子を「接触良好接触子」(ないし「接触良好プローブ」)などとも称する。ここでは、2つの接触子12のうちの一方は「接触良好接触子」である場合を想定する。   In steps S13 to S16, the detection control unit 36 detects the “contact failure contact” and the “contact good contact” from the two contacts 12e and 12f that should contact the terminal 93e. Here, a contact that is not in good contact with a terminal to be contacted (also referred to as a contact target terminal) 93 is also referred to as a “contact failure contact” (or “contact failure probe”). Further, a contact that is in good contact with the terminal to be contacted (contact target terminal) 93 is also referred to as a “contact good contact” (or “contact good probe”). Here, it is assumed that one of the two contacts 12 is a “contact good contact”.

具体的には、まず、ステップS13において、2つの接触子12e,12fのうちの一方の接触子12eと、複数の接触子12a〜12hのうち2つの接触子12e,12f以外の2以上の(ここでは6個の)接触子12a〜12d,12g,12hとの導通状態が確認される。換言すれば、接触子12eと端子93eとの接触状態が確認される。   Specifically, first, in step S13, one contact 12e of the two contacts 12e and 12f and two or more of the plurality of contacts 12a to 12h other than the two contacts 12e and 12f ( Here, the conductive state with the six contacts 12a to 12d, 12g, and 12h is confirmed. In other words, the contact state between the contact 12e and the terminal 93e is confirmed.

たとえば、まず、接触子12eと接触子12aとの間の導通検査が行われ、つぎに接触子12eと接触子12bとの間の導通検査が行われる。さらに、接触子12eと接触子12cとの間の導通検査、接触子12eと接触子12dとの間の導通検査、接触子12eと接触子12gとの間の導通検査が行われ、接触子12eと接触子12hとの間の導通検査が行われる。このようにして、接触子12eと、各接触子12a〜12d,12g,12hとの導通状態が順次に確認される。   For example, first, a continuity test is performed between the contact 12e and the contact 12a, and then a continuity test is performed between the contact 12e and the contact 12b. Furthermore, a continuity test between the contact 12e and the contact 12c, a continuity test between the contact 12e and the contact 12d, and a continuity test between the contact 12e and the contact 12g are performed, and the contact 12e. And the contact 12h are inspected for continuity. In this way, the conduction state between the contact 12e and each of the contacts 12a to 12d, 12g, and 12h is sequentially confirmed.

なお、これに限定されず、複数の接触子12a〜12d,12g,12hを互いに同じ電位V1(第1の電位)にした状態で、接触子12eに対して第2の電位V2(第1の電位V1とは異なる電位V2)を付与することによって、接触子12eと、接触子12a〜12d,12g,12hとの導通状態が一斉に確認されるようにしてもよい。   Note that the present invention is not limited to this, and a plurality of contacts 12a to 12d, 12g, and 12h are set to the same potential V1 (first potential). By applying a potential V2) different from the potential V1, the conduction state between the contact 12e and the contacts 12a to 12d, 12g, and 12h may be confirmed all at once.

また、ステップS14において、2つの接触子12e,12fのうちの他方の接触子12fと、複数の接触子12a〜12hのうち2つの接触子12e,12f以外の2以上の接触子12a〜12d,12g,12hとの導通状態が確認される。換言すれば、接触子12fと端子93eとの接触状態が確認される。詳細には、接触子12eを接触子12fに変更する点を除いては、ステップS13と同様の処理が行われればよい。   In step S14, the other contact 12f of the two contacts 12e and 12f and two or more contacts 12a to 12d other than the two contacts 12e and 12f of the plurality of contacts 12a to 12h, The conduction state with 12g and 12h is confirmed. In other words, the contact state between the contact 12f and the terminal 93e is confirmed. In detail, the process similar to step S13 should just be performed except the point which changes the contact 12e into the contact 12f.

そして、ステップS13,S14の導通検査の結果に基づいて、「接触不良接触子」と「接触良好接触子」とが検出される。   Then, based on the results of the continuity test in steps S13 and S14, “contact failure contact” and “contact good contact” are detected.

ステップS15においては、「接触良好接触子」が検出される。具体的には、複数の接触子12a〜12hのうち2つの接触子以外の2以上の接触子12a〜12d,12g,12hのいずれかと2つの接触子12e,12fのうちの一方の接触子との間の導通状態が確認される場合に、当該一方の接触子が接触良好接触子として検出される。たとえば、接触子12eと接触子12a〜12d,12g,12hの少なくとも1つとの間の導通状態が確認される場合に、当該接触子12eが「接触良好接触子」として検出される。換言すれば、接触子12eが端子93eに対して良好に接触していることが確認される。   In step S15, a “contact good contact” is detected. Specifically, any one of two or more contacts 12a to 12d, 12g, and 12h other than two contacts among a plurality of contacts 12a to 12h and one of the two contacts 12e and 12f, and When the conduction state between the two contacts is confirmed, the one contact is detected as a contact good contact. For example, when a conduction state between the contact 12e and at least one of the contacts 12a to 12d, 12g, and 12h is confirmed, the contact 12e is detected as a “contact good contact”. In other words, it is confirmed that the contact 12e is in good contact with the terminal 93e.

また、ステップS16においては、「接触不良接触子」が検出される。具体的には、接触子12a〜12d,12g,12hのうちの任意の接触子と2つの接触子12e,12fのうちの他方の接触子との間の導通状態が確認されない場合に、当該他方の接触子が接触良好接触子として検出される。たとえば、接触子12fが接触子12a〜12d,12g,12hのいずれとも良好に導通していない場合には、当該接触子12fが「接触不良接触子」として検出される。換言すれば、接触子12fが端子93eに対して良好には接触していないことが確認される。   In step S16, “contact failure contact” is detected. Specifically, when the conduction state between any contact among the contacts 12a to 12d, 12g, and 12h and the other contact among the two contacts 12e and 12f is not confirmed, the other contact Are detected as good contacts. For example, when the contact 12f is not conducting well with any of the contacts 12a to 12d, 12g, and 12h, the contact 12f is detected as a “contact failure contact”. In other words, it is confirmed that the contact 12f is not in good contact with the terminal 93e.

なお、仮に、2つの接触子12e,12fの双方が「接触不良接触子」である場合には、図8の処理が中断されればよい。そして、基板検査装置1は、複数の接触子12と複数の端子93との接触状態を一端解除し、さらに基板90に対する接触子12の位置決め動作を再度行った後に、複数の接触子12と複数の端子93とを再度接触させて、上記のステップS11からステップS18までの動作を再度を実行するようにすればよい。   If both of the two contacts 12e and 12f are “contact failure contacts”, the process of FIG. 8 may be interrupted. Then, the substrate inspection apparatus 1 once releases the contact state between the plurality of contacts 12 and the plurality of terminals 93, and further performs the positioning operation of the contact 12 with respect to the substrate 90, and then the plurality of contacts 12 and the plurality of contacts 12. The terminal 93 may be brought into contact again, and the above-described operations from step S11 to step S18 may be executed again.

ステップS13〜S16の後のステップS17においては、各スイッチ22,23の状態が酸化膜除去制御部37によって次のように設定される。   In step S17 after steps S13 to S16, the states of the switches 22 and 23 are set by the oxide film removal controller 37 as follows.

具体的には、図4に示すように設定される。まず、複数のスイッチ22のうち、「接触不良接触子」(ここでは12f)と同電位配線21との間のスイッチ22fがオフ状態にされる。一方、「接触良好接触子」(ここでは12e)と同電位配線21との間のスイッチ22eがオン状態にされる。また、複数の接触子12a〜12hのうち2つの接触子12e,12f以外の各接触子12a〜12d,12g,12hと同電位配線21との間の各スイッチ22a〜22d,22g,22hもオン状態にされる。これにより、各接触子12a〜12d,12g,12hと接触良好接触子12eとが互いに同電位に接続される。さらに、スイッチ23はオン状態にされる。これにより、同電位配線21(ひいては接触子12a〜12d,12e,12g,12h)が接地される。   Specifically, it is set as shown in FIG. First, among the plurality of switches 22, the switch 22 f between the “contact failure contact” (here, 12 f) and the same potential wiring 21 is turned off. On the other hand, the switch 22e between the “contact good contact” (here 12e) and the same potential wiring 21 is turned on. In addition, the switches 22a to 22d, 22g, and 22h between the contacts 12a to 12d, 12g, and 12h other than the two contacts 12e and 12f and the same potential wiring 21 among the plurality of contacts 12a to 12h are also turned on. Put into a state. Thereby, each contactor 12a-12d, 12g, 12h and the contact favorable contact 12e are mutually connected to the same electric potential. Further, the switch 23 is turned on. Thereby, the equipotential wiring 21 (as a result, the contacts 12a to 12d, 12e, 12g, and 12h) is grounded.

次のステップS18においては、各接触子12a〜12d,12g,12hと接触良好接触子12eとが互いに同電位に接続された状態で、酸化膜除去制御部37は、接触良好接触子12eと接触不良接触子12fとの間に酸化膜除去用の電圧Vhを電源31により印加する。たとえば、接触不良接触子12fに電位Vhが付与される。接触良好接触子12eと接触不良接触子12fとの間に比較的大きな電圧Vh(たとえば250V(ボルト))が印加されて付与された電気エネルギーによって、端子93e上の酸化膜が除去される。   In the next step S18, the oxide film removal control unit 37 is in contact with the contact good contact 12e in a state where the contacts 12a to 12d, 12g, 12h and the contact good contact 12e are connected to each other at the same potential. A voltage Vh for removing the oxide film is applied by the power source 31 between the defective contact 12f. For example, the potential Vh is applied to the poor contact contact 12f. The oxide film on the terminal 93e is removed by electrical energy applied by applying a relatively large voltage Vh (for example, 250 V (volts)) between the good contact 12e and the poor contact 12f.

なお、ステップS18にて電圧を印加したにもかかわらず、電流が流れなかった場合には、図7に示すような状況、すなわち、2つの接触子12e,12fのうちの一方が端子93に接触していない旨が判定されればよい。そして、基板検査装置1は、複数の接触子12と複数の端子93との接触状態を一端解除し、さらに基板90に対する接触子12の位置決め動作を再度行った後に、複数の接触子12と複数の端子93とを再度接触させて、上記のステップS11からステップS18までの動作を再度を実行するようにすればよい。   If no current flows despite the application of a voltage in step S18, the situation shown in FIG. 7, that is, one of the two contacts 12e and 12f contacts the terminal 93. What is necessary is just to determine that it is not. Then, the substrate inspection apparatus 1 once releases the contact state between the plurality of contacts 12 and the plurality of terminals 93, and further performs the positioning operation of the contact 12 with respect to the substrate 90, and then the plurality of contacts 12 and the plurality of contacts 12. The terminal 93 may be brought into contact again, and the above-described operations from step S11 to step S18 may be executed again.

以上のような動作においては、ステップS18の電圧印加の際に、各接触子12a〜12d,12g,12hと接触良好接触子12eとが互いに同電位に接続されている。したがって、当該各接触子12a〜12d,12g,12h,12eがそれぞれ対応する各端子93a〜93d,93g,93h,93eに良好に接触している場合には、複数の端子93a〜93d,93g,93h,93eは互いに同じ電位を有する。したがって、酸化膜除去用の電圧Vh付与によって接触子12eと接触子12fとの間に電位差が生じる場合であっても、複数の端子93a〜93d,93g,93h,93eは同電位を有し、比較的大きな電圧Vhが電子部品95に印加されることを回避できる。すなわち、高電圧印加による電子部品の破壊を回避することが可能である。   In the operation as described above, the contacts 12a to 12d, 12g, 12h and the good contact 12e are connected to the same potential when the voltage is applied in step S18. Therefore, when each of the contacts 12a to 12d, 12g, 12h, and 12e is in good contact with the corresponding terminals 93a to 93d, 93g, 93h, and 93e, a plurality of terminals 93a to 93d, 93g, 93h and 93e have the same potential. Therefore, even when a potential difference is generated between the contact 12e and the contact 12f by applying the voltage Vh for removing the oxide film, the plurality of terminals 93a to 93d, 93g, 93h, and 93e have the same potential. It can be avoided that a relatively large voltage Vh is applied to the electronic component 95. That is, it is possible to avoid the destruction of the electronic component due to the high voltage application.

なお、仮に、接触子12a〜12d,12g,12hのうちの一部の接触子12(たとえば接触子12h)が対応する端子93a〜93d,93g,93h(たとえば端子93h)に良好に接触していない場合には、当該端子93(93h)と他の端子93(93a〜93g)との間には電源31による電圧は印加されない。したがって、電子部品95は破壊されずに済む。   Temporarily, some of the contacts 12a to 12d, 12g, and 12h (for example, the contact 12h) are in good contact with the corresponding terminals 93a to 93d, 93g, and 93h (for example, the terminal 93h). When there is not, the voltage by the power supply 31 is not applied between the said terminal 93 (93h) and the other terminals 93 (93a-93g). Therefore, the electronic component 95 is not destroyed.

<6−2.2つの端子93c,93dに関する酸化膜除去動作>
同様に、複数の端子93のうちの2つの端子93c,93dに関する酸化膜除去動作を行うことも可能である。この酸化膜除去動作は、複数の接触子12のうちの2つの接触子12c,12d(複数の端子93のうちの2つの端子93c,93dにそれぞれ接触すべき接触子12c,12d)を主に用いて行われる。この動作においては、2つの接触子12c,12dが、複数の端子93のうち異なる2つの端子93c,93dにそれぞれ接触すべきものである点で、複数の端子93のうちの一の端子93eに接触すべき2つの接触子12e,12fを主に用いて行われる上述の動作と相違する。
<6-2. Oxide Film Removal Operation for Two Terminals 93c and 93d>
Similarly, it is possible to perform an oxide film removing operation on two terminals 93c and 93d of the plurality of terminals 93. This oxide film removing operation mainly uses two contacts 12c and 12d of the plurality of contacts 12 (contacts 12c and 12d to be in contact with the two terminals 93c and 93d of the plurality of terminals 93, respectively). Done with. In this operation, the two contacts 12c and 12d are in contact with one terminal 93e of the plurality of terminals 93 in that they should be in contact with two different terminals 93c and 93d among the plurality of terminals 93, respectively. This is different from the above-described operation performed mainly using the two contacts 12e and 12f to be performed.

以下では、図10のフローチャートを参照しながら、このような動作について説明する。   Hereinafter, such an operation will be described with reference to the flowchart of FIG.

図10のステップS21〜ステップS28においては、図8のステップS11〜S18とそれぞれ同様の処理が行われる。   In steps S21 to S28 in FIG. 10, the same processes as in steps S11 to S18 in FIG. 8 are performed.

ステップS21では、コントローラ30は、基板90上の異なる2つの端子93c,93dにそれぞれ接触する2つの接触子12c,12dの相互間の導通検査を行う。ここにおいて、異なる2つの端子93c,93dは、基板90内の同一の配線パターン(PT3)に接続されているものとする。すなわち、端子93c,93dは、基板90内の配線によって同電位に接続されているものとする。なお、ステップS21〜S26の各処理の実行時には、各スイッチ22,23はいずれもオフ状態に設定される(図3参照)。   In step S <b> 21, the controller 30 performs a continuity test between the two contacts 12 c and 12 d that are in contact with two different terminals 93 c and 93 d on the substrate 90, respectively. Here, it is assumed that the two different terminals 93 c and 93 d are connected to the same wiring pattern (PT 3) in the substrate 90. That is, the terminals 93c and 93d are connected to the same potential by the wiring in the substrate 90. In addition, at the time of execution of each process of step S21-S26, each switch 22 and 23 is set to an OFF state (refer FIG. 3).

ステップS22では、ステップS12と同様に、導通検査の結果に基づく分岐処理が行われる。   In step S22, a branch process based on the result of the continuity test is performed as in step S12.

2つの接触子12c,12dの相互間における良好な導通状態が検出される場合(図11参照)には、酸化膜除去動作は行われずに、本ルーチンは終了する。たとえば、図11に示すように、接触子12cが端子93cに良好に接触し且つ接触子12dが端子93dに良好に接触している場合には、良好な導通状態が検出される。この場合には、酸化膜除去動作は行われない。   When a good conduction state between the two contacts 12c and 12d is detected (see FIG. 11), the oxide film removing operation is not performed, and this routine ends. For example, as shown in FIG. 11, when the contact 12c is in good contact with the terminal 93c and the contact 12d is in good contact with the terminal 93d, a good conduction state is detected. In this case, the oxide film removing operation is not performed.

一方、2つの接触子12e,12fの相互間における導通状態が不良である場合(図12および図13参照)には、ステップS13に進む。たとえば、図12に示すように、端子93dの表面における接触子12dの当接部分に酸化膜99が形成されている場合には、導通不良が検出される。また、図13に示すように、図の左右方向の位置ずれに起因して接触子12dと端子93dとが接触していない場合にも、導通不良が検出される。これらの場合には、酸化膜除去動作を行うべく、ステップS13以降に進む。   On the other hand, when the conduction state between the two contacts 12e and 12f is poor (see FIGS. 12 and 13), the process proceeds to step S13. For example, as shown in FIG. 12, when the oxide film 99 is formed on the contact portion of the contact 12d on the surface of the terminal 93d, a conduction failure is detected. Further, as shown in FIG. 13, a conduction failure is also detected when the contact 12d and the terminal 93d are not in contact with each other due to a positional shift in the left-right direction in the figure. In these cases, the process proceeds to step S13 and subsequent steps in order to perform the oxide film removing operation.

検出制御部36は、ステップS23〜S26において、端子93cに接触すべき接触子12cと端子93dに接触すべき接触子12dとの中から、「接触不良接触子」と「良好接子」とを検出する。ステップS23〜S26においては、ステップS13〜S16と同様の処理が行われる。   In steps S23 to S26, the detection control unit 36 determines “contact failure contact” and “good contact” from the contact 12c that should contact the terminal 93c and the contact 12d that should contact the terminal 93d. To detect. In steps S23 to S26, processing similar to that in steps S13 to S16 is performed.

たとえば、接触子12a,12b,12e〜12hのいずれかと接触子12cとの間の導通状態が確認される場合に、当該接触子12cが「接触良好接触子」として検出される(ステップS25)。また、接触子12dが接触子12a,12b,12e〜12hのいずれとも良好に導通していない場合には、当該接触子12dが「接触不良接触子」として検出される(ステップS26)。   For example, when a conduction state between any one of the contacts 12a, 12b, 12e to 12h and the contact 12c is confirmed, the contact 12c is detected as a “contact good contact” (step S25). Further, when the contact 12d is not well connected to any of the contacts 12a, 12b, 12e to 12h, the contact 12d is detected as a “contact failure contact” (step S26).

そして、ステップS27においては、各スイッチ22,23の状態が酸化膜除去制御部37によって次のように設定される(図9参照)。   In step S27, the states of the switches 22 and 23 are set as follows by the oxide film removal controller 37 (see FIG. 9).

具体的には、図9に示すように、複数のスイッチ22のうち、「接触不良接触子」(ここでは12d)と同電位配線21との間のスイッチ22dがオフ状態にされる。一方、「接触良好接触子」(ここでは12c)と同電位配線21との間のスイッチ22cがオン状態にされる。また、複数の接触子12a〜12hのうち2つの接触子12c,12d以外の各接触子12a,12b,12e〜12hと同電位配線21との間の各スイッチ22a,22b,22e〜22hもオン状態にされる。これにより、各接触子12a,12b,12e〜12hと接触良好接触子12cとが互いに同電位に接続される。さらに、スイッチ23はオン状態にされる。これにより、同電位配線21(ひいては接触子12a,12b,12c,12e〜12h)が接地される。   Specifically, as shown in FIG. 9, among the plurality of switches 22, the switch 22 d between the “contact failure contact” (here, 12 d) and the same potential wiring 21 is turned off. On the other hand, the switch 22c between the “contact good contact” (here, 12c) and the equipotential wiring 21 is turned on. Also, the switches 22a, 22b, 22e-22h between the contacts 12a, 12b, 12e-12h other than the two contacts 12c, 12d and the same potential wiring 21 among the plurality of contacts 12a-12h are also turned on. Put into a state. Thereby, each contactor 12a, 12b, 12e-12h and the contact favorable contact 12c are mutually connected to the same electric potential. Further, the switch 23 is turned on. Thereby, the equipotential wiring 21 (as a result, the contacts 12a, 12b, 12c, 12e to 12h) is grounded.

次のステップS28においては、各接触子12a,12b,12e〜12hと接触良好接触子12cとが互いに同電位に接続された状態で、酸化膜除去制御部37は、接触良好接触子12cと接触不良接触子12dとの間に酸化膜除去用の電圧Vhを印加する。接触良好接触子12cと接触不良接触子12dとの間に比較的大きな電圧Vh(たとえば250V(ボルト))が印加されて付与された電気エネルギーによって、端子93d上の酸化膜99が除去され、図11と同様の状態が実現される。   In the next step S28, the oxide film removal control unit 37 makes contact with the contact good contact 12c in a state where the contacts 12a, 12b, 12e to 12h and the contact good contact 12c are connected to the same potential. A voltage Vh for removing the oxide film is applied between the defective contact 12d. The oxide film 99 on the terminal 93d is removed by the electrical energy applied by applying a relatively large voltage Vh (for example, 250V (volt)) between the good contact 12c and the poor contact 12d. 11 is realized.

なお、ステップS28において、電圧を印加したにもかかわらず電流が流れなかった場合には、図13に示すような状況、すなわち、2つの接触子12c,12dのうちの一方が端子93に接触していない旨が判定されればよい。そして、基板検査装置1は、複数の接触子12と複数の端子93との接触状態を一端解除し、さらに基板90に対する接触子12の位置決め動作を再度行った後に、複数の接触子12と複数の端子93とを再度接触させて、上記のステップS21からステップS28までの動作を再度を実行するようにすればよい。   In step S28, if no current flows even though a voltage is applied, the situation shown in FIG. 13, that is, one of the two contacts 12c and 12d contacts the terminal 93. What is necessary is just to determine that it is not. Then, the substrate inspection apparatus 1 once releases the contact state between the plurality of contacts 12 and the plurality of terminals 93, and further performs the positioning operation of the contact 12 with respect to the substrate 90, and then the plurality of contacts 12 and the plurality of contacts 12. The terminal 93 may be brought into contact again, and the operations from step S21 to step S28 may be performed again.

以上のような動作においては、ステップS28の電圧印加の際に、各接触子12a,12b,12e〜12hと接触良好接触子12cとが互いに同電位に接続されている。したがって、当該各接触子12a,12b,12e,12f,12g,12hがそれぞれ対応する各端子93a,93b,93e,93e,93g,93hに良好に接触している場合には、複数の端子93c,93a,93b,93e,93g,93hは互いに同じ電位を有する。したがって、酸化膜除去用の電圧Vh付与によって接触子12cと接触子12dとの間に電位差が生じる場合であっても、複数の端子93c,93a,93b,93e,93g,93hは同電位を有し、これらの端子93を介して電圧Vhが電子部品95に印加されることを回避できる。すなわち、高電圧印加による電子部品の破壊を回避することが可能である。   In the operation as described above, the contacts 12a, 12b, 12e to 12h and the good contact 12c are connected to each other at the same potential when the voltage is applied in step S28. Accordingly, when the contacts 12a, 12b, 12e, 12f, 12g, and 12h are in good contact with the corresponding terminals 93a, 93b, 93e, 93e, 93g, and 93h, a plurality of terminals 93c, 93a, 93b, 93e, 93g, and 93h have the same potential. Therefore, even when a potential difference is generated between the contact 12c and the contact 12d by applying the voltage Vh for removing the oxide film, the plurality of terminals 93c, 93a, 93b, 93e, 93g, and 93h have the same potential. In addition, it is possible to avoid the voltage Vh being applied to the electronic component 95 through these terminals 93. That is, it is possible to avoid the destruction of the electronic component due to the high voltage application.

<7.変形例等>
以上、この発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記説明した内容のものに限定されるものではない。
<7. Modified example>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the contents described above.

たとえば、上記実施形態においては、同電位配線21をグランド電位に等しくするためのスイッチ23が設けられているが、これに限定されず、スイッチ23が設けられないようにしてもよい。また、ステップS17(S27)の実行時においては、同電位配線21は接地されることが好ましいが、同電位配線21が接地されないようにしてもよい。   For example, in the above embodiment, the switch 23 for making the equipotential wiring 21 equal to the ground potential is provided, but the present invention is not limited to this, and the switch 23 may not be provided. In addition, when step S17 (S27) is executed, the equipotential wiring 21 is preferably grounded, but the equipotential wiring 21 may not be grounded.

また、上記実施形態においては、8個の接触子12a〜12hが用いられているが、これに限定されず、異なる個数の接触子12が設けられるようにしてもよい。また、上記実施形態においては、7個の端子93が基板90上に設けられているが、これに限定されず、異なる個数の端子93が設けられるようにしてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although eight contacts 12a-12h are used, it is not limited to this, You may make it provide a different number of contacts 12. FIG. In the above embodiment, the seven terminals 93 are provided on the substrate 90. However, the present invention is not limited to this, and a different number of terminals 93 may be provided.

たとえば、2つの端子93e,93hのみが基板90上に設けられ、3つの接触子12e,12f,12hのみが用いられるようにしてもよい。この場合には、ステップS13〜S16において、接触子12eと複数の接触子12e,12f,12hのうち2つの接触子12e,12f以外の一の接触子12hとの導通検査が行われるとともに、接触子12fと一の接触子12hとの導通検査が行われればよい。また、ステップS18においては、一の接触子12hと接触良好接触子12eとが互いに同電位に接続された状態で、接触良好接触子12eと接触不良接触子12fとの間に酸化膜除去用の電圧Vhが印加されればよい。   For example, only two terminals 93e, 93h may be provided on the substrate 90, and only three contacts 12e, 12f, 12h may be used. In this case, in steps S13 to S16, a continuity test is performed between the contact 12e and one of the plurality of contacts 12e, 12f, and 12h, and one contact 12h other than the two contacts 12e and 12f. The continuity test between the child 12f and the one contact 12h may be performed. In step S18, an oxide film is removed between the good contact 12e and the poor contact 12f with the one contact 12h and the good contact 12e connected to each other at the same potential. The voltage Vh may be applied.

あるいは、3つの端子93c,93d,93hのみが基板90上に設けられ、3つの接触子12c,12d,12hのみが用いられるようにしてもよい。この場合には、ステップS23〜S26において、接触子12cと複数の接触子12c,12d,12hのうち2つの接触子12c,12d以外の一の接触子12hとの導通検査が行われるとともに、接触子12dと一の接触子12hとの導通検査が行われればよい。また、ステップS18においては、一の接触子12hと接触良好接触子12cとが互いに同電位に接続された状態で、接触良好接触子12cと接触不良接触子12dとの間に酸化膜除去用の電圧Vhが印加されればよい。   Alternatively, only the three terminals 93c, 93d, and 93h may be provided on the substrate 90, and only the three contacts 12c, 12d, and 12h may be used. In this case, in steps S23 to S26, a continuity test is performed between the contact 12c and the contact 12h other than the two contacts 12c and 12d among the plurality of contacts 12c, 12d, and 12h, and the contact is made. The continuity test between the child 12d and the one contact 12h may be performed. In step S18, an oxide film is removed between the good contact 12c and the poor contact 12d with the one contact 12h and the good contact 12c connected to each other at the same potential. The voltage Vh may be applied.

1 基板検査装置
2 治具駆動機構
10 基板検査用治具
12 接触子
20 スイッチ回路
21 同電位配線
22 (同電位設定用の)スイッチ
23 (接地用の)スイッチ
30 コントローラ
31 電源
93 (電子部品95に接続された)端子
95 電子部品
99 酸化膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate inspection apparatus 2 Jig drive mechanism 10 Board | substrate inspection jig | tool 12 Contactor 20 Switch circuit 21 Equipotential wiring 22 Switch (for setting same potential) 23 (Switch for grounding) 30 Controller 31 Power supply 93 (Electronic component 95) 95) Electronic parts 99 Oxide film

Claims (8)

電子部品を内蔵した基板に形成される配線パターンの電気的な検査を行う基板検査装置であって、
前記基板上の複数の端子であって前記電子部品に電気的に接続されている複数の端子に接触する複数の接触子と、
前記複数の接触子のうちの2つの接触子であって前記複数の端子のうちの一の端子に接触すべき2つの接触子のうち前記一の端子に良好には接触していない接触子である接触不良接触子を検出するとともに、前記2つの接触子のうち前記一の端子に良好に接触している接触子である接触良好接触子を検出する検出制御手段と、
前記基板の外部において前記複数の接触子のそれぞれと同電位配線との間に設けられる複数のスイッチと、
前記複数のスイッチのうち、前記接触不良接触子と前記同電位配線との間の第1のスイッチがオフ状態にされ、且つ、前記接触良好接触子と前記同電位配線との間の第2のスイッチがオン状態にされ、且つ、前記複数の接触子のうち前記2つの接触子以外の1又は2以上の接触子と前記同電位配線との間の各スイッチがオン状態にされて、前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とが互いに同電位に接続された状態で、前記接触良好接触子と前記接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧を印加する酸化膜除去制御手段と、
を備えることを特徴とする基板検査装置。
A board inspection apparatus that performs an electrical inspection of a wiring pattern formed on a board containing electronic components,
A plurality of contacts on a plurality of terminals on the substrate that are in contact with a plurality of terminals electrically connected to the electronic component;
Two of the plurality of contacts that are not in good contact with the one terminal among the two contacts that should contact one terminal of the plurality of terminals. A detection control means for detecting a contact poor contact and detecting a contact good contact which is a contact which is in good contact with the one terminal among the two contacts;
A plurality of switches provided between each of the plurality of contacts and the same potential wiring outside the substrate;
Of the plurality of switches, a first switch between the poor contact contact and the equipotential wiring is turned off, and a second switch between the good contact contact and the equipotential wiring The switch is turned on, and each switch between the one or more contacts other than the two contacts and the equipotential wiring among the plurality of contacts is turned on, and the 1 Or an oxide film that applies a voltage for removing an oxide film between the good contact and the poor contact in a state where two or more contacts and the good contact are connected to each other at the same potential. Removal control means;
A board inspection apparatus comprising:
電子部品を内蔵した基板に形成される配線パターンの電気的な検査を行う基板検査装置であって、
前記基板上の複数の端子であって前記電子部品に電気的に接続されている複数の端子に接触する複数の接触子と、
前記複数の接触子のうちの2つの接触子であって、前記複数の端子のうち前記基板内の同一の配線パターンに接続された異なる2つの端子にそれぞれ接触すべき2つの接触子のうち、接触すべき端子に良好には接触していない接触子である接触不良接触子を検出するとともに、接触すべき端子に良好に接触している接触子である接触良好接触子を検出する検出制御手段と、
前記基板の外部において前記複数の接触子のそれぞれと同電位配線との間に設けられる複数のスイッチと、
前記複数のスイッチのうち、前記接触不良接触子と前記同電位配線との間の第1のスイッチがオフ状態にされ、且つ、前記接触良好接触子と前記同電位配線との間の第2のスイッチがオン状態にされ、且つ、前記複数の接触子のうち前記2つの接触子以外の1又は2以上の接触子と前記同電位配線との間の各スイッチがオン状態にされて、前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とが互いに同電位に接続された状態で、前記接触良好接触子と前記接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧を印加する酸化膜除去制御手段と、
を備えることを特徴とする基板検査装置。
A board inspection apparatus that performs an electrical inspection of a wiring pattern formed on a board containing electronic components,
A plurality of contacts on a plurality of terminals on the substrate that are in contact with a plurality of terminals electrically connected to the electronic component;
Two of the plurality of contacts, and two of the plurality of terminals to be in contact with two different terminals connected to the same wiring pattern in the substrate, Detection control means for detecting a poor contact that is a contact that is not in good contact with the terminal to be contacted, and detecting a good contact that is a contact that is in good contact with the terminal that is to be in contact When,
A plurality of switches provided between each of the plurality of contacts and the same potential wiring outside the substrate;
Of the plurality of switches, a first switch between the poor contact contact and the equipotential wiring is turned off, and a second switch between the good contact contact and the equipotential wiring The switch is turned on, and each switch between the one or more contacts other than the two contacts and the equipotential wiring among the plurality of contacts is turned on, and the 1 Or an oxide film that applies a voltage for removing an oxide film between the good contact and the poor contact in a state where two or more contacts and the good contact are connected to each other at the same potential. Removal control means;
A board inspection apparatus comprising:
請求項1または請求項2に記載の基板検査装置において、
前記検出制御手段は、
前記1又は2以上の接触子のいずれかと前記2つの接触子のうちの一方の接触子との間の導通状態が確認される場合に、前記一方の接触子を前記接触良好接触子として検出し、
前記1又は2以上の接触子のうちの任意の接触子と前記2つの接触子のうちの他方の接触子との間の導通状態が確認されない場合に、前記他方の接触子を前記接触不良接触子として検出することを特徴とする基板検査装置。
In the board | substrate inspection apparatus of Claim 1 or Claim 2,
The detection control means includes
When a conduction state between one of the one or two or more contacts and one of the two contacts is confirmed, the one contact is detected as the good contact. ,
When the conduction state between any one of the one or more contacts and the other contact of the two contacts is not confirmed, the other contact is connected to the poor contact. A substrate inspection apparatus for detecting as a child.
電子部品を内蔵した基板に形成される配線パターンの電気的な検査に用いられる基板検査用治具であって、
前記基板上の複数の端子であって前記電子部品に電気的に接続されている複数の端子に接触する複数の接触子であって、前記複数の端子のうちの一の端子に接触すべき2つの接触子を含む複数の接触子と、
前記基板の外部において前記複数の接触子のそれぞれと同電位配線との間に設けられる複数のスイッチと、
前記2つの接触子のうち前記一の端子に良好に接触している接触子である接触良好接触子と前記2つの接触子のうち前記一の端子に良好には接触していない接触子である接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧を印加するための配線部と、
を備え、
前記接触良好接触子と前記接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧が印加される際には、前記複数のスイッチのうち、前記接触不良接触子と前記同電位配線との間の第1のスイッチがオフ状態にされ、且つ、前記接触良好接触子と前記同電位配線との間の第2のスイッチがオン状態にされ、且つ、前記複数の接触子のうち前記2つの接触子以外の1又は2以上の接触子と前記同電位配線との間の各スイッチがオン状態にされて、前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とが互いに同電位に接続されることを特徴とする基板検査用治具。
A substrate inspection jig used for electrical inspection of a wiring pattern formed on a substrate containing electronic components,
A plurality of contacts on a plurality of terminals on the substrate that are in contact with a plurality of terminals that are electrically connected to the electronic component, and are to contact one terminal of the plurality of terminals. A plurality of contacts including one contact;
A plurality of switches provided between each of the plurality of contacts and the same potential wiring outside the substrate;
Among the two contacts, a contact good contact that is in good contact with the one terminal, and a contact that does not make good contact with the one terminal out of the two contacts A wiring portion for applying a voltage for removing an oxide film between the poorly contacted contacts,
With
When a voltage for removing an oxide film is applied between the good contact and the poor contact, among the plurality of switches, between the poor contact and the same potential wiring The first switch is turned off, the second switch between the contact good contact and the equipotential wiring is turned on, and the two contacts among the plurality of contacts Each of the switches between the other one or more contacts and the equipotential wiring is turned on, and the one or more contacts and the good contact are connected to the same potential. A board inspection jig.
電子部品を内蔵した基板に形成される配線パターンの電気的な検査に用いられる基板検査用治具であって、
前記基板上の複数の端子であって前記電子部品に電気的に接続されている複数の端子に接触する複数の接触子であって、前記複数の端子のうち前記基板内の同一の配線パターンに接続された異なる2つの端子にそれぞれ接触すべき2つの接触子を含む複数の接触子と、
前記基板の外部において前記複数の接触子のそれぞれと同電位配線との間に設けられる複数のスイッチと、
前記2つの接触子のうち接触対象端子に良好に接触している接触子である接触良好接触子と前記2つの接触子のうち接触対象端子に良好には接触していない接触子である接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧を印加するための配線部と、
を備え、
前記接触良好接触子と前記接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧が印加される際には、前記複数のスイッチのうち、前記接触不良接触子と前記同電位配線との間の第1のスイッチがオフ状態にされ、且つ、前記接触良好接触子と前記同電位配線との間の第2のスイッチがオン状態にされ、且つ、前記複数の接触子のうち前記2つの接触子以外の1又は2以上の接触子と前記同電位配線との間の各スイッチがオン状態にされて、前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とが互いに同電位に接続されることを特徴とする基板検査用治具。
A substrate inspection jig used for electrical inspection of a wiring pattern formed on a substrate containing electronic components,
A plurality of contacts that are in contact with a plurality of terminals that are electrically connected to the electronic component and that are a plurality of terminals on the substrate, and the same wiring pattern in the substrate among the plurality of terminals. A plurality of contacts including two contacts to be in contact with two different connected terminals, respectively;
A plurality of switches provided between each of the plurality of contacts and the same potential wiring outside the substrate;
A contact failure that is a contact that is in good contact with the contact target terminal of the two contacts and a contact failure that is not in good contact with the contact target terminal of the two contacts. A wiring portion for applying a voltage for removing an oxide film between the contact and the contact;
With
When a voltage for removing an oxide film is applied between the good contact and the poor contact, among the plurality of switches, between the poor contact and the same potential wiring The first switch is turned off, the second switch between the contact good contact and the equipotential wiring is turned on, and the two contacts among the plurality of contacts Each of the switches between the other one or more contacts and the equipotential wiring is turned on, and the one or more contacts and the good contact are connected to the same potential. A board inspection jig.
電子部品を内蔵した基板に形成される配線パターンの電気的な検査を行う基板検査方法であって、
a)前記基板上の複数の端子であって前記電子部品に電気的に接続されている複数の端子に接触する複数の接触子のうちの2つの接触子であって、前記複数の端子のうちの一の端子に接触すべき2つの接触子の中から、前記一の端子に良好には接触していない接触子である接触不良接触子を検出するとともに、前記2つの接触子のうち前記一の端子に良好に接触している接触子である接触良好接触子を検出するステップと、
b)前記基板の外部において前記複数の接触子のそれぞれと同電位配線との間に設けられる複数のスイッチのうち、前記接触不良接触子と前記同電位配線との間の第1のスイッチをオフ状態にし、且つ、前記接触良好接触子と前記同電位配線との間の第2のスイッチをオン状態にし、且つ、前記複数の接触子のうち前記2つの接触子以外の1又は2以上の接触子と前記同電位配線との間の各スイッチをオン状態にして、前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とを互いに同電位に接続するステップと、
c)前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とが互いに同電位に接続された状態で、前記接触良好接触子と前記接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧を印加するステップと、
を備えることを特徴とする基板検査方法。
A board inspection method for performing an electrical inspection of a wiring pattern formed on a board containing electronic components,
a) Two contacts among a plurality of contacts on the substrate that are in contact with a plurality of terminals that are electrically connected to the electronic component, of the plurality of terminals A contact failure contact that is a contact that is not in good contact with the one terminal is detected from the two contacts to be in contact with the one terminal, and the one of the two contacts is Detecting a contact good contact that is a contact that is in good contact with the terminals of
b) Turn off the first switch between the contact failure contact and the equipotential wiring among the plurality of switches provided between the contacts and the equipotential wiring outside the substrate. And a second switch between the contact good contact and the equipotential wiring is turned on, and one or more contacts other than the two contacts among the plurality of contacts A step of turning on each switch between a child and the equipotential wiring to connect the one or more contacts and the contact good contact to each other at the same potential;
c) With the one or more contacts and the contact good contact connected to each other at the same potential, a voltage for removing an oxide film is applied between the contact good contact and the poor contact contact. Applying, and
A substrate inspection method comprising:
電子部品を内蔵した基板に形成される配線パターンの電気的な検査を行う基板検査方法であって、
a)前記基板上の複数の端子であって前記電子部品に電気的に接続されている複数の端子に接触する複数の接触子のうちの2つの接触子であって、前記複数の端子のうち前記基板内の同一の配線パターンに接続された異なる2つの端子にそれぞれ接触すべき2つの接触子の中から、接触すべき端子に良好には接触していない接触子である接触不良接触子を検出するとともに、接触すべき端子に良好に接触している接触子である接触良好接触子を検出するステップと、
b)前記基板の外部において前記複数の接触子のそれぞれと同電位配線との間に設けられる複数のスイッチのうち、前記接触不良接触子と前記同電位配線との間の第1のスイッチをオフ状態にし、且つ、前記接触良好接触子と前記同電位配線との間の第2のスイッチをオン状態にし、且つ、前記複数の接触子のうち前記2つの接触子以外の1又は2以上の接触子と前記同電位配線との間の各スイッチをオン状態にして、前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とを互いに同電位に接続するステップと、
c)前記1又は2以上の接触子と前記接触良好接触子とが互いに同電位に接続された状態で、前記接触良好接触子と前記接触不良接触子との間に酸化膜除去用の電圧を印加するステップと、
を備えることを特徴とする基板検査方法。
A board inspection method for performing an electrical inspection of a wiring pattern formed on a board containing electronic components,
a) Two contacts among a plurality of contacts on the substrate that are in contact with a plurality of terminals that are electrically connected to the electronic component, of the plurality of terminals A contact failure contact which is a contact which is not in good contact with the terminal to be contacted among the two contacts which are to be in contact with two different terminals connected to the same wiring pattern in the substrate. Detecting a contact good contact that is a contact that is in good contact with the terminal to be contacted, and
b) Turn off the first switch between the contact failure contact and the equipotential wiring among the plurality of switches provided between the contacts and the equipotential wiring outside the substrate. And a second switch between the contact good contact and the equipotential wiring is turned on, and one or more contacts other than the two contacts among the plurality of contacts A step of turning on each switch between a child and the equipotential wiring to connect the one or more contacts and the contact good contact to each other at the same potential;
c) With the one or more contacts and the contact good contact connected to each other at the same potential, a voltage for removing an oxide film is applied between the contact good contact and the poor contact contact. Applying, and
A substrate inspection method comprising:
請求項6または請求項7に記載の基板検査方法において、
前記ステップa)は、
a−1)前記1又は2以上の接触子のいずれかと前記2つの接触子のうちの一方の接触子との間の導通状態が確認される場合に、前記一方の接触子を前記接触良好接触子として検出するステップと、
a−2)前記1又は2以上の接触子のうちの任意の接触子と前記2つの接触子のうちの他方の接触子との間の導通状態が確認されない場合に、前記他方の接触子を前記接触不良接触子として検出するステップと、
を有することを特徴とする基板検査方法。
In the board | substrate inspection method of Claim 6 or Claim 7,
Said step a)
a-1) When a conduction state between one of the one or two or more contacts and one of the two contacts is confirmed, contact the one contact with the good contact Detecting as a child;
a-2) When the conduction state between any one of the one or more contacts and the other contact of the two contacts is not confirmed, the other contact is Detecting as the poor contact contact;
A substrate inspection method characterized by comprising:
JP2013118081A 2013-06-04 2013-06-04 Substrate inspection device, substrate inspection method, and substrate inspection jig Pending JP2014235126A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013118081A JP2014235126A (en) 2013-06-04 2013-06-04 Substrate inspection device, substrate inspection method, and substrate inspection jig

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013118081A JP2014235126A (en) 2013-06-04 2013-06-04 Substrate inspection device, substrate inspection method, and substrate inspection jig

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014235126A true JP2014235126A (en) 2014-12-15

Family

ID=52137936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013118081A Pending JP2014235126A (en) 2013-06-04 2013-06-04 Substrate inspection device, substrate inspection method, and substrate inspection jig

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014235126A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11067658B2 (en) 2018-09-13 2021-07-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Probe card inspection wafer, probe card inspection system, and method of inspecting probe card
JPWO2020149104A1 (en) * 2019-01-15 2021-11-25 株式会社村田製作所 Electronic circuit modules, inspection methods, and communication equipment

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11067658B2 (en) 2018-09-13 2021-07-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Probe card inspection wafer, probe card inspection system, and method of inspecting probe card
JPWO2020149104A1 (en) * 2019-01-15 2021-11-25 株式会社村田製作所 Electronic circuit modules, inspection methods, and communication equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5016892B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
JPH10239371A (en) Substrate inspection instrument and substrate inspection method
JP3165056B2 (en) Substrate inspection device and substrate inspection method
KR20050085594A (en) Inspection method and inspection equipment
JP2005005331A (en) Method and apparatus for inspection
JP4664334B2 (en) Inspection method
TW201447334A (en) Substrate inspecting apparatus, substrate inspecting method and jig for inspecting substrate
JP2014235126A (en) Substrate inspection device, substrate inspection method, and substrate inspection jig
JP6570354B2 (en) Circuit board inspection apparatus and contact check method
JP2014235119A (en) Substrate inspection device, substrate inspection method and substrate inspection jig
CN109997046B (en) Resistance measuring device and resistance measuring method
KR101663920B1 (en) Board inspection method and jig for board inspection
JP2008076268A (en) Inspection tool
CN110023768B (en) Resistance measuring device and resistance measuring method
JP4574588B2 (en) Kelvin contact measuring device and measuring method
JP2000221227A (en) Apparatus and method for inspecting conductive pattern
JP2008008773A (en) Substrate inspection method and substrate inspecting device
JP2007322127A (en) Method for inspecting substrate and substrate inspection system
JP2012068043A (en) Electric inspection device and method for planar circuit board
JP5020261B2 (en) Inspection method, inspection apparatus, and computer-readable storage medium storing program
TWI498570B (en) Substrate inspection device
JP5130782B2 (en) Inspection jig and inspection device
KR102050109B1 (en) Wiring structure and substrate inspection apparatus
JP2000074975A (en) Substrate inspection device and substrate inspection method
JPS60169777A (en) Connection apparatus of electric circuit