JP2014216440A - 半導体ウエハプロセス用吸着プレート - Google Patents
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Abstract
【解決手段】裏面の最外周部に環状補強リブ2を備え、裏面内周のウエハ凹部に平坦な底面を有する半導体ウエハ3を裏面側で減圧吸着により保持するために、前記ウエハ凹部底面の平坦面に密着する凸部4表面と前記環状補強リブを収納する外周凹部5を備える吸着プレート20が、前記凸部4表面の外周から2mm以上5mm以内の円周上に対称配置される複数の減圧用吸着孔6を備える半導体ウエハプロセス用吸着プレート。
【選択図】図1
Description
凸部外周エッジからの距離が短い本発明にかかる最外周吸着孔6の場合のウエハ3の反り(実線)は、同じく距離が遠い従来の吸着孔12の場合の反り(点線)より小さいことを示している。またさらに、複数個の吸着孔6の凸部表面内の配置について、吸着プレート20の凸部4の外周エッジからの距離を均等にするだけでなく、円周上に対称的、等間隔に配置することも、吸着プレート20の凸部4表面での密着性のバラつきを抑えられるので好ましい。
2 補強リブ
3 リブ付きウエハ
4、11 凸部
5 外周凹部
6、12 吸着孔
10、20 吸着プレート
13 外周凹部構造側面とリブの距離
14 外周凹部構造底部とリブの距離
15 開口径
16 連続溝
Claims (8)
- 裏面の最外周部に環状補強リブを備え、裏面内周のウエハ凹部に平坦な底面を有する半導体ウエハを裏面側で減圧吸着により保持するために、前記ウエハ凹部底面の平坦面に密着する凸部表面を備える吸着プレートが、前記凸部表面の外周から2mm以上5mm以内の円周上に配置される複数の最外周吸着孔を備えることを特徴とする半導体ウエハプロセス用吸着プレート。
- 前記吸着プレートが、前記半導体ウエハを裏面で吸着支持する際、該半導体ウエハの前記補強リブ部の底面と側面とが吸着プレート面に均等に近接するための外周凹部構造を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハプロセス用吸着プレート。
- 前記複数の最外周吸着孔が等間隔で対称配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハプロセス用吸着プレート。
- 前記複数の最外周吸着孔が10個以上20個以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハプロセス用吸着プレート。
- 前記複数の最外周吸着孔の開口部直径が1.5mm以上2.5mm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハプロセス用吸着プレート。
- 前記複数の最外周吸着孔が、円周形の連続溝の底部に配置されることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハプロセス用吸着プレート。
- 前記複数の最外周吸着孔あるいは前記円周形の連続溝の開口部であって、前記半導体ウエハと接する部分の表面エッジに面取りが施されていることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハプロセス用吸着プレート。
- 前記吸着プレートが加熱機能を有していることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハプロセス用吸着プレート。
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