JP2014229603A - 自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム及びその自己管理方法(remoteplasmasystemhavingself−managementfunctionandselfmanagementmethodofthesame) - Google Patents
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- 238000007726 management method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 92
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 83
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 86
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 3
- 238000004886 process control Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009474 immediate action Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011897 real-time detection Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/0046—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof characterised by a specific application or detail not covered by any other subgroup of G01R19/00
- G01R19/0061—Measuring currents of particle-beams, currents from electron multipliers, photocurrents, ion currents; Measuring in plasmas
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/461—Microwave discharges
- H05H1/463—Microwave discharges using antennas or applicators
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- General Factory Administration (AREA)
Abstract
【解決手段】プラズマを発生して遠隔で工程チャンバーに供給する遠隔プラズマ発生器60を有し、前記遠隔プラズマ発生器が作動する間に、前記遠隔プラズマ発生器の作動状態を測定し、工程管理者が確認できるようにし、作動状態によって必要な工程コントロールを行う、自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステムとする。
【選択図】図1
Description
プラズマを発生して工程チャンバーに遠隔で供給する遠隔プラズマ発生器;上記の遠隔プラズマ発生器の本体に誘導される電圧を測定するための一つ以上の電圧測定センサーを含むセンサー部;および上記の一つ以上の電圧測定センサーから測定された電圧値に基づき、上記の遠隔プラズマ発生器の作動状態の情報を生成する制御部を含む。
12: 基板支持台 14: 被処理基板
15: ガス流入口 16: ガス排気口
17: プラズマソース 18、19: プラズマ測定センサー
20: 真空ポンプ 22: 排気管
30: 電源供給源 32: インピーダンス整合器
34: バイアス電源供給源 36: インピーダンス整合器
40、42: 電圧測定センサー 44: 変流器
46:電流測定センサー 60: 遠隔プラズマ発生器
61: 発生器本体 62: 絶縁区間
65: ガス入口 66: ガス出口
67: アダプタ 68: 電源供給源
69: 内部保護膜 70: 制御部
72:状態表示部 74: ホスト
75: 変圧器 76: 磁気コア
77: 一次巻線 80、81: 容量結合電極
82: 誘導アンテナコイル 83: 誘電体ウィンドウ
Claims (17)
- プラズマを発生して工程チャンバーに遠隔で供給する遠隔プラズマ発生器;前記の遠隔プラズマ発生器の本体に誘導される電圧を測定するための一つ以上の電圧測定センサーを含むセンサー部;および前記の一つ以上の電圧測定センサーで測定された電圧値に基づき、前記の遠隔プラズマ発生器の作動状態に関する情報を生成する制御部を含む上に、自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。
- 請求項1に記載の、
前記のセンサー部は前記の遠隔プラズマ発生器の本体を通じて漏洩する電流を測定する一つ以上の電流測定センサーを含み、前記の制御部は前記の電流測定センサーによって測定される漏洩電流測定値に基づき、他の作動状態に関する情報を生成する自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。 - 請求項1に記載の、
前記のセンサー部は前記の遠隔プラズマ発生器のガス出口周辺に取付けられる変流器を含み、前記の制御部は前記の変流器を通じて測定される電流測定値に基づき、他の作動状態に関する情報を生成する自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。 - 請求項1に記載の、
前記のセンサー部は前記の遠隔プラズマ発生器の本体の中で発生するプラズマを測定するためのプラズマ測定センサーを含み、前記の制御部は前記のプラズマ測定センサーを通じて測定されたプラズマ測定値に基づき、前記の遠隔プラズマ発生器の他の作動状態に関する情報を生成する自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。 - 請求項1に記載の、
前記のセンサー部は前記の工程チャンバーの中間部分に流入されたプラズマの状態を測定するためのプラズマ測定センサーを含み、前記の制御部は前記のプラズマ測定センサーで測定されるプラズマ測定値に基づき、前記の工程チャンバー内部の工程進行状態に関する情報を生成する自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。 - 請求項1に記載の、
前記のセンサー部は前記の工程チャンバーから出る排気ガスプラズマの状態を測定するためのプラズマ測定センサーを含み、前記の制御部は前記のプラズマ測定センサーで測定されるプラズマ測定値に基づき、前記の工程チャンバー内部の工程進行状態に関する情報を生成する自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。 - 請求項1に記載の、
前記の遠隔プラズマ発生器はプラズマ放電空間を持つ発生器本体;前記の発生器本体のプラズマ放電空間にプラズマを形成するための起電力を提供するよう、前記の発生器の本体に取付けられる磁気コアと前記の磁気コアに巻線された一次巻線を持つ変圧器;および前記の変圧器の一次巻線に駆動電力を供給する電源供給源を含む上に、自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。 - 請求項7に記載の、
前記の発生器本体のプラズマ放電空間にプラズマを形成するための起電力を提供するよう前記の発生器の本体に取付けられ、前記の電源供給源から駆動電力の提供を受けて作動する容量結合電極を含む上に、自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。 - 請求項7に記載の、
前記の発生器本体のプラズマ放電空間にプラズマを形成するための起電力を提供するよう前記の発生器の本体に取付けられ、前記の電源供給源から駆動電力の提供を受けて作動する誘導アンテナコイルを含む上に、自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。 - 請求項1に記載の、
前記の遠隔プラズマ発生器の本体は一つ以上の絶縁区間に区分される二つ以上の分離された領域を持つ金属の発生器の本体を含み、
前記の電圧測定センサーは前記の発生器本体の二つ以上の分離された領域にそれぞれ取付けられる二つ以上の電圧測定センサーを含む上に、自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。 - 請求項2に記載の、
前記の遠隔プラズマ発生器はプラズマ放電空間と一つ以上の絶縁区間に区分される二つ以上の分離された領域を持つ金属の発生器の本体を含み、前記の電流測定センサーは前記の発生器本体の二つ以上の分離された領域に取付けられる二つ以上の電流測定センサーを含む上に、自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。 - 遠隔プラズマ発生器の作動を始める段階;
一つ以上の電圧測定センサーを含むセンサー部によって前記の遠隔プラズマ発生器の本体に誘導される電圧を測定する段階;および前記のセンサー部で測定された前記の遠隔プラズマ発生器の本体に誘導される電圧測定値に基づき、前記の遠隔プラズマ発生器の作動状態に関する情報を生成する段階を含む遠隔プラズマシステムの自己管理方法。 - 請求項12に記載の、
前記のセンサー部は前記の遠隔プラズマ発生器の本体を通じて漏洩する電流を測定する電流測定センサーを含み、前記の電流測定センサーによって測定された漏洩電流測定値に基づき、他の作動状態に関する情報を生成する段階を含む遠隔プラズマシステムの自己管理方法。 - 請求項12に記載の、
前記のセンサー部は前記の遠隔プラズマ発生器のガス出口周辺に取付けられる変流器を含み、前記の変流器によって測定された測定値に基づき、他の作動状態に関する情報を生成する段階を含む遠隔プラズマシステムの自己管理方法。 - 請求項12に記載の、
前記のセンサー部は前記の遠隔プラズマ発生器の本体の中で発生するプラズマを測定するためのプラズマ測定センサーを含み、前記のプラズマ測定センサーによって測定されたプラズマ測定値に基づき、他の作動状態に関する情報を生成する段階を含む遠隔プラズマシステムの自己管理方法。 - 請求項12に記載の、
前記のセンサー部は前記の工程チャンバー内部のプラズマの状態を測定するプラズマセンサーを含み、前記のプラズマ測定センサーによって測定されたプラズマ測定値に基づき、前記の工程チャンバー内部の工程進行状態に関する情報を生成する段階を含む遠隔プラズマシステムの自己管理方法。 - 請求項12に記載の、
前記のセンサー部は前記の工程チャンバーから出る排気ガスプラズマの状態を測定するためのプラズマセンサーを含み、前記のプラズマ測定センサーで測定されるプラズマ測定値に基づき、前記の工程チャンバー内部の工程進行状態に関する情報を生成する段階を含む遠隔プラズマシステムの自己管理方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130057759A KR20140137172A (ko) | 2013-05-22 | 2013-05-22 | 자기 관리 기능을 갖는 원격 플라즈마 시스템 및 이의 자기 관리 방법 |
KR10-2013-0057759 | 2013-05-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014229603A true JP2014229603A (ja) | 2014-12-08 |
JP6206759B2 JP6206759B2 (ja) | 2017-10-04 |
Family
ID=49054420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013177962A Expired - Fee Related JP6206759B2 (ja) | 2013-05-22 | 2013-08-29 | 自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム及びその自己管理方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9349575B2 (ja) |
EP (1) | EP2806714A3 (ja) |
JP (1) | JP6206759B2 (ja) |
KR (1) | KR20140137172A (ja) |
CN (1) | CN104183452B (ja) |
TW (1) | TW201445611A (ja) |
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- 2013-08-27 US US14/011,197 patent/US9349575B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-08-29 TW TW102131049A patent/TW201445611A/zh unknown
- 2013-08-29 EP EP13182154.8A patent/EP2806714A3/en not_active Withdrawn
- 2013-08-29 JP JP2013177962A patent/JP6206759B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-09-27 CN CN201310452821.4A patent/CN104183452B/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN104183452A (zh) | 2014-12-03 |
EP2806714A3 (en) | 2015-01-07 |
TW201445611A (zh) | 2014-12-01 |
KR20140137172A (ko) | 2014-12-02 |
CN104183452B (zh) | 2017-03-01 |
US9349575B2 (en) | 2016-05-24 |
JP6206759B2 (ja) | 2017-10-04 |
US20140346952A1 (en) | 2014-11-27 |
EP2806714A2 (en) | 2014-11-26 |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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