JP2014209562A - Wiring board manufacturing method - Google Patents

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誠 折口
聖二 森
Seiji Mori
聖二 森
鈴木 健二
Kenji Suzuki
健二 鈴木
拓弥 鳥居
Takuya Torii
拓弥 鳥居
山下 大輔
Daisuke Yamashita
大輔 山下
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a housing hole in a support substrate without generating burrs.SOLUTION: A manufacturing method of a multilayer wiring board 1 comprises: firstly forming a through hole which pierces a metal layer in the metal layer formed on a surface P1 of a support substrate 21; forming a housing hole 24 in the support substrate 21, the housing hole piercing the support substrate 21, by boring the support substrate 21 by inserting a drill into the through hole from the surface P1 side of the support substrate 21 or performing a laser treatment or punching; and subsequently burying an electronic component 5 in the housing hole 24. An opening 241 of the housing hole 24 is formed in a positional relation where a circumference of an opening of the through hole and a circumference of the opening of the housing hole 24 on the surface P1 side have no contact with each other and the entire opening 241 is included in the projection region of the opening of the through hole in orthographic projection on a reference plane parallel with a surface of the support substrate 21.

Description

本発明は、電子部品が内部に埋め込まれる配線基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board in which electronic components are embedded.

支持基板に、絶縁層と導体層とを交互に積層したビルドアップ層を形成する配線基板が知られている。このような配線基板の支持基板の内部に電子部品を埋め込む収容孔を形成するために、金属層が両面に形成されている状態の支持基板をドリルで打ち抜く技術が知られている(例えば、特許文献1を参照)。   There is known a wiring board in which a build-up layer in which insulating layers and conductor layers are alternately laminated is formed on a supporting board. In order to form an accommodation hole for embedding an electronic component inside the support substrate of such a wiring substrate, a technique is known in which a support substrate having a metal layer formed on both sides is punched with a drill (for example, a patent) Reference 1).

特開2006−339482号公報JP 2006-339482 A

しかし、上記特許文献1に記載の技術では、上記金属層をドリルで打ち抜くことに起因して、上記金属層に形成された貫通孔の周縁部にバリが発生するため、バリを除去するための工程が別途必要となり、配線基板の生産性に悪影響を及ぼすという問題があった。   However, in the technique described in Patent Document 1, burrs are generated at the peripheral portion of the through-hole formed in the metal layer due to punching out the metal layer with a drill. There is a problem that a separate process is required, which adversely affects the productivity of the wiring board.

また、上記金属層にレーザ加工またはパンチング加工することにより上記貫通孔を形成する場合にも、ドリルで打ち抜く場合と同様に、貫通孔の周縁部にバリが発生するという問題があった。   Further, when the through hole is formed by laser processing or punching processing on the metal layer, there is a problem in that burrs are generated at the peripheral portion of the through hole, as in the case of punching with a drill.

本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものであり、バリを発生させることなく支持基板に収容孔を形成することができる技術を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of these problems, and an object of the present invention is to provide a technique capable of forming an accommodation hole in a support substrate without generating burrs.

上記目的を達成するためになされた第1発明は、少なくとも1層の絶縁層と少なくとも1層の導体層とを積層して構成されるビルドアップ層と、ビルドアップ層を支持する支持基板と、支持基板の内部に埋め込まれた電子部品とを備える配線基板の製造方法であって、支持基板の面上に形成された第1金属層に、第1金属層を貫通する第1貫通孔を形成する第1貫通孔形成工程と、支持基板の両面のうち第1金属層が形成されている面を上面とするとともに他方の面を下面として、上面の側から第1貫通孔内にドリルを挿入して、ドリルで支持基板を穿孔することにより、支持基板を貫通する収容孔を支持基板内に形成する収容孔形成工程と、収容孔内に電子部品を埋め込む埋込工程とを有し、第1貫通孔形成工程では、第1貫通孔における開口部を第1貫通孔開口部とし、収容孔における上面側の開口部を収容孔開口部として、第1貫通孔開口部の周縁と収容孔開口部の周縁とが接することなく支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、収容孔開口部は、第1貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成することを特徴とする配線基板の製造方法である。   A first invention made to achieve the above object includes a buildup layer configured by laminating at least one insulating layer and at least one conductor layer, a support substrate that supports the buildup layer, A method for manufacturing a wiring board including an electronic component embedded in a support substrate, wherein a first through hole penetrating the first metal layer is formed in a first metal layer formed on a surface of the support substrate. The first through hole forming step and inserting the drill into the first through hole from the upper surface side, with the surface of the support substrate on which the first metal layer is formed as the upper surface and the other surface as the lower surface Then, by drilling the support substrate with a drill, a housing hole forming step for forming a housing hole penetrating the support substrate in the support substrate, and an embedding step for embedding an electronic component in the housing hole, In the 1 through hole forming step, in the first through hole The opening of the first through-hole opening and the opening on the upper surface side of the housing hole as the housing-hole opening, the surface of the support substrate without contact between the periphery of the first through-hole opening and the periphery of the housing-hole opening In the orthographic projection onto the reference plane parallel to the substrate, the housing hole opening is formed in a positional relationship that is entirely contained within the projection region of the first through-hole opening. It is.

このように構成された配線基板の製造方法では、まず第1貫通孔形成工程で、支持基板の面上に形成された第1金属層に、第1金属層を貫通する第1貫通孔を形成する。そして収容孔形成工程で、支持基板の両面のうち第1金属層が形成されている面(上面)の側から第1貫通孔内にドリルを挿入して、ドリルで支持基板を穿孔することにより、支持基板を貫通する収容孔を支持基板内に形成する。その後、収容孔内に電子部品を埋め込む。   In the manufacturing method of the wiring board configured as described above, first, in the first through hole forming step, the first through hole penetrating the first metal layer is formed in the first metal layer formed on the surface of the support substrate. To do. Then, in the accommodation hole forming step, by inserting a drill into the first through hole from the surface (upper surface) side of the support substrate on which the first metal layer is formed, and drilling the support substrate with the drill An accommodation hole penetrating the support substrate is formed in the support substrate. Thereafter, an electronic component is embedded in the accommodation hole.

そして、収容孔における上面側の開口部(収容孔開口部)は、支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、第1貫通孔における開口部(第1貫通孔開口部)の周縁と収容孔開口部の周縁とが接することなく第1貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されている。   And the opening part (accommodating hole opening part) of the upper surface side in the accommodation hole is an orthographic projection onto the reference plane parallel to the surface of the support substrate, and the opening part (first through hole opening part) in the first through hole. The peripheral edge and the peripheral edge of the receiving hole opening are not in contact with each other, and are formed in a positional relationship in which they are entirely included in the projection region of the first through-hole opening.

このため、収容孔を支持基板内に形成するために、ドリルの軸方向を支持基板の上面に対して垂直にした状態で支持基板の上面の側から第1貫通孔内にドリルを挿入する場合に、ドリルが第1金属層と接触しないようにすることができる。これにより、収容孔開口部の周縁部にバリを発生させることなく支持基板に収容孔を形成することができる。   For this reason, in order to form the accommodation hole in the support substrate, the drill is inserted into the first through hole from the upper surface side of the support substrate with the axial direction of the drill perpendicular to the upper surface of the support substrate. In addition, it is possible to prevent the drill from coming into contact with the first metal layer. Thereby, the accommodation hole can be formed in the support substrate without generating a burr at the peripheral edge of the accommodation hole opening.

さらに、収容孔開口部が、支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、第1貫通孔開口部の周縁と収容孔開口部の周縁とが接することなく第1貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されていることにより、収容孔と電子部品との間に充填される樹脂材料においてクラックが発生するのを抑制することができる。   Furthermore, the first through-hole opening portion without the contact between the peripheral edge of the first through-hole opening portion and the peripheral edge of the storage-hole opening portion in the orthogonal projection onto the reference plane parallel to the surface of the support substrate. In such a projection area, the cracks can be prevented from occurring in the resin material filled between the accommodation hole and the electronic component.

また、第1発明の配線基板の製造方法において、支持基板における下面上に第2金属層が形成されている場合には、収容孔形成工程が行われる前において、支持基板における下面上に形成された第2金属層に、第2金属層を貫通する第2貫通孔を形成する第2貫通孔形成工程を有し、第2貫通孔形成工程では、第2貫通孔における開口部を第2貫通孔開口部として、第1貫通孔開口部の周縁と第2貫通孔開口部の周縁とが接することなく支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、第1貫通孔開口部は、第2貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成するようにするとよい。   In the method for manufacturing a wiring board according to the first aspect, when the second metal layer is formed on the lower surface of the support substrate, the second metal layer is formed on the lower surface of the support substrate before the accommodation hole forming step is performed. The second metal layer has a second through-hole forming step for forming a second through-hole penetrating the second metal layer, and the second through-hole forming step includes a second through-hole opening in the second through-hole. In the orthographic projection onto a reference plane parallel to the surface of the support substrate without contacting the periphery of the first through-hole opening and the periphery of the second through-hole opening as the hole opening, the first through-hole opening is It is preferable to form the second through-hole opening in a positional relationship in which the entirety is included in the projection region.

収容孔形成工程においてドリルの軸方向を支持基板の上面に対して垂直にしてドリルで支持基板を穿孔する場合に、ドリルの軸方向が上面に対する垂直方向から外れることがある。この場合には、収容孔における下面側の開口部は、収容孔における上面側の開口部(収容孔開口部)よりも開口面積が大きくなることがある。   When drilling the support substrate with the drill with the axial direction of the drill perpendicular to the upper surface of the support substrate in the accommodation hole forming step, the axial direction of the drill may deviate from the direction perpendicular to the upper surface. In this case, the opening area on the lower surface side of the accommodation hole may have an opening area larger than the opening portion (accommodation hole opening portion) on the upper surface side of the accommodation hole.

このようなときに、支持基板の面と平行な基準面への正射投影において第2貫通孔開口部が、第1貫通孔開口部の全体と完全に一致する位置関係にて形成されていると、支持基板の下面側でバリが発生するおそれがある。支持基板の上面側から挿入されたドリルが支持基板を貫通して下面側に到達した場合に第2金属層と接触して、ドリルが第2金属層を打ち抜く可能性があるためである。   In such a case, the second through-hole opening is formed in a positional relationship that completely coincides with the entire first through-hole opening in orthographic projection onto a reference plane parallel to the surface of the support substrate. Then, burrs may occur on the lower surface side of the support substrate. This is because when the drill inserted from the upper surface side of the support substrate passes through the support substrate and reaches the lower surface side, the drill may come into contact with the second metal layer, and the drill may punch the second metal layer.

これに対して、第1発明の配線基板の製造方法では、第1貫通孔開口部は、支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、第1貫通孔開口部の周縁と第2貫通孔開口部の周縁とが接することなく第2貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されている。   In contrast, in the method for manufacturing a wiring board according to the first aspect of the present invention, the first through-hole opening is formed in the orthographic projection onto the reference plane parallel to the surface of the support substrate. The two through-hole openings are formed in a positional relationship that is entirely contained within the projection area of the second through-hole opening without contacting the periphery of the through-hole opening.

これにより、ドリルで支持基板を穿孔しているときにドリルの軸方向が変動しても、支持基板の上面側から挿入されたドリルが支持基板を貫通して下面側に到達した場合に第2金属層と接触してしまうという事態の発生を抑制することができる。したがって、支持基板における下面上に第2金属層が形成されている場合において、収容孔における下面側の開口部の周縁部でバリが発生するのを抑制することができる。   As a result, even when the axial direction of the drill fluctuates when the support substrate is drilled with the drill, the second case when the drill inserted from the upper surface side of the support substrate reaches the lower surface side through the support substrate. Generation | occurrence | production of the situation which contacts a metal layer can be suppressed. Therefore, when the second metal layer is formed on the lower surface of the support substrate, it is possible to suppress the occurrence of burrs at the peripheral edge portion of the opening on the lower surface side in the accommodation hole.

また、第1発明の配線基板の製造方法は、収容孔形成工程が、ドリルで支持基板を複数回穿孔することにより1つの収容孔を形成するものである場合に適用するとよい。なお、このような収容孔の具体例として、収容孔開口部がオーバル形状であるものが挙げられる。   The method for manufacturing a wiring board according to the first aspect of the present invention may be applied when the accommodation hole forming step forms one accommodation hole by drilling the support substrate a plurality of times with a drill. A specific example of such a housing hole is one in which the housing hole opening has an oval shape.

第1金属層に第1貫通孔を形成することなく(すなわち、第1金属層をドリルで打ち抜くことにより)支持基板を複数回穿孔して1つの収容孔を形成する場合には、第1金属層の同一箇所で複数回ドリルが接触する可能性があり、接触回数が増大するほどバリが発生し易くなる。   In the case of forming a single accommodation hole by drilling the support substrate a plurality of times without forming the first through hole in the first metal layer (that is, by punching out the first metal layer), the first metal There is a possibility that the drill will contact a plurality of times at the same location of the layer, and the burrs are more likely to occur as the number of contacts increases.

これに対して、第1発明の配線基板の製造方法では、ドリルで支持基板を複数回穿孔することにより1つの収容孔を形成するものである場合であっても、第1貫通孔内にドリルを挿入する場合にドリルが第1金属層と接触しないようにすることができ、バリを発生させることなく支持基板に収容孔を形成することができる。したがって、ドリルで支持基板を複数回穿孔することにより1つの収容孔を形成する場合に、第1発明の配線基板の製造方法を適用すると、バリ低減効果が大きくなる。   On the other hand, in the method for manufacturing a wiring board according to the first aspect of the present invention, even in the case where one accommodation hole is formed by drilling the support board a plurality of times with a drill, the drill is formed in the first through hole. It is possible to prevent the drill from coming into contact with the first metal layer when inserting the hole, and it is possible to form the accommodation hole in the support substrate without generating burrs. Therefore, in the case where one accommodation hole is formed by drilling the support substrate a plurality of times with a drill, if the method for manufacturing a wiring substrate of the first invention is applied, the burr reduction effect is increased.

また、第1発明の配線基板の製造方法は、支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、収容孔開口部と第1貫通孔開口部とは相似形状であるようにするとよい。
収容孔開口部と第1貫通孔開口部とが相似形状であるようにすると、第1貫通孔開口部の開口面積が収容孔開口部の開口面積よりも大きければ、必ず、収容孔開口部が、支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、第1貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含されるように収容孔開口部を配置することができる。
In the method for manufacturing a wiring board according to the first aspect of the present invention, in the orthographic projection onto a reference plane parallel to the surface of the support substrate, the accommodation hole opening and the first through hole opening are preferably similar in shape. .
If the accommodation hole opening and the first through-hole opening have a similar shape, the accommodation hole opening is always provided if the opening area of the first through-hole opening is larger than the opening area of the accommodation hole opening. In the orthographic projection onto the reference plane parallel to the surface of the support substrate, the receiving hole opening can be arranged so as to be entirely included in the projection region of the first through hole opening.

そして、収容孔開口部の形状を決定すれば、その後、第1貫通孔開口部の投影領域内に収容孔開口部の全体が包含されるようにするために、第1貫通孔開口部を、「収容孔開口部より開口面積が大きい相似形状」というような簡単な条件で決定することができ、配線基板のパターン設計を簡略化することができる。   Then, if the shape of the accommodation hole opening is determined, the first through hole opening is then included so that the entire accommodation hole opening is included in the projection region of the first through hole opening. It can be determined under a simple condition such as “similar shape having an opening area larger than that of the opening of the accommodation hole”, and the pattern design of the wiring board can be simplified.

さらに、上記目的を達成するためになされた第2発明の配線基板の製造方法は、少なくとも1層の絶縁層と少なくとも1層の導体層とを積層して構成されるビルドアップ層と、ビルドアップ層を支持する支持基板と、支持基板の内部に埋め込まれた電子部品とを備える配線基板の製造方法であって、支持基板の面上に形成された第1金属層に、第1金属層を貫通する第1貫通孔を形成する第1貫通孔形成工程と、支持基板の両面のうち第1金属層が形成されている面を上面とするとともに他方の面を下面として、上面の側から第1貫通孔内にレーザ加工またはパンチング加工を施して、支持基板を穿孔することにより、支持基板を貫通する収容孔を支持基板内に形成する収容孔形成工程と、収容孔内に電子部品を埋め込む埋込工程とを有し、第1貫通孔形成工程では、第1貫通孔における開口部を第1貫通孔開口部とし、収容孔における上面側の開口部を収容孔開口部として、第1貫通孔開口部の周縁と収容孔開口部の周縁とが接することなく支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、収容孔開口部は、第1貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成することを特徴とする。   Furthermore, a method for manufacturing a wiring board according to a second invention made to achieve the above object includes a build-up layer formed by laminating at least one insulating layer and at least one conductor layer, and a build-up layer. A method of manufacturing a wiring board comprising a support substrate for supporting a layer and an electronic component embedded in the support substrate, wherein the first metal layer is formed on the first metal layer formed on the surface of the support substrate. A first through hole forming step for forming a first through hole penetrating the first through hole, and a surface of the support substrate on which the first metal layer is formed is an upper surface and the other surface is a lower surface; A receiving hole forming step for forming a receiving hole penetrating the supporting substrate in the supporting substrate by performing laser processing or punching processing in one through hole and piercing the supporting substrate, and embedding the electronic component in the receiving hole An embedding process, In the 1 through hole forming step, the opening of the first through hole is defined as the first through hole opening, and the opening on the upper surface side of the accommodation hole is defined as the accommodation hole opening. In the orthographic projection onto a reference plane parallel to the surface of the support substrate without contacting the peripheral edge of the portion, the accommodation hole opening is in a positional relationship that is entirely included in the projection region of the first through-hole opening. It is characterized by forming.

このように構成された配線基板の製造方法では、まず第1貫通孔形成工程で、支持基板の面上に形成された第1金属層に、第1金属層を貫通する第1貫通孔を形成する。そして収容孔形成工程で、支持基板の両面のうち第1金属層が形成されている面(上面)の側から第1貫通孔内にレーザ加工またはパンチング加工を施して、支持基板を穿孔することにより、支持基板を貫通する収容孔を支持基板内に形成する。その後、収容孔内に電子部品を埋め込む。   In the manufacturing method of the wiring board configured as described above, first, in the first through hole forming step, the first through hole penetrating the first metal layer is formed in the first metal layer formed on the surface of the support substrate. To do. Then, in the accommodation hole forming step, the support substrate is perforated by applying laser processing or punching into the first through hole from the surface (upper surface) side of the support substrate on which the first metal layer is formed. Thus, an accommodation hole penetrating the support substrate is formed in the support substrate. Thereafter, an electronic component is embedded in the accommodation hole.

そして、収容孔における上面側の開口部(収容孔開口部)は、支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、第1貫通孔における開口部(第1貫通孔開口部)の周縁と収容孔開口部の周縁とが接することなく第1貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されている。   And the opening part (accommodating hole opening part) of the upper surface side in the accommodation hole is an orthographic projection onto the reference plane parallel to the surface of the support substrate, and the opening part (first through hole opening part) in the first through hole. The peripheral edge and the peripheral edge of the receiving hole opening are not in contact with each other, and are formed in a positional relationship in which they are entirely included in the projection region of the first through-hole opening.

このため、収容孔を支持基板内に形成するために、上面の側から第1貫通孔内にレーザ加工またはパンチング加工を施す場合に、レーザ光線またはパンチ金型が第1金属層と接触しないようにすることができる。これにより、収容孔開口部の周縁部にバリを発生させることなく支持基板に収容孔を形成することができる。   For this reason, in order to form the accommodation hole in the support substrate, when laser processing or punching processing is performed in the first through hole from the upper surface side, the laser beam or the punch die is not in contact with the first metal layer. Can be. Thereby, the accommodation hole can be formed in the support substrate without generating a burr at the peripheral edge of the accommodation hole opening.

多層配線基板1の概略構成を示す断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a multilayer wiring board 1. 多層配線基板1の製造工程を示す第1の断面図である。FIG. 3 is a first cross-sectional view showing a manufacturing process of the multilayer wiring board 1. 多層配線基板1の製造工程を示す第2の断面図である。6 is a second cross-sectional view showing the manufacturing process of the multilayer wiring board 1; FIG. 貫通孔611,621の平面図と図3の断面図である。FIG. 4 is a plan view of through holes 611 and 621 and a cross-sectional view of FIG. 3. 多層配線基板1の製造工程を示す第3の断面図である。FIG. 6 is a third cross-sectional view showing the manufacturing process of the multilayer wiring board 1. オーバル形状の貫通孔を形成する方法を示す開口部241の平面図である。It is a top view of the opening part 241 which shows the method of forming an oval-shaped through-hole. 開口部241,242および貫通孔611,621の平面図と図5の断面図である。FIG. 6 is a plan view of openings 241 and 242 and through holes 611 and 621 and a cross-sectional view of FIG. 5. 開口部241,242と貫通孔611,621の位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of the opening parts 241 and 242 and the through-holes 611 and 621. 多層配線基板1の製造工程を示す第4の断面図である。FIG. 10 is a fourth cross-sectional view showing the manufacturing process of the multilayer wiring board 1. 多層配線基板1の製造工程を示す第5の断面図である。FIG. 10 is a fifth cross-sectional view showing the manufacturing process of the multilayer wiring board 1. 多層配線基板1の製造工程を示す第6の断面図である。FIG. 10 is a sixth cross-sectional view showing the manufacturing process of the multilayer wiring board 1.

以下に本発明の実施形態を図面とともに説明する。
本発明が適用された実施形態の多層配線基板1は、図1に示すように、支持層2とビルドアップ層3,4とを備え、支持層2における一方の面P1および他方の面P2のそれぞれにビルドアップ層3とビルドアップ層4を積層方向SDに沿って積層して構成される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1, the multilayer wiring board 1 according to the embodiment to which the present invention is applied includes a support layer 2 and build-up layers 3 and 4, and includes one surface P1 and the other surface P2 of the support layer 2. Each of them is configured by laminating the buildup layer 3 and the buildup layer 4 along the stacking direction SD.

まず支持層2は、支持基板21と導体層22,23を備える。支持基板21は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂を含侵させた板状部材であり、高い剛性を有する。導体層22および導体層23はそれぞれ、支持基板21における一方の面(面P1)および他方の面(面P2)に積層される。   First, the support layer 2 includes a support substrate 21 and conductor layers 22 and 23. The support substrate 21 is a plate-like member made of glass fiber impregnated with an epoxy resin, for example, and has high rigidity. The conductor layer 22 and the conductor layer 23 are laminated on one surface (surface P1) and the other surface (surface P2) of the support substrate 21, respectively.

支持基板21内には、支持基板21を貫通する収容孔24が形成されている。そして収容孔24内には、電子部品5(本実施形態では積層コンデンサ)が埋め込まれている。
次にビルドアップ層3は、絶縁層31と導体層32とビア導体33とを備える。ビルドアップ層3は、絶縁層31と導体層32とが積層方向SDに沿って積層されて構成されている。そしてビア導体33は、絶縁層31内において積層方向SDに延びて形成される。これにより、導体層32が導体層22と電気的に接続される。
An accommodation hole 24 that penetrates the support substrate 21 is formed in the support substrate 21. An electronic component 5 (in this embodiment, a multilayer capacitor) is embedded in the accommodation hole 24.
Next, the buildup layer 3 includes an insulating layer 31, a conductor layer 32, and a via conductor 33. The build-up layer 3 is configured by laminating an insulating layer 31 and a conductor layer 32 along the laminating direction SD. The via conductor 33 is formed in the insulating layer 31 so as to extend in the stacking direction SD. Thereby, the conductor layer 32 is electrically connected to the conductor layer 22.

またビルドアップ層4は、絶縁層41と導体層42とビア導体43とを備える。ビルドアップ層4は、絶縁層41と導体層42とが積層方向SDに沿って積層されて構成されている。そしてビア導体43は、絶縁層41内において積層方向SDに延びて形成される。これにより、導体層42が導体層23および電子部品5と電気的に接続される。   The buildup layer 4 includes an insulating layer 41, a conductor layer 42, and a via conductor 43. The buildup layer 4 is configured by laminating an insulating layer 41 and a conductor layer 42 along the laminating direction SD. The via conductor 43 is formed in the insulating layer 41 so as to extend in the stacking direction SD. Thereby, the conductor layer 42 is electrically connected to the conductor layer 23 and the electronic component 5.

次に、本発明が適用された多層配線基板1の製造方法を説明する。
図2に示すように、まず、金属層61および金属層62(本実施形態では銅)がそれぞれ面P1および面P2に積層された支持基板21を用意する。
Next, a method for manufacturing the multilayer wiring board 1 to which the present invention is applied will be described.
As shown in FIG. 2, first, a support substrate 21 is prepared in which a metal layer 61 and a metal layer 62 (copper in this embodiment) are laminated on a surface P1 and a surface P2, respectively.

そして、サブトラクティブ法によって不要な金属層61,62を除去する。これにより、図3に示すように、所定のパターンを有する導体層22,23が形成される。したがって、所定のパターンを有するように形成された金属層61,62はそれぞれ導体層22,23に相当する。   Then, unnecessary metal layers 61 and 62 are removed by a subtractive method. Thereby, as shown in FIG. 3, the conductor layers 22 and 23 which have a predetermined pattern are formed. Therefore, the metal layers 61 and 62 formed to have a predetermined pattern correspond to the conductor layers 22 and 23, respectively.

図4は、貫通孔611,621(後述)の平面図を図3の断面図と対応付けて示したものである。図4に示すように、金属層61において、収容孔24(後の工程で形成されるため破線で示す)における面P1側の開口部241と接する領域には、面P1側から開口部241の全体を視認可能に配置された開口部を有する貫通孔611が形成される。   4 shows a plan view of through holes 611 and 621 (described later) in association with the cross-sectional view of FIG. As shown in FIG. 4, in the metal layer 61, the region that contacts the opening 241 on the surface P <b> 1 side in the accommodation hole 24 (shown by a broken line because it will be formed in a later process) has an opening 241 from the surface P <b> 1 side. A through-hole 611 having an opening arranged so as to be visible as a whole is formed.

同様に、金属層62において、収容孔24における面P2側の開口部242と接する領域には、面P2側から開口部242の全体を視認可能に配置された開口部を有する貫通孔621が形成される。   Similarly, in the metal layer 62, a through-hole 621 having an opening disposed so that the entire opening 242 can be visually recognized from the surface P2 side is formed in a region of the accommodation hole 24 that is in contact with the opening 242 on the surface P2 side. Is done.

なお、収容孔24の開口部241はオーバル状に形成される。そして貫通孔611は、開口部241のオーバル形状に相似し且つ開口部241より開口面積が大きいオーバル状に形成されている。   The opening 241 of the accommodation hole 24 is formed in an oval shape. The through hole 611 is formed in an oval shape similar to the oval shape of the opening 241 and having an opening area larger than that of the opening 241.

また、収容孔24の開口部242はオーバル状に形成される。そして貫通孔621は、開口部242のオーバル形状に相似し且つ開口部242より開口面積が大きいオーバル状に形成されている。   The opening 242 of the accommodation hole 24 is formed in an oval shape. The through hole 621 is formed in an oval shape similar to the oval shape of the opening 242 and having a larger opening area than the opening 242.

そして、面P1側からドリルを貫通孔611内に挿入することにより、ドリルで支持基板21を穿孔し、図5に示すように、支持基板21を貫通する収容孔24を形成する。このときドリルは、その軸方向が積層方向SDに沿うようにして挿入される。   Then, by inserting a drill into the through hole 611 from the surface P1 side, the support substrate 21 is drilled with the drill, and the accommodation hole 24 penetrating the support substrate 21 is formed as shown in FIG. At this time, the drill is inserted so that its axial direction is along the stacking direction SD.

なお収容孔24は、図6に示すように、軸方向に垂直な断面が円形状であるドリルを、オーバル形状の貫通孔611の長軸方向LAに沿って互いに異なる位置(図中の点線の円DR1,DR2,DR3,DR4,DR5を参照)で複数回穿孔することにより形成される。   As shown in FIG. 6, the receiving holes 24 are drills whose cross sections perpendicular to the axial direction are circular, and are positioned at different positions along the major axis direction LA of the oval through-holes 611 (dotted lines in the figure). Circles DR1, DR2, DR3, DR4, and DR5)).

また、ドリルの軸方向が積層方向SDに沿うようにしてドリルを支持基板21内に挿入する場合に、ドリルの軸方向が積層方向SDから外れてしまうことがある。このため、図7に示すように、収容孔24における面P2側の開口部242は、面P1側の開口部241よりも開口面積が大きくなることがある。このため貫通孔621は、貫通孔611より開口面積が大きいオーバル状に形成されている。図7は、開口部241,242および貫通孔611,621の平面図を図5の断面図と対応付けて示したものである。   Further, when the drill is inserted into the support substrate 21 so that the axial direction of the drill is along the stacking direction SD, the axial direction of the drill may deviate from the stacking direction SD. For this reason, as shown in FIG. 7, the opening 242 on the surface P2 side in the accommodation hole 24 may have an opening area larger than the opening 241 on the surface P1 side. For this reason, the through hole 621 is formed in an oval shape having a larger opening area than the through hole 611. FIG. 7 shows a plan view of the openings 241 and 242 and the through holes 611 and 621 in association with the cross-sectional view of FIG.

図8に、支持基板21の面と平行な基準面への正射投影における開口部241,242および貫通孔611,621の位置関係を示す。
図8に示すように、支持基板21の面と平行な基準面への正射投影において、貫通孔611の開口部の周縁と開口部241の周縁とが接することなく、開口部241は、貫通孔611の開口部の投影領域内に全体が包含されている。また、貫通孔621の開口部の周縁と開口部242の周縁とが接することなく、開口部242は、貫通孔621の開口部の投影領域内に全体が包含されている。また、貫通孔611の開口部の周縁と貫通孔621の開口部の周縁とが接することなく、貫通孔611は、貫通孔621の開口部の投影領域内に全体が包含されている。
FIG. 8 shows the positional relationship between the openings 241 and 242 and the through holes 611 and 621 in orthogonal projection onto a reference plane parallel to the surface of the support substrate 21.
As shown in FIG. 8, in the orthogonal projection onto the reference plane parallel to the surface of the support substrate 21, the opening portion 241 penetrates without the contact between the periphery of the opening portion of the through hole 611 and the periphery of the opening portion 241. The whole is included in the projection area of the opening of the hole 611. Further, the opening 242 is entirely included in the projection region of the opening of the through hole 621 without the periphery of the opening of the through hole 621 contacting the periphery of the opening 242. Further, the through hole 611 is entirely included in the projection region of the opening of the through hole 621 without the peripheral edge of the opening of the through hole 611 contacting the peripheral edge of the opening of the through hole 621.

その後、図9に示すように、支持基板21における面P2側に、剥離可能な粘着テープ70を貼り付けることにより、収容孔24の開口部242を粘着テープ70で塞ぐ。
そして、開口部241側から収容孔24内に電子部品5を挿入し、電子部品5を粘着テープ70上に載置する。粘着テープ70の粘着力により電子部品5は粘着テープ70上に固定され、図10に示すように、収容孔24内に電子部品5が収容される。
Thereafter, as shown in FIG. 9, the peelable adhesive tape 70 is attached to the surface P <b> 2 side of the support substrate 21, thereby closing the opening 242 of the accommodation hole 24 with the adhesive tape 70.
Then, the electronic component 5 is inserted into the accommodation hole 24 from the opening 241 side, and the electronic component 5 is placed on the adhesive tape 70. The electronic component 5 is fixed on the adhesive tape 70 by the adhesive force of the adhesive tape 70, and the electronic component 5 is accommodated in the accommodation hole 24 as shown in FIG.

その後、支持基板21の面P1について、支持基板21上にフィルム状の樹脂材料(例えばエポキシ樹脂)を配置し、真空下において加圧加熱することにより樹脂材料を硬化させて絶縁層31を形成する。これにより、図11に示すように、支持基板21の面P1と導体層22が絶縁層31に被覆された状態になる。また、収容孔24と電子部品5との間の隙間に絶縁層31が充填された状態になり、収容孔24内に電子部品5が埋め込まれる。   Thereafter, with respect to the surface P1 of the support substrate 21, a film-like resin material (for example, epoxy resin) is disposed on the support substrate 21, and the resin material is cured by applying pressure under vacuum to form the insulating layer 31. . As a result, as shown in FIG. 11, the surface P <b> 1 of the support substrate 21 and the conductor layer 22 are covered with the insulating layer 31. In addition, the insulating layer 31 is filled in the gap between the accommodation hole 24 and the electronic component 5, and the electronic component 5 is embedded in the accommodation hole 24.

その後、粘着テープ70を除去し、支持基板21の面P2について、絶縁層31の形成と同様の工程を用いることで、絶縁層41を形成する。
そして、絶縁層31,41の表面上における所定の位置にレーザを照射することにより、絶縁層31,41内に複数のビアホールを形成する。さらに、ビアホールの形成によりビアホール内に生成されたスミアを除去するための処理(デスミア処理)を行う。その後、無電解メッキを行うことにより、絶縁層31,41上に薄い無電解メッキ層(本実施形態では銅)を形成する。そして、無電解メッキ層上に、導体層32,42の配線パターンに対応する所定のレジストパターンを形成する。さらに、電気メッキを行うことにより、レジストに覆われていない領域にメッキ層(本実施形態では銅)を形成する。その後、不要な無電解メッキ層とレジストをエッチングにより除去する。これにより、図1に示すように、ビアホール内にビア導体33,43が形成されるとともに、所定の配線パターンを有する導体層32,42が形成される。
Then, the adhesive tape 70 is removed, and the insulating layer 41 is formed on the surface P2 of the support substrate 21 by using the same process as that for forming the insulating layer 31.
A plurality of via holes are formed in the insulating layers 31 and 41 by irradiating a predetermined position on the surfaces of the insulating layers 31 and 41 with a laser. Further, a process (desmear process) for removing smear generated in the via hole due to the formation of the via hole is performed. Then, a thin electroless plating layer (copper in this embodiment) is formed on the insulating layers 31 and 41 by performing electroless plating. Then, a predetermined resist pattern corresponding to the wiring pattern of the conductor layers 32 and 42 is formed on the electroless plating layer. Further, by performing electroplating, a plating layer (copper in this embodiment) is formed in a region not covered with the resist. Thereafter, unnecessary electroless plating layers and resist are removed by etching. As a result, as shown in FIG. 1, via conductors 33 and 43 are formed in the via hole, and conductor layers 32 and 42 having a predetermined wiring pattern are formed.

このように構成された多層配線基板1の製造方法では、まず、支持基板21の面P1上に形成された金属層61に、金属層61を貫通する貫通孔611を形成する。そして、支持基板21の面P1の側から貫通孔611内にドリルを挿入して、ドリルで支持基板21を穿孔することにより、支持基板21を貫通する収容孔24を支持基板21内に形成する。その後、収容孔24内に電子部品5を埋め込む。   In the method of manufacturing the multilayer wiring board 1 configured as described above, first, the through hole 611 that penetrates the metal layer 61 is formed in the metal layer 61 formed on the surface P1 of the support substrate 21. Then, by inserting a drill into the through hole 611 from the surface P1 side of the support substrate 21 and drilling the support substrate 21 with the drill, an accommodation hole 24 penetrating the support substrate 21 is formed in the support substrate 21. . Thereafter, the electronic component 5 is embedded in the accommodation hole 24.

そして収容孔24の開口部241は、支持基板21の面と平行な基準面への正射投影において、貫通孔611の開口部の周縁と開口部241の周縁とが接することなく、貫通孔611の開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されている。   Then, the opening 241 of the accommodation hole 24 is formed so that the periphery of the opening of the through hole 611 and the periphery of the opening 241 are not in contact with each other in orthographic projection onto a reference plane parallel to the surface of the support substrate 21. Are formed in a positional relationship in which they are entirely included in the projection area of the opening.

このため、収容孔24を支持基板21内に形成するために、ドリルの軸方向を支持基板21の面P1に対して垂直にした状態で支持基板21の面P1の側から貫通孔611内にドリルを挿入する場合に、ドリルが金属層61と接触しないようにすることができる。これにより、開口部241の周縁部にバリを発生させることなく支持基板21に収容孔24を形成することができる。   For this reason, in order to form the accommodation hole 24 in the support substrate 21, the drill is inserted into the through hole 611 from the surface P 1 side of the support substrate 21 with the axial direction of the drill perpendicular to the surface P 1 of the support substrate 21. When the drill is inserted, the drill can be prevented from coming into contact with the metal layer 61. Thereby, the accommodation hole 24 can be formed in the support substrate 21 without generating burrs at the peripheral edge of the opening 241.

さらに、収容孔24の開口部241が、支持基板21の面と平行な基準面への正射投影において、貫通孔611の開口部の周縁と開口部241の周縁とが接することなく、貫通孔611の開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されていることにより、収容孔24と電子部品5との間に充填される樹脂材料においてクラックが発生するのを抑制することができる。   Furthermore, in the orthogonal projection onto the reference plane parallel to the surface of the support substrate 21, the opening 241 of the accommodation hole 24 is not in contact with the periphery of the opening of the through-hole 611 and the periphery of the opening 241. By being formed in a positional relationship in which the entirety is included in the projection area of the opening portion of 611, the occurrence of cracks in the resin material filled between the accommodation hole 24 and the electronic component 5 is suppressed. be able to.

表1に示すように、貫通孔611の開口部の周縁と収容孔24の開口部241の周縁との距離(以下、樹脂部引き下がりという)が、0μmである場合には、収容孔24と電子部品5との間に充填される樹脂材料においてクラックが発生する。一方、樹脂部引き下がりが10μm〜150μmの場合には、クラックが発生しない。なお、樹脂部引き下がりは、10〜100μmであるのが好ましい。   As shown in Table 1, when the distance between the peripheral edge of the opening of the through hole 611 and the peripheral edge of the opening 241 of the accommodation hole 24 (hereinafter referred to as “resin part lowering”) is 0 μm, the accommodation hole 24 and the electron Cracks occur in the resin material filled between the parts 5. On the other hand, when the resin part pull-down is 10 μm to 150 μm, no crack occurs. The resin part pull-down is preferably 10 to 100 μm.

また多層配線基板1の製造方法では、支持基板21の面P2上に形成された第2金属層に、金属層62を貫通する貫通孔621を形成する。そして、貫通孔611は、支持基板21の面と平行な基準面への正射投影において、貫通孔611の開口部の周縁と貫通孔621の開口部の周縁とが接することなく、貫通孔621の開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されている。 In the method for manufacturing the multilayer wiring board 1, the through hole 621 that penetrates the metal layer 62 is formed in the second metal layer formed on the surface P <b> 2 of the support substrate 21. The through hole 611 is formed in the through hole 621 without the contact between the periphery of the opening of the through hole 611 and the periphery of the opening of the through hole 621 in orthographic projection onto a reference plane parallel to the surface of the support substrate 21. Are formed in a positional relationship in which they are entirely included in the projection area of the opening.

これにより、ドリルで支持基板21を穿孔しているときにドリルの軸方向が変動しても、支持基板21の面P1側から挿入されたドリルが支持基板21を貫通して面P2側に到達した場合に金属層62と接触してしまうという事態の発生を抑制することができる。したがって、支持基板21の面P2上に金属層62が形成されている場合において、収容孔24の開口部242の周縁部でバリが発生するのを抑制することができる。   Thereby, even if the axial direction of the drill fluctuates when drilling the support substrate 21 with a drill, the drill inserted from the surface P1 side of the support substrate 21 passes through the support substrate 21 and reaches the surface P2 side. In this case, it is possible to suppress the occurrence of a situation where the metal layer 62 comes into contact. Therefore, when the metal layer 62 is formed on the surface P <b> 2 of the support substrate 21, it is possible to suppress the occurrence of burrs at the peripheral edge portion of the opening 242 of the accommodation hole 24.

また多層配線基板1の製造方法では、ドリルで支持基板21を複数回穿孔することにより1つの収容孔24を形成する。
金属層61に貫通孔611を形成することなく(すなわち、金属層61をドリルで打ち抜くことにより)支持基板21を複数回穿孔して1つの収容孔を形成する場合には、金属層61の同一箇所で複数回ドリルが接触する可能性があり、接触回数が増大するほどバリが発生し易くなる。
Moreover, in the manufacturing method of the multilayer wiring board 1, the one accommodation hole 24 is formed by drilling the support substrate 21 several times with a drill.
When the support substrate 21 is perforated several times without forming the through hole 611 in the metal layer 61 (that is, by punching the metal layer 61 with a drill), the same metal layer 61 is used. There is a possibility that the drill may come into contact with a part multiple times, and burrs are more likely to occur as the number of contacts increases.

これに対して、多層配線基板1の製造方法では、ドリルで支持基板21を複数回穿孔することにより1つの収容孔24を形成するものである場合であっても、貫通孔611内にドリルを挿入する場合にドリルが金属層61と接触しないようにすることができ、バリを発生させることなく支持基板21に収容孔24を形成することができる。したがって、ドリルで支持基板21を複数回穿孔することにより1つの収容孔24を形成する場合に、多層配線基板1の製造方法を適用すると、バリ低減効果が大きくなる。   On the other hand, in the manufacturing method of the multilayer wiring board 1, a drill is formed in the through-hole 611 even when the support board 21 is drilled a plurality of times with a drill to form one accommodation hole 24. When inserted, the drill can be prevented from coming into contact with the metal layer 61, and the accommodation hole 24 can be formed in the support substrate 21 without generating burrs. Therefore, when the single accommodation hole 24 is formed by drilling the support substrate 21 a plurality of times with a drill, applying the method for manufacturing the multilayer wiring board 1 increases the burr reduction effect.

また多層配線基板1の製造方法では、支持基板21の面と平行な基準面への正射投影において、収容孔24の開口部241と貫通孔611の開口部とは相似形状である。
このようにすると、貫通孔611の開口部の開口面積が開口部241の開口面積よりも大きければ、必ず、開口部241が、支持基板21の面と平行な基準面への正射投影において、貫通孔611の開口部の周縁と開口部241の周縁とが接することなく、貫通孔611の開口部の投影領域内に全体が包含されるように開口部241を配置することができる。
Further, in the method for manufacturing the multilayer wiring board 1, the opening 241 of the accommodation hole 24 and the opening of the through hole 611 are similar in orthographic projection onto a reference plane parallel to the surface of the support substrate 21.
In this way, if the opening area of the opening of the through hole 611 is larger than the opening area of the opening 241, the opening 241 is always orthogonally projected on a reference plane parallel to the surface of the support substrate 21. The opening 241 can be arranged so that the entire periphery is included in the projection region of the opening of the through hole 611 without the periphery of the opening of the through hole 611 and the periphery of the opening 241 being in contact with each other.

そして、開口部241の形状を決定すれば、その後、貫通孔611の開口部の投影領域内に開口部241の全体が包含されるようにするために、貫通孔611の開口部を、「開口部241より開口面積が大きい相似形状」というような簡単な条件で決定することができ、多層配線基板1のパターン設計を簡略化することができる。   If the shape of the opening 241 is determined, the opening of the through hole 611 is then moved to “open” so that the entire opening 241 is included in the projection region of the opening of the through hole 611. It can be determined under a simple condition such as “similar shape having an opening area larger than that of the portion 241”, and the pattern design of the multilayer wiring board 1 can be simplified.

以上説明した実施形態において、多層配線基板1は本発明における配線基板、金属層61は本発明における第1金属層、貫通孔611は本発明における第1貫通孔、面P1は本発明における上面、面P2は本発明における下面、金属層62は本発明における第2金属層、貫通孔621は本発明における第2貫通孔である。   In the embodiment described above, the multilayer wiring board 1 is the wiring board in the present invention, the metal layer 61 is the first metal layer in the present invention, the through hole 611 is the first through hole in the present invention, the surface P1 is the upper surface in the present invention, The surface P2 is the lower surface in the present invention, the metal layer 62 is the second metal layer in the present invention, and the through hole 621 is the second through hole in the present invention.

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採ることができる。
上記実施形態では、ドリルで支持基板21を穿孔することにより、バリを発生させることなく支持基板21に収容孔24を形成するものを示した。しかし、ドリルの代わりに、レーザ加工またはパンチング加工を施して、支持基板21に収容孔24を形成するようにしてもよい。
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, As long as it belongs to the technical scope of this invention, a various form can be taken.
In the above-described embodiment, the support hole 21 is formed in the support substrate 21 without generating burrs by drilling the support substrate 21 with a drill. However, instead of the drill, the receiving hole 24 may be formed in the support substrate 21 by performing laser processing or punching processing.

具体的には、まず、支持基板21の面P1上に形成された金属層61に、金属層61を貫通する貫通孔611を形成する。そして、支持基板21の面P1の側からレーザ加工またはパンチング加工を施して、支持基板21を穿孔することにより、支持基板21を貫通する収容孔24を支持基板21内に形成する。その後、収容孔24内に電子部品5を埋め込む。   Specifically, first, a through hole 611 that penetrates the metal layer 61 is formed in the metal layer 61 formed on the surface P <b> 1 of the support substrate 21. Then, laser processing or punching processing is performed from the surface P1 side of the support substrate 21 to punch the support substrate 21, thereby forming an accommodation hole 24 penetrating the support substrate 21 in the support substrate 21. Thereafter, the electronic component 5 is embedded in the accommodation hole 24.

そして収容孔24の開口部241は、支持基板21の面と平行な基準面への正射投影において、貫通孔611の開口部の周縁と開口部241の周縁とが接することなく、貫通孔611の開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されている。   Then, the opening 241 of the accommodation hole 24 is formed so that the periphery of the opening of the through hole 611 and the periphery of the opening 241 are not in contact with each other in orthographic projection onto a reference plane parallel to the surface of the support substrate 21. Are formed in a positional relationship in which they are entirely included in the projection area of the opening.

このため、収容孔24を支持基板21内に形成するために、支持基板21の面P1の側から貫通孔611内にレーザ加工またはパンチング加工を施す場合に、レーザ光線またはパンチ金型が金属層61と接触しないようにすることができる。これにより、開口部241の周縁部にバリを発生させることなく支持基板21に収容孔24を形成することができる。   Therefore, in order to form the accommodation hole 24 in the support substrate 21, when laser processing or punching processing is performed in the through hole 611 from the surface P 1 side of the support substrate 21, the laser beam or the punch mold is a metal layer. The contact with 61 can be prevented. Thereby, the accommodation hole 24 can be formed in the support substrate 21 without generating burrs at the peripheral edge of the opening 241.

1…多層配線基板、2…支持層、3,4…ビルドアップ層、5…電子部品、21…支持基板、22,23,32,42…導体層、24…収容孔、31,41…絶縁層、33,43…ビア導体、61,62…金属層、241,242…開口部、611,621…貫通孔   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Multilayer wiring board, 2 ... Support layer, 3, 4 ... Build-up layer, 5 ... Electronic component, 21 ... Support substrate, 22, 23, 32, 42 ... Conductor layer, 24 ... Housing hole, 31, 41 ... Insulation Layer, 33, 43 ... via conductor, 61,62 ... metal layer, 241,242 ... opening, 611,621 ... through hole

Claims (6)

少なくとも1層の絶縁層と少なくとも1層の導体層とを積層して構成されるビルドアップ層と、前記ビルドアップ層を支持する支持基板と、前記支持基板の内部に埋め込まれた電子部品とを備える配線基板の製造方法であって、
前記支持基板の面上に形成された第1金属層に、前記第1金属層を貫通する第1貫通孔を形成する第1貫通孔形成工程と、
前記支持基板の両面のうち前記第1金属層が形成されている面を上面とするとともに他方の面を下面として、前記上面の側から前記第1貫通孔内にドリルを挿入して、前記ドリルで前記支持基板を穿孔することにより、前記支持基板を貫通する収容孔を前記支持基板内に形成する収容孔形成工程と、
前記収容孔内に前記電子部品を埋め込む埋込工程とを有し、
前記第1貫通孔形成工程では、前記第1貫通孔における開口部を第1貫通孔開口部とし、前記収容孔における前記上面側の開口部を収容孔開口部として、前記第1貫通孔開口部の周縁と前記収容孔開口部の周縁とが接することなく前記支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、前記収容孔開口部は、前記第1貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
A buildup layer configured by laminating at least one insulating layer and at least one conductor layer; a support substrate supporting the buildup layer; and an electronic component embedded in the support substrate. A method for manufacturing a wiring board comprising:
A first through hole forming step of forming a first through hole penetrating the first metal layer in the first metal layer formed on the surface of the support substrate;
A drill is inserted into the first through hole from the upper surface side, with the surface of the support substrate on which the first metal layer is formed as the upper surface and the other surface as the lower surface. An accommodation hole forming step in which an accommodation hole penetrating the support substrate is formed in the support substrate by drilling the support substrate with
Embedding the electronic component in the accommodation hole,
In the first through-hole forming step, the opening in the first through-hole is defined as a first through-hole opening, and the opening on the upper surface side of the accommodation hole is defined as a housing-hole opening. In the orthographic projection onto a reference plane parallel to the surface of the support substrate without contact between the peripheral edge of the storage hole opening and the peripheral edge of the storage hole opening, the storage hole opening is within the projection region of the first through-hole opening. A method of manufacturing a wiring board, characterized in that the wiring board is formed in a positional relationship in which the whole is included.
前記収容孔形成工程が行われる前において、前記支持基板における前記下面上に形成された第2金属層に、前記第2金属層を貫通する第2貫通孔を形成する第2貫通孔形成工程を有し、
前記第2貫通孔形成工程では、前記第2貫通孔における開口部を第2貫通孔開口部として、前記第1貫通孔開口部の周縁と前記第2貫通孔開口部の周縁とが接することなく前記支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、前記第1貫通孔開口部は、前記第2貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。
A second through hole forming step for forming a second through hole penetrating the second metal layer in the second metal layer formed on the lower surface of the support substrate before the accommodation hole forming step is performed; Have
In the second through-hole forming step, the opening in the second through-hole is used as the second through-hole opening, and the periphery of the first through-hole opening and the periphery of the second through-hole opening are not in contact with each other. In orthographic projection onto a reference plane parallel to the surface of the support substrate, the first through-hole opening is formed in a positional relationship that is entirely contained within the projection area of the second through-hole opening. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1.
前記収容孔形成工程では、
前記ドリルで前記支持基板を複数回穿孔することにより、1つの前記収容孔を形成する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の配線基板の製造方法。
In the accommodation hole forming step,
The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein one accommodation hole is formed by drilling the support substrate a plurality of times with the drill.
前記収容孔開口部はオーバル形状である
ことを特徴とする請求項3に記載の配線基板の製造方法。
The method for manufacturing a wiring board according to claim 3, wherein the accommodation hole opening has an oval shape.
前記支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、前記収容孔開口部と前記第1貫通孔開口部とは相似形状である
ことを特徴とする請求項1〜請求項4の何れか1項に記載の配線基板の製造方法。
5. The orthographic projection onto a reference plane parallel to the surface of the support substrate, the receiving hole opening and the first through-hole opening are similar in shape. A method for manufacturing a wiring board according to claim 1.
少なくとも1層の絶縁層と少なくとも1層の導体層とを積層して構成されるビルドアップ層と、前記ビルドアップ層を支持する支持基板と、前記支持基板の内部に埋め込まれた電子部品とを備える配線基板の製造方法であって、
前記支持基板の面上に形成された第1金属層に、前記第1金属層を貫通する第1貫通孔を形成する第1貫通孔形成工程と、
前記支持基板の両面のうち前記第1金属層が形成されている面を上面とするとともに他方の面を下面として、前記上面の側から前記第1貫通孔内にレーザ加工またはパンチング加工を施して、前記支持基板を穿孔することにより、前記支持基板を貫通する収容孔を前記支持基板内に形成する収容孔形成工程と、
前記収容孔内に前記電子部品を埋め込む埋込工程とを有し、
前記第1貫通孔形成工程では、前記第1貫通孔における開口部を第1貫通孔開口部とし、前記収容孔における前記上面側の開口部を収容孔開口部として、前記第1貫通孔開口部の周縁と前記収容孔開口部の周縁とが接することなく前記支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、前記収容孔開口部は、前記第1貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
A buildup layer configured by laminating at least one insulating layer and at least one conductor layer; a support substrate supporting the buildup layer; and an electronic component embedded in the support substrate. A method for manufacturing a wiring board comprising:
A first through hole forming step of forming a first through hole penetrating the first metal layer in the first metal layer formed on the surface of the support substrate;
Of the both surfaces of the support substrate, the surface on which the first metal layer is formed is the upper surface and the other surface is the lower surface, and laser processing or punching is performed from the upper surface side into the first through hole. An accommodation hole forming step of forming an accommodation hole penetrating the support substrate in the support substrate by drilling the support substrate;
Embedding the electronic component in the accommodation hole,
In the first through-hole forming step, the opening in the first through-hole is defined as a first through-hole opening, and the opening on the upper surface side of the accommodation hole is defined as a housing-hole opening. In the orthographic projection onto a reference plane parallel to the surface of the support substrate without contact between the peripheral edge of the storage hole opening and the peripheral edge of the storage hole opening, the storage hole opening is within the projection region of the first through-hole opening. A method of manufacturing a wiring board, characterized in that the wiring board is formed in a positional relationship in which the whole is included.
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