JP2014204040A

JP2014204040A - 電子部品装置の製造方法

Info

Publication number: JP2014204040A
Application number: JP2013080740A
Authority: JP
Inventors: 智絵飯野; Chie Iino; 豊田　英志; Hideshi Toyoda; 英志豊田; 祐作清水; yusaku Shimizu; 裕之千歳; Hiroyuki Chitose
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2013-04-08
Filing date: 2013-04-08
Publication date: 2014-10-27
Also published as: WO2014168045A1; TW201501216A

Abstract

【課題】反りを低減できる電子部品装置の製造方法を提供する。【解決手段】電子部品が配置された基板を準備する工程、樹脂シートを準備する工程、前記樹脂シートに切り込みを形成するための凸部を有する金型を準備する工程、前記基板に前記樹脂シートを積層して積層体を形成する工程、及び前記積層体を前記金型でプレスして、前記電子部品を前記樹脂シートで封止しつつ前記樹脂シートに切り込みを形成する工程を含む電子部品装置の製造方法に関する。【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品装置の製造方法に関する。

電子部品装置の製造では、基板に電子部品を搭載した後、電子部品を封止樹脂で封止する場合がある。このような電子部品装置では、通常、封止樹脂の収縮率が、基板などの収縮率より大きいため、封止樹脂が基板を引っ張る。これによって反りが生じることがある。

一方、封止樹脂としてシート状のものが提案されている。例えば、特許文献１は、特定のエポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填剤とを混練した後、混練物を塑性加工して樹脂シートを形成することにより、無機充填剤の配合割合を増加できる開示している。また、特許文献２は、樹脂などの混練物からシートを作製する方法を開示している。しかしながら、これらの文献では、反りの低減について充分に検討されていない。

特開２０１３−７０２８号公報特開２０１３−６４０６号公報

本発明は前記課題を解決し、反りを低減できる電子部品装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、電子部品が配置された基板を準備する工程、樹脂シートを準備する工程、
前記樹脂シートに切り込みを形成するための凸部を有する金型を準備する工程、前記基板に前記樹脂シートを積層して積層体を形成する工程、及び前記積層体を前記金型でプレスして、前記電子部品を前記樹脂シートで封止しつつ前記樹脂シートに切り込みを形成する工程を含む電子部品装置の製造方法に関する。

すなわち、本発明では、樹脂シートに切り込みを形成するための凸部を有する金型を用いて、電子部品を樹脂シートで封止しつつ、樹脂シートに切り込みを形成する。これにより得られる封止体は、切り込みによって複数の区画に区切られている。この封止体では各区画が収縮するため、樹脂シートが基板を引っ張る力を低減でき、反りを低減できる。なお、本発明では、反りが生じ易い大判一括封止でも反りを低減できるため、有効である。

前記積層体を減圧条件下で加熱しながらプレスすることが好ましい。

本発明はまた、前記方法で得られる電子部品装置に関する。

（ａ）及び（ｂ）は実施形態１の製造方法における一製造工程を示す模式図である。（ａ）は封止体の断面模式図である。（ｂ）は封止体の斜視図である。（ａ）は電子部品が配置された基板の平面模式図である。（ｂ）はその正面模式図である。樹脂シートの正面模式図である。（ａ）は上板及び下板の断面模式図である。（ｂ）は上板の底面模式図である。（ａ）〜（ｃ）は、上板の変形例を示す断面模式図である。（ａ）〜（ｂ）は、上板の変形例を示す底面模式図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

［実施形態１］
（準備工程）
まず、電子部品２が配置された基板１と、樹脂シート４と、金型１１とを準備する。

図３（ａ）は電子部品２が配置された基板１の平面模式図である。（ｂ）はその正面模式図である。図３（ａ）及び（ｂ）において、基板１は複数の電子部品２を搭載している。

電子部品２としては特に限定されず、例えば、ＳＡＷ（ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃＷａｖｅ）フィルタ；圧力センサ、振動センサなどのＭＥＭＳ（ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌＳｙｓｔｅｍｓ）；ＬＳＩなどのＩＣ（集積回路）、トランジスタなどの半導体；コンデンサ；抵抗などが挙げられる。

基板１としては特に限定されず、例えば、プリント配線基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板などが挙げられる。

基板１上に配置する電子部品２の数は特に限定されない。電子部品２の数は、例えば、１個以上であり、好ましくは２個以上、より好ましくは１００個以上である。また、上限は特に限定されないが、例えば、１００００個以下である。電子部品２のレイアウトは特に限定されない。

基板１の形状は特に限定されず、略多角形状、略円形状のものなどを使用できる。なお、略多角形状、略円形状とは、基板１を平面視したときの形状である。

略多角形状には、多角形状のみならず、多角形類似形状も含まれる。具体的には、略多角形状には、多角形状の他、少なくとも一部の角が丸みを帯びた多角形類似形状、少なくとも一部の辺又はその辺の一部が曲線の多角形類似形状などが含まれる。略多角形状としては、略矩形状、略正方形状が好ましい。

このような略多角形状の基板１としては、少なくとも１辺の長さが３００ｍｍ以上であることが好ましい。これにより、電子部品装置を効率よく製造できる。１辺の長さの上限は特に限定されないが、例えば、７００ｍｍ以下である。

略円形状には、円形状のみならず、円形類似形状も含まれる。具体的には、略円形状には、真円形状の他、楕円形状、周の少なくとも一部に凹凸部が形成された円形類似形状、周の少なくとも一部に線状部（直線状部）が形成された円形類似形状、周の少なくとも一部に波線状部が形成された円形類似形状などが含まれる。

このような略円形状の基板１としては、直径又は短径が３００ｍｍ以上であることが好ましい。これにより、電子部品装置を効率よく製造できる。直径又は短径の上限は特に限定されないが、例えば、１６インチ以下である。

基板１の面積（基板１を平面視したときの面積）は、電子部品装置を効率よく製造できるという点から、例えば、７００００〜５０００００ｍｍ^２が好ましい。

図４は、樹脂シート４の正面模式図である。

樹脂シート４の厚さは特に限定されないが、好ましくは１００μｍ以上、より好ましくは１５０μｍ以上である。また、樹脂シート４の厚さは、好ましくは２０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下である。上記範囲内であると、良好に電子部品を封止できる。

実施形態１では、樹脂シート４が単層構造である場合を示しているが、２以上の樹脂シート４を積層した多層構造であってもよい。また、あらかじめ任意に分割されたものでもよい。なお、樹脂シート４は、その両面又は片面にセパレータを備えていてもよい。

樹脂シート４は一般的な方法で製造できるが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂、フィラー及び硬化促進剤を混練して得られる混練物をシート状に塑性加工する方法が好ましい。これにより、フィラーを高充填でき、反りを低減できる。

具体的には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂、フィラー及び硬化促進剤をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練する。混練条件として、温度の上限は、１４０℃以下が好ましく、１３０℃以下がより好ましい。温度の下限は、上述の各成分の軟化点以上であることが好ましく、例えば３０℃以上、好ましくは５０℃以上である。混練の時間は、好ましくは１〜３０分である。また、混練は、減圧条件下（減圧雰囲気下）で行うことが好ましく、減圧条件下の圧力は、例えば、１×１０^−４〜０．１ｋｇ／ｃｍ^２である。

エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。

エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましく、なかでも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。

熱可塑性樹脂（エラストマー）としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体（ＭＢＳ樹脂）などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、低応力性、低吸水性という観点から、スチレン-イソブチレン-スチレンブロック共重合体が好ましい。

フィラーとしては特に限定されないが、無機充填材が好ましい。無機充填材としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などが挙げられる。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。シリカとしては、流動性に優れるという理由から、溶融シリカが好ましく、球状溶融シリカがより好ましい。

フィラーの平均粒径は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上である。１μｍ以上であると、樹脂シート４の可撓性、柔軟性を得易い。フィラーの平均粒径は、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。４０μｍ以下であると、フィラーを高充填率化し易い。
なお、平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。

硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物；２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物；などが挙げられる。なかでも、混練時の温度上昇によっても硬化反応が急激に進まず、樹脂シート４を良好に作製できるという理由から、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。

エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂、フィラー及び硬化促進剤とともに、難燃剤成分、顔料、シランカップリング剤などを混練することが好ましい。

溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塑性加工することが好ましい。塑性加工方法としては特に制限されず、平板プレス法、Ｔダイ押出法、スクリューダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、インフレーション押出法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。塑性加工温度としては上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。

次に、樹脂シート４の組成について説明する。

樹脂シート４中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２．０重量％以上が好ましく、３．０重量％以上がより好ましい。２．０重量％以上であると、電子部品２、基板１などに対する接着力が良好に得られる。樹脂シート４中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２０重量％以下が好ましく、１０重量％以下がより好ましい。２０重量％以下であると、吸湿性を低く抑えることができる。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。

熱可塑性樹脂の含有量は、有機成分（フィラーを除く全成分）１００重量％中、１０〜５０重量％が好ましい。上記範囲であると、柔軟性、可撓性、接着性などが良好に得られる。

樹脂シート４中のフィラーの含有量は、好ましくは７０体積％以上であり、より好ましくは７４体積％以上である。７０体積％以上であると、線膨張係数を低く設計できる。一方、フィラーの含有量は、好ましくは９０体積％以下であり、より好ましくは８５体積％以下である。９０体積％以下であると、柔軟性、流動性、接着性が良好に得られる。

フィラーの含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。代表的にシリカの含有量について、「重量％」を単位として説明する。
シリカは通常、比重２．２ｇ／ｃｍ^３であるので、シリカの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、樹脂シート４中のシリカの含有量は、８１重量％以上が好ましく、８４重量％以上がより好ましい。樹脂シート４中のシリカの含有量は、９４重量％以下が好ましく、９１重量％以下がより好ましい。

アルミナは通常、比重３．９ｇ／ｃｍ^３であるので、アルミナの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、樹脂シート４中のアルミナの含有量は、８８重量％以上が好ましく、９０重量％以上がより好ましい。樹脂シート４中のアルミナの含有量は、９７重量％以下が好ましく、９５重量％以下がより好ましい。

硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部が好ましい。

難燃剤成分の含有量は、有機成分（フィラーを除く全成分）１００重量％中、１０〜３０重量％が好ましい。シランカップリング剤の含有量は、フィラー１００重量部に対して、０．０１〜３重量部が好ましい。

図５（ａ）は上板１２及び下板１３の正面模式図である。（ｂ）は上板１２の底面模式図である。図５（ａ）において、金型１１は、上板１２及び下板１３を備え、上板１２と下板１３とは略平行である。上板１２の作用面（被成型品と接する面）には、下板１３に向かって延びる凸部１４が形成されている。上板１２の作用面は、凸部１４を除き平らである。なお、上板１２の作用面は、被成形品の種類によっては、凸部１４を除いた部分において、平らでなくてもよい。

上板１２は下板１３に向かって移動できる。金型１１では、下板１３上に被成型品を置いた状態で上板１２を下降させ、凸部１４を被成型品に食い込ませて切り込みを形成する。

なお、凸部１４が下板１３に接するまで上板１２を下降できるように設定してもよいし、凸部１４が下板１３に接しない（届かない）ように設定してもよい。

凸部１４の高さは特に限定されないが、樹脂シート４の厚さに対して、好ましくは１／２倍以上であり、より好ましくは２／３倍以上である。１／２倍以上であると、区画２２の独立性を高められ、反りを良好に低減できる。凸部１４の高さは、樹脂シート４の厚さに対して、例えば、１倍以下である。１倍以下であると、樹脂シート４と上板１２との間にボイドを発生させることなく有効に封止できる。なお、凸部１４の高さは、被成形品の種類によっては１倍を超えていてもよい。

凸部１４の幅は特に限定されないが、好ましくは２〜４ｍｍである。２ｍｍ以上であると、反りを良好に低減できる。また、４ｍｍ以下であると、電子部品装置の製造効率が低下しない。

図５（ｂ）において、凸部１４は底面視で格子状に形成されている。実施形態１では、凸部１４によって囲まれた空間１５（図５（ａ））の下方に電子部品２をセットした状態でプレスする。空間１５の大きさ（底面視の大きさ）は特に限定されないが、電子部品２より大きいことが好ましく、例えば、電子部品２の大きさの１０５％以上である。

実施形態１では、凸部１４の断面形状（上板１２を上下方向に切断したときの断面形状）が三角形状（先の尖った形状）の場合を示しているが、凸部１４の断面形状は特に限定されず、例えば、台形状、矩形状、Ｕ字状などであってもよい（図６（ａ）〜（ｃ））。なかでも、凸部１４が樹脂シート４にスムーズに入り込み、電子部品２の位置ずれを抑制できるという理由から、三角形状が好ましい。

実施形態１では、底面視で直線状の凸部１４が形成されている場合を示しているが、凸部１４の形状はこれに限定されず、例えば、曲線状、波線状などであってもよい。

実施形態１では、底面視で凸部１４が連続的に形成されている場合を示しているが、凸部１４の形状はこれに限定されず、例えば、図７（ａ）〜（ｂ）に示すように凸部１４が断続的に形成されていてもよい。樹脂シート４が基板１を引っ張る力を効果的に低減でき、反りの低減効果が大きいという理由から、凸部１４を連続的に形成することが好ましい。

実施形態１では、各凸部１４の断面形状が同じである場合を示しているが、異なっていてもよい。各凸部１４の幅が異なっていてもよい。また、各凸部１４の底面視形状が異なっていてもよい。

（積層工程・封止工程）
図１（ａ）及び（ｂ）は、実施形態１の製造方法における一製造工程を示す模式図である。積層工程では、基板１の電子部品２を搭載する面に、樹脂シート４を積層して積層体を形成する（図１（ａ））。

次いで、積層体を金型１１でプレスする。具体的には、図１（ａ）に示すように、基板１上の電子部品２と空間１５とが樹脂シート４を介して対向するように、積層体を下板１３上に置き、上板１２を下降させてプレスする。これにより、電子部品２を封止しつつ、凸部１４を樹脂シート４に食い込ませて切り込み１６を形成する（図２（ａ）〜（ｂ））。

なお、図１（ｂ）では、凸部１４が下板１３に接するまで上板１２を下降させる場合を示しているが、上板１２をどの程度下降させるかは、封止体２１の厚さ、切り込み１６の深さなどに応じて適宜設定でき、凸部１４が下板１３に接するまで下降させる必要はない。区画２２ごとに分割でき、反りを良好に低減できるという理由から、凸部１４が下板１３に接するまで下降させることが好ましい。

プレス条件としては、温度が、例えば、４０〜１００℃、好ましくは５０〜９０℃であり、圧力が、例えば、０．１〜１０ＭＰａ、好ましくは０．５〜８ＭＰａであり、時間が、例えば０．３〜１０分間、好ましくは０．５〜５分間である。また、樹脂シート４の電子部品２及び基板１への密着性及び追従性の向上を考慮すると、減圧条件下（例えば０．１〜５ｋＰａ）においてプレスすることが好ましい。

樹脂封止後、必要に応じて、樹脂シート４を熱硬化させる。熱硬化処理の条件として、加熱温度は１００〜２００℃が好ましい。加熱時間は１０〜３００分が好ましい。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは０．１〜１０ＭＰａである。

図２（ａ）は封止体２１の断面模式図である。（ｂ）は封止体２１の斜視図である。図２（ａ）〜（ｂ）に示すように、封止体２１は、切り込み１６によって複数の区画２２に区切られている。封止体２１では各区画２２が収縮するため、樹脂シート４が基板１を引っ張る力を低減でき、反りを低減できる。

区画数は特に限定されないが、多いほど反りを低減できる。区画数は、好ましくは２区画以上、より好ましくは９区画以上である。また、区画数の上限は、例えば、１０００００区画以下である。また、区画２２の形状は、適宜設計できる。

切り込み１６の深さは特に限定されないが、例えば、封止体２１の厚さに対して、好ましくは１／２倍以上であり、より好ましくは２／３倍以上である。１／２倍以上であると、区画２２の独立性を高められ、反りを良好に低減できる。切り込み１６の深さは、封止体２１の厚さに対して、例えば、０．９５倍以下である。また、切り込み１６が封止体２１を貫通していてもよい。

（ダイシング工程）
封止体２１はこのまま半導体装置として使用できるが、必要に応じて、封止体２１に再配線や、パンプを形成してもよい。また、必要に応じて、封止体２１をダイシングしてチップ化してもよい。なお、ダイシングする際には、封止体２１の切り込み１６などを基準として位置合わせしてもよい。これにより、位置合わせを容易に行うことができる。

なお、実施形態１では、金型１１について、上板１２に凸部１４が形成されている場合を説明しているが、これに限定されず、下板１３に凸部１４が形成されていてもよい。

また、実施形態１では、電子部品２ごとに区画２２を形成する場合を説明しているが、電子部品２ごとに区画２２を形成しなくてもよい。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

［樹脂シートの作製］
樹脂シートの作製に使用した成分について説明する。
エポキシ樹脂：新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
フェノール樹脂：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．軟化点６７℃）
フィラー：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ粉末、平均粒子径１５μｍ、最大粒径１２８μｍ）
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
難燃剤：伏見製薬所製のＦＰ−１００（フェノキシシクロホスファゼンオリゴマー）
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０（粒子径５０ｎｍ）
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
熱可塑性樹脂：カネカ社製のＳＩＢＳＴＡＲ０７２Ｔ（ポリスチレン-ポリイソブチレン-ポリスチレン共重合体）

以下の記載の配合比に従い、各成分を配合し、ロール混練機により６０〜１２０℃、１０分間、減圧条件下（０．０１ｋｇ／ｃｍ^２）で溶融混練し、混練物を調製した。次いで、得られた混練物を、平板プレス法により、シート状に形成して、表１に示す厚さの樹脂シート（１５０ｍｍ×１５０ｍｍ）を作製した。

配合比
（１）エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基が１当量となるように配合した（全配合成分１００重量％中、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計量：６．８５重量％）。
（２）エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して１．７１重量部となるように硬化促進剤を配合した。
（３）有機成分（フィラーを除く全成分）１００重量％中、３０重量％となるように熱可塑性樹脂を配合した。
（４）有機成分（フィラーを除く全成分）１００重量％中、１５重量％となるように難燃剤を配合した。
（５）全配合成分１００重量％中、８８重量％となるようにフィラーを配合した（樹脂シート中７９．５体積％）。
（６）フィラー１００重量部に対して、０．１重量部のシランカップリング剤を配合した。

［比較例］
平板状の下板と平板状の上板を装着した瞬時真空積層装置（ミカドテクノス社製のＶＳ００８−１５１５）を準備した。
ガラスエポキシ基板（２００ｍｍ×２００ｍｍ×厚さ２００μｍ）上に、表１に示すサイズのシリコンチップを配置し、シリコンチップ搭載基板を作製した。シリコンチップ搭載基板のシリコンチップ配置面に樹脂シートを積層した。積層体の基板側の面が下板と接するように下板上に積層体を置いた後、積層体上に上板を置き、積層体を真空プレスした（プレス条件：真空保持時間３０秒、加圧時間６０秒、圧力２０３．９ｇ／ｃｍ^２、プレス温度９０℃）。真空から開放した後、成形物を取り出し、１５０℃のオーブンで１時間キュアした。その後、室温で１時間冷却したものをサンプルとして用いた。
サンプルを水平な台に置き、台とサンプルの角（かど）との距離を、定規で測定した。４角（すみ）について距離の測定を行い、その平均値を求めた。求めた平均値を反り量とし、表１に示した。

［実施例］
図５（ａ）〜（ｂ）に示すような上板を装着した瞬時真空積層装置を用いた点以外は比較例と同様の方法でサンプル（切り込みによってシリコンチップごとに区切られたサンプル）を作製した。得られたサンプルを用いて、反り量を評価した。

１基板
２電子部品
３電子部品搭載基板
４樹脂シート
１１金型
１２上板
１３下板
１４凸部
１５空間
１６切り込み
２１封止体
２２区画

Claims

電子部品が配置された基板を準備する工程、
樹脂シートを準備する工程、
前記樹脂シートに切り込みを形成するための凸部を有する金型を準備する工程、
前記基板に前記樹脂シートを積層して積層体を形成する工程、及び
前記積層体を前記金型でプレスして、前記電子部品を前記樹脂シートで封止しつつ前記樹脂シートに切り込みを形成する工程を含む電子部品装置の製造方法。
前記積層体を減圧条件下で加熱しながらプレスする請求項１に記載の電子部品装置の製造方法。
請求項１又は２に記載の方法で得られる電子部品装置。