JP2014187402A - プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空処理チャンバと、真空処理チャンバ内に設けられ、基板を載置するための載置台と、真空処理チャンバ内に処理ガスを供給するためのガス供給機構と、処理ガスをプラズマ化するための機構と、基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングと、フォーカスリングの外周を囲むように設けられた環状部材と、フォーカスリングを冷却するための冷却機構と、環状部材に、当該環状部材の下部に配設された絶縁部材を介して、真空処理チャンバ外に設けた加熱用光源からの光を照射して加熱するための加熱機構と を具備し、加熱用光源からの光は、環状部材の吸収波長であり、絶縁部材の透過波長である。
【選択図】図13
Description
Claims (20)
- 真空処理チャンバと、
前記真空処理チャンバ内に設けられ、基板を載置するための載置台と、
前記真空処理チャンバ内に処理ガスを供給するためのガス供給機構と、
前記処理ガスをプラズマ化するための機構と、
前記基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングと、
前記フォーカスリングの外周を囲むように設けられた環状部材と、
前記フォーカスリングを冷却するための冷却機構と、
前記環状部材に、当該環状部材の下部に配設された絶縁部材を介して、前記真空処理チャンバ外に設けた加熱用光源からの光を照射して加熱するための加熱機構と
を具備し、
前記加熱用光源からの光は、前記環状部材の吸収波長であり、前記絶縁部材の透過波長である
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項1記載のプラズマエッチング装置であって、
前記フォーカスリングを冷却するための冷却機構は、前記載置台に載置された前記基板を冷却するための冷却機構を兼ねていることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項1又は2記載のプラズマエッチング装置であって、
前記加熱用光源が、レーザ光源又はLED光源であることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項1〜3いずれか1項記載のプラズマエッチング装置であって、
前記絶縁部材は、前記環状部材の下側に設けられ、前記加熱用光源からの光を透過させる材料から円環状又は扇状又は円柱状に形成され、当該絶縁部材の内部を、前記加熱用光源からの光を透過させて、前記環状部材に供給するよう構成されたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項4記載のプラズマエッチング装置であって、
前記絶縁部材が、石英、溶融石英、サファイヤ、透明イットリア、又はGe、ZnSe、ZnS、GaAs、CaF2、BaF2、MgF2、LiF、KBr、KCl、NaCl、MgOのいずれかからなる光学材料から構成されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項4又は5記載のプラズマエッチング装置であって、
前記絶縁部材の底面に、内部を透過する前記加熱用光源からの光を反射させるための反射機構が設けられていることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項6記載のプラズマエッチング装置であって、
前記反射機構がコーティング膜又は前記絶縁部材の表面加工によって形成されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項4又は5記載のプラズマエッチング装置であって、
前記絶縁部材の底面に隣接して前記絶縁部材側に反射面を有する反射ミラーを配設したことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項4〜8いずれか1項記載のプラズマエッチング装置であって、
前記絶縁部材に、前記加熱用光源からの光を分割する光分割機構を設け、当該光分割機構によって分割された光で前記環状部材を加熱することを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項4〜8いずれか1項記載のプラズマエッチング装置であって、
前記絶縁部材に、複数の部位から前記加熱用光源からの光を導入することを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項4〜8いずれか1項記載のプラズマエッチング装置であって、
前記絶縁部材に、前記加熱用光源からの光を所定の入射角度をもって斜めに入射させるよう構成されたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項4〜8いずれか1項記載のプラズマエッチング装置であって、
前記絶縁部材内に導入された前記加熱用光源からの光が前記絶縁部材内部の表面で全反射する入射条件で、前記絶縁部材内に前記加熱用光源からの光を入射させるよう構成されたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項4〜12いずれか1項記載のプラズマエッチング装置であって、
前記絶縁部材と前記環状部材との間にプリズムを設け、又は前記絶縁部材と前記環状部材の少なくとも一方の表面にプリズム相当の光路を変える加工を施し、前記環状部材内に導入された光が前記環状部材の表面で全反射する入射条件で、前記環状部材内に前記加熱用光源からの光を入射させることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項4〜13いずれか1項記載のプラズマエッチング装置であって、
前記絶縁部材と前記載置台との間に気密に閉塞された空間を形成するとともに、当該空間内に伝熱用のガスを供給するガス供給機構を設けたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項1〜14いずれか1項記載のプラズマエッチング装置であって、
前記フォーカスリングを前記載置台に静電的に吸着する吸着機構を具備したことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項1〜15いずれか1項記載のプラズマエッチング装置であって、
前記環状部材は、一部又は全部がシリコン、又は、シリコン炭化物からなり、前記加熱用光源からの光の波長はシリコンの基礎吸収端以下の波長の1050nm以下であることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 真空処理チャンバと、
前記真空処理チャンバ内に設けられ、基板を載置するための載置台と、
前記真空処理チャンバ内に処理ガスを供給するためのガス供給機構と、
前記処理ガスをプラズマ化するための機構と、
前記基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングと、
前記フォーカスリングの外周を囲むように設けられた環状部材と、
を具備したプラズマエッチング装置を用い、前記基板をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記環状部材に当該環状部材の下部に配設された絶縁部材を介して、前記真空処理チャンバ外に設けた加熱用光源からの光を照射して加熱するための加熱機構であって、前記加熱用光源からの光は、前記環状部材の吸収波長であり、前記絶縁部材の透過波長である加熱機構を設け、
前記環状部材を前記加熱機構によって加熱し、かつ、前記フォーカスリングを冷却しつつ前記基板のプラズマエッチングを行うことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項17記載のプラズマエッチング方法であって、
前記フォーカスリングを前記載置台に静電的に吸着する吸着機構を配設し、前記フォーカスリングを前記載置台に静電的に吸着することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項17又は18記載のプラズマエッチング方法であって、
前記環状部材は、一部又は全部がシリコン、又は、シリコン炭化物からなり、前記加熱用光源からの光の波長はシリコンの基礎吸収端以下の波長の1050nm以下であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項17〜19いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、
前記絶縁部材内に導入された前記加熱用光源からの光が前記絶縁部材内部の表面で全反射する入射条件で、前記絶縁部材内に前記加熱用光源からの光を入射させることを特徴とするプラズマエッチング方法。
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