JP2014216290A - X線管及び陽極ターゲット - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- 電子を放出する電子放出源と、
前記電子放出源からの電子によりX線を放出するターゲット層と、前記ターゲット層を支持し、炭化物強化型モリブデン合金から成る基体とを備えた陽極ターゲットと、
前記電子放出源及び前記陽極ターゲットを収容した真空外囲器と、
を備えたX線管において、
前記基体の表面の一部に粉末冶金法により前記基体と一体に形成され、前記基体に比較して炭素が欠乏した高融点金属から構成される拡散障壁層と、
前記拡散障壁層の表面の少なくとも一部に形成され、金属酸化物から構成される熱放射膜と、
を備えたことを特徴とするX線管。 - 前記拡散障壁層は、前記基体が含む炭素成分が前記熱放射膜に到達することを抑止する請求項1のX線管。
- 前記拡散障壁層は、粉末冶金法により前記基体および前記ターゲット層と一体形成される請求項1または2のX線管。
- 前記拡散障壁層表面から前記基体までの最短距離は1mm以上である請求項1〜3のいずれか1のX線管。
- 前記拡散障壁層は炭素含有質量が50ppm以下である純モリブデンである請求項1〜4のいずれか1のX線管。
- 電子放出源からの電子によりX線を放出するターゲット層と、前記ターゲット層を支持し、炭化物強化型モリブデン合金から成る基体とを備えた陽極ターゲットにおいて、
前記基体の表面の一部に粉末冶金法により前記基体と一体に形成され、前記基体に比較して炭素が欠乏した高融点金属から構成される拡散障壁層と、
前記拡散障壁層の表面の少なくとも一部に形成され、金属酸化物から構成される熱放射膜と、
を備えたことを特徴とする陽極ターゲット。 - 前記拡散障壁層は、粉末冶金法により前記基体および前記ターゲット層と一体形成される請求項6の陽極ターゲット。
- 前記熱放射膜から前記基体までの最短距離は1mm以上である請求項6または7の陽極ターゲット。
- 前記拡散障壁層は炭素含有質量が50ppm以下である純モリブデンである請求項6〜8のいずれか1の陽極ターゲット。
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