JP2014201452A - ガラス−セラミック接合体 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザー照射によりガラスとセラミックを強固に接合させたガラス−セラミック接合体を提供する。【解決手段】ガラス1とセラミック2とをレーザー照射によって接合させたガラス−セラミック接合体10であって、接合領域におけるセラミック2の表面の表面粗さRaが、0.1μm以下であることを特徴としている。【選択図】図1
Description
本発明は、ガラスとセラミックを接合させたガラス−セラミック接合体に関するものである。
従来、例えば特許文献1等において、超短パルスレーザーを用いて複数の部材を接合する方法が提案されている。この方法では、接合しようとする2つの部材を当接させた状態で、超短パルスレーザーを照射する。このレーザー照射により形成されたフィラメント領域において、2つの部材が局所的に加熱されて接合される。超短パルスレーザーを用いた接合方法では、微小なフィラメント領域で局所的に加熱されるため、部材の温度を上昇させることなく接合させることができる。
特許文献1においては、接合させる2つの部材のうちの一方の部材として、ガラス、透明な樹脂が挙げられており、他方の部材として、ガラス、樹脂、金属、シリコン、半導体、及び金属、シリコン、半導体の化合物が挙げられている。しかしながら、ガラスとセラミックをレーザー照射で接合することについては具体的に開示されていない。
本発明者らは、ガラスとセラミックをレーザー照射で接合しようとする場合、ガラスとガラス、ガラスと金属などの場合と同様の条件では、接合させることが困難であることを見出した。
本発明の目的は、レーザー照射によりガラスとセラミックを強固に接合させたガラス−セラミック接合体を提供することにある。
本発明のガラス−セラミック接合体は、ガラスとセラミックとをレーザー照射によって接合させたガラス−セラミック接合体であって、接合領域におけるセラミック表面の表面粗さRaが、0.1μm以下であることを特徴としている。
本発明において、レーザー照射は、超短パルスレーザーの照射であることが好ましい。
セラミックと接合させるガラスは、強化ガラスであってもよい。
本発明によれば、レーザー照射でガラスとセラミックを強固に接合させたガラス−セラミック接合体とすることができる。
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。
図1は、本発明の実施形態のガラス−セラミック接合体を示す模式的断面図である。図2は、図1に示す実施形態のガラス−セラミック接合体の接合前のガラス板1及びセラミック板2を示す模式的断面図である。図1に示すように、本実施形態のガラス−セラミック接合体10は、ガラス板1の接合面1aと、セラミック板2の接合面2aとを接合することにより構成されている。本実施形態において、セラミック板2の接合面2aの表面粗さRaは、0.1μm以下である。セラミック板2の接合面2aの表面粗さRaが、0.1μmより大きくなると、ガラス板1と強固な接合を形成することができなくなる。表面粗さRaは、さらに好ましくは、0.08μm以下である。表面粗さRaの下限値は、特に限定されるものではないが、一般には0.02μm以上である。なお、本発明においては、接合面2a全体が、0.1μm以下の表面粗さRaである必要はなく、少なくとも接合領域における表面粗さRaが0.1μm以下であればよい。
ガラス板1の接合面1aの表面粗さRaは、特に限定されるものではないが、0.005〜0.05μmの範囲内であることが好ましく、0.005〜0.02μmの範囲内であることがさらに好ましい。
本発明における表面粗さRaは、日本工業規格(JIS)0601−1976に準拠して測定することができ、例えば、東京精密株式会社製サーフコムにより測定することができる。
ガラス板1の材質は、特に限定されるものではなく、例えば、ケイ酸塩系ガラス、ホウケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラスなどが挙げられる。セラミック板2の材質は、特に限定されるものではなく、例えば、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化チタンなどが挙げられる。
図3は、本発明の実施形態においてガラス板とセラミック板をレーザー照射で接合する状態を説明するための模式的断面図である。図3に示すように、ガラス板1の接合面1aとセラミック板2の接合面2aを当接させた状態で、レンズ31を通して超短パルスレーザー30をガラス板1側から所定の箇所に照射する。ガラス板1は、超短パルスレーザー30に対して、透明な基板である。ここで、「透明」とは使用するレーザーに対して透明であることを意味している。したがって、超短パルスレーザー30は、一般に、透明な基板であるガラス板1側から照射される。しかしながら、セラミック板2が、超短パルスレーザー30に対して透明な基板である場合には、セラミック板2側から超短パルスレーザー30を照射してもよい。
超短パルスレーザー30は、パルス幅のオーダーが1×10−9秒未満の超短光パルスレーザーである。超短パルスレーザーとして、さらに好ましくは、1×10−12秒未満の超短光パルスレーザーを用いる。超短パルスレーザーを用いることにより、接合面に歪みが残りにくいので、高い信頼性を付与することができる。
図3に示すように、超短パルスレーザー30が照射されると、フィラメント領域32が形成される。フィラメント領域32は、超短パルスレーザー30がガラスなどの媒質に入射して生じるフィラメンテーションの領域である。すなわち、超短パルスレーザー30がガラスなどの媒質に入射すると、3次の非線形光学効果と、プラズマ形成による屈折率の減少効果とが生じる。これら2つの効果が均衡することにより、所定の距離にわたって最小ピーク径で伝搬するフィラメンテーションという現象が生じる。このフィラメンテーションが生じている領域が、フィラメント領域32である。
図3に示すように、フィラメント領域32は、ガラス板1とセラミック板2の領域に跨って形成されている。フィラメント領域32においては、多光子吸収現象が生じるため、フィラメント領域32が選択的に加熱される。この加熱により、ガラス板1の接合面1aとセラミック板2の接合面2aとの間が接合される。これにより、図4に示すように、ガラス板1とセラミック板2に跨る接合領域33が形成される。超短パルスレーザー30を走査しながら照射することにより、所定の領域に、接合領域33を形成することができる。
図5は、本発明の実施形態のガラス−セラミックパッケージを示す模式的断面図である。図5に示すガラス−セラミックパッケージは、本発明のガラス−セラミック接合体の用途の一例として示すものである。
図5に示すように、ガラス−セラミックパッケージ20は、セラミックパッケージ本体4にガラス蓋3を接合することにより構成されている。セラミックパッケージ本体4は、その周縁部に突出部4cを有している。突出部4cの接合部4aと、ガラス蓋3の周縁部の接合部3aとが、レーザー照射により接合されることにより、セラミックパッケージ本体4とガラス蓋3とが接合されている。
セラミックパッケージ本体4の内部4bに、例えば水晶振動子などを収納することができる。セラミックパッケージ本体4の蓋として、ガラス蓋3を用いて封止することにより、封止後にセラミックパッケージ本体4の内部4bを視覚で検査することができる。また、封止後に内部4bにレーザー照射等をすることができるので、封止後に微調整(チューニング)等を実施することができる。
以下、本発明を具体的な実施例により説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるのではない。
(実施例1)
以下のガラス板とセラミック板を用いて、本実施例のガラス−セラミック接合体を作製した。なお、表面粗さRaは、東京精密株式会社製サーフコムにて測定した。
以下のガラス板とセラミック板を用いて、本実施例のガラス−セラミック接合体を作製した。なお、表面粗さRaは、東京精密株式会社製サーフコムにて測定した。
[ガラス板]
縦5mm、横5mm、厚さ0.7mmのホウケイ酸ガラスからなるガラス板を用いた。ガラス板の接合面の表面粗さRaは、0.01μmである。
縦5mm、横5mm、厚さ0.7mmのホウケイ酸ガラスからなるガラス板を用いた。ガラス板の接合面の表面粗さRaは、0.01μmである。
[セラミック板]
縦5mm、横5mm、厚さ0.3mmの純度96%のアルミナからなるセラミック板を用いた。セラミック板の接合面の表面粗さRaは、0.05μmである。
縦5mm、横5mm、厚さ0.3mmの純度96%のアルミナからなるセラミック板を用いた。セラミック板の接合面の表面粗さRaは、0.05μmである。
このセラミック板は、一般的な押し出し成形にて製板したものをダイヤモンド砥粒を用いて研磨し、表面粗さを調整した。
[ガラス板とセラミック板の接合]
上記のガラス板とセラミック板を重ね合わせ、以下の条件で、超短パルスレーザーをガラス板側から照射して、ガラス板とセラミック板を接合させた。
上記のガラス板とセラミック板を重ね合わせ、以下の条件で、超短パルスレーザーをガラス板側から照射して、ガラス板とセラミック板を接合させた。
・光源:ファイバーレーザー(FCPA μJewel D−1000)
・パルスエネルギー:0.40μJまたは0.50μJ@522nm、約700フェムト秒、1MHz
・加工領域:0.5×0.5mm2
・走査速度:20mm/秒
・走査間隔:10μm
・パルスエネルギー:0.40μJまたは0.50μJ@522nm、約700フェムト秒、1MHz
・加工領域:0.5×0.5mm2
・走査速度:20mm/秒
・走査間隔:10μm
[接合状態の観察]
得られたガラス−セラミック接合体について、接合状態を光学顕微鏡で観察した。また、ガラス−セラミック接合体を接合界面で剥離して、剥離後のガラス板及びセラミック板の剥離表面を観察した。図6は、ガラス−セラミック接合体の接合領域を示す光学顕微鏡写真であり、(a)は剥離前の接合体のガラス板側の表面を示しており、(b)は剥離後のガラス板の剥離表面を示しており、(c)は剥離後のセラミック板の剥離表面を示している。
得られたガラス−セラミック接合体について、接合状態を光学顕微鏡で観察した。また、ガラス−セラミック接合体を接合界面で剥離して、剥離後のガラス板及びセラミック板の剥離表面を観察した。図6は、ガラス−セラミック接合体の接合領域を示す光学顕微鏡写真であり、(a)は剥離前の接合体のガラス板側の表面を示しており、(b)は剥離後のガラス板の剥離表面を示しており、(c)は剥離後のセラミック板の剥離表面を示している。
図6(a)において、黒い領域は、ガラス−セラミック接合体における接合領域を示している。図6(b)は、剥離後のガラス板の剥離表面を示しているが、左上の黒い領域は、剥離によりガラス板の一部が割れた領域である。図6(c)に示すセラミック板の右上にも、図6(b)の左上の領域に対応したガラス板の割れによる領域が観察されている。
なお、図6は、パルスエネルギーを0.50μJとしたときのガラス−セラミック接合体を示しているが、パルスエネルギーを0.40μJとしたときも同様の結果が得られている。
(比較例1)
表面粗さRaが0.5μmであるセラミック板を用いる以外は、実施例1と同様にして、ガラス板とセラミック板とを重ねあわせて、レーザーを照射した。しかしながら、ガラス板とセラミック板とは接合することができなかった。
表面粗さRaが0.5μmであるセラミック板を用いる以外は、実施例1と同様にして、ガラス板とセラミック板とを重ねあわせて、レーザーを照射した。しかしながら、ガラス板とセラミック板とは接合することができなかった。
(比較例2)
表面粗さRaが0.2μmであるセラミック板を用いる以外は、実施例1と同様にして、ガラス板とセラミック板とを重ね合わせて、レーザーを照射した。しかしながら、ガラス板とセラミック板とは接合することができなかった。
表面粗さRaが0.2μmであるセラミック板を用いる以外は、実施例1と同様にして、ガラス板とセラミック板とを重ね合わせて、レーザーを照射した。しかしながら、ガラス板とセラミック板とは接合することができなかった。
1…ガラス板
1a…ガラス板の接合面
2…セラミック板
2a…セラミック板の接合面
3…ガラス蓋
3a…ガラス蓋の接合部
4…セラミックパッケージ本体
4a…セラミックパッケージ本体の接合部
4b…セラミックパッケージ本体の内部
4c…セラミックパッケージ本体の突出部
10…ガラス−セラミック接合体
20…ガラス−セラミックパッケージ
30…超短パルスレーザー
31…レンズ
32…フィラメント領域
33…接合領域
1a…ガラス板の接合面
2…セラミック板
2a…セラミック板の接合面
3…ガラス蓋
3a…ガラス蓋の接合部
4…セラミックパッケージ本体
4a…セラミックパッケージ本体の接合部
4b…セラミックパッケージ本体の内部
4c…セラミックパッケージ本体の突出部
10…ガラス−セラミック接合体
20…ガラス−セラミックパッケージ
30…超短パルスレーザー
31…レンズ
32…フィラメント領域
33…接合領域
Claims (3)
- ガラスとセラミックとをレーザー照射によって接合させたガラス−セラミック接合体であって、
接合領域におけるセラミック表面の表面粗さRaが、0.1μm以下である、ガラス−セラミック接合体。 - 前記レーザー照射が、超短パルスレーザーの照射である、請求項1に記載のガラス−セラミック接合体。
- 前記ガラスが、強化ガラスである、請求項1または2に記載のガラス−セラミック接合体。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018194098A1 (ja) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | Agc株式会社 | 電子デバイス |
| JP2020040863A (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | 日本電気硝子株式会社 | 複合物品製造方法及び複合物品 |
| US20210055253A1 (en) * | 2019-08-21 | 2021-02-25 | Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg | Method of manufacturing a sensor element and ion-selective electrode |
| US20210408344A1 (en) * | 2020-06-30 | 2021-12-30 | Schott Ag | Packaged optoelectric module and method for its production |
| CN114206771A (zh) * | 2019-08-07 | 2022-03-18 | 肖特股份有限公司 | 严密密封的玻璃封装件 |
| JP2022541499A (ja) * | 2019-07-16 | 2022-09-26 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | 強化ガラス製気密封止筐体およびその製造方法 |
| JP2023531814A (ja) * | 2020-06-30 | 2023-07-25 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | ハーメチックシールパッケージおよびその製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5454117A (en) * | 1977-10-08 | 1979-04-28 | Tokyo Shibaura Electric Co | Ceramic bonding |
| JPS55136148A (en) * | 1979-04-05 | 1980-10-23 | Toshiba Corp | Seal bonding method |
| JPS62123075A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-04 | 株式会社東芝 | 複層誘電体の製造方法 |
| JP2011056519A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Osaka Univ | 接合方法および接合体の製造方法 |
| JP2011517299A (ja) * | 2008-03-07 | 2011-06-02 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | 超短パルスレーザによる透明材料処理 |
| JP2012104397A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Sharp Corp | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5454117A (en) * | 1977-10-08 | 1979-04-28 | Tokyo Shibaura Electric Co | Ceramic bonding |
| JPS55136148A (en) * | 1979-04-05 | 1980-10-23 | Toshiba Corp | Seal bonding method |
| JPS62123075A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-04 | 株式会社東芝 | 複層誘電体の製造方法 |
| JP2011517299A (ja) * | 2008-03-07 | 2011-06-02 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | 超短パルスレーザによる透明材料処理 |
| JP2011056519A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Osaka Univ | 接合方法および接合体の製造方法 |
| JP2012104397A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Sharp Corp | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018194098A1 (ja) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | Agc株式会社 | 電子デバイス |
| JP2020040863A (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | 日本電気硝子株式会社 | 複合物品製造方法及び複合物品 |
| JP7119806B2 (ja) | 2018-09-13 | 2022-08-17 | 日本電気硝子株式会社 | 複合物品製造方法 |
| JP2022541499A (ja) * | 2019-07-16 | 2022-09-26 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | 強化ガラス製気密封止筐体およびその製造方法 |
| US11993511B2 (en) | 2019-07-16 | 2024-05-28 | Schott Ag | Hermetically sealed, toughened glass package and method for producing same |
| JP7700094B2 (ja) | 2019-07-16 | 2025-06-30 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | 強化ガラス製気密封止筐体およびその製造方法 |
| CN114206771A (zh) * | 2019-08-07 | 2022-03-18 | 肖特股份有限公司 | 严密密封的玻璃封装件 |
| US20220157684A1 (en) * | 2019-08-07 | 2022-05-19 | Schott Ag | Hermetically sealed glass enclosure |
| US20210055253A1 (en) * | 2019-08-21 | 2021-02-25 | Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg | Method of manufacturing a sensor element and ion-selective electrode |
| US20210408344A1 (en) * | 2020-06-30 | 2021-12-30 | Schott Ag | Packaged optoelectric module and method for its production |
| JP2023531814A (ja) * | 2020-06-30 | 2023-07-25 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | ハーメチックシールパッケージおよびその製造方法 |
| US12369442B2 (en) * | 2020-06-30 | 2025-07-22 | Schott Ag | Packaged optoelectric modules with nitride ceramic frames and glass element hermetically closing the frames |
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