JP2014216577A - 露光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の露光ヘッドを並列配置する場合にもそれらの繋ぎ目の位置管理を簡易に行うことを可能にし、露光パターンの品質を良好に確保する。
【解決手段】基板１０に複数の発光素子２０を走査方向Ｓｃに沿って配列した露光光源部２を形成した露光ヘッド１を備え、露光ヘッド１が一方向に複数配列された第１の露光ヘッド列１−１と、露光ヘッド１が第１の露光ヘッド列１−１とは走査方向に沿ってシフトした位置に複数配列された第２の露光ヘッド列１−２とを備え、第１の露光ヘッド列１−１における露光光源部２の隙間を埋めるように第２の露光ヘッド列１−２における露光光源部２が配置され、第２の露光ヘッド列１−２における露光光源部２の両端部が、第１の露光ヘッド列１−１における露光光源部２の端部に対して重なる位置に配置されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板上に複数の発光素子を形成した露光ヘッドを備えた露光装置に関するものである。

一つの基板上に発光素子や受光素子とそれを駆動するドライバＩＣを一体に実装する技術が知られている。例えば、下記特許文献１に記載された従来技術では、複数のＬＥＤアレイチップを配線基板上にライン状に並べ、複数のＬＥＤアレイチップの両側に同じくライン状に複数のドライバＩＣを並べ、このドライバＩＣとＬＥＤアレイチップとをワイヤ・ボンディングで電気的に接続している。

特開２００８−２２７４６７号公報

特許文献１に記載の従来技術では、発光素子や受光素子毎にワイヤ・ボンディングのための接続端子（接続パッド）が必要になるため、接続端子のスペースを確保することで発光素子や受光素子の配置密度を高めることができない。したがって、露光ヘッドとしては、マスクレス露光を行う場合の露光解像度に限界があり、高品質の露光を行うことができない問題がある。また、制御用プロセッサ基板が別途必要になるため露光ヘッド全体として装置の大型化を招く問題がある。

また、近年、被露光対象物の大面積化に伴って複数の露光ヘッドを並列配置して走査露光を行うことがなされているが、この場合には、個々の露光ヘッドの繋ぎ部分の位置管理が困難であり、これが適正に位置管理できない場合には、線状の未露光部分が生じるなど、露光パターンの品質を大きく損なうことになる。

本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、走査露光を行う場合に、高品質の露光パターンを形成できるようにすること、複数の露光ヘッドを並列配置する場合にもそれらの繋ぎ目の位置管理を簡易に行うことを可能にし、露光パターンの品質を良好に確保すること、等が本発明の目的である。

このような目的を達成するために、本発明は、以下の構成を少なくとも具備するものである。

基板に複数の発光素子を配列した露光光源部を形成し、前記複数の発光素子の配列が走査露光を行う走査方向と交差する一方向に延設されている露光ヘッドを備え、前記露光ヘッドが前記一方向に複数配列された第１の露光ヘッド列と、前記露光ヘッドが前記第１の露光ヘッド列とは前記走査方向に沿ってシフトした位置に複数配列された第２の露光ヘッド列とを備え、前記第１の露光ヘッド列における前記露光光源部の隙間を埋めるように前記第２の露光ヘッド列における前記露光光源部が配置され、前記第２の露光ヘッド列における前記露光光源部の両端部が、前記第１の露光ヘッド列における前記露光光源部の端部に対して重なる位置に配置されていることを特徴とする露光装置。

このような特徴を有する露光装置によると、走査露光を行う場合に、高品質の露光パターンを形成することができる。特に、露光ヘッドを複数配列して走査露光を行う場合に、露光ヘッド間の繋ぎの位置管理を簡易に行うことができ、大面積の走査露光を高い精度で行い、高品質の露光パターンを形成することができる。

本発明の一実施形態における露光ヘッドを示す説明図である。 本発明の実施形態に係る露光装置の構成例を示した説明図である。 本発明の実施形態における露光ヘッドの各構成部を示す説明図である。図３（ａ）が露光光源部の断面構造を示しており、図３（ｂ）が露光光源部の平面構造を示しており、図３（ｃ）が駆動部の断面構造を示している。 本発明の実施形態における露光ヘッドの製造工程の一例を示した説明図である。 本発明の実施形態における露光ヘッドを示した説明図である。 本発明の実施形態における露光ヘッドを示した説明図である。 本発明の他の実施形態における露光ヘッドを示した説明図である。 本発明の他の実施形態における露光ヘッドを示した説明図である。 本発明の他の実施形態における露光ヘッドを示した説明図である。

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。図１において、露光ヘッド１は、基板１０と、基板１０に形成された露光光源部２を少なくとも備えている。基板１０は、例えば、ＳｉやＳｉＣなどの半導体ウエハであって円形状をなしている。露光光源部２は複数の発光素子２０が配列されている。また、基板１０には、図示省略した駆動部などが設けられている。駆動部は、基板１０上に駆動用ＩＣを実装したものであるか、或いは基板１０に作り込まれた半導体素子によって構成することができる。

露光ヘッド１は、矢印Ｓｃで示した走査方向に向けて走査露光を行うものであり、露光光源部２における複数の発光素子の配列は、走査方向Ｓｃ（図示Ｙ方向）と交差する一方向（図示Ｘ方向）に延設されている。

このような露光ヘッド１は、基板１０を円形状の中心Ｏの周りに回転させることで、複数の発光素子２０の配列方向を調整自在にしている。この中心Ｏは、基板１０の中心であると共に露光光源部２の中心であることが好ましい。走査方向Ｓｃに対する角度θを調整することで、露光光源部２によって走査露光を行う場合の露光ピッチを調整することができる。走査方向Ｓｃに対して発光素子２０の配列方向が直交する（角度θがゼロ）の状態が露光ピッチの最も大きくなる状態である。

図２は、本発明の実施形態に係る露光装置の構成例を示した説明図である。露光装置１００は前述した露光ヘッド１を複数備えており、露光ヘッド１が走査方向Ｓｃと交差する一方向（図示Ｘ方向）に複数配列されている。

露光装置１００は、露光ヘッド１が一方向（図示Ｘ方向）に複数配列された第１の露光ヘッド列１−１と、露光ヘッド１が第１の露光ヘッド列１−１とは走査方向Ｓｃに沿ってシフトした位置に複数配列された第２の露光ヘッド列１−２とを備えている。ここで、第１の露光ヘッド列１−１における露光光源部２の隙間を埋めるように第２の露光ヘッド列１−２における露光光源部２が配置されている。図示の例では、第１の露光ヘッド列１−１を２個、第２の露光ヘッド１−２を１個だけ示しているが、第１の露光ヘッド１−１を３個以上、第２の露光ヘッド１−２を２個以上備えていてもよい。

そして、この露光装置１００は、第２の露光ヘッド列１−２における露光光源部２の一方向（図示Ｘ方向）両端部が、第１の露光ヘッド列１−１における露光光源部２の互いに向き合う端部に対して重なる位置に配置されている。すなわち、第１の露光ヘッド列１−１及び第２の露光ヘッド列１−２の露光光源部２は走査方向Ｓｃに対して重なり部分２Ｘを備えている。

このような重なり部分２Ｘを設けることで、複数配列される露光ヘッド１における繋ぎ目の位置合わせを簡易に行うことができる。この際、第１の露光ヘッド列１−１及び第２の露光ヘッド列１−２の露光光源部２における重なり部分２Ｘは、露光時には一方が非点灯状態になるように制御される。これにより、露光ヘッド１間の間隔調整を精緻に行うことなく、第１の露光ヘッド列１−１の間を補完するように第２の露光ヘッド列１−２が配置されることになり、隙間のない露光範囲を走査方向Ｓｃと交差する方向に形成することができる。

図３は、本発明の実施形態に係る露光ヘッドの各構成部の一例を示す説明図である。図３（ａ）が露光光源部の断面構造を示しており、図３（ｂ）が露光光源部の平面構造を示しており、図３（ｃ）が駆動部の断面構造を示している。この例では、駆動部３は、基板１０に作り込まれた半導体素子によって構成される駆動回路を備えている。

露光光源部２における複数の発光素子２０は、基板１０を共通の半導体層とするｐｎ接合部２１を発光部２０Ａとして備えている。具体的には、基板１０がｎ型半導体層１０ｎであって、複数の発光素子２０に共通な半導体層になっており、基板１０の一部にｐ型半導体層１０ｐが形成されている。ｐ型半導体層１０ｐは、図３（ａ）に示すように複数の発光素子２０に共通の層としてもよいし、複数の発光素子２０毎に分離した層（ｎ型半導体層によって区画された層）としてもよい。ｎ型半導体層１０ｎとｐ型半導体層１０ｐの境界付近にｐｎ接合部２１が形成される。そして、個々の発光素子２０のｐｎ接合部２１からは独立して光が放出されるように発光素子２０毎に第１電極２２が形成され、第１電極２２間に配線２４が形成されている。

図示の例では、発光素子２０は、基板１０の一面側に透明電極からなり、発光素子２０毎に独立した第１電極２２を備え、基板１０の他面側に複数の発光素子２０に共通な第２電極２３を備えている。第１電極２２は、ＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明導電材料を用いることができ、第２電極２３は、Ａｌなどの金属電極を用いることができる。第１電極２２には駆動部３からの駆動信号が供給され、第２電極２３はグランドＧに接続されている。第１電極２２の周囲には、配線２４（データ線２４Ａとゲート線２４Ｂ）が配置されている。第１電極２２，第２電極２３，配線２４は、発光素子２０をアクティブマトリクス駆動するための構成である。

駆動部３は、図３（ｃ）に示すように、例えばＭＯＳ型トランジスタなどの半導体素子３０によって構成することができる。図示の例では、基板１０のｎ型半導体層１０ｎにｐ型半導体層３０ｐ１，３０ｐ２を形成し、それらの上にソース電極３０ｓとドレイン電極３０ｄをそれぞれ形成しており、ｐ型半導体層３０ｐ１，３０ｐ２の間のチャネル領域３０ｎ上に絶縁膜３０ｂを介してゲート電極３０ｇを形成している。ドレイン電極３０ｄ，ゲート電極３０ｇ，ソース電極３０ｓはそれぞれ発光素子２０を駆動するための電極配線に接続される。例えば、ドレイン電極３０ｄは第１電極２２に接続され、ゲート電極３０ｇはゲート線２４Ｂに接続され、ソース電極３０ｓはデータ線２４Ａに接続される。このような駆動部３の半導体素子３０は、発光素子２０における共通の半導体層を形成する基板１０に既知の半導体リソグラフィ工程によって作り込むことができる。

発光素子２０の発光原理の一例を説明する。ここでは、基板１０として、第１物質をドープしたｎ型Ｓｉ基板を用いる。シリコン（Ｓｉ）は、間接遷移型の半導体であって発光効率が低く、単にｐｎ接合部を形成しただけでは有用な発光は得られない。これに対して、Ｓｉ基板にフォノンを援用したアニールを施して、ｐｎ接合部近傍にドレスト光子を発生させ、間接遷移型半導体であるＳｉをあたかも直接遷移型半導体であるかのように変化させることで、高効率・高出力なｐｎ接合型発光が可能になる。基板１０としては、Ｓｉ基板の他にＳｉＣ基板を用いることができる。

より具体的には、基板１０（ｎ型半導体層１０ｎ）が第１物質としてヒ素（Ａｓ）をドープしたｎ型Ｓｉ基板であり、これに第２物質であるボロン（Ｂ）を高濃度ドープすることでｐ型半導体層１０ｐを形成する。そして、アニール処理で第２物質であるボロン（Ｂ）を拡散させる過程でｐｎ接合部２１に光を照射することで、ｐｎ接合部２１近傍にドレスト光子を発生させる。このようにドレスト光子が発生したｐｎ接合部２１は、ｐｎ接合部２１に電気供給すると、アニール過程で照射した光の波長と同等の波長の光を放出する。ボロン（Ｂ）ドープ条件の一例は、ドーズ密度：５×１０¹³／ｃｍ²、打ち込み時の加速エネルギー：７００ｋｅＶとし、アニール過程で照射する光の波長は可視光域で所望の波長帯域とする。第１物質としては、１５族元素を用いることができ、ヒ素（Ａｓ）の他に、リン（Ｐ）又はアンチモン（Ｓｂ）を用いることができる。また第２物質としては、１３族元素を用いることができ、ボロン（Ｂ）の他に、アルミニウム（Ａｌ）又はインジウム（Ｉｎ）を用いることができる。

このような発光原理を利用した発光素子２０を備える露光ヘッド１は、シリコン基板に露光光源部２を形成することができるので、この露光光源部２が形成されたシリコン基板に駆動部３を集約して形成することができる。これによると、露光ヘッド１を構成する一枚の基板１０に露光光源部２と駆動部３を集積することで、露光ヘッド１の構成を飛躍的に小型化することができる。

また、露光ヘッド１の露光光源部２と駆動部３は基板１０に対する半導体製造工程（リソグラフィ工程）で形成することができるので、従来行っていたワイヤ・ボンディングなどの半導体駆動素子実装工程を省くことができる。これによって、露光ヘッド１の製品歩留まりと動作の信頼性を飛躍的に向上させることができる。また、第１電極２２と配線２４のパターンをフォトリソ工程で形成することができるので、発光素子２０毎の第１電極２２及び配線２４を高密度で形成することができ、発光素子２０の配置密度を高めることができる。

また、基板１０に形成される複数の発光素子２０を位置精度の高いリソグラフィ工程を用いて形成できるので、位置精度の高い発光素子アレイを形成することができ、また、同一の製造工程で複数の発光素子２０を形成できるので、個体差を抑制した複数の発光素子２０を形成することができる。これによって、発光素子２０毎に発光量を調整する初期調整や煩雑な制御が不要になる。

図４は、図３に示した本発明の実施形態に係る露光ヘッドの製造工程の一例を示した説明図である。先ず、図４（ａ）に示すように、基板１０を形成する。基板１０は、例えばＳｉ基板（Ｓｉウェハ）であり、このＳｉ基板にヒ素（Ａｓ）をドープすることでｎ型Ｓｉ半導体層１０ｎを形成する。

次に、図４（ｂ）に示すように、基板１０における露光光源部形成領域２Ｓと駆動部形成領域３Ｓに、ｐ型半導体層１０ｐ，３０ｐ１，３０ｐ２を形成する。ｐ型半導体層１０ｐ，３０ｐ１，３０ｐ２を形成するには、不純物としてドープする元素としてボロン（Ｂ）を選択する。特に、露光光源部形成領域２Ｓにおけるｐ型半導体層１０ｐには高濃度のボロン（Ｂ）をドープする。ボロン（Ｂ）のドープ条件の一例は前述したように、ドーズ密度：５×１０¹³／ｃｍ²、打ち込み時の加速エネルギー：７００ｋｅＶとする。

次に、図４（ｃ）に示すように、基板１０における露光光源部形成領域２Ｓと駆動部形成領域３Ｓに電極，絶縁層，配線を形成する。電極，絶縁層，配線の形成には既知の半導体製造工程（半導体リソグラフィ工程）を適用し、金属膜，酸化膜，ポリシリコン膜などを適宜積層してパターニングする。露光光源部形成領域２Ｓにおいては、ＩＴＯ電極などの透明電極によって第１電極２２を形成することができ、ＩＴＯ電極と金属電極の積層体などによって配線２４を形成することができる。駆動部形成領域３Ｓにおいては、金属電極によってドレイン電極３０ｄ，ゲート電極３０ｇ，ソース電極３０ｓを形成することができ、酸化膜（ＳｉＯ₂）によって絶縁膜３０ｂを形成することができる。基板１０の裏面側には共通となる第２電極２３が成膜される。ここでは、駆動部３に形成される半導体素子を一つのＭＯＳ型トランジスタとして示しているが、駆動部３にはこれ限らず所望の機能を得るための各種半導体素子が形成される。

次に、図４（ｄ）に示すように、発光素子が形成される。発光素子２０を形成するには、第１電極２２と第２電極２３の間に電圧を印加し、第１電極２２と第２電極２３の間に電流を流すことで生じるジュール熱によってアニール処理を行い、このアニール処理の間に光を照射することで、ｐｎ接合部２１近傍にドレスト光子を発生させる。照射する光の波長は、露光波長に合わせて近紫外〜紫付近の波長を選択することができる。

このような工程を経て、図４（ｅ）に示すように、同一の基板１０に露光光源部２と駆動部３を一体に作り込むことができる。露光光源部２には、ｐｎ接合部２１を発光部２０Ａとする複数の発光素子２０（発光素子アレイ）が形成される。

図５及び図６は、本発明の実施形態に係る露光ヘッドをより具体的に示した説明図である。図５に示した形態例では、露光ヘッド１（１Ａ）は、露光光源部２と被露光面Ｓとの間に投影光学系４を配備している。投影光学系４は複数のマイクロレンズ４Ａを備えており、一つのマイクロレンズ４Ａが複数の発光素子２０から出射される光を被露光面Ｓに投影している。

図６に示した形態例は、露光ヘッド１（１Ｂ）の駆動部３がＩＣチップの実装によって構成された例である。この形態例では、駆動部３が、基板１０上に形成されるドライバ３Ａ，コネクタ３Ｂ，ドライバ３Ａとコネクタ３Ｂを接続する接続配線３Ｃを備え、コネクタ３Ｂに制御用のＩＣチップ３Ｄが外付けで接続されている。このように、露光光源部２の発光素子２０や配線などの複雑な構造は基板１０に半導体製造工程によって一体に作り込み、その他の比較的実装が容易で位置精度が緩い機能部品は別途アッセンブリしてもよい。

以上説明したように、本発明の実施形態に係る露光ヘッド１は、露光光源部２の発光素子２０と配線２４とを同一の基板１０上にパターン形成するので、発光素子２０を個別にワイヤ・ボンディングなどで接続する場合と比較して結線の労力を削減することが可能になる。例えば、ＶＧＡ（６８０×４８０）の発光素子アレイを個別に接続しようとすると、３２６４００本の結線が必要になり、これをワイヤ・ボンディングなどで実装するには多大な労力を要して歩留まりの低下を招きかねない。本発明の実施形態に係る露光ヘッド１では、このような結線の問題を解消することができるので、高い生産性を確保することができる。

また、ワイヤ・ボンディングなどの実装には電極パッドが用いられるが、電極パッドは発光素子の数に比例して必要になり、発光素子アレイを多数個配置しようとすると、電極パッドの数も膨大になる。そのため、従来技術のように発光素子を個別に実装するものでは発光素子アレイを高密度に配置することが困難になり、装置の小型化にも不向きである。例えば、現状の技術では電極パッドの面積は最小サイズで２０〜３０μｍ程度とされているが、発光素子の面積を数μｍ程度まで高精細化する場合には、発光素子の面積に対して電極パッドの面積がかなり大きくなり、発光素子を高密度配置することができない。これに対して、本発明の実施形態に係る露光ヘッド１は、発光素子毎の電極パッドを不要にすることができるので、発光素子アレイの高密度化が可能になる。これによって、本発明の実施形態に係る露光ヘッド１は、高精細な露光を行うことができると共に、装置の小型化にも適している。また、発光素子アレイを高密度で配置すると、単位面積当たりの露光量が大きくなり、露光時間を短縮させることができる効果も得られる。

更に、本発明の実施形態に係る露光ヘッド１は、共通となる基板１０上に高精細なパターン形成が可能なフォトリソ工程を利用して複数の発光素子２０を作り込むことで、複数の発光素子２０の位置管理を高精度で行うことができ、また、同一の半導体製造工程で複数の発光素子を形成することができるので、発光素子２０の個体差による調整等の煩雑さを解消することができる。

そして、位置精度の高い状態で配列された発光素子２０の配列角度を、円形状の基板中心周りに基板１０を回転させることで、走査方向に対して任意に角度調整することができるので、走査露光の露光ピッチなどを簡易に調整することが可能になる。

また、複数の露光ヘッド１を並列配置した露光装置１００は、隣接する露光ヘッド１の間隔を精緻に調整することなく、第１の露光ヘッド列１−１の間を補完するように第２の露光ヘッド列１−２が配置されることになり、隙間のない露光範囲を走査方向Ｓｃと交差する方向に形成することができる。

なお、露光ヘッド１単体の構成は、前述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、図７〜９に示した形態を採用することができる。図７に示す例では、露光ヘッド１は、基板１０に複数の発光素子２０を配列した露光光源部２を備えており、露光光源部２にマイクロレンズ４Ａが配置されており、発光素子２０には、接続端子１３及び駆動電極１４が接続されている。図８及び図９は、露光ヘッド１における発光素子２０の配置構造を示している。露光ヘッド１は、基板１０上に発光素子２０が配置され、発光素子２０を挟んで基板１０と反対側に積層して配置された接続端子１３と、発光素子２０と接続端子１３とを電気的に接続する駆動電極１４とを備えている。

この例では、基板１０は、可視光線や紫外線との光に対して透明な基板であって、板状のサファイヤによって形成することができる。発光素子２０から放射された露光光Ａは、基板１０を通って露光対象物に照射される。接続端子１３は、基板１０に対して積層して配置されており、図示省略した制御回路と発光素子２０とを接続する端子である。接続端子１３を介して入力される制御信号は駆動電極１４を介して発光素子２０に伝達される。駆動電極１４は、絶縁性の物質により形成された駆動電極基板１５が埋め込まれており、駆動電極１４の上面と駆動電極基板１５の上面とが同一平面を形成するように両者は一体に形成されている。駆動電極基板１５は、ガラス、プラスチック、サファイヤなどにより形成することができ、可視光に対して透明であることが好ましい。駆動電極基板１５を透明にすることで、駆動電極基板１５の上方から撮像手段により露光対象物を撮像して、露光位置をアライメントすることができる。基板１０上には、接地電極１６が形成されている。接地電極１６は、発光素子２０を基板１０上に配線された接地配線１７に接続するための電極である。

図９に示すように、一直線上に所定間隔で配置された複数の発光素子２０と、これらの発光素子２０が接続された１つの接続端子１３と、複数の発光素子２０及び１つの接続端子１３をそれぞれ接続する１つの駆動電極４と、複数の発光素子２０がそれぞれ接続された複数の接地電極１６と、複数の接地電極１６がそれぞれ接続された複数の接地配線１７が、基板１０上に基本パターンとして形成されている。

以上、本発明の実施の形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。また、上述の各実施の形態は、その目的及び構成等に特に矛盾や問題がない限り、互いの技術を流用して組み合わせることが可能である。

１００：露光装置，
１，１Ａ，１Ｂ：露光ヘッド，
１−１：第１の露光ヘッド列，１−２：第２の露光ヘッド列，
２，露光光源部，２Ｘ：重なり部，
３：駆動部，
３Ａ：ドライバ，３Ｂ：コネクタ，３Ｃ：接続配線，３Ｄ：ＩＣチップ，
４：投影光学系，４Ａ：マイクロレンズ，
１０：基板，１０ｎ：ｎ型半導体層，１０ｐ：ｐ型半導体層，
２０：発光素子，２０Ａ：発光部，２１：ｐｎ接合部，
２２：第１電極，２３：第２電極，２４：配線，
３０：半導体素子，３０ｐ１，３０ｐ２：ｐ型半導体層，
３０ｓ：ソース電極，３０ｄ：ドレイン電極，３０ｇ：ゲート電極，
３０ｎ：チャンネル領域，Ｓｃ：走査方向

Claims (5)

1. 基板に複数の発光素子を配列した露光光源部を形成し、前記複数の発光素子の配列が走査露光を行う走査方向と交差する一方向に延設されている露光ヘッドを備え、
   前記露光ヘッドが前記一方向に複数配列された第１の露光ヘッド列と、前記露光ヘッドが前記第１の露光ヘッド列とは前記走査方向に沿ってシフトした位置に複数配列された第２の露光ヘッド列とを備え、
   前記第１の露光ヘッド列における前記露光光源部の隙間を埋めるように前記第２の露光ヘッド列における前記露光光源部が配置され、
   前記第２の露光ヘッド列における前記露光光源部の両端部が、前記第１の露光ヘッド列における前記露光光源部の端部に対して重なる位置に配置されていることを特徴とする露光装置。
2. 前記第１の露光ヘッド列における前記露光光源部と前記第２の露光ヘッド列における前記露光光源部との重なり部分は、露光時には一方が非点灯状態になることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
3. 前記基板が円形状であり、前記複数の発光素子の配列方向を前記基板の中心周りに回転させることで調整自在にしたことを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
4. 前記露光ヘッドは、前記複数の発光素子が前記基板を共通の半導体層とするｐｎ接合部を発光部として備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の露光装置。
5. 前記露光ヘッドは、
   前記基板上に前記発光素子が配置され、
   前記発光素子を挟んで前記基板と反対側に積層して配置された接続端子と、
   前記発光素子と前記接続端子とを電気的に接続する駆動電極とを備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の露光装置。

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