JP2014212692A - Igctを有する電流スイッチング装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】電流スイッチング装置(8)は、集積ゲート転流サイリスタ(10)とゲート・ユニット(12)とを具える。
【解決手段】集積ゲート転流サイリスタは、アノード(14)、カソード(16)およびゲート(18)を有し、アノードとカソードとの間の電流は、スイッチオフ電圧(40)をゲートに印加することによって中断可能であり、ゲート・ユニットは、スイッチオフ電圧を生成する。ゲート・ユニットおよびゲートに対するゲート・ユニットの接続は、浮遊インピーダンスを有するゲート回路(38)を構成する。ゲート・ユニットは、カソードとゲートとの間の降伏電圧(VGRMAX)より高い最大値(44)を有するスパイクのスイッチオフ電圧を生成するように構成され、ゲートにおけるスイッチオフ電圧は、ゲート回路の浮遊インピーダンスのため、降伏電圧(VGRMAX)未満にとどまる。
【選択図】図1

Description

本発明は、高出力の電子機器の分野に関するものである。特に、本発明は、電流スイッチング装置、インバータおよび集積ゲート転流サイリスタ(IGCT)のスイッチング方法に関するものである。
IGCTは、速いスイッチング挙動および低いスイッチング損失のため、例えば、インバータおよび他の高出力の電子機器において用いられる半導体スイッチング装置である。導通状態のIGCTは、IGCTのゲートに電圧を印加することによってスイッチオフ可能である。その後、アノードとカソードとの間の電流はブロックされ、IGCTは、負電圧が再びゲートに印加されるまで、ブロックされた状態を維持する。
通常、ゲート・ユニットを用いて、スイッチングを制御し、特にIGCTのゲート電圧を制御する。従来のゲート・ユニットでは、利用できるゲート電圧は、GCT技術によって、特にゲートとカソードとの間のダイオードのアバランシェまたは降伏電圧によって制限される。例えば、降伏電圧は約24Vであり、ゲート・ユニットはスイッチオフの間、20Vの定電圧を印加することができる。
ターンオフ・スイッチングを改良するために、静的状態の間、ゲート・ユニットによって生成される電圧およびゲートとカソードとの間の降伏電圧を増加させることができる。この場合、降伏電圧が増加しないと、ゲートは一定のアバランシェにドライブされうる。降伏電圧の増加は、通常、可能ではあるが、IGCT技術において非常に大きな変化である。
あるいは、ゲート回路のインピーダンスを低下することも可能ではあるが、シリコンウエハの横方向の拡張、絶縁条件、コストなどのような実際的制限を被りうる。
本発明の目的は、IGCT自体を修正せずに、IGCTを確実かつ高速にスイッチングすることにある。
この目的は、独立請求項の特徴事項によって達成される。さらに例示的な実施形態は、従属請求項および以下の説明から明白である。
本発明の第1の態様は、電流スイッチング装置に関する。電流スイッチング装置は、IGCTと、その制御を行うゲート・ユニットと、を具えるモジュールとみなすことができる。電流スイッチング装置および特にIGCTは、100A超または1000A超さえの高電流および/または1000Vまたは5000V超の中電圧をスイッチングするように構成可能である。
本発明の一実施形態によれば、IGCTとゲート・ユニットとを具える電流スイッチング装置であって、IGCTは、アノード、カソードおよびゲートを有し、アノードとカソードとの間の電流は、スイッチオフ電圧をゲートに印加することによって中断可能であり、ゲート・ユニットは、スイッチオフ電圧を生成し、ゲート・ユニットおよびゲートに対するゲート・ユニットの接続は、浮遊インピーダンスを有するゲート回路を構成する。ゲート・ユニットは、カソードとゲートとの間の降伏電圧より高い最大値を有するスパイクのスイッチオフ電圧を生成するように構成され、ゲートにおけるスイッチオフ電圧は、ゲート回路の浮遊インピーダンスのため、降伏電圧未満にとどまる。
上述したように、IGCTは、ゲートとカソードとの間のダイオードを有し、このダイオードは、信頼性が高い方法でIGCTを動作するために、越えられてはならない降伏電圧またはアバランシェ電圧を有する。しかしながら、ゲートに接続されているゲート回路(ゲート・ユニットとゲート・コンタクトの間の電気接続およびゲート・ユニットの回路の全部または一部を具えることができる)は、一定ではないスイッチオフ電圧をゲートに印加するとき、考慮されうるインピーダンスを有する。
ゲート・ユニットはスパイクの(すなわち一定ではないおよび/または可変の)スイッチオフ電圧を生成することができ、このスパイクのスイッチオフ電圧は、ゲート回路によって、ゲートとカソードとの間のダイオードの降伏電圧未満にとどまる、ゲートでのスイッチオフ電圧に変換される。
一般に、スイッチオフのIGCTの制御は、一方では利用できるゲート電圧と、他方ではゲート回路のインピーダンスと、の間の競合(トレードオフ)とみなすことができる。この競合の目的は、アノード電圧が上昇し始める前に、(カソードから)ゲートへのアノード電流の大きさの転流(すなわちスイッチング)である。この転流に利用できる時間は、1μsのオーダーである。ゲート・ユニットによって生成されるスパイクのスイッチオフ電圧のため、できるだけ高いスイッチオフ電圧および対応するゲート電流が、ゲートに印加される。
以下では、ゲート・ユニットによって印加される(または生成される)電圧をVGUと称し、降伏電圧をVGRと称する。降伏電圧VGRの変化に関して最大許容可能な電圧は、VGRMAXと称し、VGRMAXは、例えば、20.5Vとすることができ、0.5Vの調整誤差ΔVGUを含むことができる。
以下の式によれば、ゲート・ユニット電圧源とゲート・コンタクトとの間に誘導分圧器を具えるゲート回路は、ゲート電流が変化する時間の間、はるかに高いVGUの印加を容易にする。
Figure 2014212692
ここで、LσおよびRσは、ゲート回路の浮遊インピーダンスであり、VGUMAXはゲート・ユニットによって生成される最大許容可能電圧であり、Iは、ゲート電流である。これらのパラメータは公知であり、ゲート電流およびその上昇速度が分かれば、降伏電圧VGRよりはるかに高い電圧を実際に印加することができる。例えば、インピーダンスのオーム部分(Rσ)を無視して、妥当なゲート回路インピーダンス(Lσ)が3nHであり、ゲート電流の上昇速度が50kA/usであると仮定すると、許容可能な過電圧は、3・10−9H×50・10=150Vとすることができる。
このように、スパイクのような、すなわち、上昇および下降電圧を有する2つのスロープ間の最大値を有する、ゲート・ユニットによって生成されるスイッチオフ電圧をモデル化することができる。スイッチオフ電圧が1つのスパイクのみを有してもよいし、複数のスパイクを有してもよい。
本発明の一実施形態によれば、スパイクのスイッチオフ電圧の最大値は、降伏電圧の少なくとも2倍、例えば降伏電圧の少なくとも10倍、例えば50V超または500V超である。最大値は、上述の式に従ってゲート電流に依存しうる。
上述の式から、スイッチオフ電流の変化dI/dtが大きいほど、ゲート・ユニットによって生成されたスイッチオフ電圧が高い、ということを導くことができる。これは、スパイクのスイッチオフ電圧の幅を短くすることができる。
本発明の一実施形態によれば、スパイクのスイッチオフ電圧のスパイク幅は、30μs未満であり、例えば20μsまたは10μs未満である。模範的には、スパイク幅は、少なくとも1μsである。
一般に、ゲート・ユニットが所定のスイッチオフ電圧(一定のパターンを有する)を生成する、および/または、ゲート・ユニットがゲート電流の測定値に基づいてループ制御されたスイッチオフ電圧(可変パターンを有する)を供給する、ということが可能である。
本発明の一実施形態によれば、ゲート・ユニットは、一定のパターンを有するスパイクのスイッチオフ電圧を生成するための電圧源を具える。例えば、ゲート回路の周知の浮遊インピーダンスおよび推定された電流の展開から、スイッチオフ電圧の一定のパターンをモデル化することができる。この一定のパターンは、IGCTがスイッチオフされていなければならないとき常にゲート・ユニットによって供給される。
本発明の一実施形態によれば、電流スイッチング装置は、サイリスタのゲートでゲート電流(特にスイッチオフ電流)を測定するためのゲート電流センサをさらに具え、ゲート・ユニットは、測定されたゲート電流に基づいてスパイクのスイッチオフ電圧を調整するための電圧調整器を具える。例えば、電圧調整器は、ゲート回路のインピーダンスを把握しており、短時間ステップの間にスイッチオフ電流を評価することによって、上述の式に基づいてスイッチオフ電圧を決定することができる。
本発明の一実施形態によれば、電圧調整器は、測定されたゲート電流の時間依存に基づいてスパイクのスイッチオフ電圧を調整するように構成されている。
(可変パターンを生成するための)電圧調整器および(一定パターンを生成するための)電圧源は、ゲート・ユニットの回路の一部とすることができる。電圧調整器および/または電圧源は、DC出力電圧を調整するように構成可能である。
要約すると、ゲート・ユニットは、ゲート電流の上昇速度で電圧を供給するように構成された「インテリジェントな」電圧調整および/または生成システムを備えることができる。システムは、アバランシェにゲートをドライブせずに、おそらくスイッチング中の非常に短時間の間以外に、可能な限り最大のゲート電圧を印加することができる。
本発明の一実施形態によれば、ゲート・ユニットはスパイクのスイッチオフ電圧を印加するための内部電圧源を具え、この内部電圧源には、スパイクのスイッチオフ電圧の最大値より低い、ゲート・ユニットの入力電圧が供給される。このように、ゲート・ユニットの供給電圧を増加する必要はない。内部電圧源は、高いスイッチオフ電圧が必要ない時間の間に充電可能である。例えば、電圧源は、スパイクのスイッチオフ電圧の生成の間の時間に充電されるキャパシタンスを具えることができる。内部電圧源および特にキャパシタンスは100V、200V、500V超の電圧を、電圧源および/または電圧調整器に印加することができ、次に、電圧源および/または電圧調整器は、印加されたスイッチオフ電圧のパターンを形成する。
本発明の一実施形態によれば、スパイクのスイッチオフ電圧は、ゲート・ユニットの第1のチャネルにおいて生成される。第1のチャネルは、内部電圧源(降伏電圧よりはるかに高く充電されるコンデンサまたはコンデンサバンクを有する)および/または電圧源および/または電圧調整器を具えることができる。
第1のチャネルは、ターンオフ・チャネルとみなすことができ、ゲート電流の急峻な変化があるとき(dI/dt>>0)、最大許容可能なスイッチオフ電圧をターンオフで印加する役割を果たすことができる。第1のチャネルの出力電圧は、一定の大きさであり(すなわち、一定のパターンを有する)、かつ、時間に制限されているものとすることもできるし、または、調整された電圧(可変パターンおよび/または上述の式に従う)とすることもできる。
本発明の一実施形態によれば、ゲート・ユニットは、スパイクのスイッチオフ電圧が生成された後、一定のスイッチオフ電圧を生成するための第2のチャネルを具え、一定のスイッチオフ電圧は、カソードとゲートとの間の降伏電圧より低い。ゲート・ユニットは、2つのオフ・チャネルおよびこれらの間のスイッチングのためのゲートウェイを有することができ、第1のチャネルは、静的ソースとして降伏電圧未満の電圧を有し、第2のチャネルは、動的ソースとして降伏電圧より高い最大電圧によって調整される。
第2のチャネルはオフ・チャネルとみなすことができ、デバイスが意図せず起動するのを防止する役割を果たすことができる(dV/dtなど)。第2のチャネルは、同等に緩和されたインピーダンス要件を有するゲートに接続可能である。第2のチャネルの電圧は、必ずしも降伏電圧に関連しなくてもよく、例えば5Vと、かなり低くてもよい。
以下の構成によれば、チャネルは、時間で分離して、ゲートに適用可能である。第1のチャネルの出力電圧が第2のチャネルの出力電圧より高いときはいつでも、第1のチャネルが適用可能である。その他の場合は、第2のチャネルが適用可能である。
2つのチャネルを有する構成の1つの利点は、特に増加し続ける定格電流のIGCTに適用可能な高いターンオフ電流を考慮すると、ゲート回路のインピーダンスを低下させる困難性を回避できることである。さらなる利点は、内部電圧源用のキャパシタンスの必要性が低下することである。
本発明のさらなる態様は、上述および後述するように、複数の電流スイッチング装置を具える中電圧インバータに関する。例えば、定電圧源の間に直列に接続される2つのスイッチング装置を(適正な制御とともに)用いて、それらの相互接続で交流単相電流を生成することができる。
本発明のさらなる態様は、IGCTをスイッチングする方法に関する。方法は、IGCT用のゲート・ユニットによって、自動的に実行可能である。上述および後述する方法の特徴が、上述および後述する電流スイッチング装置の特徴とすることができるということを理解されたい。
本発明の一実施形態によれば、方法は、ゲート・ユニットにてサイリスタのためのスイッチオフ信号を受信するステップと、サイリスタのカソードとゲートとの間の降伏電圧より大きい最大値を有するスパイクのスイッチオフ電圧を生成するステップと、スパイクのスイッチオフ電圧を、ゲート回路を介して、サイリスタのゲートに印加するステップと、を含み、ゲートにおけるスイッチオフ電圧は、ゲート回路の浮遊インピーダンスのため、降伏電圧未満にとどまる。
言い換えると、ゲート回路のインピーダンスには、ゲート・ユニットによって生成されるスイッチオフ電圧の最大値の設定が考慮されうる。ゲート電流が高速に変化する場合、生成されたスイッチオフ電圧は、ゲートとカソードとの間の降伏電圧よりはるかに高くすることができる。
本発明の一実施形態によれば、方法は、一定のパターンを有するスパイクのスイッチオフ電圧を生成するステップをさらに含む。上述したように、スイッチオフ信号が受信されるとき、ゲート・ユニットは同一のスパイクのスイッチオフ電圧を常に生成する電圧源を具えることができる。
本発明の一実施形態によれば、方法は、サイリスタのゲートでゲート電流を測定するステップと、測定されたゲート電流に基づいて、スパイクのスイッチオフ電圧を調整するステップと、をさらに含む。印加されたスイッチオフ電圧の最大値またはパターンを、測定されたゲート電流に基づいて制御することが可能である。
本発明の一実施形態によれば、方法は、スパイクのスイッチオフ電圧を印加するステップの後に、カソードとゲートとの間の降伏電圧より低い一定のスイッチオフ電圧を生成するステップをさらに含む。これらの2つの電圧は、上述および後述するゲート・ユニットのチャネルによって生成可能である。
本発明のこれらおよびその他の態様は、以下に記載されている実施形態を参照して明らか になる。
本発明の特徴事項は、添付図面に示される例示的な実施形態を参照しながら、以下の文章においてさらに詳細に説明される。
本発明の一実施形態に従う電流スイッチング装置を図式的に示す。 本発明の他の実施形態に従う電流スイッチング装置を図式的に示す。 本発明の一実施形態に従うスパイクのスイッチオフ電圧を有する図である。 本発明の一実施形態に従うインバータを示す。
原則として、図面において、同一の部分は、同一の参照符号が付される。
図1は、IGCT10およびゲート・ユニット12を有する電流スイッチング装置8を示す。IGCT10はアノード14およびカソード16を有し、これらは電流スイッチング装置8の高出力を供給する。IGCT10は、ゲート18をさらに有し、ゲート18は、IGCT10をスイッチングするため用いられる。負のスイッチオン電圧がゲート18に印加されると、IGCT10は導通し、電流はアノード14とカソード16との間に流れることができる。正のスイッチオフ電圧がゲート18に印加されると、IGCT10はブロックされ、アノード14とカソード16間の電流は遮断される。
ゲート18とカソード16との間のダイオードのアバランシェを防止するために、スイッチオフ電圧は、IGCT10の設計に依存する降伏電圧を超える必要はない。例えば、IGCT10は、1000Aと5000Aの電流をスイッチングするように構成可能であり、降伏電圧は約24Vとすることができる。
ゲート18に印加される電圧は、電流スイッチング装置8の2つの低入力端20、22を提供するゲート・ユニット12によって生成される。信号入力端20で、ゲート・ユニット12は、IGCT10のスイッチングをトリガするスイッチオン信号およびスイッチオフ信号を受信することができる。さらにまた、ゲート・ユニット12は、低電圧源に接続可能な電源入力端22を有し、低電圧源は、例えば20Vの降伏電圧の大きさの電圧を供給することができる。
ゲート・ユニット12は、コントローラ24と、内部電圧源26と、定電圧源28と、可変電圧源30と、を具える。コントローラ24は、スイッチオフ信号およびスイッチオン信号を受信することができ、定電圧源28および可変電圧源30を制御し、ゲート18に印加される対応する電圧を生成することができる。
定電圧源28は、ゲート18とカソード16との間の降伏電圧より低い、ゲート18に印加される定電圧(例えば5V)を生成するように構成される。この定電圧は、入力端22で入力電圧から直接生成されることができ、IGCT10が意図せずに起動するのを防止するために用いることができる。
可変電圧源30は、降伏電圧より高くすることができる、ゲート18に印加される可変電圧を生成するように構成される。可変電圧は、入力端22での電圧をより高いレベルに変換するように構成されている、内部電圧源26の出力電圧から生成される。内部電圧源26は、この電圧で充電されるコンデンサバンクを具えることができる。
内部電圧源26および可変電圧源30はゲート・ユニット12の第1のチャネル32とみなすことができ、定電圧源28はゲート・ユニット12の第2のチャネル34とみなすことができる。
可変電圧源30は、コントローラ24によってトリガされると、スパイクのスイッチオフ電圧40を生成するように構成され、このことは、図3を参照してさらに詳細に説明される。スパイクのスイッチオフ電圧40は、一定の形状またはパターンを有する、すなわち、例えば、ゲート電流のような他のパラメータに依存することがない。
図2は、電流スイッチング装置8のさらなる実施形態を示し、図2では、可変電圧源30の代わりに、可変電圧調整器30’が設けられている。可変電圧調整器30’は、ゲート18の電流センサ36から測定信号を受信し、測定されたゲート電流に基づくパターンを有するスパイクのスイッチオフ電圧40を生成する。
図3は、スパイクのスイッチオフ電圧40を有する図を示す。図3を参照して、ゲート・ユニット12によって実行可能なスパイクのスイッチオフ電圧40を生成する方法を説明する。
時間t1の前に、IGCT10は導通し、電流はアノード14とカソード16との間に流れている。
図3に示すように、時間t1で、ゲート・ユニット12のコントローラ24は、スイッチオフ信号を受信し、可変電圧源30または可変電圧調整器30’をトリガし、スパイクのスイッチオフ電圧を生成する。
(スパイク幅に対応する)時間t1とt2との間に、スパイクの可変電圧40は生成され、IGCT10のゲート18に印加される。可変電圧源30または可変電圧調整器30’によって生成される可変電圧40のパターンまたは形状は、ゲート回路38、すなわちゲート・ユニット12およびゲート18の回路のインピーダンスのため、ゲート18における電圧は、降伏電圧VGRMAXを超えないように形成される。上述した式に従って、スイッチオフ電圧VGUのための最大許容電圧VGUMAXは、ゲート回路38の浮遊インピーダンス(LσおよびRσ)、ゲート電流Iおよびゲート電流Iの時間導関数に依存する。このように、ゲート電流が高い、および/または、急速に変化するとき、ゲート・ユニット12によって生成されるスイッチオフ電圧VGUは、降伏電圧VGRMAXより(はるかに)高くすることができる。
図3において、スパイクのスイッチオフ電圧40は、降伏電圧VGRMAXより高い1つの最大値44を有するスパイク42を有する。スイッチオフ電圧は、そのスパイク42を有するスパイクのスイッチオフ電圧40、および、模範的には、一定のスイッチオフ電圧46を具える。
スイッチオフ信号20が受信されるたびに、スパイクのスイッチオフ電圧40の最大値44および/または形状またはパターンを固定することができる。例えば、可変電圧源30は、一定パターンのスパイクのスイッチオフ電圧40を生成する。
しかしながら、最大値および/または形状をゲート電流に適合させることも可能である。例えば、可変電圧調整器30’は、可変パターンのスパイクのスイッチオフ電圧40を生成する。例えば、時間t1とt2との間では、可変電圧調整器30’は、センサ36から測定信号を受信し、上述の式に基づいてスパイクのスイッチオフ電圧40を計算することができる。特に、スパイクのスイッチオフ電圧40は、上述の式に従って計算可能である、すなわち、出力電圧40は、上述の式の右側から計算される値に設定可能である。
時間t2の後、第1のチャネル32によって生成されるスパイクのスイッチオフ電圧40が、第2のチャネル34によって生成される電圧未満に降下すると、電圧生成は第2のチャネル34にスイッチングされる。このように、時間t2の後、ゲート18に印加される電圧46は、定電圧源28によって生成される。降伏電圧VGRMAXより低くすることができる電圧46を用いて、意図的しないIGCT10のスイッチングが防止される。
図4は、6つの電流スイッチング装置8を具えるインバータ50を示す。3対の電流スイッチング装置8は、DC中電圧源52に並列に接続されている。スイッチング装置8のためのスイッチング信号20を生成するコントローラ54を制御することによって、電流スイッチング装置8の各対は、交流単相出力電流56を生成する。このように、インバータ50は、例えば、電気モーターに印加可能な三相出力電流を生成することができる。
本発明が、図面および明細書において詳細に図示および説明されているが、この種の図示および説明は、例示的であり、限定的ではなく、本発明は、記載された実施形態に限定されるものではない。記載された実施形態に対する他の変更は、当業者によって理解可能であるとともに遂行可能であり、本発明は、図面、明細書および添付の特許請求の範囲から実行可能である。特許請求の範囲において、「具える」「含む」という用語は他の要素またはステップを除外せず、単数の要素は複数の要素を除外しない。1つのプロセッサまたはコントローラまたは他のユニットは、特許請求の範囲に記載のいくつかの要素の機能を達成可能である。特定の手段が相互に異なる従属請求項に記載されているという事実は、これらの手段の組合せが、有効に用いられないということを示すわけではない。特許請求の範囲の参照記号は、制限するものとして解釈されてはならない。

Claims (14)

  1. 集積ゲート転流サイリスタ(10)とゲート・ユニット(12)とを具える電流スイッチング装置(8、8’)であって、
    前記集積ゲート転流サイリスタ(10)は、アノード(14)、カソード(16)およびゲート(18)を有し、
    前記アノード(14)と前記カソード(16)との間の電流は、スイッチオフ電圧(40)を前記ゲート(18)に印加することによって中断可能であり、
    前記ゲート・ユニット(12)は、前記スイッチオフ電圧(40)を生成し、
    前記ゲート・ユニット(12)および前記ゲート(18)に対する前記ゲート・ユニット(12)の接続は、浮遊インピーダンスを有するゲート回路(38)を構成し、
    前記ゲート・ユニット(12)は、前記カソード(16)と前記ゲート(18)との間の降伏電圧(VGRMAX)より高い最大値(44)を有するスパイクのスイッチオフ電圧(40)を生成するように構成され、
    前記ゲート(18)におけるスイッチオフ電圧は、前記ゲート回路(38)の前記浮遊インピーダンスのため、前記降伏電圧(VGRMAX)未満にとどまる、
    電流スイッチング装置(8、8’)。
  2. 前記スパイクのスイッチオフ電圧(40)の前記最大値(44)は、前記降伏電圧(VGRMAX)の少なくとも2倍である、
    請求項1記載の電流スイッチング装置(8、8’)。
  3. 前記スパイクのスイッチオフ電圧(40)のスパイク幅は、数μs未満である、
    請求項1または2記載の電流スイッチング装置(8、8’)。
  4. 前記ゲート・ユニット(12)は、一定のパターンを有する前記スパイクのスイッチオフ電圧(40)を生成するための電圧源(30)を具える、
    請求項1から3のいずれかに記載の電流スイッチング装置(8)。
  5. 前記サイリスタ(10)の前記ゲート(18)におけるゲート電流を測定するためのゲート電流センサ(36)をさらに具え、
    前記ゲート・ユニット(12)は、前記測定されたゲート電流に基づいて、前記スパイクのスイッチオフ電圧(40)を調整するための電圧調整器(30’)を具える、
    請求項1から4のいずれかに記載の電流スイッチング装置(8’)。
  6. 前記電圧調整器(30’)は、前記測定されたゲート電流の時間依存に基づいて、前記スパイクのスイッチオフ電圧(40)を調整するように構成されている、
    請求項5記載の電流スイッチング装置(8’)。
  7. 前記ゲート・ユニット(12)は、前記降伏電圧(VGRMAX)より高い電圧を供給するための内部電圧源(26)を具え、
    前記内部電圧源(26)には、前記スパイクのスイッチオフ電圧(40)の前記最大値(44)より低い、前記ゲート・ユニット(12)の入力電圧(22)が供給されている、
    請求項1から6のいずれかに記載の電流スイッチング装置(8、8’)。
  8. 前記内部電圧源(26)は、前記スパイクのスイッチオフ電圧(40)の出力の間の時間に充電されるキャパシタンスを具える、
    請求項7記載の電流スイッチング装置(8、8’)。
  9. 前記スパイクのスイッチオフ電圧(40)は、前記ゲート・ユニット(12)の第1のチャネル(32)において生成され、
    前記ゲート・ユニット(12)は、前記スパイクのスイッチオフ電圧(40)が生成された後、一定のスイッチオフ電圧(46)を生成するように構成された第2のチャネル(34)を具え、
    前記一定のスイッチオフ電圧(46)は、前記カソード(16)と前記ゲート(18)との間の前記降伏電圧(VGRMAX)より低い、
    請求項1から8のいずれかに記載の電流スイッチング装置(8、8’)。
  10. 請求項1から9のいずれかに記載の電流スイッチング装置(8、8’)を複数具える中電圧インバータ(50)。
  11. 集積ゲート転流サイリスタ(10)のスイッチング方法であって、前記方法は、
    ゲート・ユニット(12)にて前記サイリスタ(10)のためのスイッチオフ信号(20)を受信するステップと、
    前記サイリスタ(10)のカソード(16)とゲート(18)との間の降伏電圧(VGRMAX)より大きい最大値(44)を有するスパイクのスイッチオフ電圧(40)を生成するステップと、
    前記スパイクのスイッチオフ電圧(40)を、ゲート回路(38)を介して、前記サイリスタ(10)の前記ゲート(18)に印加するステップと、
    を含み、
    前記ゲート(18)におけるスイッチオフ電圧は、前記ゲート回路(38)の浮遊インピーダンスのため、前記降伏電圧(VGRMAX)未満にとどまる、
    方法。
  12. 一定のパターンを有する前記スパイクのスイッチオフ電圧(40)を生成するステップをさらに含む、
    請求項10記載の方法。
  13. 前記サイリスタ(10)の前記ゲート(18)でゲート電流を測定するステップと、
    前記測定されたゲート電流に基づいて、前記スパイクのスイッチオフ電圧(40)を調整するステップと、
    をさらに含む、
    請求項10または11記載の方法。
  14. 前記スパイクのスイッチオフ電圧(40)を印加するステップの後に、前記カソード(16)と前記ゲート(18)との間の前記降伏電圧(VGRMAX)より低い一定のスイッチオフ電圧(46)を生成するステップをさらに含む、
    請求項10から13のいずれかに記載の方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10348093B2 (en) * 2016-12-14 2019-07-09 Abb Schweiz Ag Medium voltage direct current power collection systems and methods
CN111669160B (zh) * 2020-06-29 2023-05-26 中车株洲电力机车研究所有限公司 一种gct关断电路及其控制方法
CN116207997B (zh) * 2023-03-22 2024-03-08 国网智能电网研究院有限公司 一种可控换相换流器主支路全控阀关断控制方法及系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5775032A (en) * 1980-10-29 1982-05-11 Mitsubishi Electric Corp Gate circuit for gate turn-off thyristor
JPS6292765A (ja) * 1985-10-16 1987-04-28 Fuji Electric Co Ltd ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路
JPS6348155A (ja) * 1986-08-11 1988-02-29 Toshiba Corp ゲ−トタ−ンオフサイリスタのオフゲ−ト回路
JP2001086733A (ja) * 1999-07-15 2001-03-30 Ngk Insulators Ltd 電力用半導体スイッチのゲート駆動回路
US6426666B1 (en) * 1999-11-10 2002-07-30 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Diode-assisted gate turn-off thyristor
EP1235334A2 (en) * 2001-02-27 2002-08-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Gate driver for thyristor

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5989570A (ja) * 1982-11-11 1984-05-23 Toyo Electric Mfg Co Ltd 静電誘導サイリスタのゲート回路
JPH07143733A (ja) * 1993-11-16 1995-06-02 Fuji Electric Co Ltd スナバ回路
JPH0818427A (ja) * 1994-06-24 1996-01-19 Toyo Electric Mfg Co Ltd ノーマリオン形サイリスタのゲートターンオフ駆動回 路
WO2010050486A1 (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 株式会社MERSTech 電力逆変換装置
JP2012070333A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Rohm Co Ltd レベルシフト回路及びそれを用いたスイッチングレギュレータ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5775032A (en) * 1980-10-29 1982-05-11 Mitsubishi Electric Corp Gate circuit for gate turn-off thyristor
JPS6292765A (ja) * 1985-10-16 1987-04-28 Fuji Electric Co Ltd ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路
JPS6348155A (ja) * 1986-08-11 1988-02-29 Toshiba Corp ゲ−トタ−ンオフサイリスタのオフゲ−ト回路
JP2001086733A (ja) * 1999-07-15 2001-03-30 Ngk Insulators Ltd 電力用半導体スイッチのゲート駆動回路
US6426666B1 (en) * 1999-11-10 2002-07-30 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Diode-assisted gate turn-off thyristor
EP1235334A2 (en) * 2001-02-27 2002-08-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Gate driver for thyristor

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