JP2014229900A - Iii−v族デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 12
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 101100208382 Danio rerio tmsb gene Proteins 0.000 claims 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 118
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 18
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- BUGBNZWGCBRWHS-UHFFFAOYSA-N n-[tert-butyl(dimethylamino)phosphanyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)P(N(C)C)C(C)(C)C BUGBNZWGCBRWHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/0245—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02461—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02463—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02543—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02549—Antimonides
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
Description
・少なくとも凹部エリアを含む半導体基板を用意するステップ。
・凹部エリアにある半導体基板の上に位置するバッファ層を形成するステップ。
・バッファ層は、キャリアガスの存在下でIII族前駆体およびV族前駆体からの選択エピタキシャル成長によって第1成長温度で形成された二元III−V族化合物を含む。
・第1成長温度は、III族前駆体およびV族前駆体の各々のクラッキング温度と等しいか、それより僅かに高い。
・バッファ層を形成した後、前記凹部エリアにスタック層を形成するステップ。各スタック層は、III−V族化合物を含む。
・スタック層の各々の成長温度は、第1成長温度より高い。
・高移動度チャネル層を形成するのに適した第3のIII−V族化合物を含む上部層。
・上部層の下に位置し、バッファ層の上に位置する、ワイドバンドギャップ(WBG)を有する第2のIII−V族化合物を含む中間層。
さらに、第1のIII−V族二元化合物を形成するために用いられるIII族前駆体は、TMIn,TMGaおよびTEGaからなるグループから選択され、略語は詳細な説明で説明している。
・少なくとも凹部エリアを含む半導体基板。
・半導体基板の上に位置し、InAs,InP,GaAs,GaP,GaSbおよびInSbからなるグループから選択された第1のIII−V族二元化合物を含む、前記凹部エリアにあるバッファ層。第1のIII−V族二元化合物は、高い結晶性であり、X線回折(XRD)によって測定された700arcsec未満、好ましくは500arcsec未満の半値全幅(FWHM)を持つロッキングカーブによって特徴付けられる。
・高移動度チャネル層を形成するのに適した第3のIII−V族化合物を含む上部層。
・上部層の下に位置し、バッファ層の上に位置する、ワイドバンドギャップ(WBG)を有する第2のIII−V族化合物を含む中間層。
・少なくとも凹部エリアを含む半導体基板を用意するステップ。
・凹部エリアにある半導体基板の上に位置するバッファ層を形成するステップ。
・バッファ層は、キャリアガスの存在下でIII族前駆体およびV族前駆体からの選択エピタキシャル成長によって第1成長温度で形成された二元III−V族化合物を含む。
・第1成長温度は、III族前駆体およびV族前駆体の各々のクラッキング温度と等しいか、それより僅かに高い。
・バッファ層を形成した後、前記凹部エリアにスタック層を形成するステップ。各スタック層は、III−V族化合物を含む。
・スタック層の各々の成長温度は、第1成長温度より高い。
・III−V族デバイス(例えば、トランジスタ)のための高移動度チャネル層を形成するのに適した第3のIII−V族化合物を含む上部層。
・高移動度チャネル層の下に位置し、バッファ層の上に位置する、ワイドバンドギャップ(WBG)を有する第2のIII−V族化合物を含む中間層。
・少なくとも凹部エリアを含む半導体基板。
・半導体基板の上に位置し、InAs,InP,GaAs,GaP,GaSbおよびInSbからなるグループから選択された第1のIII−V族二元化合物を含む、前記凹部エリアにあるバッファ層。第1のIII−V族二元化合物は、高い結晶性の品質を有し、これはX線回折(XRD)によって測定された700arcsec未満のロッキングカーブFWHMによって特徴付けられる。
・高移動度チャネル層を形成するのに適した第3のIII−V族化合物を含む上部層。
・高移動度チャネル層の下に位置し、バッファ層の上に位置する、ワイドバンドギャップ(WBG)を有する第2のIII−V族化合物を含む中間層。
Claims (15)
- III−V族デバイスを製造する方法であって、
・少なくとも凹部エリアを含む半導体基板を用意するステップと、
・凹部エリアにある半導体基板の上に位置するバッファ層を形成するステップとを含み、
・バッファ層は、キャリアガスの存在下でIII族前駆体およびV族前駆体からの選択エピタキシャル成長によって第1成長温度で形成された二元III−V族化合物を含み、
・第1成長温度は、III族前駆体およびV族前駆体の各々のクラッキング温度と等しいか、それより僅かに高い、方法。 - ・バッファ層を形成した後、前記凹部エリアにスタック層を形成するステップであって、各スタック層は、III−V族化合物を含むステップをさらに含み、
・スタック層の各々の成長温度は、第1成長温度より高い、請求項1記載の方法。 - スタック層は、
・高移動度チャネル層を形成するのに適した第3のIII−V族化合物を含む上部層と、
・上部層の下に位置し、バッファ層の上に位置する、ワイドバンドギャップ(WBG)を有する第2のIII−V族化合物を含む中間層と、を備える請求項2記載の方法。 - スタック層およびバッファ層は、MOVPEによって、好ましくは、その場(in-situ)で選択的に成長される請求項2または3記載の方法。
- キャリアガスは、N2またはArである請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 第1のIII−V族二元化合物は、InAs,InP,GaAs,GaP,GaSbおよびInSbからなるグループから選択される請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- III族前駆体は、TMIn,TMGaおよびTEGaからなるグループから選択される請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
- V族前駆体は、TBAs,TBP,TBBDMAP,TMSbおよびTDMASbからなるグループから選択される請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- 第1成長温度は、350℃より低いか、これと等しい請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- スタック層の各層の成長温度は、少なくとも450℃である請求項2〜9のいずれかに記載の方法。
- トレンチは、50nmより小さい幅を有する請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
- III−V族デバイスであって、
・少なくとも凹部エリアを含む半導体基板と、
・半導体基板の上に位置し、InAs,InP,GaAs,GaP,GaSbおよびInSbからなるグループから選択され、XRDによって測定された700arcsec未満の半値全幅(FWHM)を有する第1のIII−V族化合物を含む、前記凹部エリアにあるバッファ層と、
・前記凹部エリア内の前記バッファ層の上に位置しているスタック層とを備え、
スタック層は、高移動度チャネル層を形成するのに適した第3のIII−V族化合物を含む上部層と、
上部層の下に位置し、バッファ層の上に位置する、ワイドバンドギャップ(WBG)を有する第2のIII−V族化合物を含む中間層とを含む、デバイス。 - 第3のIII−V族材料は、InxGa(1−x)As(x>0.5),InAs,GaSb,InSbおよびInxGa(1−x)Sb(x<0.4)からなるグループから選択される請求項12記載のデバイス。
- 第2のIII−V族材料は、InxAl(1−x)As(x>0.5)およびInxAl(1−x)Sb(x<0.4)からなるグループから選択される請求項12または13記載のデバイス。
- バッファ層の下に位置し、これと接触しており、かつ、基板の上に位置し、これと接触しているシード層をさらに備え、シード層は、好ましくはGeを含む、請求項12〜14のいずれかに記載のデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP20130168201 EP2804203A1 (en) | 2013-05-17 | 2013-05-17 | III-V device and method for manufacturing thereof |
EP13168201.5 | 2013-05-17 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014229900A true JP2014229900A (ja) | 2014-12-08 |
JP2014229900A5 JP2014229900A5 (ja) | 2018-03-01 |
JP6322044B2 JP6322044B2 (ja) | 2018-05-09 |
Family
ID=48446159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014098017A Active JP6322044B2 (ja) | 2013-05-17 | 2014-05-09 | Iii−v族デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9082616B2 (ja) |
EP (1) | EP2804203A1 (ja) |
JP (1) | JP6322044B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015061025A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9835570B2 (en) * | 2013-09-13 | 2017-12-05 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa | X-ray diffraction (XRD) characterization methods for sigma=3 twin defects in cubic semiconductor (100) wafers |
JP6465785B2 (ja) * | 2015-10-14 | 2019-02-06 | クアーズテック株式会社 | 化合物半導体基板 |
CN105762064B (zh) * | 2016-02-06 | 2020-08-21 | 上海新傲科技股份有限公司 | 用于氮化物生长硅衬底实时图形化的方法 |
TWI622171B (zh) | 2016-06-24 | 2018-04-21 | 財團法人國家實驗研究院 | 異質整合半導體裝置及其製造方法 |
WO2023091693A1 (en) * | 2021-11-18 | 2023-05-25 | Meta Platforms Technologies, Llc | Red light-emitting diode with phosphide epitaxial heterostructure grown on silicon |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009177168A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-08-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス |
JP2010245435A (ja) * | 2009-04-09 | 2010-10-28 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子用エピタキシャルウェハおよびその製造方法 |
US20110306179A1 (en) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MOCVD for Growing III-V Compound Semiconductors on Silicon Substrates |
US20120094467A1 (en) * | 2010-10-19 | 2012-04-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method with improved epitaxial quality of iii-v compound on silicon surfaces |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3855061B2 (ja) | 2003-09-08 | 2006-12-06 | 独立行政法人情報通信研究機構 | Si基板上への化合物半導体薄膜形成方法 |
US8143646B2 (en) | 2006-08-02 | 2012-03-27 | Intel Corporation | Stacking fault and twin blocking barrier for integrating III-V on Si |
US7851780B2 (en) | 2006-08-02 | 2010-12-14 | Intel Corporation | Semiconductor buffer architecture for III-V devices on silicon substrates |
US7573059B2 (en) | 2006-08-02 | 2009-08-11 | Intel Corporation | Dislocation-free InSb quantum well structure on Si using novel buffer architecture |
CN102439696A (zh) * | 2009-05-22 | 2012-05-02 | 住友化学株式会社 | 半导体基板及其制造方法、电子器件及其制造方法 |
CN102449785A (zh) * | 2009-06-05 | 2012-05-09 | 住友化学株式会社 | 光器件、半导体基板、光器件的制造方法、以及半导体基板的制造方法 |
US9601328B2 (en) | 2009-10-08 | 2017-03-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Growing a III-V layer on silicon using aligned nano-scale patterns |
EP2423951B1 (en) | 2010-08-05 | 2016-07-20 | Imec | Antiphase domain boundary-free III-V compound semiconductor material on semiconductor substrate and method for manufacturing thereof |
-
2013
- 2013-05-17 EP EP20130168201 patent/EP2804203A1/en not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-05-09 JP JP2014098017A patent/JP6322044B2/ja active Active
- 2014-05-15 US US14/279,033 patent/US9082616B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009177168A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-08-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス |
US20110018030A1 (en) * | 2007-12-28 | 2011-01-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Semiconductor wafer, semiconductor wafer manufacturing method, and electronic device |
JP2010245435A (ja) * | 2009-04-09 | 2010-10-28 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子用エピタキシャルウェハおよびその製造方法 |
US20110306179A1 (en) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MOCVD for Growing III-V Compound Semiconductors on Silicon Substrates |
US20120094467A1 (en) * | 2010-10-19 | 2012-04-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method with improved epitaxial quality of iii-v compound on silicon surfaces |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
"Integration of InGaAs Channel n-MOS Devices on 200mm Si Wafers Using the Aspect-Ratio-Trapping Techn", ECS TRANSACTIONS, vol. 45.4, JPN6017039512, 21 July 2012 (2012-07-21), pages 115-128 * |
"Selective Epitaxial Growth of InP in STI Trenches on OFFF-axis Si(001) Substrates", ECS TRANSACTIONS, vol. 27.1, JPN6017039509, 24 March 2010 (2010-03-24), pages 959-964 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015061025A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9082616B2 (en) | 2015-07-14 |
JP6322044B2 (ja) | 2018-05-09 |
US20140339680A1 (en) | 2014-11-20 |
EP2804203A1 (en) | 2014-11-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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