JP2014186140A

JP2014186140A - Pattern forming method

Info

Publication number: JP2014186140A
Application number: JP2013060355A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Osone; 一弘大曽根; Muneo Yorinaga; 宗男頼永
Original assignee: Nippon Soken Inc
Current assignee: Soken Inc
Priority date: 2013-03-22
Filing date: 2013-03-22
Publication date: 2014-10-02
Anticipated expiration: 2033-03-22
Also published as: JP6094298B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method by which a pattern can be formed with high accuracy even when a target object for film formation is not necessarily a limited shape such as a cylindrical curved face.SOLUTION: A photomask is prepared by sticking a master pattern 3a to an adhesive sheet 6, and the photomask is stuck to a target object 10 for film formation that is composed of a complicated curved face. Thereby, the master pattern 3a can be disposed without leaving a space on a resist film 12 to be used for patterning a pattern material 11 that is preliminarily formed on the surface of the target object 10 for film formation. Therefore, a pattern film 11a can be formed by patterning the pattern material 11 with high accuracy by photolithography etching, and a pattern can be formed with high accuracy on a complicated curved face.

Description

本発明は、成膜対象物体へのパターン形成方法に関し、特に曲面を有する成膜対象物体へのパターン形成に適用すると好適である。 The present invention relates to a pattern formation method on a film formation target object, and is particularly suitable for application to pattern formation on a film formation target object having a curved surface.

従来、特許文献１において、曲面基板へのパターン形成方法が開示されている。このパターン形成方法では、平面基板上にベースフィルムを介して配置したドライフィルムレジストの上にフィルムフォトマスクを重ね、このフィルムフォトマスクを用いてドライフィルムレジストを露光および現像することでパターン形成を行う。そして、パターン形成したドライフィルムレジストをベースフィルムと共に曲面基板に対してローラを用いて熱圧着することで、曲面へのパターン形成を行う。このようなパターン形成方法とすることにより、曲面へのパターン形成を可能としている。 Conventionally, Patent Document 1 discloses a pattern forming method on a curved substrate. In this pattern forming method, a film photomask is overlaid on a dry film resist disposed on a flat substrate via a base film, and the dry film resist is exposed and developed using this film photomask to form a pattern. . Then, the patterned dry film resist is thermocompression bonded to the curved substrate together with the base film using a roller, thereby forming a pattern on the curved surface. By adopting such a pattern forming method, it is possible to form a pattern on a curved surface.

特開平０２−６４５４３号公報Japanese Patent Laid-Open No. 02-64543

しかしながら、特許文献１に示されたパターン形成方法では、ドライフィルムレジストとフィルムフォトマスクの間にベースフィルムが存在し、露光時にベースフィルム内において光が拡散し、パターン精度が悪くなる。また、このパターン形成方法は、ローラによる熱圧着を用いていることから、成膜対象物体が円筒曲面などのようのローラを面で当接させられる形状であれば適用可能であるが、複雑な曲面などのようにローラを面で当接させられない形状には適用できない。 However, in the pattern forming method disclosed in Patent Document 1, a base film exists between the dry film resist and the film photomask, and light diffuses in the base film during exposure, resulting in poor pattern accuracy. In addition, since this pattern forming method uses thermocompression bonding with a roller, it can be applied as long as the object to be formed has a shape that allows a roller to come into contact with a surface such as a cylindrical curved surface. It cannot be applied to a shape such as a curved surface where the roller cannot be in contact with the surface.

本発明は上記点に鑑みて、成膜対象物体の形状が円筒曲面などのような限られた形状でなくても、精度良くパターン形成することが可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a pattern forming method capable of forming a pattern with high accuracy even if the shape of an object to be formed is not a limited shape such as a cylindrical curved surface. To do.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、透光性の粘着シート（６）に対して原版パターン（３ａ）を貼り付けたフォトマスクを用意する工程と、成膜対象物体（１０）の表面に、パターン形成を行うパターン材料（１１）を成膜すると共に、該パターン材料の表面に第１レジスト膜（１２）を成膜する工程と、原版パターンが貼り付けられた粘着シートを第１レジスト膜の表面に貼り付ける工程と、原版パターンが貼り付けられた粘着シートの上から、第１レジスト膜を露光したのち現像を行うことで、第１レジスト膜を原版パターンと対応した形に残す工程と、粘着シートおよび原版パターンを原版パターンと対応した形に残された第１レジスト膜から取り除く工程と、原版パターンと対応した形に残された第１レジスト膜をマスクとしてパターン材料をパターニングすることで、パターン材料を原版パターンの形に残したパターン膜（１１ａ）を形成する工程と、を含んでいることを特徴としている。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a step of preparing a photomask in which an original pattern (3a) is attached to a translucent adhesive sheet (6), 10) Forming a pattern material (11) for pattern formation on the surface of 10), forming a first resist film (12) on the surface of the pattern material, and an adhesive sheet on which an original pattern is adhered The first resist film corresponds to the original pattern by exposing the first resist film to the first resist film and developing it from above the pressure sensitive adhesive sheet on which the original pattern is attached. A step of leaving the shape, a step of removing the adhesive sheet and the original pattern from the first resist film left in a shape corresponding to the original pattern, and a first resist film left in a shape corresponding to the original pattern By patterning the pattern material as a mask, it is characterized in that it includes the steps of forming a patterned film leaving a pattern material in the form of an original pattern (11a), a.

このように、フォトマスクとして粘着シートに対して原版パターンを貼り付けたものを形成している。そして、これを成膜対象物体に貼り付けることで、成膜対象物体の表面に形成しておいたパターン材料のパターニングに用いられる第１レジスト膜に対して隙間無く原版パターンを配置することができる。したがって、フォトリソグラフィ・エッチングによってパターン材料を精度良くパターニングしてパターン膜を形成することができる。よって、成膜対象物体の形状が円筒曲面などのような限られた形状でなくても、精度良くパターン形成することが可能となる。 Thus, the photomask is formed by attaching the original pattern to the adhesive sheet. Then, by attaching this to the film formation target object, it is possible to arrange the original pattern without any gap with respect to the first resist film used for patterning the pattern material formed on the surface of the film formation target object. . Therefore, a pattern film can be formed by accurately patterning a pattern material by photolithography and etching. Therefore, even if the shape of the object to be deposited is not a limited shape such as a cylindrical curved surface, it is possible to form a pattern with high accuracy.

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows an example of a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第１実施形態にかかるパターン形成工程を示す図である。It is a figure which shows the pattern formation process concerning 1st Embodiment of this invention. 図１に続くパターン形成工程を示す図である。It is a figure which shows the pattern formation process following FIG. 図２に続くパターン形成工程を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a pattern forming process subsequent to FIG. 2.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other will be described with the same reference numerals.

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について図１〜３を参照して説明する。本実施形態では、成膜対象物体が球面形状となっているものを例に挙げて、成膜対象物体へのパターン形成方法を説明する。なお、このような成膜対象物体としては、例えば部品狭小部の圧力や温度を計測する圧力センサや温度センサのセンシング部などを挙げることができる。 (First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, a method for forming a pattern on a film formation target object will be described using an example in which the film formation target object has a spherical shape. Examples of the film formation target object include a pressure sensor that measures the pressure and temperature of the narrow part of the component, and a sensing unit of the temperature sensor.

〔図１（ａ）に示す工程〕
まず、表面が平坦面となっている平面基板１を用意する。例えば、平面基板１としてはシリコン基板やガラス基板などを用いることができる。そして、この平面基板１における平坦面上に銅などで構成された犠牲層２を成膜する。このとき、犠牲層２については、一定膜厚で表面が平坦面となるように形成している。 [Step shown in FIG. 1 (a)]
First, a flat substrate 1 having a flat surface is prepared. For example, a silicon substrate or a glass substrate can be used as the planar substrate 1. Then, a sacrificial layer 2 made of copper or the like is formed on the flat surface of the flat substrate 1. At this time, the sacrificial layer 2 is formed so as to have a constant film thickness and a flat surface.

〔図１（ｂ）に示す工程〕
犠牲層２の表面に、パターン形成用マスク材として、所定膜厚の原版パターン膜３を成膜する。原版パターン膜３は、例えば圧力や温度の計測用の機能膜をパターン形成する際のパターン形成用マスクとなる原版パターン３ａ（図１（ｅ）参照）を形成する為の膜である。 [Step shown in FIG. 1B]
An original pattern film 3 having a predetermined film thickness is formed on the surface of the sacrificial layer 2 as a mask material for pattern formation. The original pattern film 3 is a film for forming an original pattern 3a (see FIG. 1E) that serves as a pattern formation mask when patterning a functional film for measuring pressure and temperature, for example.

原版パターン膜３は、犠牲層２を構成する材料とは異なる材料で構成され、例えばスパッタなどによって形成される。犠牲層２や原版パターン膜３は、それぞれをエッチングする際のエッチング剤（エッチング液やエッチングガス）に対して互いに大きな選択比を有した材料とされている。このため、犠牲層２のエッチング剤では原版パターン膜３は殆どエッチングされず、原版パターン膜３のエッチング剤では犠牲層２が殆どエッチングされないようになっている。例えば、犠牲層２を銅で構成する場合には、原版パターン膜３をチタン（Ｔｉ）などで構成することができる。 The original pattern film 3 is made of a material different from the material constituting the sacrificial layer 2 and is formed, for example, by sputtering. The sacrificial layer 2 and the original pattern film 3 are made of materials having a large selection ratio with respect to an etching agent (etching solution or etching gas) used for etching each of them. For this reason, the original pattern film 3 is hardly etched with the etching agent for the sacrificial layer 2, and the sacrificial layer 2 is hardly etched with the etching agent for the original pattern film 3. For example, when the sacrificial layer 2 is made of copper, the original pattern film 3 can be made of titanium (Ti) or the like.

さらに、原版パターン膜３の表面に、例えばポジ型の感光性樹脂レジストなどで構成されるレジスト膜（第２レジスト膜）４を形成する。 Further, a resist film (second resist film) 4 made of, for example, a positive photosensitive resin resist is formed on the surface of the original pattern film 3.

〔図１（ｃ）に示す工程〕
平面基板１の表面に犠牲層２や原版パターン膜３およびレジスト膜４が順に成膜されたものに対して、レジスト膜４側に密着させるようにガラスなどで構成されるフォトマスク５を配置する。フォトマスク５は、パターン形成したい形状のパターンと同形状の遮光パターン５ａが形成されたものであり、遮光パターン５ａ以外の部分においては光を透過し、遮光パターン５ａでは光を遮る構造とされている。そして、このようなフォトマスク５を用いて、紫外線（ＵＶ）照射による露光工程を行うことで、遮光パターン５ａ以外の部分においてレジスト膜４に紫外線が照射され、感光される。 [Step shown in FIG. 1 (c)]
A photomask 5 made of glass or the like is disposed so that the sacrificial layer 2, the original pattern film 3, and the resist film 4 are sequentially formed on the surface of the flat substrate 1 so as to adhere to the resist film 4 side. . The photomask 5 is formed with a light shielding pattern 5a having the same shape as the pattern to be patterned. The photomask 5 has a structure that transmits light in portions other than the light shielding pattern 5a and blocks light in the light shielding pattern 5a. Yes. Then, by performing an exposure process by ultraviolet (UV) irradiation using such a photomask 5, the resist film 4 is irradiated with ultraviolet rays at portions other than the light shielding pattern 5a, and is exposed.

〔図１（ｄ）に示す工程〕
フォトマスク５を取り除いたのち、現像工程を行うことで、レジスト膜４のうち紫外線照射が行われた領域を除去する。これにより、紫外線照射が行われていない遮光パターン５ａと同じ形状にレジスト膜４が残される。 [Step shown in FIG. 1 (d)]
After removing the photomask 5, a development process is performed to remove the region of the resist film 4 that has been irradiated with ultraviolet rays. Thereby, the resist film 4 is left in the same shape as the light shielding pattern 5a that is not irradiated with ultraviolet rays.

〔図１（ｅ）に示す工程〕
レジスト膜４をマスクとしたエッチングにより、原版パターン膜３をパターニングする。これにより、原版パターン膜３も遮光パターン５ａと同じ形状に残り、これが例えば圧力や温度の計測用の機能膜を形成する際のパターン形成用マスクとなる原版パターン３ａとなる。このとき、エッチング剤としては例えば希フッ酸などを用いているが、上記したように、原版パターン膜３と犠牲層２とが互いに大きな選択比を有した材料とされていることから、原版パターン膜３のみがエッチングされ、犠牲層２は殆どエッチングされないようにできる。 [Step shown in FIG. 1 (e)]
The original pattern film 3 is patterned by etching using the resist film 4 as a mask. As a result, the original pattern film 3 also remains in the same shape as the light-shielding pattern 5a, and this becomes an original pattern 3a that serves as a pattern formation mask when forming a functional film for measuring pressure and temperature, for example. At this time, for example, dilute hydrofluoric acid or the like is used as an etchant. However, as described above, the original pattern film 3 and the sacrificial layer 2 are made of materials having a large selection ratio. Only the film 3 is etched and the sacrificial layer 2 is hardly etched.

〔図２（ａ）に示す工程〕
原版パターン膜３の残り、つまり原版パターン３ａの表面からレジスト膜４をリンスして除去する。これにより、犠牲層２の表面に、所望のパターン形状とされた原版パターン３ａのみが残された状態となる。 [Step shown in FIG. 2 (a)]
The resist film 4 is rinsed and removed from the remainder of the original pattern film 3, that is, from the surface of the original pattern 3a. As a result, only the original pattern 3 a having a desired pattern shape is left on the surface of the sacrificial layer 2.

〔図２（ｂ）に示す工程〕
犠牲層２および原版パターン３ａを覆うように透光性の粘着シート６を貼り付ける。粘着シート６には、粘着層が犠牲層２および原版パターン３ａに対して密着性良く粘着しつつ、紫外線照射によって粘着強度が低下する材料が用いられる。また、粘着シート６には、犠牲層２をエッチングする際のエッチング剤には溶けず、所望パターンの原版パターン３ａを粘着した状態のまま維持できる材料が用いられる。このような材料としては、例えばＵＶ硬化性樹脂で構成されたフィルムなどを挙げることができる。 [Step shown in FIG. 2 (b)]
A translucent adhesive sheet 6 is attached so as to cover the sacrificial layer 2 and the original pattern 3a. For the pressure-sensitive adhesive sheet 6, a material is used in which the pressure-sensitive adhesive layer adheres to the sacrificial layer 2 and the original pattern 3 a with good adhesion, and the pressure-sensitive adhesive strength is reduced by ultraviolet irradiation. The adhesive sheet 6 is made of a material that does not dissolve in the etching agent used for etching the sacrificial layer 2 and can maintain the original pattern 3a having a desired pattern in an adhesive state. Examples of such a material include a film made of a UV curable resin.

〔図２（ｃ）に示す工程〕
粘着シート６を犠牲層２および原版パターン３ａに貼り付けたままの状態で、粘着シート６の側方から犠牲層２をエッチングする。例えば、犠牲層２を銅で構成する場合には、硝酸第二セリウムアンモニウムをエッチング剤として用いている。このとき、上記したように、原版パターン３ａと犠牲層２とが互いに大きな選択比を有した材料とされていることから、犠牲層２のみがエッチングされ、原版パターン３ａは殆どエッチングされないようにできる。また、上記したように、粘着シート６についても、粘着力が確保されるため、粘着シート６に原版パターン３ａが粘着した状態のまま維持されるようにできる。これにより、図に示したように、粘着シート６に対して原版パターン３ａのみがパターン転写された構造が完成し、平面基板１から容易に取り出すことができる。 [Step shown in FIG. 2 (c)]
The sacrificial layer 2 is etched from the side of the pressure-sensitive adhesive sheet 6 while the pressure-sensitive adhesive sheet 6 is still attached to the sacrificial layer 2 and the original pattern 3a. For example, when the sacrificial layer 2 is made of copper, ceric ammonium nitrate is used as an etching agent. At this time, since the original pattern 3a and the sacrificial layer 2 are made of materials having a large selection ratio as described above, only the sacrificial layer 2 is etched and the original pattern 3a is hardly etched. . Further, as described above, the pressure-sensitive adhesive sheet 6 can also be maintained in a state in which the original pattern 3 a is adhered to the pressure-sensitive adhesive sheet 6 because the adhesive force is secured. Thereby, as shown in the drawing, a structure in which only the original pattern 3a is pattern-transferred to the adhesive sheet 6 is completed, and can be easily taken out from the flat substrate 1.

〔図２（ｄ）に示す工程〕
成膜対象物体１０を用意する。ここでは、成膜対象物体１０として例えば球面形状の物を用意している。このような成膜対象物体１０としては、例えば圧力センサや温度センサなどのセンシング部が挙げられる。また、成膜対象物体１０が金属など導体材料の場合には、成膜対象物体１０の表面を酸化膜などの絶縁膜でコーティングしている。そして、成膜対象物体１０の表面に、スパッタなどによってパターン形成を行いたいパターン材料１１を成膜する。例えば、圧力計測用のパターン形成を行う場合にはパターン材料１１をクロム（Ｃｒ）系の金属膜などとし、温度計測用のパターン形成を行う場合にはパターン材料１１を白金（Ｐｔ）などとする。 [Step shown in FIG. 2 (d)]
A deposition target object 10 is prepared. Here, for example, a spherical object is prepared as the film formation target object 10. Examples of the film formation target object 10 include a sensing unit such as a pressure sensor and a temperature sensor. When the film formation target object 10 is a conductive material such as metal, the surface of the film formation target object 10 is coated with an insulating film such as an oxide film. Then, a pattern material 11 to be patterned is formed on the surface of the film formation target object 10 by sputtering or the like. For example, when pattern formation for pressure measurement is performed, the pattern material 11 is a chromium (Cr) -based metal film, and when pattern formation for temperature measurement is performed, the pattern material 11 is platinum (Pt) or the like. .

〔図２（ｅ）に示す工程〕
パターン材料１１の表面に例えばポジ型の感光性樹脂レジストなどで構成されるレジスト膜（第１レジスト膜）１２を形成する。 [Step shown in FIG. 2 (e)]
A resist film (first resist film) 12 made of, for example, a positive photosensitive resin resist is formed on the surface of the pattern material 11.

〔図３（ａ）に示す工程〕
図２（ｃ）に示す工程において用意した原版パターン３ａがパターン転写された粘着シート６をレジスト膜１２の表面に貼り付ける。このとき、粘着シート６については、柔軟性に富んでいるため、成膜対象物体１０が球面形状のような複雑な曲面であっても、原版パターン３ａが貼り付けられた粘着シート６を隙間無くレジスト膜１２に貼り付けることが可能となる。そして、原版パターン３ａが貼り付けられた粘着シート６をフォトマスクとして用いて、紫外線（ＵＶ）照射による露光工程を行うことで、原版パターン３ａ以外の部分においてレジスト膜１２に紫外線が照射され、感光される。また、粘着シート６に例えばＵＶ硬化性樹脂などで構成されたフィルムを用いていることから、紫外線照射により、粘着強度が低下した状態となる。 [Step shown in FIG. 3 (a)]
The pressure-sensitive adhesive sheet 6 on which the original pattern 3 a prepared in the step shown in FIG. 2C is transferred is attached to the surface of the resist film 12. At this time, since the pressure-sensitive adhesive sheet 6 is very flexible, the pressure-sensitive adhesive sheet 6 to which the original pattern 3a is attached is not spaced even if the film formation target object 10 is a complicated curved surface such as a spherical shape. It can be attached to the resist film 12. Then, by using the pressure sensitive adhesive sheet 6 on which the original pattern 3a is attached as a photomask, an exposure process by ultraviolet (UV) irradiation is performed, so that the resist film 12 is irradiated with ultraviolet rays at portions other than the original pattern 3a, and photosensitive. Is done. Moreover, since the film comprised with UV curable resin etc. is used for the adhesive sheet 6, it will be in the state to which the adhesive strength fell by ultraviolet irradiation.

〔図３（ｂ）に示す工程〕
フォトマスクとして用いた原版パターン３ａおよび粘着シート６をレジスト膜１２の表面から取り除く。このとき、上記したように粘着シート６の粘着強度が低下した状態になっていることから、粘着シート６および原版パターン３ａを容易に取り除くことが可能となる。 [Step shown in FIG. 3B]
The original pattern 3a and the adhesive sheet 6 used as a photomask are removed from the surface of the resist film 12. At this time, since the adhesive strength of the adhesive sheet 6 is lowered as described above, the adhesive sheet 6 and the original pattern 3a can be easily removed.

〔図３（ｃ）に示す工程〕
現像工程を行うことで、レジスト膜１２を原版パターン３ａと対応した形に残す。本実施形態のように、レジスト膜１２をポジ型としている場合には、レジスト膜１２のうち紫外線照射が行われた領域が除去される。これにより、紫外線照射が行われていない原版パターン３ａと同じ形状にレジスト膜１２が残される。 [Step shown in FIG. 3 (c)]
By performing the development process, the resist film 12 is left in a shape corresponding to the original pattern 3a. When the resist film 12 is a positive type as in this embodiment, the region of the resist film 12 that has been irradiated with ultraviolet rays is removed. As a result, the resist film 12 is left in the same shape as the original pattern 3a that has not been irradiated with ultraviolet rays.

〔図３（ｄ）に示す工程〕
レジスト膜１２をマスクとしたエッチングにより、パターン材料１１をパターニングする。これにより、パターン材料１１も原版パターン３ａと同じ形状に残り、この残された部分によってパターン膜１１ａが構成される。 [Step shown in FIG. 3 (d)]
The pattern material 11 is patterned by etching using the resist film 12 as a mask. Thereby, the pattern material 11 also remains in the same shape as the original pattern 3a, and the pattern film 11a is constituted by the remaining portion.

〔図３（ｅ）に示す工程〕
パターン材料１１の残り、つまりパターン膜１１ａの表面からレジスト膜１２をリンスして除去する。これにより、成膜対象物体１０の表面に所望パターンとされたパターン膜１１ａが形成される。 [Step shown in FIG. 3 (e)]
The resist film 12 is rinsed and removed from the rest of the pattern material 11, that is, from the surface of the pattern film 11a. As a result, a pattern film 11 a having a desired pattern is formed on the surface of the film formation target object 10.

なお、この後の製造工程については省略するが、各パターン膜１１ａを繋ぐ配線パターンを形成したりすることで、成膜対象物体１０に対してパターン膜１１ａをパターン形成した製品が完成する。例えば、当該製品が圧力センサの場合には、パターン膜１１ａの抵抗値が印加された圧力に応じて変化することから、配線パターンを通じて抵抗値変化に応じた出力信号を電気的に取り出し、それに基づいて圧力検出を行うことができる。同様に、当該製品が温度センサの場合には、パターン膜１１ａの抵抗値が温度に応じて変化することから、配線パターンを通じて抵抗値変化に応じた出力信号を電気的に取り出し、温度検出を行うことができる。 Although a subsequent manufacturing process is omitted, a product in which the pattern film 11a is formed on the film formation target object 10 is completed by forming a wiring pattern that connects the pattern films 11a. For example, when the product is a pressure sensor, the resistance value of the pattern film 11a changes according to the applied pressure. Therefore, an output signal corresponding to the resistance value change is electrically taken out through the wiring pattern, and based on that. Pressure detection. Similarly, when the product is a temperature sensor, the resistance value of the pattern film 11a changes according to the temperature, so that an output signal corresponding to the resistance value change is electrically taken out through the wiring pattern to detect the temperature. be able to.

以上説明したように、フォトマスクとして粘着シート６に対して原版パターン３ａを貼り付けたものを形成している。そして、これを複雑な曲面にて構成される成膜対象物体１０に貼り付けることで、成膜対象物体１０の表面に形成しておいたパターン材料１１のパターニングに用いられるレジスト膜１２に対して隙間無く原版パターン３ａを配置することができる。したがって、フォトリソグラフィ・エッチングによってパターン材料１１を精度良くパターニングしてパターン膜１１ａを形成することができる。よって、成膜対象物体１０の形状が円筒曲面などのような限られた形状でなくても、精度良くパターン形成することが可能となる。そして、このように複雑な曲面に対しても精度良くパターン形成が行えることで、部品狭小部の圧力や温度測定も的確に行うことが可能となる。 As described above, the photomask is formed by attaching the original pattern 3a to the adhesive sheet 6. Then, by attaching this to the film formation target object 10 constituted by a complicated curved surface, the resist film 12 used for patterning the pattern material 11 formed on the surface of the film formation target object 10 is applied. The original pattern 3a can be arranged without a gap. Therefore, the pattern material 11 can be accurately patterned by photolithography and etching to form the pattern film 11a. Therefore, even if the shape of the film formation target object 10 is not a limited shape such as a cylindrical curved surface, a pattern can be formed with high accuracy. In addition, since the pattern can be accurately formed even on such a complicated curved surface, it is possible to accurately measure the pressure and temperature of the narrow part of the component.

また、粘着シート６の表面に直接原版パターン膜３を成膜し、これをエッチングして原版パターン３ａを形成することも考えられる。しかしながら、粘着シート６は、材質的に原版パターン膜３を形成する際のスパッタなどの工程における熱に耐えられる耐熱性や、フォトリソグラフィ時に用いられるアセトンなどの有機溶剤に耐えられる耐薬品性が十分ではない。このため、一旦、平面基板１の上に犠牲層２を介して原版パターン膜３を形成しておき、それをパターニングしてから粘着シート６に貼り付けるという手法を用いることで、粘着シート６の耐熱性や耐薬品性の問題にかかわらず、精度良く原版パターン３を形成できる。 It is also conceivable that the original pattern film 3 is directly formed on the surface of the pressure-sensitive adhesive sheet 6 and etched to form the original pattern 3a. However, the pressure-sensitive adhesive sheet 6 has sufficient heat resistance to withstand heat in a process such as sputtering when forming the original pattern film 3 and chemical resistance to withstand an organic solvent such as acetone used in photolithography. is not. For this reason, once the original pattern film 3 is formed on the flat substrate 1 via the sacrificial layer 2 and patterned, the technique is applied to the pressure-sensitive adhesive sheet 6. Regardless of heat resistance or chemical resistance, the original pattern 3 can be formed with high accuracy.

（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。 (Other embodiments)
The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be appropriately changed within the scope described in the claims.

例えば、上記実施形態では、成膜対象物体１０として圧力センサや温度センサを例に挙げたが、他のセンサであっても良く、センサ以外のものであっても構わない。また、複雑な曲面の成膜対象物体１０として球面形状を例に挙げたが、それ以外の形状であっても良い。本発明は、特に複雑な曲面を有する成膜対象物体１０に対するパターン膜１１ａの形成に適しているが、成膜対象物体１０として単なる円筒形状のものや、曲面ではない形状、例えば平面であっても屈曲した平面のものなどにも適用可能である。 For example, in the above embodiment, a pressure sensor or a temperature sensor is used as an example of the film formation target object 10, but another sensor may be used, or a sensor other than the sensor may be used. Moreover, although the spherical shape was given as an example of the film formation target object 10 having a complicated curved surface, other shapes may be used. The present invention is particularly suitable for the formation of the pattern film 11a on the film formation target object 10 having a complicated curved surface. However, the film formation target object 10 has a simple cylindrical shape or a shape that is not a curved surface, for example, a flat surface. Also applicable to a bent plane.

また、上記実施形態では、レジスト膜１２をポジ型とする場合について説明したが、ネガ型のものであっても良い。その場合、レジスト膜１２のうち感光された部分が現像において残ることになることから、粘着シート６に対して形成する原版パターン３ａの形状もそれに合わせた形状にすれば良い。 Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where the resist film 12 was made into a positive type, a negative type may be sufficient. In that case, since the exposed portion of the resist film 12 remains in the development, the shape of the original pattern 3a formed on the pressure-sensitive adhesive sheet 6 may be set to a shape corresponding thereto.

１平面基板
２犠牲層
３原版パターン膜
３ａ原版パターン
４、１２レジスト膜
５フォトマスク
６粘着シート
１０成膜対象物体
１１パターン材料
１１ａパターン膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Planar substrate 2 Sacrificial layer 3 Original pattern film 3a Original pattern 4, 12 Resist film 5 Photomask 6 Adhesive sheet 10 Deposition object 11 Pattern material 11a Pattern film

Claims

A pattern forming method for forming a pattern film (11a) on a film formation target object (10),
A step of preparing a photomask in which the original pattern (3a) is attached to the translucent adhesive sheet (6);
Forming a pattern material (11) for pattern formation on the surface of the object to be formed, and forming a first resist film (12) on the surface of the pattern material;
A step of affixing the pressure-sensitive adhesive sheet on which the original pattern is affixed to the surface of the first resist film;
Step of leaving the first resist film in a shape corresponding to the original pattern by performing development after exposing the first resist film from above the pressure-sensitive adhesive sheet to which the original pattern is attached;
Removing the adhesive sheet and the original pattern from the first resist film left in a shape corresponding to the original pattern;
Forming the pattern film while leaving the pattern material in the form of the original pattern by patterning the pattern material using the first resist film left in the form corresponding to the original pattern as a mask, and A pattern forming method comprising:

In the step of preparing the photomask,
Preparing a planar substrate (1) and depositing a sacrificial layer (2) on the planar substrate;
Forming a master pattern film (3) for forming the master pattern on the surface of the sacrificial layer (2), and forming a second resist film (4) on the surface of the master pattern film;
A mask (5) having a light-shielding pattern (5a) having the same shape as the original pattern is brought into intimate contact with the second resist film, and the second resist film is developed by performing exposure after exposure from the mask. Leaving the same shape as the light-shielding pattern;
Patterning the original pattern film using the second resist film having the same shape as the light shielding pattern as a mask, thereby forming the original pattern leaving the original pattern film in the shape of the light shielding pattern;
Attaching the adhesive tape to the original pattern;
The method further comprises: removing the adhesive tape and the original pattern from the flat substrate after etching the sacrificial layer with the adhesive tape attached to the original pattern. The pattern formation method as described.

In the step of preparing the photomask, the pressure-sensitive adhesive sheet is one whose adhesive strength is reduced by ultraviolet irradiation,
In the step of leaving the portion covered with the original pattern, the exposure is performed by ultraviolet irradiation, and the adhesive strength of the adhesive sheet is reduced,
3. The pattern forming method according to claim 1, wherein, in the step of removing from the first resist film, the pressure-sensitive adhesive sheet and the original plate pattern having reduced adhesive strength are removed from the first resist film.